CN102956944B - 一种微带线 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种微带线，该微带线包括金属带、介质基板以及接地板，其特征在于，所述介质基板由第一基板和第二基板拼接而成，所述第一基板和第二基板具有不同的折射率分布，第一基板两侧均拼接有第二基板，其中，所述金属带正下方设置有第一基板，所述接地板位于所述介质基板的正下方。本发明一种微带线通过在金属带下面采用氧化铝陶瓷和FR-4作为介质基板，有效地抑制空间波泄露，解决微带线之间电磁波串扰的问题。

Description

一种微带线
技术领域
本发明涉及PCB(PrintedCircuitBoard，印刷线路板)领域，更具体的说，涉及一种在PCB板上的微带线。
背景技术
微带线(MicrostripLine)是目前混合微波集成电路(HybridMicrowaveIntegratedCircuits，HMIC)和单片微波集成电路(MonolithicMictowaveIntegratedCircuits，MMIC)中使用最多的一种平面型传输线。如图1所示，从结构上看，微带线是由很薄的金属带1以远小于波长的间隔置于一接地板2上，金属带1与接地板2之间用介质基板3隔开。
微带线的突出优点是结构小巧、重量轻，可以用刻板、光刻、腐蚀等工艺在不大的体积内制成复杂的微波电路，并且容易与其他的微波器件集成，实现微波部件和系统的集成化。
随着微波元器件和系统的日益小型化，在一些对体积和重量要求苛刻的场合，可以采用微带传输线取代波导来构成微波电路并在同一块基板上组成各种不同的复杂平面电路，包括桥型电路、匹配负载、衰减器天线等。但是采用微带线传输同样存在缺点，即微带线损耗较大、易泄漏电磁能量造成串扰、Q值低、难以实现微调、功率容量小等。
在使用微带线传输过程中，微带线上的导行电磁波沿微带线轴向不断向空间辐射能量而产生漏波，其中电磁波泄露有两种形式：表面波形式5和空间波形式4，如图2所示。目前已经知道微带线在高频段存在一个泄漏主模，这个泄漏主模以表面波的形式向外泄漏电磁波能量；而在低频段，微带线的各个高次模则以空间波的形式向外泄漏电磁波能量。不管是表面波泄漏还是空间波泄漏，在集成电路中，这些漏波都是有害的，它不仅带来传输功率的下降，而且其泄漏的能量还会给周围其他电路带来电磁干扰问题，从而使得系统总体性能下降，因此需要抑制它。
现有技术中，对于抑制微带线主模泄漏的方法主要采用在微带线上敷一层介电常数足够大的薄的介质层；然而，对于微带线高次模泄漏的抑制，则没有什么简单有效的方法。这主要是由于微带线主模泄漏与高次模泄漏的物理机制不同而造成的，微带线高次模的空间波泄漏几乎很难被完抑制掉。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中微带线高次模的空间波泄露的缺陷，提供一种微带线，该微带线能够有效的抑制空间波泄露，解决微带线之间电磁波串扰的问题。
为了达到上述目的，本发明采用的如下技术方案：
一种微带线，所述微带线包括金属带、介质基板以及接地板，所述介质基板由第一基板和第二基板拼接而成，所述第一基板和第二基板具有不同的折射率分布，第一基板两侧均拼接有第二基板，其中，所述金属带正下方设置有第一基板，所述介质基板的正下方紧贴接地板。
进一步地，所述第一基板的材料为FR-4。
进一步地，所述第二基板为氧化铝陶瓷材料。
进一步地，所述第一基板的折射率比第二基板的折射率小。
进一步地，所述第一基板的折射范围是2～10。
进一步地，所述第二基板的折射范围是10～20。
进一步地，所述第一基板的折射为4.5。
进一步地，所述第二基板的折射为12。
本发明相对于现有技术，具有以下有益效果：本发明一种微带线通过在金属带下面采用氧化铝陶瓷和FR-4作为介质基板，有效地抑制空间波泄露，解决微带线之间电磁波串扰的问题。
附图说明
图1是现有技术中微带线的结构示意图；
图2是现有技术中微带线的两种漏波形式的示意图；
图3是本发明一种微带线的结构示意图；
图4是本发明实施例示意图；
图5是本发明实施例示意图；
图6是本发明实施例示意图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
如图3所示，一种微带线，所述微带线包括金属带10、介质基板以及接地板20，所述介质基板由第一基板40和第二基板30拼接而成，所述第一基板40和第二基板30具有不同的折射率分布，第一基板40两侧均拼接有第二基板30，其中，所述金属带10正下方设置有第一基板40，所述介质基板的正下方紧贴接地板20。
所述第一基板40的材料为FR-4。
所述第二基板30为氧化铝陶瓷材料。
所述第一基板40的折射率比第二基板30的折射率小。
所述第一基板40的折射范围是2～10。
所述第二基板30的折射范围是10～20。
本发明较佳实施例中，所述第一基板40的折射为4.5。
本发明较佳实施例中，所述第二基板30的折射为12。
实施例2
为本发明的另一实施例，如图4所示，是一种悬置微带线，与实施例1不同之处在于所述接地板20悬置于所述介质基板的正下方，并没有紧贴于所述介质基板，其他的都与实施例1相同。
实施例3
如图5所示，是一种倒置微带线，与实施例2不同之处在于所述金属带10位于与所述接地板20的同一侧，且与所述介质基板紧贴一起，其他的都与实施例2相同。
实施例4
如图6所示，是一种耦合微带线，与实施例1不同之处在于，在所述介质基板的一侧设置有两条相同的金属带10，另一侧为设置有一接地板20，其中每一条金属带10下面的介质基板的折射率分布情况均与实施例1相同。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未违背本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种微带线，所述微带线包括金属带、介质基板以及接地板，其特征在于，所述接地板位于所述介质基板的正下方，所述介质基板由第一基板和第二基板拼接而成，所述第一基板和第二基板具有不同的折射率分布，第一基板两侧均拼接有第二基板，其中，所述金属带的宽度小于所述第一基板的宽度，使得所述金属带的正下方的全部区域为所述第一基板，其中
所述第一基板的折射率比第二基板的折射率小，所述第一基板的材料为FR-4，所述第二基板为氧化铝陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的一种微带线，其特征在于，所述第一基板的折射范围是2～10。
3.根据权利要求1所述的一种微带线，其特征在于，所述第二基板的折射范围是10～20。
4.根据权利要求3所述的一种微带线，其特征在于，所述第一基板的折射为4.5。
5.根据权利要求4所述的一种微带线，其特征在于，所述第二基板的折射为12。
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