CN102943242A

CN102943242A - 射频离化硒源装置

Info

Publication number: CN102943242A
Application number: CN2012105145703A
Authority: CN
Inventors: 赵岳; 申绪男; 张颖武; 杨亦桐; 乔在祥; 赵彦民
Original assignee: CETC 18 Research Institute
Current assignee: CETC 18 Research Institute
Priority date: 2012-12-05
Filing date: 2012-12-05
Publication date: 2013-02-27

Abstract

本发明涉及一种射频离化硒源装置，包括Se源蒸发区和气体输出区，其特点是：Se源蒸发区和气体输出区之间连接有气体离化器；气体离化器包括离化器壳体，离化器壳体内壁置有绝缘层，绝缘层内有两个电极，两个电极之间的空隙形成离化腔室；离化腔室与Se蒸汽输入管和Ar气输入管相通；露在表面的输气管路均包有热保护装置。本发明采用了气体离化器，将Ar气生成等离子带电体，并稳定存在于环形极板及电极柱之间，形成辉光放电区；Se蒸汽进入到辉光放电区间后，由低活性Sen（n≥5）大原子团裂解成较高活性Sen（n＜5）小原子团，对优化CIGS吸收层制备工艺、提高CIGS薄膜太阳电池的光电转换效率起到了显著的作用。

Description

射频离化硒源装置

技术领域

本发明属于CIGS薄膜太阳电池吸收层制备装置技术领域，特别是涉及一种射频离化硒源装置。

背景技术

CIGS薄膜太阳电池因其具有高转换效率、无光致衰退、抗辐射性能好、低成本、适合卷对卷工艺大规模生产等优点，被认为是最具有发展潜力的薄膜太阳电池。该电池典型结构由衬底、Mo层金属背电极、CIGS层吸收层、CdS缓冲层、窗口层高阻i:ZnO、低阻ZnO:Al、MgF₂减反射膜以及Ni-Al栅电极构成。其中CIGS吸收层的制备是CIGS太阳电池的核心技术。

多元共蒸发法是目前制备CIGS吸收层工艺中被使用最广泛和最成功的方法。多元共蒸发法制备CIGS层，由铜、铟、镓、硒四种元素以Se蒸汽形式在具有一定温度的衬底上反应化合形成Cu(In_xGa_1-x)Se₂的多元合金相。在制备过程中，硒加热蒸发方法产生硒蒸气以供应反应需要，这种方式的优点是简单、易行；但随着硒料的消耗会造成硒源蒸汽压发生变化，进而影响到硒蒸发量的稳定性。而且以这种方式制备的Se蒸汽硒常以Se_n（n≥5）大原子团簇形式存在，过大的n值严重的降低了分子团簇中硒原子的有效接触面积，直接导致了反应活性及原料使用率的降低、薄膜成份均匀性差、局部偏离化学计量比等现象，使得Se气氛分布不均匀而严重影响CIGS层成膜质量，导致CIGS薄膜太阳电池的光电转换效率难以提高。

发明内容

本发明为解决背景技术中存在的技术问题而提供能够将低活性Se_n（n≥5）大原子团裂解为较高活性Se_n（n＜5）小原子团，硒料的利用率高和硒蒸发均匀、稳定，CIGS吸收层的成膜质量好，提高CIGS薄膜太阳电池光电转换效率的一种射频离化硒源装置。

本发明采取的技术方案是：

射频离化硒源装置，包括带有Se源料桶的Se源蒸发区和带有喷嘴的气体输出区，其特点是：所述Se源蒸发区和气体输出区之间输气管路连接气体离化器构成Se源蒸发区和气体输出区的通道；所述气体离化器包括带有法兰的离化器壳体，离化器壳体内壁置有绝缘层，绝缘层内有两个电极，两个电极之间的空隙形成离化腔室；离化腔室与Se蒸汽输入管和Ar气输入管相通，两个电极引出与适配器两端连接的电极接线柱；露在表面的输气管路均包有热保护装置。

