CN103138682B - 一种低噪声放大器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低噪声放大器，包括：4个PMOS管，编号为B1至B4；4个电感，编号为L1至L5；4个电阻，编号为R1至R4；2个电容C1和C2；输入端接L1和R2的一端，L1另一端接B3栅极，R2另一端接B1栅极；B1栅极漏极短接，其源极接地；电源电压接R1的一端、L2的一端、L3的一端和B2栅极，R1另一端接B1漏极，L2另一端接B2漏极和B4栅极，L3另一端接B4漏极；R3一端接B2漏极，另一端接C1正极，C1负极L4一端，L4另一端接输出端；C2正极接B4漏极，C2负极接地；B2源极接B3漏极，B3源极通过L5接地；B4源极通过R4接地。本发明的低噪声放大器能实现30dB以上的增益，同时能得到1.5dB以下的噪声指数。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种低噪声放大器。
背景技术
目前，常用的采用射频CMOS工艺设计的低噪声放大器(如图1所示)，是源极反馈型的共源共栅低噪声放大器，其基本原理是利用源极电感Ls与MOS管的栅极电容Cgs谐振，从而得到一个实阻抗以实现输入阻抗的匹配，现有低噪声放大器的缺点是其输出增益能力有限。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种低噪声放大器能实现30dB以上的增益，同时能得到1.5dB以下的噪声指数。
为解决上述技术问题，本发明的低噪声放大器，包括：
4个PMOS管，编号为B1至B4；4个电感，编号为L1至L5；4个电阻，编号为R1至R4；5个电感，编号为L1至L5和2个电容C1、C2；
输入端接L1和R2的一端，L1另一端接B3栅极，R2另一端接B1栅极；B1栅极漏极短接，其源极接地；
电源电压接R1的一端、L2的一端、L3的一端和B2栅极，R1另一端接B1漏极，L2另一端接B2漏极和B4栅极，L3另一端接B4漏极，B4漏极接C1的负极；
R3一端接B2漏极，另一端接C1正极，C1负极接L4一端，L4另一端接输出端；C2正极接B4漏极，C2负极接地；
B2源极接B3漏极，B3源极通过L5接地；B4源极通过R4接地。
本发明的低噪声放大器，采用二级低噪声放大器的电路设计，其中B1、R1和R2组成偏置电路，B2和B3组成共射共基的第一级放大级，L5为射极反馈电感，L1为基极输入匹配电感，L2为谐振电感，R3和C1组成米勒反馈，B4为第二级放大级，L3为与第二级放大级配合的谐振电路，C2，L4为输出匹配电路,使得输出能达到50欧姆的阻抗匹配。本发明的低噪声放大器能实现30dB以上的增益，同时能得到1.5dB以下的噪声指数。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是一种现有低噪声放大器的示意图。
图2是本发明低噪声放大器的示意图。
图3是本发明低噪声放大器4个S参数仿真结果示意图，S11、S12、S21和S22代表反射系数和传输系数，称之为二端口网路的散射参数，其中：S11表示端口2匹配时端口1的反射系数，S22表示端口1匹配时端口2的反射系数，S12表示二端口网络的反向增益，S21表示二端口网络的前向增益。
图4是本发明低噪声放大器的噪声指数仿真结果示意图。
附图标记说明
B1至B4是PMOS管
M1至M3是NMOS管
L1至L5、Ls、Ld、Lg是电感
R1至R4、Rb、Rs是电阻
C1、C2、Cb是电容
VDD、AVDD是电源电压
Vin、IN是输入端
VOUT、OUT是输出端。
具体实施方式
如图2所示，本发明的低噪声放大器，包括：
4个PMOS管，编号为B1至B4；4个电感，编号为L1至L5；4个电阻，编号为R1至R4；5个电感，编号为L1至L5和2个电容C1、C2；
输入端IN接L1和R2的一端，L1另一端接B3栅极，R2另一端接B1栅极；B1栅极漏极短接，其源极接地；
电源电压AVDD接R1的一端、L2的一端、L3的一端和B2栅极，R1另一端接B1漏极，L2另一端接B2漏极和B4栅极，L3另一端接B4漏极，B4漏极接C1的负极；
R3一端接B2漏极，另一端接C1正极，C1负极接L4一端，L4另一端接输出端OUT；C2正极接B4漏极，C2负极接地；
B2源极接B3漏极，B3源极通过L5接地；B4源极通过R4接地。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种低噪声放大器，其特征是,包括：4个PMOS管，编号为B1至B4；5个电感，编号为L1至L5；4个电阻，编号为R1至R4；2个电容C1和C2；
输入端接L1和R2的一端，L1另一端接B3栅极，R2另一端接B1栅极；B1栅极漏极短接，其源极接地；
电源电压接R1的一端、L2的一端、L3的一端和B2栅极，R1另一端接B1漏极，L2另一端接B2漏极和B4栅极，L3另一端接B4漏极，B4漏极接C1的负极；
R3一端接B2漏极，另一端接C1正极，C1负极接L4一端，L4另一端接输出端；C2正极接B4漏极，C2负极接地；
B2源极接B3漏极，B3源极通过L5接地；B4源极通过R4接地。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110388407.2A CN103138682B (zh) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | 一种低噪声放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110388407.2A CN103138682B (zh) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | 一种低噪声放大器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103138682A CN103138682A (zh) | 2013-06-05 |
