CN103094080B - 石墨烯半导体用离子层制备方法和装置 - Google Patents
石墨烯半导体用离子层制备方法和装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103094080B CN103094080B CN201310024223.7A CN201310024223A CN103094080B CN 103094080 B CN103094080 B CN 103094080B CN 201310024223 A CN201310024223 A CN 201310024223A CN 103094080 B CN103094080 B CN 103094080B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ion
- ion stream
- remove impurity
- time remove
- stream
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 40
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 16
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 136
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 15
- -1 boron ion Chemical class 0.000 description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种石墨烯半导体用离子层制备方法和装置，属于半导体制备技术领域。所述方法包括：用电子轰击原子，生成离子流；采用磁偏转技术除去所述离子流中的部分杂质离子，得到第一次除杂后的所述离子流；采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对所述第一次除杂后的所述离子流进行共振吸收，得到第二次除杂后的所述离子流；将所述第二次除杂后的所述离子流均匀地注入到石墨烯基体模中。本发明通过依次采用磁偏转技术和共振吸收技术除去离子流中的杂质离子，从而提高了注入离子的纯度，使得制成的离子层具有良好的导电性能，提高了石墨烯半导体的整体性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制备领域，特别涉及一种石墨烯半导体用离子层制备方法和装置。
背景技术
半导体是现代电子工业的支柱，它是晶体管、集成电路以及各类电子元件的核心材料。随着半导体技术的发展，传统的硅、锗等元素半导体的性能提升空间越来越小。
石墨烯以优异的导电性能，广阔的开发前景，在半导体技术领域受到越来越多的关注。离子层是石墨烯半导体的一个重要组成部件，通过将注入离子均匀地注入到石墨烯基体模中制成。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种石墨烯半导体用离子层制备方法和装置。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种石墨烯半导体用离子层制备方法，所述方法包括：
用电子轰击原子，生成离子流；
采用磁偏转技术除去所述离子流中的部分杂质离子，得到第一次除杂后的所述离子流；
采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对所述第一次除杂后的所述离子流进行共振吸收，得到第二次除杂后的所述离子流；
将所述第二次除杂后的所述离子流均匀地注入到石墨烯基体模中。
进一步地，所述将所述第二次除杂后的所述离子流均匀地注入到石墨烯基体模中，包括：
通过控制所述第二次除杂后的所述离子流注入到所述石墨烯基体模时的流量和注入时间，以达到预定注入浓度。
进一步地，所述控制所述第二次除杂后的所述离子流的流量，包括：
利用加速电压可调的加速电场对所述第二次除杂后的所述离子流加速；
检测经加速后的所述第二次除杂后的所述离子流所带电流；
将检测到的电流与预设电流值进行比较；
当所述检测到的电流小于所述预设电流值时，增大所述加速电压；当所述检测到的电流大于所述预设电流值时，减小所述加速电压。
进一步地，在所述采用磁偏转技术除去所述离子流中的部分杂质离子之前，所述方法还包括：
将所述离子流制成等离子体。
另一方面，本发明实施例还提供了一种石墨烯半导体用离子层制备装置，所述装置包括：
离子产生模块，用于用电子轰击原子，生成离子流；
磁偏转模块，用于采用磁偏转技术除去所述离子流中的部分杂质离子，得到第一次除杂后的所述离子流；
共振吸收模块，用于采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对所述第一次除杂后的所述离子流进行共振吸收，得到第二次除杂后的所述离子流；
离子注入模块，用于将所述第二次除杂后的所述离子流均匀地注入到石墨烯基体模中；
其中，所述磁偏转模块、所述共振吸收模块位于所述离子产生模块和所述离子注入模块之间，且所述磁偏转模块、所述共振吸收模块以及所述离子注入模块按照离子流的流向顺序设置。
其中，所述共振吸收模块为装有与所述未除去的杂质离子元素相同的同位素物质的谐振腔。
其中，所述离子注入模块包括偏转扫描电路。
进一步地，所述离子注入模块还包括：
控制单元，用于通过控制所述第二次除杂后的所述离子流注入到所述石墨烯基体模时的流量和注入时间，以达到预定注入浓度。
