CN103123599A - 具系统修复数据的内嵌式内存及其系统修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭露一种具系统修复数据的内嵌式内存，其包含有一个闪存单元，一个储存单元，以及一个控制单元。其中，该闪存单元储存有一组系统内码(In-System Code，ISP Code)，储存单元储存一组系统修复码，而该系统修复码是用以重建该系统内码。控制单元电性连接该闪存单元与该储存单元，且该控制单元用以判断该系统内码是否损毁；并当系统内码损毁时，控制单元以系统修复码重建系统内码。本发明揭露一种内嵌式内存的系统修复方法，其步骤包含：确认闪存单元中的系统内码已损毁；读取储存单元中的系统修复码；以及以系统修复码重建系统内码。

Description

具系统修复数据的内嵌式内存及其系统修复方法
【技术领域】
本发明是有关闪存的技术，尤指一种用于内嵌式内存的技术及其控制方法。
【背景技术】
闪存(Flash Memory)，是非挥发性内存的一种，其是用一个浮动栅(Floating Gate)晶体管控制电荷流入的数量来储存数据，且其不需额外的电力来维持数据的储存。换句话说，在切断外部电源的情况下，闪存内储存的数据不会因此消失。
闪存又可分为NOR Flash以及NAND Flash两种。一般来说，前者常被用于储存程序代码，后者常被用于储存数据数据。若再以每个晶体管单元(Cell)所能储存的数据数量来区分，可以将NAND Flash区分为两类：一阶储存(Single Level Cell，SLC)架构和多阶储存(Multi Level Cell，MLC)架构。
传统的闪存架构，可参考美国专利申请公开文件(US PatentApplication Publication)公开号US 2007/0234341A1。该架构的主要对象有三：计算机装置，读取装置，以及存储器。其中，存储器中包含了内存(Memory)与控制单元(Controller)，而存储器轫体(Card Firmware)储存于该控制单元中，以引导该控制单元的活动。
该美国专利申请公开文件揭露一种通过网络更新存储器轫体的技术。由于存储器制造商随着其技术演进，会不定时地发布存储器轫体的最新版本，而传统存储器轫体更新作业需将存储器送回存储器制造商，无法由使用者自行更新。该篇专利公开文件揭露一种内系统编码(In-System Programming)的机制，以使该具有内系统编码的存储器，能够通过网络接收内存制造商提供的最新轫体版本，并更新该存储器的轫体版本，进而提升存储器的使用效能。然而，该技术的缺陷是必须能够接收到网络传来的最新轫体版本，才能够进行轫体的更新。换一个角度说，若该计算机装置无法启动，因此连不上网络，该存储器自然也无法更新轫体版本。
内嵌式内存使用上，则非常容易遇到因计算机装置无法启动，连不上网络，该存储器无法更新轫体版本的问题。内嵌式内存主要应用于手持式电子设备上，以做为该手持式电子设备的储存单元。与传统储存单元不同，该内嵌式内存的特点有三：第一，若该内嵌式内存的轫体损毁，则该手持式电子设备极可能无法正常运作，更无法连上网络更新轫体，以致于该手持式电子设备无法开机；第二，由于该内嵌式内存在于其是以锡球、锡炉焊于该手持式电子设备上，因此在锡炉焊接制程中极可能损毁其轫体；第三，又因为内嵌式内存是内嵌于手持式电子设备中，若欲取出后换新，则该金钱成本与时间成本都不符合成本效益。
综上可知，由于内嵌式内存使用过程常搭配锡炉焊接制程，锡炉的作业温度往往高达摄氏250度以上，如此高温则大幅提高闪存单元11中数据损坏的风险。有鉴于此，如何有效确保锡炉焊接制程中损毁内嵌式内存中系统内码(In-System Programming Code，ISP Code)的安全性，以克服手持式电子设备无法开机的缺憾，实为业界有待解决的重要课题。
【发明内容】
本发明揭露一种具系统修复数据的内嵌式内存，其包含有一个闪存单元，一个储存单元，以及一个控制单元。其中，该闪存单元储存有一组系统内码(In-System Code，ISP Code)，储存单元储存一组系统修复码，而该系统修复码是用以重建该系统内码。控制单元电性连接该闪存单元与该储存单元，且该控制单元用以判断该系统内码是否损毁；并当该系统内码损毁时，控制单元读取该系统修复码，进而重建该系统内码。
本发明所揭露储存单元可为一个一次性可编程内存(One TimeProgrammable ROM，OTP ROM)，或一个可擦除可编程内存(ErasableProgrammable ROM，EPROM)。与该闪存单元相比，该一次性可编程内存或可擦除可编程内存均具有较好的数据保存性，较不会因为外界温度变化、例如过冷或过热而发生数据灭失的问题。
本发明所揭露的控制单元于系统内码损毁时，将读取系统修复码，而该系统修复码将引导控制单元先格式化闪存单元，再引导控制单元识别闪存单元中的损坏区域与非损坏区域，最后控制单元则将系统内码重建于闪存单元的非损坏区域中，进而达到系统修复的功能。
本发明所揭露的具系统修复数据的内嵌式内存，又包含一个与控制单元电性连接的主控(Host)。当系统内码损毁时，本发明揭露的控制单元将读取系统修复码。而系统修复码则令控制单元发送一忙碌指令(Busy Command)给主控，使主控等待内嵌式内存的系统重建工作，避免这段期间两者之间发生干扰。
又本发明揭露一种内嵌式内存的系统修复方法，其步骤包含：确认闪存单元中的系统内码已损毁；读取储存单元中的系统修复码；以及以系统修复码重建系统内码。
本发明另揭露一种内嵌式内存的系统修复方法，其步骤包含：确认闪存单元中的系统内码已损毁，读取储存单元中的系统修复码，格式化闪存单元，识别闪存单元中的损坏区域与非损坏区域，以及于非损坏区域中以系统修复码重建系统内码。
本发明亦揭露一种内嵌式内存的系统修复方法，其步骤包含：确认闪存单元中的系统内码已损毁，发送一忙碌指令(Busy Command)给主控，读取储存单元中的系统修复码，以及以系统修复码重建系统内码。
如此，采用本发明所揭露的内嵌式内存与其系统修复方法，利用储存单元具有较好的数据保存的特性，储存一组系统修复码；并于该系统内码损坏时，以该系统修复码重建该系统内码，进而有效克服内嵌式内存于锡炉焊接制程中损毁系统内码，以致使手持式电子设备无法开机的问题。
【附图说明】
图1A与图1B是本发明具系统修复数据的内嵌式内存的第一实施例。
图2A与图2B是本发明具系统修复数据的内嵌式内存的第二实施例。
图3是本发明内嵌式内存的系统修复方法的第一流程图。
图4是本发明内嵌式内存的系统修复方法的第二流程图。
图5是本发明内嵌式内存的系统修复方法的第三流程图。
【主要组件符号说明】
10～内嵌式内存；
11～闪存单元；
111～系统内码；
12～储存单元；
121～系统修复码；
13～控制单元；
131～只读存储器；
20～内嵌式内存；
21～闪存单元；
22～储存单元；
23～控制单元；
24～主控；
240～外部主控。
【具体实施方式】
以下将配合相关图式来说明本发明的实施例。在这些图式中，相同的标号表示相同或类似的组件或流程步骤。
在说明书及后续的申请专利范围当中使用了某些词汇来指称特定的组件。所属领域中具有通常知识者应可理解，同样的组件可能会用不同的名词来称呼。本说明书及后续的申请专利范围并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的基准。在通篇说明书及后续的请求项当中所提及的「包含」为一开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于…」。另外，「耦接」一词在此包含任何直接及间接的连接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接(包含通过电性连接或无线传输、光学传输等信号连接方式)连接于该第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电性或信号连接至该第二装置。