本发明还可以采用如下技术措施：

所述气体离化器下端带有法兰，离化器壳体为圆柱形不锈钢壳体，离化器壳体内壁的绝缘层为热塑性塑料，热塑性塑料的上部分为台阶孔状、下部分为圆柱轴状；一个电极为外壁包于台阶孔状热塑性塑料内壁的环形电极，另一个电极为位于环形电极中心处的柱状电极；绝缘层的下部分为圆柱轴状的热塑性塑料；Se蒸汽输入管、Ar气输入管和电极接线柱通过陶瓷密封穿过所述热塑性塑料的下部分通向离化腔室；所述热保护装置由输气管路上自内至外的热保护层、热屏蔽层和水冷保护层构成；所述热保护层为石棉，热屏蔽层为镍层，所述水冷保护层为空中通水的橡胶套。

所述气体离化器上、下两端均带有法兰，离化器壳体为方形不锈钢壳体，离化器壳体内壁的绝缘层为中心为方形空腔的热塑性塑料，方形空腔相对应的两壁上各置有一个平板状电极，两个电极相互平行，方形空腔形成离化腔室；下端的法兰通向Se蒸汽输入管，上端的法兰通向气体输出区；Ar气输入管和电极接线柱通过陶瓷密封穿过所述热塑性塑料通向离化腔室；所述热保护装置由输气管路上自内至外的热保护层、热屏蔽层和水冷保护层构成；所述热保护层为石棉，热屏蔽层为镍层，所述水冷保护层为空中通水的橡胶套。

所述Se源料桶靠近上边缘的的桶壁上插有两根构成十字形的连接杆，Se源料桶外壁上缠绕有两端连接在PLC加热控制器上的Se源料桶加热丝，Se源料桶置于顶部带有卡槽的蒸发区外壳体中，卡槽卡装在Se源料桶的连接杆上，Se源料桶与蒸发区外壳体之间置有所述热保护装置；蒸发区外壳体上端的卡槽卡装于连接杆上；装有Se源料桶的蒸发区外壳体顶端有高铬含量的铁素体不锈钢材料料筒上沿和料筒盖；圆圈状的料筒上沿上端面制有料筒上沿刀口，料筒盖的中心处制有Se蒸汽输出口、Se蒸汽输出口旁制有填料口，料筒盖的下端面制有料筒盖刀口，料筒上沿刀口和料筒盖刀口经铜垫圈密封咬合成一体，料筒上沿与料桶盖通过禁锢螺栓连接后，料筒上沿与Se源料桶通过氩弧焊连接成一体，经螺钉与蒸发区外壳体密封固装成一体；带有法兰的填料管的法兰一端朝上，填料管另一端与填料口密封亚弧焊接成一体；填料管的法兰端面上有密封盖。

所述气体输出区包括带有法兰的高铬含量的铁素体不锈钢气体输出腔管，法兰上有腔管固定孔，气体输出腔管外壁套上连接座，连接座与腔管固定孔和放有离化器壳体输气管路的法兰由螺栓密封固装成一体；气体输出腔管外壁套上高铬含量的铁素体不锈钢加热套筒，所述腔管加热套筒上制有螺旋状的线槽，线槽上缠绕有套筒加热丝，腔管加热套筒上还缠绕有一圈热偶线；缠绕有加热丝和热偶线的腔管加热套筒外面套有底端带有走线口的高铬含量的铁素体不锈钢加热套筒保护管，所述套筒加热丝和热偶线的端部从走线口引出；气体输出腔管上端内壁密封氩弧焊接有连接整流片、中心处为喷嘴的碳喷嘴整流装置，所述碳喷嘴整流装置和整流片构成喷嘴部分。

本发明具有的优点和积极效果是：

1、本发明由于采用了气体离化器，将Ar气生成等离子带电体，并稳定存在于环形极板及电极柱之间，形成辉光放电区；Se蒸汽进入到辉光放电区间后，由低活性Sen（n≥5）大原子团裂解成较高活性Sen（n＜5）小原子团，对优化CIGS吸收层制备工艺、提高CIGS薄膜太阳电池的光电转换效率起到了显著的作用。