进一步地，所述控制单元包括：
加速子单元，用于利用加速电压可调的加速电场对所述第二次除杂后的所述离子流加速；
检流计，用于检测经加速后的所述第二次除杂后的所述离子流所带电流；
控制子单元，用于将检测到的电流与预设电流值进行比较；
当所述检测到的电流小于所述预设电流值时，增大所述加速电压；当所述检测到的电流大于所述预设电流值时，减小所述加速电压。
进一步地，所述控制单元还包括：
注入使能阀，用于通过开关动作控制注入时间。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过依次采用磁偏转技术和共振吸收技术除去离子流中的杂质离子，从而提高了注入离子的纯度，使得制成的离子层具有良好的导电性能，提高了石墨烯半导体的整体性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的石墨烯半导体用离子层制备方法流程图；
图2是本发明实施例一提供的离子流通过磁偏转区和共振吸收区的示意图；
图3是本发明实施例二提供的石墨烯半导体用离子层制备装置结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种石墨烯半导体用离子层制备方法，参见图1，该方法包括：
步骤101：用电子轰击原子，生成离子流。
具体地，上述原子可以为含有杂质的硼或磷原子。下面以硼原子为例进行说明。在高压作用下，电子在电场中获得足够的动能，轰击含有杂质的硼原子，使硼原子外层电子脱离原子核，获得注入用硼离子；持续产生的硼离子形成离子流。
步骤102：采用磁偏转技术除去离子流中的部分杂质离子，得到第一次除杂后的离子流。
具体地，由于原子为含有杂质的硼原子，因此产生的硼离子中也含有杂质离子，为了提高半导体的性能，需要将硼离子中的杂质离子去除。将离子流通过磁偏转区域，由于部分杂质离子和硼离子的电荷质量比相差很大，所以离子流在经过磁偏转区域时，部分杂质离子会发生偏转从而被去除，而硼离子及与硼离子电荷质量比相当的杂质离子将通过该磁偏转区域，形成第一次除杂后的离子流。如何控制磁场使硼离子不偏转，而杂质离子偏转属于现有技术，这里不再赘述。
进一步地，在步骤102之前，该方法还包括：将离子流制成等离子体。等离子体温度高，所带电量大，从而提高了最终制成的离子层的导电性能。然后在等离子状态下，采用磁偏转技术除去杂质离子。
步骤103：采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对第一次除杂后的离子流进行共振吸收，得到第二次除杂后的离子流。
具体地，由于未被除去的部分杂质离子的电荷质量比与硼离子的电荷质量比相近，因此在采用磁偏转进行除杂时，这部分杂质离子并不能被去除。因此在步骤102的基础上，设置步骤103进行第二次去除。采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质与第一次除杂后的离子流进行共振吸收，在步骤102中未被去除的杂质离子被共振吸收。值得说明的是，由于未除去的杂质离子质量与硼离子相近，因此可以推测出是何种离子；未除去的杂质离子种类也可以是在以前的实验或生产中得出的。
上述步骤102和103的具体过程如图2所示，其中，白色圆点表示硼离子21，黑色圆点表示杂质离子22。在通过磁偏转区23时大部分杂质离子22被去除，但还会存在少量的杂质离子22，这时再控制离子通过相干辐射源25作用下的共振吸收区24，进一步去除杂质离子22。
步骤104：将第二次除杂后的离子流均匀地注入到石墨烯基体模中。
具体地，第二次除杂后的离子流通过一个偏转线圈，偏转线圈产生一定频率的交变磁场，使离子流中的离子产生有规律的扫描。出于离子均匀分布在平面内的需要，会将离子流扫描成一个个的离子平面；在扫描每个离子平面时，可以将整个平面分为若干行，由于离子流必须在行的方向和与行的方向垂直的方向都获得偏转，所以在每一行从左到右的偏转，然后逐行扫描，从而使离子均匀分布在平面内。
然后将离子平面注入到石墨烯基体模中。
进一步地，步骤104包括：
通过控制第二次除杂后的离子流注入到石墨烯基体模时的流量和注入时间，以达到预定注入浓度。其中，离子浓度是指单位面积上的离子数。这样做的好处在于，可以对单个石墨烯基体模中注入的离子浓度进行控制，以达到预定注入浓度，同时还可以保持若干个石墨烯基体模中注入的离子浓度相同。即保证同一批次生产的高纯度离子层的性能相同。
更进一步地，控制第二次除杂后的离子流的流量，包括：
利用加速电压可调的加速电场对第二次除杂后的离子流加速；
检测经加速后的第二次除杂后的离子流所带电流；
将检测到的电流与预设电流值进行比较；
当检测到的电流小于预设电流值时，增大加速电压；当检测到的电流大于预设电流值时，减小加速电压。
更进一步地，注入时间可以通过控制使能阀的开关动作来控制。
其中，加速电压在40KV量级。
值得说明的是，这里利用加速电压可调的加速电场对第二次除杂后的离子流加速，也可以在采用磁偏转技术除去离子流中的部分杂质离子之前进行，不过此时是对刚生成的离子流进行加速。
容易知道，石墨烯基体模中注入的离子浓度可用单位面积上的离子数D表示，D＝N×t/(q×S)；其中N为离子流的流量，用离子流所带的电流表示；t为注入时间；q为电荷量1.6×10-19，S为石墨烯基体模面积。
本发明实施例通过依次采用磁偏转技术和共振吸收技术除去离子流中的杂质离子，从而提高了注入离子的纯度，使得制成的离子层具有良好的导电性能，提高了石墨烯半导体的整体性能。
实施例二
本发明实施例提供了一种石墨烯半导体用离子层制备装置，参见图3，该装置包括：
离子产生模块31，用于用电子轰击原子，生成离子流；
磁偏转模块32，用于采用磁偏转技术除去离子流中的部分杂质离子，得到第一次除杂后的离子流；
共振吸收模块33，用于采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对第一次除杂后的离子流进行共振吸收，得到第二次除杂后的离子流；
离子注入模块34，用于将第二次除杂后的离子流均匀地注入到石墨烯基体模中。
其中，磁偏转模块32、共振吸收模块33位于离子产生模块31和离子注入模块34之间，且磁偏转模块32、共振吸收模块33以及离子注入模块34按照离子流的流向顺序设置。
其中，共振吸收模块33为装有与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质的谐振腔。
其中，离子注入模块34包括偏转扫描电路。第二次除杂后的离子流通过偏转扫描电路中的偏转线圈，偏转线圈产生一定频率的交变磁场，使离子流中的离子产生有规律的扫描。出于离子均匀分布在平面内的需要，会将离子流扫描成一个个的离子平面；在扫描每个离子平面时，可以将整个平面分为若干行，由于离子流必须在行的方向和与行的方向垂直的方向都获得偏转，所以在每一行从左到右的偏转，然后逐行扫描，从而使离子均匀分布在平面内。
进一步地，离子注入模块34还包括：
控制单元，用于通过控制第二次除杂后的离子流注入到所述石墨烯基体模时的流量和注入时间，以达到预定注入浓度。
具体地，控制单元包括：
加速子单元，用于利用加速电压可调的加速电场对第二次除杂后的离子流加速；
检流计，用于检测经加速后的第二次除杂后的离子流所带电流；
控制子单元，用于将检测到的电流与预设电流值进行比较；
当检测到的电流小于预设电流值时，增大加速电压；当检测到的电流大于预设电流值时，减小加速电压。
特别地，控制单元还包括：注入使能阀，用于通过开关动作控制注入时间。关闭注入使能阀时，离子流无法通过，打开注入使能阀时，离子流能够通过。
容易知道，加速子单元还可以设于离子产生模块31和磁偏转模块32之间。离子注入模块34内处于真空，相应还设有温控单元。
进一步地，该装置还包括：等离子体模块，用于在离子通过磁偏转模块32之前，将离子流制成等离子体。
本发明实施例通过依次采用磁偏转技术和共振吸收技术除去离子流中的杂质离子，从而提高了注入离子的纯度，使得制成的离子层具有良好的导电性能，提高了石墨烯半导体的整体性能。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种石墨烯半导体用离子层制备方法，其特征在于，所述方法包括：
用电子轰击原子，生成离子流；
采用磁偏转技术除去所述离子流中的部分杂质离子，得到第一次除杂后的所述离子流；
采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对所述第一次除杂后的所述离子流进行共振吸收，得到第二次除杂后的所述离子流；
将所述第二次除杂后的所述离子流均匀地注入到石墨烯基体模中。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第二次除杂后的所述离子流均匀地注入到石墨烯基体模中，包括：
通过控制所述第二次除杂后的所述离子流注入到所述石墨烯基体模时的流量和注入时间，以达到预定注入浓度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制所述第二次除杂后的所述离子流的流量，包括：
利用加速电压可调的加速电场对所述第二次除杂后的所述离子流加速；
检测经加速后的所述第二次除杂后的所述离子流所带电流；
将检测到的电流与预设电流值进行比较；
当所述检测到的电流小于所述预设电流值时，增大所述加速电压；当所述检测到的电流大于所述预设电流值时，减小所述加速电压。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用磁偏转技术除去所述离子流中的部分杂质离子之前，所述方法还包括：
将所述离子流制成等离子体。
5.一种石墨烯半导体用离子层制备装置，其特征在于，所述装置包括：
离子产生模块，用于用电子轰击原子，生成离子流；
磁偏转模块，用于采用磁偏转技术除去所述离子流中的部分杂质离子，得到第一次除杂后的所述离子流；
共振吸收模块，用于采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对所述第一次除杂后的所述离子流进行共振吸收，得到第二次除杂后的所述离子流；
离子注入模块，用于将所述第二次除杂后的所述离子流均匀地注入到石墨烯基体模中；
其中，所述磁偏转模块、所述共振吸收模块位于所述离子产生模块和所述离子注入模块之间，且所述磁偏转模块、所述共振吸收模块以及所述离子注入模块按照离子流的流向顺序设置。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述共振吸收模块为装有与所述未除去的杂质离子元素相同的同位素物质的谐振腔。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述离子注入模块包括偏转扫描电路。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述离子注入模块还包括：
控制单元，用于通过控制所述第二次除杂后的所述离子流注入到所述石墨烯基体模时的流量和注入时间，以达到预定注入浓度。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述控制单元包括：
加速子单元，用于利用加速电压可调的加速电场对所述第二次除杂后的所述离子流加速；
检流计，用于检测经加速后的所述第二次除杂后的所述离子流所带电流；
控制子单元，用于将检测到的电流与预设电流值进行比较；
当所述检测到的电流小于所述预设电流值时，增大所述加速电压；当所述检测到的电流大于所述预设电流值时，减小所述加速电压。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述控制单元还包括：
注入使能阀，用于通过开关动作控制注入时间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310024223.7A CN103094080B (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 石墨烯半导体用离子层制备方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310024223.7A CN103094080B (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 石墨烯半导体用离子层制备方法和装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103094080A CN103094080A (zh) | 2013-05-08 |
| CN103094080B true CN103094080B (zh) | 2016-06-22 |
Family
ID=48206510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310024223.7A Active CN103094080B (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 石墨烯半导体用离子层制备方法和装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103094080B (zh) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0607542D0 (en) * | 2006-04-13 | 2006-05-24 | Thermo Finnigan Llc | Mass spectrometer |
| US7615763B2 (en) * | 2006-09-19 | 2009-11-10 | Axcelis Technologies, Inc. | System for magnetic scanning and correction of an ion beam |
| CN102446679A (zh) * | 2010-10-13 | 2012-05-09 | 北京中科信电子装备有限公司 | 新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统 |
| US8669517B2 (en) * | 2011-05-24 | 2014-03-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Mass analysis variable exit aperture |
| CN203165850U (zh) * | 2013-01-22 | 2013-08-28 | 江汉大学 | 一种石墨烯半导体制备装置 |
-
2013
- 2013-01-22 CN CN201310024223.7A patent/CN103094080B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103094080A (zh) | 2013-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104364417A (zh) | 磁控溅射装置 | |
| CN107039227A (zh) | 离子生成装置及离子生成装置的控制方法 | |
| Song et al. | Role of electron filling in the magnetic anisotropy of monolayer WSe 2 doped with 5 d transition metals | |
| CN103247505B (zh) | 用于离子束系统的间热式宽带束离子源和宽带离子束系统 | |
| Binder et al. | Scaling theory for metastable states and their lifetimes | |
| CN103681191A (zh) | 一种离子注入机宽束均匀性调节装置 | |
| CN103094080B (zh) | 石墨烯半导体用离子层制备方法和装置 | |
| CN106531605B (zh) | 一种离子注入设备及系统 | |
| CN103887155A (zh) | 一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法 | |
| JP2009544469A (ja) | 分子結合性物質から物質を抽出及び収集するためのシステム及び方法 | |
| CN102683143B (zh) | 狭缝电极和具有该狭缝电极的带电粒子束发生装置 | |
| CN203165850U (zh) | 一种石墨烯半导体制备装置 | |
| CN101694011A (zh) | 降低晶圆在离子注入制程中的温度升高的装置及方法 | |
| CN108890449A (zh) | 光学元件面形修正方法及装置 | |
| CN106129271A (zh) | 有源矩阵显示基板的退火方法及装置 | |
| CN107278013A (zh) | 一种可消除杂质的双离子束加速器装置 | |
| CN106898385B (zh) | 一种强磁场下电子枪式电子束注入约束的装置和方法 | |
| CN106469635B (zh) | 离子注入装置 | |
| CN103871812B (zh) | 一种离子注入设备 | |
| Rose et al. | Concepts and designs of ion implantation equipment for semiconductor processing | |
| Okuda et al. | Study of plasma meniscus formation and beam halo in negative hydrogen ion sources | |
| Tsumori et al. | High power neutral beam injection in LHD | |
| CN104810231A (zh) | 离子注入装置以及离子注入装置的控制方法 | |
| Wünderlich et al. | Influence of magnetic fields and biasing on the plasma of a RF driven negative ion source | |
| CN108563813A (zh) | 一种用于光伏升压变压器磁场分析 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190528 Address after: 430400 Block 12C2, Wuhan Economic and Technological Development Zone, Hubei Province Patentee after: WUHAN ANLIJIE ENGINEERING TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 430056 Jianghan University, 8 Zhuankou New Economic Development Zone, Zhuankou economic and Technological Development Zone, Wuhan Patentee before: Jianghan University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Method and device for preparing ion layers for graphene semiconductors Effective date of registration: 20230927 Granted publication date: 20160622 Pledgee: Wuhan rural commercial bank Limited by Share Ltd. economic and Technological Development Zone Branch Pledgor: WUHAN ANLIJIE ENGINEERING TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023980058894 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Granted publication date: 20160622 Pledgee: Wuhan rural commercial bank Limited by Share Ltd. economic and Technological Development Zone Branch Pledgor: WUHAN ANLIJIE ENGINEERING TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023980058894 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Preparation method and device of ion layer for graphene semiconductor Granted publication date: 20160622 Pledgee: Wuhan rural commercial bank Limited by Share Ltd. economic and Technological Development Zone Branch Pledgor: WUHAN ANLIJIE ENGINEERING TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2024980043901 |