CN103023064B - 高压变频低电压穿越方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高压变频低电压穿越方法，包括单向导通电路和电容储能电路，所述单向导通电路由两个二极管组成，电容储能电路由三组电容器组成，直流母线上的电压通过单向导通电路给电容储能电路充电，电容储能电路给控制部分供电，单向导通电路在电网电压短时间故障，引起电压跌落时，使电容储能电路不向直流母线放电，保持控制电路部分正常工作，驱动IGBT导通，如果电流冲击过大时，控制部分调整IGBT导通的占空比，使电路恢复正常工作。本发明具有工作可靠、功耗低、成本小等优点。

Description

高压变频低电压穿越方法
技术领域
本发明涉及一种变频器，尤其涉及一种高压变频低电压穿越方法。
背景技术
随着电力电子技术的发展和高压变频器技术研究的深入，高压变频器日益广泛地被应用到风机、水泵、压缩机等大功率机械设备的驱动系统中，特别是级联型高压变频器作为适合中国国情、性能优异的变频器，越来越受到青睐，显示了其方兴未艾的前景。
部分企业尤其是存在内部余热发电项目的企业，易由于发电并网引起厂内电网电压跌落较大，这会造成高压变频器停止工作，高压电机停机。这在一些要求较高的应用场合是不允许的。
发明内容
本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种工作可靠、功耗低、成本小的级联型高压变频低电压穿越方法。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种高压变频低电压穿越方法，包括有单向导通电路和电容储能电路，所述的单向导通电路由二极管D1和D2组成，所述的电容储能电路由电容C3、C4和C5组成，提高系统的耐压性能，所述的二极管D1的阳极接在直流母线正极上，阴极上串联所述的电容C3、C4和C5，然后再接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极接在直流母线的负极上，在直流母线的正、负极之间连接有由四个IGBTQ1、Q2、Q3和Q4组成的桥式电路，所述的IGBTQ1、Q2、Q3和Q4上分别并联有二极管D3、D4、D5和D6，桥式电路前端还并联有电容C和串联连接的电容C1、C2，所述的电容储能电路和桥式电路均连接控制部分，直流母线上的电压通过单向导通电路给电容储能电路充电，电容储能电路不向直流母线放电，电容储能电路给控制部分供电，在电网电压短时间故障，引起电压跌落时，使电容储能电路不向直流母线放电，保持控制部分正常工作，驱动IGBT导通；当电网恢复时，当电流冲击不大时，整个系统按照正常情况连续运行，当电流冲击过大时，控制部分调整IGBT导通的占空比，使电路恢复正常工作。
所述的控制部分包括有依次连接的电源板、驱动板、控制板、采样板，所述的控制板还与光纤通讯设备连接。
所述的单向导通电路和电容储能电路安装在同一电路板上。
本发明的优点是：本发明具有工作可靠、功耗低、成本小等优点。
附图说明
图1为本发明方法电路图。
具体实施方式
如图1所示，一种高压变频低电压穿越方法，包括有单向导通电路1和电容储能电路2，所述的单向导通电路1由二极管D1和D2组成，所述的电容储能电路2由电容C3、C4和C5组成，提高系统的耐压性能，所述的二极管D1的阳极接在直流母线正极上，阴极上串联所述的电容C3、C4和C5，然后再接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极接在直流母线的负极上，在直流母线的正、负极之间连接有由四个IGBTQ1、Q2、Q3和Q4组成的桥式电路3，所述的IGBTQ1、Q2、Q3和Q4上分别并联有二极管D3、D4、D5和D6，桥式电路3前端还并联有电容C和串联连接的电容C1、C2，所述的电容储能电路2和桥式电路3均连接控制部分4，直流母线上的电压通过单向导通电路1给电容储能电路2充电，电容储能电路2不向直流母线放电，电容储能电路2给控制部分4供电，在电网电压短时间故障，引起电压跌落时，使电容储能电路2不向直流母线放电，保持控制部分4正常工作，驱动IGBT导通；当电网恢复时，当电流冲击不大时，整个系统按照正常情况连续运行，当电流冲击过大时，控制部分4调整IGBT导通的占空比，使电路恢复正常工作。
所述的控制部分4包括有依次连接的电源板5、驱动板6、控制板7、采样板8，所述的控制板7还与光纤通讯设备9连接。
所述的单向导通电路1和电容储能电路2安装在同一电路板上。
在电网电压下降而无法满足变频器运行要求时，软件上，依然保持原有的驱动方案，直至电网电压恢复。电网电压恢复又分为两种：1、逐步回升；2、迅速回升。当电网逐步回升时，软件基本无需控制驱动，即可满足级联型变频器重新拖动高压电机的要求；当电网电压迅速回升时，软件需要调整IGBT导通的占空比，此时IGBT占空比与电流采样进行闭环控制，即可保证电机的重新拖动。该低电压穿越过程，变频器的输出频率维持电网电压下跌前的运行频率不变。

Claims (2)

1.一种高压变频低电压穿越方法，其特征在于：包括有单向导通电路和电容储能电路，所述的单向导通电路由二极管D1和D2组成，所述的电容储能电路由电容C3、C4和C5组成，所述的二极管D1的阳极接在直流母线正极上，阴极上串联所述的电容C3、C4和C5，然后再接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极接在直流母线的负极上，在直流母线的正、负极之间连接有由四个IGBT开关器件Q1、Q2、Q3和Q4组成的桥式电路，所述的IGBT开关器件Q1上并联有二极管D3、Q2上并联有二极管D4、Q3上并联有二极管D5和Q4上并联有二极管D6，桥式电路前端还并联有电容C和串联连接的电容C1、C2，所述的电容储能电路和桥式电路均连接控制部分，直流母线上的电压通过单向导通电路给电容储能电路充电，电容储能电路不向直流母线放电，电容储能电路给控制部分供电，在电网电压短时间故障，引起电压跌落时，使电容储能电路不向直流母线放电，保持控制部分正常工作，驱动IGBT导通；当电网恢复时，当电流冲击不大时，整个系统按照正常情况连续运行，当电流冲击过大时，控制部分调整IGBT导通的占空比，使电路恢复正常工作；所述的控制部分包括有依次连接的电源板、驱动板、控制板、采样板，所述的控制板还与光纤通讯设备连接。
2.根据权利要求1所述的高压变频低电压穿越方法，其特征在于：所述的单向导通电路和电容储能电路安装在同一电路板上。
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