背景技术
众所周知,图像传感器是一种能将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器大体上可以分为电荷耦合元件(Charge-Coupled Device,简称“CCD”)和互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor,简称“CMOS”)图像传感器两类。
根据其读出方式,现有的CMOS图像传感器大致可以分为无源式像素传感器(Passive Pixel Sensor,简称“PPS”)、有源式像素传感器(ActivePixel Sensor,简称“APS”)和数字像素传感器(Digital Pixel Sensor,简称“DPS”)三种类型。
图1和图2分别为理想状况下和实际情况中图像传感器结构中的感光情况。
如图1所示,在图像传感器中,特别是在CMOS图像传感器中,由于将CMOS像素读出电路与感光器件集成在同一半导体衬底上,鉴于电路的金属互联需求,感光区域表面通常覆盖有一定厚度的介质层,并在介质层表面制备滤色器和微透镜,分别实现滤光和聚光,以使得特定范围内的光较为集中的入射到相应像素的感光区域。其中附图标记1、2和3表示的是半导体器件的金属互连层,金属互连层之间是层间介质层。
然而,在实际工作中,由于相对于需探测的外界环境而言,像素单元尺寸极小,微透镜聚光作用有限,大量光线进入层间介质层后,不仅会入射到对应像素的感光区域,还会进入相邻像素的感光区域,如图2所示,从而引起串扰,并降低感光区域的有效感光效率。随着CMOS图像传感器像素尺寸越来越小,图像传感器像素之间串扰现象越来越严重。CMOS图像传感器中,串扰的大小会影响到图像传感器最终输出图像的质量,串扰越大,最终的图像质量越差,并随着目前像素单元尺寸的逐渐减小,光串扰和电荷串扰都会越来越严重。而且随着图像传感器尺寸的减小,可供入射光线射入感光区域的光线也越来越少。
在现有技术中,曾有人提出,在感光区域上方的介质层周围,刻蚀形成空气孔,从而在感光区域上方形成类波导的光通路,将大部分入射光限制在该通路中传输,但该方法对光的限制有限,尤其是感光区域上方的介质层通常为低介电常数材料,折射率通常较低(一般为1.5左右);此外,也有人曾提出,在感光区域上方的介质层周围,采用连续的金属层作为反射层,以防止入射光对相邻像素的影响,但金属对电磁波有一定的吸收作用,随着CMOS图像传感器尺寸的进一步缩小,对于某些极限波长的光,可以近似地视作电磁波,金属的吸收作用不可忽视。
发明内容
本发明的目的在于提供一种图像传感器及其制备方法,避免光串扰,同时提高入射进入到感光区域内的光强。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式公开了一种图像传感器,包括多个像素区域,每个像素区域中有一感光器件,每个感光器件表面上方的介质层中分布有多个柱状通孔,形成将光导入感光器件的导光区域。
本发明的实施方式还公开了一种图像传感器的制备方法,该方法包括以下步骤:
在一半导体衬底中形成一图像传感器电路,并在该图像传感器电路上形成金属互连层;
在金属互连层中选定图像传感器的像素区域进行刻蚀,刻蚀厚度为金属互连层厚度,其中每个像素区域中有一感光器件;
在每个像素区域的感光器件表面上方垫积形成一介质层,该介质层厚度与金属互连层厚度相同;
在介质层中选定区域进行刻蚀,形成多个通孔,形成将光导入感光器件的导光区域。
本发明实施方式与现有技术相比,主要区别及其效果在于:
在每个感光区域的感光器件上方的介质层中分布有多个柱状通孔,形成将光导入感光器件的导光区域,可将入射光束缚在该导光区域中,避免光线在传播过程中入射到相邻像素点感光区域中而造成光串扰,从而提高入射光在该导光区域中的传播路线。
基于传统图像传感器电路,使用刻蚀和垫积工艺在感光区域上方的介质层中形成多个通孔,操作简便,易于批量生产。
进一步地,通过控制导光区域内通孔的孔径大小、介质材料和分布密度等参数及通孔的排列方式,可调整该导光区域的传输特性,进而达到提高入射进入到感光区域内的光强的效果。
进一步地,介质层使用透明材料,便于更多的入射光进入到感光区域。
具体实施方式
在以下的叙述中,为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是,本领域的普通技术人员可以理解,即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改,也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。