| CN103138682B true CN103138682B (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=48498090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110388407.2A Active CN103138682B (zh) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | 一种低噪声放大器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103138682B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104300918A (zh) * | 2014-10-17 | 2015-01-21 | 绵阳雷迪创微电子科技有限公司 | 噪声低的放大器电路 |
| CN105071780B (zh) * | 2015-08-25 | 2018-10-16 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 带有输出到输入反馈的宽带低噪声放大器 |
| CN106374843B (zh) * | 2016-10-18 | 2023-07-28 | 广西师范大学 | 一种低功耗的高增益低噪声放大器及运行方法 |
| CN106603022A (zh) * | 2016-11-10 | 2017-04-26 | 电子科技大学 | 一种短波高线性平衡结构功率放大器 |
| CN107769736B (zh) * | 2017-10-13 | 2021-06-25 | 西安电子科技大学 | 自偏置宽带低噪声放大器 |
| CN109257022B (zh) * | 2018-11-02 | 2021-08-10 | 电子科技大学 | 一种工作频率趋近于fT/2的宽带放大器 |
| CN112543003B (zh) * | 2020-11-20 | 2023-07-25 | 北京昂瑞微电子技术股份有限公司 | 一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101022266A (zh) * | 2006-09-28 | 2007-08-22 | 威盛电子股份有限公司 | 功率放大器 |
| CN101282110A (zh) * | 2008-04-25 | 2008-10-08 | 北京大学 | 一种低功耗单端输入差分输出低噪声放大器 |
| CN101350592A (zh) * | 2008-07-11 | 2009-01-21 | 东南大学 | 超宽带低噪声放大器 |
| CN101494441A (zh) * | 2008-01-24 | 2009-07-29 | 三星电子株式会社 | 宽带低噪声放大器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100667303B1 (ko) * | 2005-02-01 | 2007-01-12 | 삼성전자주식회사 | Ｕｗｂ용 ｌｎａ |
-
2011
- 2011-11-29 CN CN201110388407.2A patent/CN103138682B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101022266A (zh) * | 2006-09-28 | 2007-08-22 | 威盛电子股份有限公司 | 功率放大器 |
| CN101494441A (zh) * | 2008-01-24 | 2009-07-29 | 三星电子株式会社 | 宽带低噪声放大器 |
| CN101282110A (zh) * | 2008-04-25 | 2008-10-08 | 北京大学 | 一种低功耗单端输入差分输出低噪声放大器 |
| CN101350592A (zh) * | 2008-07-11 | 2009-01-21 | 东南大学 | 超宽带低噪声放大器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1.5GHz BiCOMS级间电感匹配低噪声放大器设计;石峰等;《今日电子》;电子工业出版社;20060331(第3期);第79-81页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103138682A (zh) | 2013-06-05 |
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Legal Events
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
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|
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|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |