CN103094711B - 一种透镜天线 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种透镜天线，包括馈源及超材料面板，超材料面板包括核心层，核心层包括至少一个核心层片层，核心层片层包括片状的基材以及设置在基材上的多个人造微结构，超材料面板还包括对称设置在核心层两侧的阻抗匹配层，阻抗匹配层的阻抗沿垂直于核心层的方向按照切比雪夫阻抗匹配方式渐变。根据本发明的透镜天线，由片状的超材料面板代替了传统的透镜，不需要加工曲面，制造加工更加容易，成本更加低廉，并且利用切比雪夫阻抗匹配方式来设计阻抗匹配层，匹配效果好，能量损失小。

Description

一种透镜天线

技术领域

本发明涉及通信领域，更具体地说，涉及一种透镜天线。

背景技术

在常规的光学器件中，利用透镜能使位于透镜焦点上的点光源辐射出的球面波经过透镜折射后变为平面波。目前透镜的汇聚是依靠透镜的球面形状的折射来实现。但是，球面形式的透镜天线通常体积大而且笨重，不利于天线的小型化；并且球面形式的透镜对于曲面的形状有很大的依赖性，需要比较精准的加工才能实现天线的定向传播，加工难度大，制造成本高。

同时，现有的透镜都没有考虑阻抗匹配的问题，以至此类透镜天线电磁波反射干扰和损耗比较严重。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，针对现有的透镜天线加工不易、成本高的缺陷，提供一种加工简单、制造成本低的透镜天线。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种透镜天线，所述透镜天线包括馈源及设置在馈源前方的超材料面板，所述超材料面板包括核心层，所述核心层包括至少一个核心层片层，所述核心层片层包括片状的基材以及设置在基材上的多个人造微结构，所述核心层片层按照折射率分布可划分为位于中间位置的圆形区域以及分布在圆形区域周围且与所述圆形区域共圆心的多个环形区域，所述圆形区域及环形区域内相同半径处的折射率相同，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大折射率逐渐减小，所述圆形区域的折射率的最小值小于与其相邻的环形区域的折射率的最大值，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域的折射率的最小值小于处于外侧的环形区域的折射率的最大值，所述超材料面板还包括对称设置在核心层两侧的阻抗匹配层，所述阻抗匹配层的阻抗沿垂直于核心层的方向按照切比雪夫阻抗匹配方式渐变。

进一步地，所述核心层片层还包括覆盖人造微结构的填充层。

进一步地，所述核心层包括多个折射率分布相同且相互平行的核心层片层。

进一步地，所述圆心为核心层片层的中心，所述圆形区域以及多个环形区域的折射率变化范围相同，所述核心层片层的折射率n(r)分布满足如下公式：

$n\left(r\right)=n_{max}-\frac{\sqrt{l^2+r^2}-l-k\mathrm{\λ}}{d};$

其中，n(r)表示核心层片层上半径为r处的折射率值；

l为馈源到核心层的距离；

d为核心层的厚度，

n_max表示核心层片层上的折射率最大值；

n_min表示核心层片层上的折射率最小值；

λ为入射电磁波的波长；

$k=floor\left(\frac{\sqrt{l^2+r^2}-l}{\mathrm{\λ}}\right),$ floor表示向下取整数。

进一步地，所述人造微结构为金属微结构，所述金属微结构通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法附着在基材上。

进一步地，所述核心层的每一核心层片层的多个人造微结构形状相同，所述圆形区域及环形区域内相同半径处的多个人造微结构具有相同的几何尺寸，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大人造微结构的几何尺寸逐渐减小，所述圆形区域内几何尺寸最小的人造微结构的几何尺寸小于与其相邻的环形区域内几何尺寸最大的人造微结构的几何尺寸，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域内几何尺寸最小的人造微结构的几何尺寸小于处于外侧的环形区域内几何尺寸最大的人造微结构的几何尺寸。

进一步地，所述人造微结构为平面雪花状的金属微结构，所述金属微结构具有相互垂直平分的第一金属线及第二金属线，所述第一金属线两端连接有相同长度的两个第一金属分支，所述第一金属线两端连接在两个第一金属分支的中点上，所述第二金属线两端连接有相同长度的两个第二金属分支，所述第二金属线两端连接在两个第二金属分支的中点上，所述第一金属分支与第二金属分支的长度相等。

进一步地，所述填充层与基材由相同的材料制成，所述核心层片层的总厚度为0.818mm，其中填充层与基材的厚度均为0.4mm，人造微结构的厚度为0.018mm。

进一步地，所述阻抗匹配层包括多个阻抗匹配片层，每一阻抗匹配片层包括片状的基材、附着在基材上的多个人造微结构以及覆盖人造微结构的填充层。

进一步地，所述人造微结构为金属微结构，所述金属微结构通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法附着在基材上。

根据本发明的透镜天线，由片状的超材料面板代替了传统的透镜，不需要加工曲面，制造加工更加容易，成本更加低廉，并且利用切比雪夫阻抗匹配方式来设计阻抗匹配层，匹配效果好，能量损失小。

附图说明

图1是本发明的透镜天线的结构示意图；

图2是本发明一种形式的超材料单元的透视示意图；

图3是本发明的核心层片层的折射率分布示意图；

图4是本发明的一种形式的核心层片层的结构示意图；

图5是本发明的匹配层片层的结构示意图；

图6是本发明的透镜天线的远场图。

具体实施方式

如图1至图5所示，为本发明的第一实施例，所述透镜天线包括馈源1以及设置在馈源1前方的超材料面板100，所述超材料面板100包括核心层10，所述核心层10包括至少一个核心层片层11，所述核心层片层包括片状的基材13以及设置在基材13上的多个人造微结构12，所述核心层片层11按照折射率分布可划分为位于中间位置的圆形区域Y以及分布在圆形区域Y周围且与所述圆形区域共圆心的多个环形区域(图中分别用H1，H2，H3，H4，H5表示)，所述圆形区域Y及环形区域内相同半径处的折射率相同，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大折射率逐渐减小，所述圆形区域的折射率的最小值小于与其相邻的环形区域的折射率的最大值，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域的折射率的最小值小于处于外侧的环形区域的折射率的最大值，所述超材料面板100还包括对称设置在核心层10两侧的阻抗匹配层20，所述阻抗匹配层20的阻抗沿垂直于核心层的方向按照切比雪夫阻抗匹配方式渐变。此处的环形，既包括图3中完整的环形区域，也包括图3中不完整的环形区域。图中的核心层片层11呈方形，当然，也可以是其它形状，例如圆柱形，当其为圆柱形时，所有环形区域都可以是完整的环形区域。另外，图3中，也可以没有环形区域H4及H5，此时的H4及H5可以是均匀的折射率分布(即H4及H5的位置上不设置人造微结构)。

核心层片层11按照折射率划分为圆形区域与多个环形区域是为了更好的描述本发明，并不意味着本发明的核心层片层11具有此种实际结构。

本发明中，馈源1设置在超材料面板的中轴线上，即馈源与核心层片层11的中心的连线与超材料面板的中轴线重合。馈源1与超材料面板100均有支架支撑，图中并未出支架，其不是本发明的核心，采用传统的支撑方式即可。另外馈源优选为喇叭天线。

如图1至图4所示，所述核心层10包括多个折射率分布相同且相互平行的核心层片层11。多个核心层片层11紧密贴合，相互之间可以通过双面胶粘接，或者通过螺栓等固定连接。另外，所述核心层片层11还包括覆盖人造微结构12的填充层15，填充层15可以空气，也可以是其它介质板，优选为与基材13相同的材料制成的板状件。每一核心层片层11的基材13可以划分为多个相同超材料单元D，每一超材料单元D由一个人造微结构12、单元基材V及单元填充层W构成，每一核心层片层11在厚度方向上只有一个超材料单元D。每一超材料单元D可以是完全相同的方块，可以是立方体，也可是长方体，每一超材料单元D的长、宽、高几何尺寸不大于入射电磁波波长的五分之一(通常为入射电磁波波长的十分之一)，以使得整个核心层对电磁波具有连续的电场和/或磁场响应。优选情况下，所述超材料单元D为边长是入射电磁波波长十分之一的立方体。当然，填充层的厚度是可以调节的，其最小值可以至0，也就是说不需要填充层，此种情况下，基材与人造微结构组成超材料单元，即此时超材料单元D的厚度等于单元基材V的厚度加上人造微结构的厚度，但是此时，超材料单元D的厚度也要满足十分之一波长的要求，因此，实际上，在超材料单元D的厚度选定在十分之一波长的情况下，单元基材V的厚度越大，则单元填充层W的厚度越小，当然最优的情况下，即是如图2所示的情况，即单元基材V的厚度等于单元填充层W的厚度，且元单元基材V的材料与填充层W的相同。

本发明的人造微结构12优选为金属微结构，所述金属微结构由一条或多条金属线组成。金属线本身具有一定的宽度及厚度。本发明的金属微结构优选为具有各向同性的电磁参数的金属微结构，如图2所述的平面雪花状的金属微结构。

对于具有平面结构的人造微结构，各向同性，是指对于在该二维平面上以任一角度入射的任一电磁波，上述人造微结构在该平面上的电场响应和磁场响应均相同，也即介电常数和磁导率相同；对于具有三维结构的人造微结构，各向同性是指对于在三维空间的任一方向上入射的电磁波，每个上述人造微结构在三维空间上的电场响应和磁场响应均相同。当人造微结构为90度旋转对称结构时，人造微结构即具有各向同性的特征。

对于二维平面结构，90度旋转对称是指其在该平面上绕一垂直于该平面且过其对称中心的旋转轴任意旋转90度后与原结构重合；对于三维结构，如果具有两两垂直且共交点(交点为旋转中心)的3条旋转轴，使得该结构绕任一旋转轴旋转90度后均与原结构重合或者与原结构以一分界面对称，则该结构为90度旋转对称结构。

图2所示的平面雪花状的金属微结构即为各向同性的人造微结构的一种形式，所述的雪花状的金属微结构具有相互垂直平分的第一金属线121及第二金属线122，所述第一金属线121两端连接有相同长度的两个第一金属分支1211，所述第一金属线121两端连接在两个第一金属分支1211的中点上，所述第二金属线122两端连接有相同长度的两个第二金属分支1221，所述第二金属线122两端连接在两个第二金属分支1221的中点上。

本发明中，所述核心层片层的基材由陶瓷材料、高分子材料、铁电材料、铁氧材料或铁磁材料等制得。高分子材料可选用的有聚四氟乙烯、环氧树脂、F4B复合材料、FR-4复合材料等。例如，聚四氟乙烯的电绝缘性非常好，因此不会对电磁波的电场产生干扰，并且具有优良的化学稳定性、耐腐蚀性，使用寿命长。

本发明中，所述金属微结构为铜线或银线等金属线。上述的金属线可以通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法附着在基材上。当然，也可以采用三维的激光加工工艺。

如图5所示，为本发明的阻抗匹配层20的结构示意图，所述匹配层20设置在核心层10两侧以实现从空气到核心层10的阻抗匹配，所述阻抗匹配层的阻抗沿垂直于核心层的方向按照切比雪夫阻抗匹配方式渐变，切比雪夫阻抗匹配方式为公知常识，具体的阻抗匹配设计参见由电子工业出版社出版的《微波工程》第三版(原著为《MicrowaveEngineeringThirdEdition》,原作者为DavidM.Pozar)，其在此书的5.7.2有详细描述。我们借用此原理来设计阻抗匹配层。即在沿垂直于核心层的方向的任一直线上，多个阻抗匹配层的阻抗变化均是按照切比雪夫阻抗匹配方式渐变。

我们知道，介质之间的阻抗相差越大，则电磁波从一介质入射到另一介质时，反射越大，反射大，意味着能量的损失，这时候就需要阻抗的匹配，在设计匹配层时，电磁波入射侧的阻抗匹配层这样设计，即靠近空气的一侧的阻抗与空气基本相同，靠近核心层的一侧的阻抗与其相接触的核心层片层的阻抗基本相同即可；而电磁波出射侧的匹配层设计则相对核心层对称过来即可。这样，就实现了核心层的阻抗匹配，减小了反射，即能量损失可以大大的降低，这样电磁波可以传输的更远。

我们知道，不同介质分界面其阻抗差值越大，反射越强，因此，通过上述的阻抗匹配层20，可以消除阻抗突变，进而消除电磁波经过不同介质分界面时的反射现象以及电磁波能量损耗问题。

由公式阻抗我们知道只要改变磁导率与介电常数的比值，就可以改变阻抗。因此，在阻抗匹配层的磁导率均匀分布的情况下，通过介电常数的分布可以实现阻抗匹配层内部阻抗分布，也就是说阻抗匹配层内部的阻抗分布是可以人为设计的。

本发明的上述阻抗匹配层，包括多个阻抗匹配片层21，阻抗匹配片层21具有与核心片层11类似的结构，每一阻抗匹配片层21包括片状的基材22、附着在基材22上的人造微结构(图中未标示)以及覆盖人造微结构的填充层23。

匹配层片层的人造微结构为图2所示的人造微结构。

本发明中，所述匹配层片层的基材由陶瓷材料、高分子材料、铁电材料、铁氧材料或铁磁材料等制得。高分子材料可选用的有聚四氟乙烯、环氧树脂、F4B复合材料、FR-4复合材料等。例如，聚四氟乙烯的电绝缘性非常好，因此不会对电磁波的电场产生干扰，并且具有优良的化学稳定性、耐腐蚀性，使用寿命长。

本发明中，所述匹配层片层的基材与填充层的制作材料相同。

本实施例中，如图1及图3所示，所述圆形区域Y的圆心为核心层片层11的中心O，所述圆形区域Y以及多个环形区域的折射率变化范围相同，所述核心层片层11的折射率n(r)分布满足如下公式：

$n\left(r\right)=n_{max}-\frac{\sqrt{l^2+r^2}-l-k\mathrm{\λ}}{d}---\left(1\right);$

其中，n(r)表示核心层片层上半径为r处的折射率值；也即核心层片层上半径为r的超材料单元的折射率；此处半径指的是每一单元基材V的中点到核心层片层的中心O(圆心)的距离，此处的单元基材V的中点，指的是单元基材V与中点O同一平面的一表面的中点。

l为馈源1到核心层10的距离，即焦距；

d为核心层的厚度， $d=\frac{\mathrm{\λ}}{n_{max}-n_{\min }}---\left(2\right);$

n_max表示核心层片层11上的折射率最大值；

n_min表示核心层片层11上的折射率最小值；所述圆形区域Y以及多个环形区域的折射率变化范围相同，是指圆形区域Y，及多个环形区域折射率均是由里向外由n_max连续减小到n_min。作为一示例，n_max可以取值6，n_min取值1，即，圆形区域Y，及多个环形区域折射率均是由里向外由6连续减小到1。

$k=floor\left(\frac{\sqrt{l^2+r^2}-l}{\mathrm{\λ}}\right)---\left(3\right);$

floor表示向下取整数；k可以用来表示圆形区域及环形区域的编号，当k＝0，表示圆形区域，当k＝1时，表示与圆形区域相邻的第一个环形区域；当k＝2时，表示第一个环形区域相邻的第二个环形区域；以此类推。即r的最大值确定了有多少个环形区域。第一核心层片层的厚度通常是一定的(通常是入射电磁波波长的十分之一)，这样，在核心层形状选定的情况下(可以是圆柱形或方形)，核心层片层的尺寸就可以得到确定。

由公式(1)、公式(2)、公式(3)所确定的核心层10，能够保证馈源处发出的电磁波经过超材料面板后能够平行出射(即由球面波转换成平面波)。当然由于这个是可逆的，平行入射的电磁波通过超材料面板后也能够汇聚到馈源处(焦点处)。

本实施例中，核心层片层11的厚度是一定的，通常在入射电磁波波长λ的五分之一以下，优选是入射电磁波波长λ的十分之一。优选地，所述填充层与基材由相同的材料制成，所述核心层片层的总厚度为0.818mm，其中填充层与基材的厚度均为0.4mm，人造微结构的厚度为0.018mm。

图4为一种形式的核心层片层11，所述核心层的每一核心层片层11的多个人造微结构12形状相同，均为平面雪花状的金属微结构，且金属微结构的中心点与单元基材V的中点重合，所述圆形区域及环形区域内相同半径处的多个人造微结构具有相同的几何尺寸，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大人造微结构12的几何尺寸逐渐减小，所述圆形区域内几何尺寸最小的人造微结构的几何尺寸小于与其相邻的环形区域内几何尺寸最大的人造微结构的几何尺寸，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域内几何尺寸最小的人造微结构的几何尺寸小于处于外侧的环形区域内几何尺寸最大的人造微结构的几何尺寸。由于每一超材料单元的折射率是随着金属微结构的尺寸减小而逐渐减小的，因此人造微结构几何尺寸越大，则其对应的折射率越大，因此，通过此方式可以实现核心层片层的折射率分布按公式(1)的分布。