首先，请参考图1A与图1B所示的本发明具系统修复数据的内嵌式内存的第一实施例。诚如图1A所示，本发明所揭露的具系统修复数据的内嵌式内存10，其包含一个闪存单元11，一个储存单元12，以及一个控制单元13。其中，该闪存单元11储存有一组系统内码111(In-System Code，ISP Code)，储存单元12储存一组系统修复码121，而该系统修复码121是用以重建该系统内码111，且控制单元13电性连接闪存单元11与储存单元12。
控制单元13具有判断该系统内码111是否损毁的功能。一般来说，控制单元13包含有一只读存储器131，且该只读存储器131存有一组系统码(ROM Code)。该ROM Code可引导该控制单元的运作。例如，控制单元13读取ROM Code，依照ROM Code中的信息读取该系统内码111，并判断该系统内码是否损毁而无法使用。当控制单元13判断系统内码111损毁后，控制单元13则依照ROM Code读取系统修复码121，进而重建系统内码111。又请参考图1B，图1B与图1A的差异在于只读存储器131可外设于该控制单元13之外，彼此以电性相连接。此设置方式亦为可实施的态样。
由于内嵌式内存10常以锡炉制程焊接于手提式装置上，锡炉的高温很可能损坏闪存单元11的晶体结构，因此当控制单元13确认内嵌式内存系统内码(In-System Programming Code，ISP Code)损毁时，则需格式化闪存单元11，以重新识别出闪存单元11的损坏区域与非损坏的区域。控制单元13识别出该损坏区域后，再将系统内码111重建于闪存单元11的非损坏区域中，进而达到系统修复的功能。因此，系统内码重建后所储存于闪存中的区域可能与重建前的储存区域有所不同，且重建后系统内码与重建后的系统内码也不要求完全相同。
其中，本发明所揭露储存单元121为一个一次性可编程内存(One TimeProgrammable ROM，OTP ROM)，或一个可擦除可编程内存(ErasableProgrammable ROM，EPROM)。与闪存单元11相比，由于OTP ROM或EPROM均具有较好的数据保存性，较不会因为外界温度变化、例如过冷或过热而发生数据灭失的问题。
再来，请参考图2A与图2B所示的本发明具系统修复数据的内嵌式内存的第二实施例。诚如图2A所示，本发明所揭露的具系统修复数据的内嵌式内存20包含一个闪存单元21，一个储存单元22，以及一个控制单元23，且该内嵌式内存20包含于一个主控(Host)24，例如一手持式电子装置。其中，内嵌式内存20的控制单元23与主控24电性连接，则控制单元23确认系统内码(未图标)损毁时，控制单元23则发送一忙碌指令(Busy Command)给主控24，使该主控24等待该内崁式内存20的系统重建工作，避免这段期间两者之间发生干扰。又请参考图2B，图2B与图2A的差异在于控制单元23与一外部主控240电性连接。此设置方式亦为可实施的态样。
请参考图3所示的本发明内嵌式内存的系统修复方法的第一流程图。诚如图3所示，本发明揭露的内嵌式内存的系统修复方法包含，确认闪存单元中的系统内码已损毁，读取储存单元中的系统修复码，以及以系统修复码重建系统内码。其中，该储存单元为一个一次性可编程内存(One TimeProgrammable ROM，OTP ROM)，或一个可擦除可编程内存(ErasableProgrammable ROM，EPROM)。与闪存单元相比，由于OTP ROM或EPROM均具有较好的数据保存性，较不会因为外界温度变化、例如过冷或过热而发生数据灭失的问题。