2、本发明采用了适配器和气体流量控制器，有效控制了Se蒸汽的离化效果和流量，提高了Se蒸汽的均匀性。

3、本发明输气管路上均采用了热保护层、热屏蔽层及水冷保护层构成的热保护装置，保证了经过输气管路的气体温度不变，有效防止了因Se蒸汽凝结而堵塞输气管路；防止了Se蒸汽在泄露时所造成的危害以及防止人员的烫伤。

4、本发明将热偶和Se源料桶加热丝连接在PLC加热控制器上，有效控制了固态Se和Se蒸汽的加热温度；在CIGS薄膜电池的制作过程中Se温的稳定性对CIGS吸收层的结晶效果具有很大的影响；PLC加热控制器通过自动调整Se源的温度，得到了稳定性很好的恒定温度，有效提高了CIGS成膜质量。

附图说明

图1是本发明一种射频离化硒源装置示意图；

图1（1）是图1中热保护装置的放大图；

图2是图1中气体输出区的结构示意图；

图3是图2中的仰视示意图；

图4是图2中内部管路加热套筒的结构示意图；

图5是图4的俯视示意图；

图6是图2中的加热套筒保护管的结构图；

图7是图6的仰视示意图；

图8图1中Se源蒸发区的结构示意图；

图9是图8中Se源料桶的俯视示意图；

图10是图8中料筒接口主视剖视示意图；

图11是图8中料筒接口的俯视示意图；

图12是图8中料筒盖主视剖视示意图；

图13是图8中料筒盖的俯视示意图；

图14是图8中的料筒屏蔽主视图；

图15是图14中的俯视示意图；

图16是图8中填料管的主视剖视示意图；

图17是图8中填料管的俯视示意图；

图18是1中喷嘴部分放大图；

图19是图1中气体离化器主视局部剖视示意图；

图20是1的一种平行电极板的气体离化器结构示意图。

其中，1-气体输出区，2-连接座，3-热保护装置，4-气体离化器，5-Se蒸汽输入管，6-输气管路，7-Ar气输入管，8-热保护层，9-热屏蔽层，10-水冷保护层，11-电极，12-离化器壳体，13-绝缘层，14-Se源蒸发区，15-热偶，16-气体输出腔管，17-腔管固定孔，18-腔管加热套筒，19-套筒加热丝，20-热偶线，21-线槽，22-加热套筒保护管，23-走线口，24-Se源料桶，25-连接杆，26-Se源料桶加热丝，27-料筒上沿，28-料筒上沿刀口，29-填料口，30-Se蒸汽输出口，31-料筒盖，32-料筒盖刀口，33-卡槽，34-蒸发区外壳体，35-填料管，36-填料管法兰刀口，37-适配器、38-气体流量控制器、39-喷嘴、40-PLC加热控制器、41-固态Se、42-碳喷嘴整流装置、43-整流片、44-电极接线柱、45-喷嘴部分。

