CN103116549A - 基于最大可擦除次数的闪存存储方法 - Google Patents
基于最大可擦除次数的闪存存储方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103116549A CN103116549A CN201310000414XA CN201310000414A CN103116549A CN 103116549 A CN103116549 A CN 103116549A CN 201310000414X A CN201310000414X A CN 201310000414XA CN 201310000414 A CN201310000414 A CN 201310000414A CN 103116549 A CN103116549 A CN 103116549A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- storage
- storage unit
- data
- stored
- block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
一种闪存存储方法，所述闪存包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元均包括具有相同大小的多个存储块，所述多个存储块用于存储待存储数据，其中第一存储单元的最大可擦写次数为M，第二存储单元的最大可擦写次数为N，其中M＞N，所述方法包括：接收待存储数据；根据第一存储单元的最大可擦写次数M、第二存储单元的最大可擦写次数N、第一存储单元的循环次数X和第二存储单元的循环次数Y，确定需要存储待存储数据的存储单元；将所述待存储数据存储到所确定的存储单元中。其中每当第一存储单元中的所有块都被擦除一次则X加1，每当第二存储单元中的所有块都被擦除一次则Y加1。
Description
技术领域
本发明涉及数据存储领域，特别涉及一种基于最大可擦除次数的闪存存储方法。
背景技术
在服务器设备与终端设备之间或计算机设备内部装置之间进行数据传送时，特别需要用到存储设备作为缓冲设备。目前比较常见存储设备有闪存闪存和电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)，这两种存储设备分别具有以下优缺点：
首先，闪存的优点是容量大且价格低；缺点是擦写速度慢，而且必须先擦后写，每次擦除的最小单位为一个BANK，即64KB。而且单位存储空间可擦写次数少，约为10万次；
其次，EEPROM的缺点是容量小且价格高；优点是擦写速度快，可单个字节擦写，而且单位存储空间的可擦写次数多，可达到100万次。
现有的存储设备在存储数据时，一般至少有两部分数据需要存储：程序部分和用户数据部分。存储设备出厂后，程序部分一般不会再改变，除非进行软件升级，因此一般都会选择闪存作为程序部分的存储设备。而用户数据部分经常会被用户修改，对存储设备的可擦写次数和稳定性有较高的要求。
但是，如果为考虑成本而采用闪存存储用户数据，则会存在以下问题：闪存擦写速度慢，而且大部分闪存必须以BANK(64KB)为最小擦除单位，一次擦除要100ms以上，擦除次数过多的话，势必会影响闪存存储设备的使用寿命，而且，对数据进行存储时，速度也较慢。
另一方面，由于不同的生产厂商的工艺、原材料的优劣，闪存设备中的存储单元的最大可擦除次数是不同的，不同擦除次数的存储单元制成闪存后，如果均匀地擦除各个不同的存储单元，会造成最大擦除次数小的存储单元会提前于其它存储单元而不能使用，特别是当不同的存储单元的最大擦除次数的差异相对较大时，这个问题更加突出。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的一个目的在于提供一种闪存存储方法，所述闪存包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元均包括具有相同大小的多个存储块，所述多个存储块用于存储待存储数据，其中第一存储单元的最大可擦写次数为M，第二存储单元的最大可擦写次数为N，其中M＞N，所述方法包括：接收待存储数据；根据第一存储单元的最大可擦写次数M、第二存储单元的最大可擦写次数N、第一存储单元的循环次数X和第二存储单元的循环次数Y，确定需要存储待存储数据的存储单元；将所述待存储数据存储到所确定的存储单元中。其中每当第一存储单元中的所有块都被擦除一次则X加1，每当第二存储单元中的所有块都被擦除一次则Y加1。
根据本发明的一个方面，所述闪存包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元均包括具有相同大小的多个存储块，所述多个存储块用于存储待存储数据，其中第一存储单元，第一存储单元的最大可擦写次数为M，第二存储单元的最大可擦写次数为N，其中M＞N，所述方法包括：接收待存储数据；比较X*N与Y*M，其中X为第一存储单元的循环次数，Y为第二存储单元的循环次数；其中每当第一存储单元中的所有存储块都被擦除一次则X加1，每当第二存储单元中的所有存储块都被擦除一次则Y加1；如果X*N小于或等于Y*M，则将待存储数据存储到所述第一存储单元中，否则将待存储数据存储到所述第二存储单元中。
根据本发明的另一个方面，其中将待存储数据存储到所述第一存储单元中包括：待存储数据被顺序地存储到第一存储单元中的L个存储块中，其中L根据待存储数据的大小和存储块的大小确定；具体地，根据第一指针找到第一存储单元中最后存储数据的存储块，将待存储数据存储到第一存储单元中最后存储数据的存储块之后的连续的L个存储块中。
根据本发明的另一个方面，在第一存储单元中存储了待存储数据后，修改第一指针，使得所述第一指针指示最后存储数据的存储块。
根据本发明的另一个方面，其中当在第一存储单元的最后一个存储块中存储数据后，如果还有需要存储的数据，则接着在第一存储单元的第一个存储块中继续存储数据。
根据本发明的另一个方面，其中当在第一存储单元的最后一个存储块中存储数据后，X加1。
根据本发明的另一个方面，其中将待存储数据存储到所述第二存储单元中包括：待存储数据被顺序地存储到第二存储单元中的L个存储块中，其中L根据待存储数据的大小和存储块的大小确定；具体地，根据第二指针找到第二存储单元中最后存储数据的存储块，将待存储数据存储到第二存储单元中最后存储数据的存储块之后的连续的L个存储块中。
根据本发明的另一个方面，在第二存储单元中存储了待存储数据后，修改第二指针，使得所述第二指针指示最后存储数据的存储块。
根据本发明的另一个方面，其中当在第二存储单元的最后一个存储块中存储数据后，如果还有需要存储的数据，则接着在第二存储单元的第一个存储块中继续存储数据。
根据本发明的另一个方面，其中当在第二存储单元的最后一个存储块中存储数据后，X加1。
根据本发明的另一个方面，其中所述第一存储单元和所述第二存储单元中的存储块的大小为64KB。
附图说明
所包括的附图用于进一步理解本发明，其作为说明书的一个组成部分并与说明书一起解释本发明的原理，在附图中：
图1示出了本发明闪存的结构框图；
图2示出了本发明一实施例的方法流程图；
图3示出了本发明另一实施例的方法流程图；
具体实施方式
下面参照附图进一步描述本发明的优选实施例。本发明中，所述闪存包括多个存储单元，所述多个存储单元包括多个存储块，所述多个存储块用于存储待存储数据，其中存储单元中的多个存储块具有相同的大小。在一特定实施例中，所述闪存包括第一存储单元和第二存储单元。所述第一存储单元具有的存储块的数量和所述第二存储单元具有的存储块的数量可以相同也可以不同。本领域技术人员知道，在本申请中待存储数据的大小远远小于闪存中多个数据存储单元中每一存储单元的存储空间。
附图1示出闪存存储器的结构框图，如附图1所述，闪存存储器包括多个存储单元，所述多个存储单元包括多个存储块。虽然图1中存储单元和存储块都有固定数量，但是仅仅是示例性的，存储单元中和存储块可根据规格及成本的需要设定为任意数量。其中多个不同的存储单元具有不同的最大可擦写次数，也就是说不同的存储单元中的存储块具有不同的最大可擦写次数，当然，在本发明中同一存储单元中的存储块具有相同的最大可擦写次数。
附图2示出了根据本发明一优选实施例的闪存存储方法的流程图，所述闪存包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元均包括具有相同大小的多个存储块，所述多个存储块用于存储待存储数据，其中第一存储单元的最大可擦写次数为M，第二存储单元的最大可擦写次数为N，其中M＞N，所述方法包括：接收待存储数据；根据第一存储单元的最大可擦写次数M、第二存储单元的最大可擦写次数N、第一存储单元的循环次数X和第二存储单元的循环次数Y，确定需要存储待存储数据的存储单元；将所述待存储数据存储到所确定的存储单元中。其中每当第一存储单元中的所有块都被擦除一次则X加1，每当第二存储单元中的所有块都被擦除一次则Y加1。
图3示出了本发明另一优选实施例，所述闪存包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元均包括具有相同大小的多个存储块，所述多个存储块用于存储待存储数据，其中第一存储单元，第一存储单元的最大可擦写次数为M，第二存储单元的最大可擦写次数为N，其中M＞N，所述方法包括：接收待存储数据；比较X*N与Y*M，其中X为第一存储单元的循环次数，Y为第二存储单元的循环次数；其中每当第一存储单元中的所有块都被擦除一次则X加1，每当第二存储单元中的所有块都被擦除一次则Y加1；如果X*N小于或等于Y*M，则将待存储数据存储到所述第一存储单元中，否则将待存储数据存储到所述第二存储单元中。
图2和图3中的实施例，其中第一存储单元和第二存储单元具有不同的最大可擦写次数，也就是说第一存储单元中的存储块和第二存储单元中的存储块具有不同的最大可擦写次数。当然，第一存储单元中的存储块具有相同的最大可擦写次数，并且第二存储单元中的存储块具有相同的最大可擦写次数。
图2和图3中的实施例，其中将待存储数据存储到所述第一存储单元中包括：待存储数据被顺序地存储到第一存储单元中的L个存储块中，其中L根据待存储数据的大小和存储块的大小确定；具体地，根据第一指针找到第一存储单元中最后存储数据的存储块，将待存储数据存储到第一存储单元中最后存储数据的存储块之后的连续的L个存储块中。在第一存储单元中存储了待存储数据后，修改第一指针，使得所述第一指针指示最后存储数据的存储块。其中当在第一存储单元的最后一个存储块中存储数据后，如果还有需要存储的数据，则接着在第一存储单元的第一个存储块中继续存储数据。其中当在第一存储单元的最后一个存储块中存储数据后，X加1。其中将待存储数据存储到所述第二存储单元中包括：待存储数据被顺序地存储到第二存储单元中的L个存储块中，其中L根据待存储数据的大小和存储块的大小确定；具体地，根据第二指针找到第二存储单元中最后存储数据的存储块，将待存储数据存储到第二存储单元中最后存储数据的存储块之后的连续的L个存储块中。在第二存储单元中存储了待存储数据后，修改第二指针，使得所述第二指针指示最后存储数据的存储块。其中当在第二存储单元的最后一个存储块中存储数据后，如果还有需要存储的数据，则接着在第二存储单元的第一个存储块中继续存储数据。其中当在第二存储单元的最后一个存储块中存储数据后，Y加1。其中所述第一存储单元和所述第二存储单元中的存储块的大小为64KB。
虽然图2和图3中示出的实施例中所述闪存存储器包括第一存储单元和第二存储单元，但是可根据需要设置第三存储单元、第四存储单元甚至更多的存储单元。如同上述包括第一存储单元和第二存储单元的闪存存储器的存储方法，根据各个存储单元的最大可擦除次数及各个存储单元的循环次数确定将要存储待存储数据的存储单元。
图2和图3中的实施例，其中将待存储数据存储到所述第一存储单元中包括：待存储数据被顺序地存储到第一存储单元中的L个存储块中，其中L根据待存储数据的大小和存储块的大小确定；具体地，根据第一指针找到第一存储单元中最后存储数据的存储块，将待存储数据存储到第一存储单元中最后存储数据的存储块之后的连续的L个存储块中。具体地，所述第一指针指示第一存储单元中最后存储数据的存储块，其中所述第一存储单元中的所有存储块顺序排列并且由第一地址映射表标识所有块的物理地址，根据所述第一地址映射表顺序访问或存储所有存储块。例如当待存储数据的大小为1024KB，而每一存储块的大小为64KB，则将待存储数据划分为16个数据块；将待存储数据存储到第一存储单元的16个存储块中，所有16个存储块由所述第一地址映射表确定；由于第一指针指示第一存储单元中最后存储数据的存储块，根据第一指针找到第一存储单元中最后存储数据的存储块，由于第一存储单元中的所有存储块顺序排列，在第一地址映射表中找到最后存储数据的存储块的下一个存储块并作为所述16个存储块中的第一个存储块，接着在第一地址映射表中找到第一个存储块的下一个存储块并作为所述16个存储块中的第二个存储块，依次类推，确定所述16个存储块。
图2和图3中的实施例，其中将待存储数据存储到所述第二存储单元中包括：待存储数据被顺序地存储到第二存储单元中的L个存储块中，其中L根据待存储数据的大小和存储块的大小确定；具体地，根据第二指针找到第二存储单元中最后存储数据的存储块，将待存储数据存储到第二存储单元中最后存储数据的存储块之后的连续的L个存储块中。具体地，所述第二指针指示第二存储单元中最后存储数据的存储块，其中所述第二存储单元中的所有存储块顺序排列并且由第二地址映射表标识所有存储块的物理地址，根据所述第二地址映射表顺序访问或存储所有存储块。例如当待存储数据的大小为1024KB，而每一存储块的大小为64KB，则将待存储数据划分为16个数据块；将待存储数据存储到第二存储单元的16个存储块中，所有16个存储块由所述第二地址映射表确定；由于第二指针指示第二存储单元中最后存储数据的存储块，根据第二指针找到第二存储单元中最后存储数据的存储块，由于第二存储单元中的所有存储块顺序排列，在第二地址映射表中找到最后存储数据的存储块的下一个存储块并作为所述16个存储块中的第一个存储块，接着在第二地址映射表中找到第一个存储块的下一个存储块并作为所述16个存储块中的第二个存储块，依次类推，确定所述16个存储块。
本发明一方面在每个存储单元的多个存储块中顺序存储数据，使得每个存储单元中的存储块能够均匀地被擦除，从而延长闪存使用寿命。另一方面，通过为具有不同最大可擦除次数的存储单元设置不同的存储频率，使得具有不同最大可擦除次数的存储单元均匀地被擦除，从而进一步延长闪存使用寿命。
应该理解，上述实施例是本发明的示例性实施例，但是本发明并不局限于该实施例，在不脱离本发明精神和范围的情况下，可以对本发明做出多种的改进和变型。
Claims (10)
1.一种闪存存储方法，所述闪存包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元均包括具有相同大小的多个存储块，所述多个存储块用于存储待存储数据，其中第一存储单元的最大可擦写次数为M，第二存储单元的最大可擦写次数为N，其中M＞N，所述方法包括：
接收待存储数据；
根据第一存储单元的最大可擦写次数M、第二存储单元的最大可擦写次数N、第一存储单元的循环次数X和第二存储单元的循环次数Y，确定需要存储待存储数据的存储单元；
将所述待存储数据存储到所确定的存储单元中。
其中每当第一存储单元中的所有块都被擦除一次则X加1，每当第二存储单元中的所有块都被擦除一次则Y加1。
2.根据权利要求1的方法，其中将待存储数据存储到所述第一存储单元中包括：待存储数据被顺序地存储到第一存储单元中的L个存储块中，其中L根据待存储数据的大小和存储块的大小确定；具体地，根据第一指针找到第一存储单元中最后存储数据的存储块，将待存储数据存储到第一存储单元中最后存储数据的存储块之后的连续的L个存储块中。
3.根据权利要求2的方法，在第一存储单元中存储了待存储数据后，修改第一指针，使得所述第一指针指示第一存储单元中最后存储数据的存储块。
4.根据权利要求1的方法，其中当在第一存储单元的最后一个存储块中存储数据后，如果还有需要存储的数据，则接着在第一存储单元的第一个存储块中继续存储数据。
5.根据权利要求4的方法，其中当在第一存储单元的最后一个存储块中存储数据后，X加1。
6.根据权利要求1的方法，其中将待存储数据存储到所述第二存储单元中包括：待存储数据被顺序地存储到第二存储单元中的L个存储块中，其中L根据待存储数据的大小和存储块的大小确定；具体地，根据第二指针找到第二存储单元中最后存储数据的存储块，将待存储数据存储到第二存储单元中最后存储数据的存储块之后的连续的L个存储块中。
7.根据权利要求6的方法，在第二存储单元中存储了待存储数据后，修改第二指针，使得所述第二指针指示第二存储单元中最后存储数据的存储块。
8.根据权利要求1的方法，其中当在第二存储单元的最后一个存储块中存储数据后，如果还有需要存储的数据，则接着在第二存储单元的第一个存储块中继续存储数据。
9.根据权利要求8的方法，其中当在第二存储单元的最后一个存储块中存储数据后，Y加1。
10.根据权利要求1-9中任意权利要求的方法，其中所述第一存储单元和所述第二存储单元中的存储块的大小为64KB。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310000414.XA CN103116549B (zh) | 2013-01-04 | 2013-01-04 | 基于最大可擦除次数的闪存存储方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310000414.XA CN103116549B (zh) | 2013-01-04 | 2013-01-04 | 基于最大可擦除次数的闪存存储方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103116549A true CN103116549A (zh) | 2013-05-22 |
| CN103116549B CN103116549B (zh) | 2016-03-16 |
Family
ID=48414929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310000414.XA Expired - Fee Related CN103116549B (zh) | 2013-01-04 | 2013-01-04 | 基于最大可擦除次数的闪存存储方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103116549B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105426114A (zh) * | 2014-09-23 | 2016-03-23 | 联想(北京)有限公司 | 一种确定硬盘中擦写对象的方法及装置 |
| CN107025066A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-08-08 | 阿里巴巴集团控股有限公司 | 在基于闪存的存储介质中写入存储数据的方法和装置 |
| CN110736873A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-01-31 | 宁波三星医疗电气股份有限公司 | 一种时钟修复方法、电力终端以及电力系统 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110131368A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Lee Hak-Yong | Method and apparatus for managing erase count of memory device |
| CN102473135A (zh) * | 2009-07-29 | 2012-05-23 | 国际商业机器公司 | 存储设备的写入擦除耐久寿命 |
| CN102667739A (zh) * | 2010-01-13 | 2012-09-12 | 株式会社东芝 | 存储装置管理装置及用于管理存储装置的方法 |
-
2013
- 2013-01-04 CN CN201310000414.XA patent/CN103116549B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102473135A (zh) * | 2009-07-29 | 2012-05-23 | 国际商业机器公司 | 存储设备的写入擦除耐久寿命 |
| US20110131368A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Lee Hak-Yong | Method and apparatus for managing erase count of memory device |
| CN102667739A (zh) * | 2010-01-13 | 2012-09-12 | 株式会社东芝 | 存储装置管理装置及用于管理存储装置的方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105426114A (zh) * | 2014-09-23 | 2016-03-23 | 联想(北京)有限公司 | 一种确定硬盘中擦写对象的方法及装置 |
| CN105426114B (zh) * | 2014-09-23 | 2019-04-19 | 北京联想核芯科技有限公司 | 一种确定硬盘中擦写对象的方法及装置 |
| CN107025066A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-08-08 | 阿里巴巴集团控股有限公司 | 在基于闪存的存储介质中写入存储数据的方法和装置 |
| US11099744B2 (en) | 2016-09-14 | 2021-08-24 | Ant Financial (Hang Zhou) Network Technology Co., Ltd. | Method and device for writing stored data into storage medium based on flash memory |
| US11287984B2 (en) | 2016-09-14 | 2022-03-29 | Beijing Oceanbase Technology Co., Ltd. | Method and device for writing stored data into storage medium based on flash memory |
| CN110736873A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-01-31 | 宁波三星医疗电气股份有限公司 | 一种时钟修复方法、电力终端以及电力系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103116549B (zh) | 2016-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10475516B2 (en) | Data storage device and data erasing method wherein after erasing process, predetermined value is written to indicate completion of said erasing method | |
| CN101154190A (zh) | 映射信息管理设备和方法 | |
| US20180121092A1 (en) | Method and apparatus for improving read performance of a solid state drive | |
| KR20080082601A (ko) | 빠른 웨어 레벨링 플래쉬 드라이브 | |
| CN108345433B (zh) | 用于最大化的可去重存储器的方法、存储器系统和产品 | |
| CN105718385B (zh) | 数据存储装置及其操作方法与数据处理系统 | |
| US8892812B2 (en) | Flash memory device and data writing method for a flash memory | |
| CN102169460A (zh) | 变长数据管理方法及装置 | |
| CN112765006A (zh) | 存储设备日志生成方法及其存储设备 | |
| CN103677653A (zh) | 一种基于ssd的数据处理方法及电子设备 | |