本发明第一实施方式涉及一种图像传感器。图3是该图像传感器的结构示意图,图4、图5、图6分别是该图像传感器中一介质层的俯视图,示出了不同的通孔排列形式。
具体地说,如图3、图4所示,该图像传感器包括多个像素区域,每个像素区域中有一感光器件,每个感光器件表面上方的介质层中分布有多个柱状通孔,形成将光导入感光器件的导光区域。
在本实施方式中,介质层由透明材料制成,便于更多的入射光进入到感光区域。可以理解,在本发明的其他实施方式中,介质层也可由非透明材料制成。常见的介质材料为SiO2、Si3N4、SiC、含C的SiO2、TEOS或含F氧化硅玻璃等。
在上述导光区域中,通孔孔径为波长量级,通孔中介质折射率小于介质层折射率。通过控制该导光区域内通孔的排列形式以及通孔的孔径大小、介质材料和分布密度等参数,可调整该导光区域的传输特性,进而达到提高入射进入到感光区域内的光强的效果。具体地说:
在导光区域中,通孔可如图5所示排列,即外部的通孔密度大而内部的通孔密度较小,其中心部分的相对光折射系数小于四周的部分,因此光在这个区域内传播的过程中会被束缚在特定的区域内,减小了串扰现象。可以理解,在本发明的其他实施方式中,通孔还可以以复合六边形、椭圆孔六边形、圆形等对称形式排列。鉴于上述各通孔排列形式下的导光区域的传输特性不同,可根据实际需要进行选择。
此外,通过调节通孔的孔径大小、介质材料和分布密度等参数,可进一步获得较佳的传输特性。
在一个优选的例子中,如图6所示,通孔以复合正六边形排列,该通孔排列形式具有三个可调节的参量,即大空气孔穴(直径d2)、小空气孔穴(直径d1)和孔间距W。其中空气孔的折射率为n1=1,介质层材料的折射率是随波数(或波长)变化的,其变化关系为n2=n(w)。
为了研究该通孔结构对于导光区域色散特性的影响,对图6所示结构进行了数值模拟,采用基于半矢量有限差分算法的仿真软件APSS计算此导光区域的色散特性,分别探讨了随着大小空气孔的直径d1、d2与孔间距W的取值的变化,对其色散特性的影响。模拟结果显示,随着小空气孔直径d1的变化,色散系数D数值整体变化不大,但在波长小于1.5μm范围内,色散系数D变大,零色散波长向短波长方向移动,且色散曲线变平坦;随着大空气孔直径d2的增大,色散系数D数值整体变化不大,零色散波长向短波长方向移动,且大空气孔径d2的增大对色散系数D的影响比小空气孔径d1变化所带来的影响较小。由上述发现,某一层空气孔变大则意味着波导色散作用的增强,因而零色散波长向短波长方向移动,反之零色散波长则向长波长方向移动。由于该导光区域的模场分布主要在中心周围的第一、二层空气孔之间的介质材料中,因而当小孔孔径变化对应第一层空气孔径变化时,对色散的影响比较明显。通过适当的调节上述参量可获得近零超平坦色散。
可以理解,在本发明的其他实施方式中,可以以类似的方式对其他通孔排列形式的各参数进行调节,以获得较佳的传输特性。
由以上所述可以看到,本发明提供了一种具有导光区域的图像传感器,在每个感光区域的感光器件上方的介质层中分布有多个柱状通孔,形成将光导入感光器件的导光区域,可将入射光束缚在该导光区域中,避免光线在传播过程中入射到相邻像素点感光区域中而造成光串扰,从而提高入射光在该导光区域中的传播路线。该图像传感器包括:制备在半导体衬底上的感光器件和像素读出电路,半导体衬底为硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GOI衬底、SGOI衬底或sSOI衬底等。感光器件为感光二极管、本征半导体结构或光电门等;像素读出电路为3T、4T或5T结构等。
根据一个像素读出电路所包含的晶体管的数目,适用于本发明实施方式的CMOS图像传感器分为3T型结构和4T型结构,还可以有5T型结构。下面举几个例子。
如图7所示,一种3T型结构的CMOS图像传感器的像素读出电路的等效电路结构图,包括:一个光电二极管(Photo Diode,简称“PD”)10,用于在曝光时进行光电转换,将接收到的光信号转换成电信号,所述光电二极管10包括P型区和N型区,所述P型区接地。
一个复位晶体管M1,用于在曝光前对所述光电二极管10进行复位,复位由复位信号Reset信号进行控制。在图7中,所述复位晶体管M1选用一个N型金属-氧化物-半导体(N Metal-Oxide-Semiconductor,简称“NMOS”)管,所述复位晶体管M1的源极和所述光电二极管10的N型区相连,所述复位晶体管M1的源极同时也为一感应节点N1,又称为浮空扩散区(FloatingDiffusion,简称“FD”);所述复位晶体管M1的漏极接电源Vdd,所述电源Vdd为一正电源。当所述复位信号Reset为高电平时,所述复位晶体管M1导通并将所述光电二极管10的N型区连接到电源Vdd,在所述电源Vdd的作用下,使所述光电二极管10反偏并会清除所述光电二极管10的全部累积的电荷,实现复位。所述复位晶体管M1也可以由多个N MOS管串联形成,或由多个N MOS管并联形成,也可以用PMOS管代替所述N MOS管。
一个放大晶体管M2,也为一源极跟随器,用于将所述光电二极管10产生的电信号进行放大。在图7中,所述放大晶体管M2选用一N MOS管,所述放大晶体管M2的栅极接所述光电二极管10的N型区,所述放大晶体管M2的漏极接所述电源Vdd,所述放大晶体管M2的源极为放大信号的输出端。所述放大晶体管M2也可以由多个N MOS管串联形成或由多个N MOS管并联形成。
一个行选择晶体管M3,用于将所述放大晶体管M2的源极输出的放大信号输出。在图7中,所述行选择晶体管M3选用一N MOS管,所述行选择晶体管M3的栅极接行选择信号Rs,所述行选择晶体管M3的源极接所述放大晶体管M2的源极,所述行选择晶体管M3的漏极为输出端。
如图8所示,为一种4T型结构的CMOS图像传感器的像素读出电路的等效电路结构图。相比于3T型结构,该4T型结构的CMOS图像传感器的像素读出电路结构图增加了一个转移晶体管M4,所述转移晶体管M4用于将所述光电二极管10产生的电信号输入到所述感应节点N1。在图8中,所述转移晶体管M4选用一N MOS管,所述转移晶体管M4的栅极接转移信号TX,所述转移晶体管M4的源极接所述光电二极管10的N型区,所述转移晶体管M4的漏极接所述复位晶体管M1的源极即所述感应节点N1。
所述感光器件及像素读出电路表面具有金属互连层及层间介质层,且在每个感光区域的感光器件上方的介质层中分布有多个柱状通孔,形成将光导入感光器件的导光区域。
本发明第二实施方式涉及一种图像传感器的制备方法。图9是该图像传感器的制备方法的流程示意图,图10是该图像传感器的制备方法中一步骤示意图。
具体地说,该图像传感器的制备方法包括以下步骤:
在步骤901中,在一半导体衬底中形成一图像传感器电路(感光器件和像素读出电路),并在该图像传感器电路上形成金属互连层。可以理解,金属互连层为一层或多层。
此后进入步骤902,在金属互连层中选定图像传感器的像素区域进行刻蚀,刻蚀厚度为金属互连层厚度,其中每个像素区域中有一感光器件。
此后进入步骤903,在每个像素区域的感光器件表面上方垫积形成一介质层,如图10所示,该介质层厚度与金属互连层厚度相同。
此后进入步骤904,在介质层中选定区域进行刻蚀,形成多个通孔,形成将光导入感光器件的导光区域,如图3所示。
此后结束本流程。
在本实施方式中,具有通孔结构的介质层是在形成所有金属互连层后经刻蚀、垫积制成。可以理解,在本发明的其他实施方式中,该具有通孔结构的介质层也可以随着每一层金属互连层的制备,一层一层的刻蚀、垫积制成。根据不同金属和介质材料,可采用等离子体刻蚀、湿法腐蚀等工艺进行刻蚀,采用化学气相淀积(chemical vapor deposition,简称“CVD”)、电镀、溅射等工艺进行垫积。
此外,该制备方法还包括以下步骤:
在通孔内填充折射率小于介质层折射率的材料;
在介质层上形成微透镜和滤光片。
在上述导光区域中,通孔孔径为波长量级,介质层由透明材料制成或由非透明材料制成。通孔可以以如图5所示的形式排列,即外部通孔密度小于内部通孔密度,也可以以复合六边形、椭圆孔六边形、圆形等对称形式排列。
基于传统图像传感器电路,使用刻蚀和垫积工艺在感光区域上方的介质层中形成多个通孔,操作简便,易于批量生产。上述通孔在上述介质层中形成将光导入感光器件的导光区域,可将入射光束缚在该导光区域中,避免光线在传播过程中入射到相邻像素点感光区域中而造成光串扰,从而提高入射光在该导光区域中的传播路线。
本实施方式是与第一实施方式相对应的方法实施方式,本实施方式可与第一实施方式互相配合实施。第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效,为了减少重复,这里不再赘述。相应地,本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。
虽然通过参照本发明的某些优选实施方式,已经对本发明进行了图示和描述,但本领域的普通技术人员应该明白,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本发明的精神和范围。