再请参考图4所示的本发明内嵌式内存的系统修复方法的第二流程图。诚如图4所示，本发明揭露的内嵌式内存的系统修复方法包含，确认闪存单元中的系统内码已损毁，读取储存单元中的系统修复码，格式化闪存单元，识别闪存单元中的损坏区域与非损坏区域，以及于非损坏区域中以系统修复码重建系统内码。
最后，请参考图5所示的本发明内嵌式内存的系统修复方法的第三流程图。诚如图5所示，本发明揭露的内嵌式内存的系统修复方法包含，确认闪存单元中的系统内码已损毁，发送一忙碌指令(Busy Command)给主控，读取储存单元中的系统修复码，以及以系统修复码重建系统内码。
如此，采用本发明所揭露的内嵌式内存与其系统修复方法，利用储存单元具有较好的数据保存的特性，储存一组系统修复码；并于该系统内码损坏时，以该系统修复码重建该系统内码，进而有效克服内嵌式内存于锡炉焊接制程中损毁系统内码，以致使手持式电子设备无法开机的问题。
于此所知，采用本发明所揭露的内嵌式内存与其系统修复方法，利用储存单元具有较好的数据保存的特性，储存一组系统修复码；并于该系统内码损坏时，以该系统修复码重建该系统内码，进而有效克服内嵌式内存于锡炉焊接制程中损毁系统内码，以致使手持式电子设备无法开机的问题。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (13)

1.一种具系统修复数据的内嵌式内存，其包含有：
一个闪存单元，其用以储存一组系统内码(In-System Code，ISP Code)；
一个储存单元，其用以储存一组系统修复码，其中，该系统修复码用以重建该系统内码；以及
一个控制单元，其电性连接该闪存单元与该储存单元，该控制单元用以判断该系统内码是否损毁，并当该系统内码损毁时，读取该系统修复码，以重建该系统内码。
2.根据权利要求1所述的具系统修复数据的内嵌式内存，其特征在于，该储存单元是一个一次性可编程内存(One Time Programmable ROM，OTPROM)。
3.根据权利要求1所述的具系统修复数据的内嵌式内存，其特征在于，该储存单元是一个可擦除可编程内存(Erasable Programmable ROM，EPROM)。
4.根据权利要求1所述的具系统修复数据的内嵌式内存，其特征在于，该系统修复码亦用以格式化该闪存单元。
5.根据权利要求4所述的具系统修复数据的内嵌式内存，其特征在于，该系统修复码亦用以识别该闪存单元中的损坏区域。
6.根据权利要求1所述的具系统修复数据的内嵌式内存，其特征在于，该控制单元电性连接一个主控(Host)。
7.根据权利要求6所述的具系统修复数据的内嵌式内存，其特征在于，当该系统内码损毁时，该控制单元发送一忙碌指令(Busy Command)给该主控。
8.一种内嵌式内存的系统修复方法，该内嵌式内存包含一个闪存单元，一个储存单元以及一个控制单元，该修复方法步骤包含：
确认该闪存单元中的一组系统内码已损毁；
读取该储存单元中的一组系统修复码；以及
以该系统修复码重建该系统内码。
9.根据权利要求8所述的内嵌式内存的系统修复方法，其特征在于；
该控制单元读取该储存单元中的一组系统修复数据后，格式化该闪存单元。
10.根据权利要求9所述的内嵌式内存的系统修复方法，其特征在于：
该控制单元格式化该闪存单元后，识别该闪存单元中的损坏区域。
11.根据权利要求8所述的内嵌式内存的系统修复方法，其特征在于，该控制单元又电性连接一个主控(Host)，且
该控制单元确认该系统内码已损毁后，发送一忙碌指令(Busy Command)给该主控。
12.根据权利要求8所述的内嵌式内存的系统修复方法，其特征在于，该储存单元是一个一次性可编程内存(One Time Programmable ROM，OTPROM)。
13.根据权利要求8所述的内嵌式内存的修复方法，其特征在于，该储存单元是一个可擦除可编程内存(Erasable Programmable ROM，EPROM)。
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