已知折射率其中μ为相对磁导率，ε为相对介电常数，μ与ε合称为电磁参数。实验证明，电磁波通过折射率非均匀的介质材料时，会向折射率大的方向偏折(向折射率大的超材料单元偏折)。在相对磁导率一定的情况下(通常为1)，折射率只与介电常数有关，利用只对电场响应的人造微结构可以实现超材料单元折射率的任意值(在一定范围内)，在该透镜天线工作频率下，通过仿真获得某一特定形状的人造微结构(如图2所示的平面雪花状的金属微结构)的介电常数随着几何尺寸变化折射率变化的情况，即可列出一一对应的数据，即可设计出我们需要的特定折射率分布的核心层片层。

图6是本实施例的透镜天线的远场图，其工作频率为13GHz，n_max为6，n_min为1，可以看出，采用本发明的超材料面板的透镜天线方向性非常好，增益、半功率带宽等性能指标也很好。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (7)

1.一种透镜天线，其特征在于，所述透镜天线包括馈源及设置在馈源前方的超材料面板，所述超材料面板包括核心层，所述核心层包括至少一个核心层片层，所述核心层片层包括片状的基材以及设置在基材上的多个人造微结构，所述核心层片层按照折射率分布可划分为位于中间位置的圆形区域以及分布在圆形区域周围且与所述圆形区域共圆心的多个环形区域，所述圆形区域及环形区域内相同半径处的折射率相同，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大折射率逐渐减小，所述圆形区域的折射率的最小值小于与其相邻的环形区域的折射率的最大值，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域的折射率的最小值小于处于外侧的环形区域的折射率的最大值，所述超材料面板还包括对称设置在核心层两侧的阻抗匹配层，所述阻抗匹配层的阻抗沿垂直于核心层的方向按照切比雪夫阻抗匹配方式渐变；

所述核心层片层还包括覆盖人造微结构的填充层；所述核心层包括多个折射率分布相同且相互平行的核心层片层；

所述圆心为核心层片层的中心，所述圆形区域以及多个环形区域的折射率变化范围相同，所述核心层片层的折射率n(r)分布满足如下公式：

$n\left(r\right)=n_{max}-\frac{\sqrt{l^2+r^2}-l-k\mathrm{\λ}}{d};$

其中，n(r)表示核心层片层上半径为r处的折射率值；

l为馈源到核心层的距离；

d为核心层的厚度，

n_max表示核心层片层上的折射率最大值；

n_min表示核心层片层上的折射率最小值；

$k=floor\left(\frac{\sqrt{l^2+r^2}-l}{\mathrm{\λ}}\right),$ floor表示向下取整数；

λ为入射电磁波波长。

2.如权利要求1所述的透镜天线，其特征在于，所述人造微结构为金属微结构，所述金属微结构通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法附着在基材上。

3.如权利要求2所述的透镜天线，其特征在于，所述核心层的每一核心层片层的多个人造微结构形状相同，所述圆形区域及环形区域内相同半径处的多个人造微结构具有相同的几何尺寸，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大人造微结构的几何尺寸逐渐减小，所述圆形区域内几何尺寸最小的人造微结构的几何尺寸小于与其相邻的环形区域内几何尺寸最大的人造微结构的几何尺寸，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域内几何尺寸最小的人造微结构的几何尺寸小于处于外侧的环形区域内几何尺寸最大的人造微结构的几何尺寸。

4.如权利要求2或3所述的透镜天线，其特征在于，所述人造微结构为平面雪花状的金属微结构，所述金属微结构具有相互垂直平分的第一金属线及第二金属线，所述第一金属线两端连接有相同长度的两个第一金属分支，所述第一金属线两端连接在两个第一金属分支的中点上，所述第二金属线两端连接有相同长度的两个第二金属分支，所述第二金属线两端连接在两个第二金属分支的中点上，所述第一金属分支与第二金属分支的长度相等。

5.如权利要求1所述的透镜天线，其特征在于：所述填充层与基材由相同的材料制成，所述核心层片层的总厚度为0.818mm，其中填充层与基材的厚度均为0.4mm，人造微结构的厚度为0.018mm。

6.如权利要求1所述的透镜天线，其特征在于，所述阻抗匹配层包括多个阻抗匹配片层，每一阻抗匹配片层包括片状的基材、附着在基材上的多个人造微结构以及覆盖人造微结构的填充层。

7.如权利要求6所述的透镜天线，其特征在于，所述人造微结构为金属微结构，所述金属微结构通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法附着在基材上。