| US10013210B2 (en) | Data storage device and data maintenance method thereof | |
| US20130179647A1 (en) | Storage device and data management method thereof | |
| CN113625973B (zh) | 数据写入方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质 | |
| US20160328183A1 (en) | Methods for accessing data in a circular block mode and apparatuses using the same | |
| CN103914483A (zh) | 文件存储方法、装置及文件读取方法、装置 | |
| CN107045423B (zh) | 存储器装置及其数据存取方法 | |
| US20200249870A1 (en) | Systems and methods to optimally select metablocks | |
| CN105917303A (zh) | 一种控制器、识别数据块稳定性的方法和存储系统 | |
| CN103116549B (zh) | 基于最大可擦除次数的闪存存储方法 | |
| CN107704200A (zh) | 一种数据存放方法 | |
| CN105512047A (zh) | Flash闪存的写操作、擦除操作方法及装置 | |
| CN103632185A (zh) | 一种具有扩展功能的掩膜智能卡 | |
| CN108628762B (zh) | 一种固态存储设备及其处理io命令的方法 | |
| CN103268266A (zh) | 闪存校验存储方法 | |
| CN112596949A (zh) | 一种高效率的ssd删除数据恢复方法及系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| DD01 | Delivery of document by public notice |
Addressee: Suzhou Yiyuan Hongda Intellectual Property Agency Co., Ltd. Document name: Notification of Passing Preliminary Examination of the Application for Invention |
|
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| DD01 | Delivery of document by public notice |
Addressee: He Yingshuai Document name: Notification of Publication and of Entering the Substantive Examination Stage of the Application for Invention |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Zhang Yali Inventor after: Zhang Suqing Inventor after: Lei Genping Inventor after: Ma Nina Inventor after: Ji Wenshuai Inventor after: Li Jing Inventor after: Liu Yang Inventor after: Tang Xiaolin Inventor before: Wang Yuanyuan |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20160204 Address after: 450000 No. 81, culture Road, Jinshui District, Henan, Zhengzhou, No. 7, Paris, European garden, 401 Applicant after: Zhang Yali Address before: Suzhou City, Jiangsu province 215100 Songjiang Road, Suzhou Industrial Park, No. 208 Building 8 Room 112 Applicant before: Suzhou Yiyuan Hongda Intellectual Property Agency Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160316 Termination date: 20170104 |