具体实施方式

为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，详细说明如下：

射频离化硒源装置，包括带有Se源料桶的Se源蒸发区和带有喷嘴的气体输出区。

本发明的创新点是：

所述Se源蒸发区和气体输出区之间连接有气体离化器；所述气体离化器包括带有法兰的离化器壳体，离化器壳体内壁置有绝缘层，绝缘层内有两个电极，两个电极之间的空隙形成离化腔室；离化腔室与Se蒸汽输入管和Ar气输入管相通，两个电极引出与适配器两端连接的电极接线柱；露在表面的输气管路均包有热保护装置。所述气体离化器下端带有法兰，离化器壳体为圆柱形不锈钢壳体，离化器壳体内壁的绝缘层为热塑性塑料，热塑性塑料的上部分为台阶孔状、下部分为圆柱轴状；一个电极为外壁包于台阶孔状热塑性塑料内壁的环形电极，另一个电极为位于环形电极中心处的柱状电极；绝缘层的下部分为圆柱轴状的热塑性塑料；Se蒸汽输入管、Ar气输入管和电极接线柱通过陶瓷密封穿过所述热塑性塑料的下部分通向离化腔室；所述热保护装置由输气管路上自内至外的热保护层、热屏蔽层和水冷保护层构成；所述热保护层为石棉，热屏蔽层为镍层，所述水冷保护层为空中通水的橡胶套。所述气体离化器上、下两端均带有法兰，离化器壳体为方形不锈钢壳体，离化器壳体内壁的绝缘层为中心为方形空腔的热塑性塑料，方形空腔相对应的两壁上各置有一个平板状电极，两个电极相互平行，方形空腔形成离化腔室；下端的法兰通向Se蒸汽输入管，上端的法兰通向气体输出区；Ar气输入管和电极接线柱通过陶瓷密封穿过所述热塑性塑料通向离化腔室；所述热保护装置由输气管路上自内至外的热保护层、热屏蔽层和水冷保护层构成；所述热保护层为石棉，热屏蔽层为镍层，所述水冷保护层为空中通水的橡胶套。所述Se源料桶靠近上边缘的的桶壁上插有两根构成十字形的连接杆，Se源料桶外壁上缠绕有两端连接在PLC加热控制器上的Se源料桶加热丝，Se源料桶置于顶部带有卡槽的蒸发区外壳体中，卡槽卡装在Se源料桶的连接杆上，Se源料桶与蒸发区外壳体之间置有所述热保护装置；蒸发区外壳体上端的卡槽卡装于连接杆上；装有Se源料桶的蒸发区外壳体顶端有高铬含量的铁素体不锈钢材料料筒上沿和料筒盖；圆圈状的料筒上沿上端面制有料筒上沿刀口，料筒盖的中心处制有Se蒸汽输出口、Se蒸汽输出口旁制有填料口，料筒盖的下端面制有料筒盖刀口，料筒上沿刀口和料筒盖刀口经铜垫圈密封咬合成一体，料筒上沿与料桶盖通过禁锢螺栓连接后，料筒上沿与Se源料桶通过氩弧焊连接成一体，经螺钉与蒸发区外壳体密封固装成一体；带有法兰的填料管的法兰一端朝上，填料管另一端与填料口密封亚弧焊接成一体；填料管的法兰端面上有密封盖。所述气体输出区包括带有法兰的高铬含量的铁素体不锈钢气体输出腔管，法兰上有腔管固定孔，气体输出腔管外壁套上连接座，连接座与腔管固定孔和放有离化器壳体输气管路的法兰由螺栓密封固装成一体；气体输出腔管外壁套上高铬含量的铁素体不锈钢加热套筒，所述腔管加热套筒上制有螺旋状的线槽，线槽上缠绕有套筒加热丝，腔管加热套筒上还缠绕有一圈热偶线；缠绕有加热丝和热偶线的腔管加热套筒外面套有底端带有走线口的高铬含量的铁素体不锈钢加热套筒保护管，所述套筒加热丝和热偶线的端部从走线口引出；气体输出腔管上端内壁密封氩弧焊接有连接整流片、中心处为喷嘴的碳喷嘴整流装置，所述碳喷嘴整流装置和整流片构成喷嘴部分。

由于Se气体具有强氧化性，同时设备需要在高真空下加热至300~1500℃，因此制作本装置的金属材料需采用耐腐蚀、耐氧化、耐高温的金属材料。而高铬含量的铁素体不锈钢因其含铬量高，致使其具有很强的耐腐蚀性能与抗氧化性能，并且还具有高温抗氧化性能好、热膨胀系数小等特点，制作本装置的优选金属材料为高铬含量的铁素体不锈钢；所述不锈钢零件之间的连接处均采用亚弧焊双面焊接；由离化腔室引出的接线柱采用陶瓷封接口；法兰盘由双刀口咬合铜垫圈达到密封的目的。

本发明射频离化硒源装置的制备过程：

实施例1：

参照图1和图19，射频离化硒源装置，包括Se源蒸发区14和气体输出区1，Se源蒸发区和气体输出区之间经高铬含量的铁素体不锈钢输气管路6连接气体离化器4构成Se源蒸发区和气体输出区的通道；所述气体离化器包括一端带有法兰的圆柱形不锈钢离化器壳体12，离化器壳体内置有作为绝缘层13的热塑性塑料，绝缘层的上部分为台阶孔状的热塑性塑料，台阶孔内有两个电极11，一个电极为外壁包于绝缘层内壁的环形电极，另一个电极为位于环形电极中心处的柱状电极，两个电极之间的空隙形成离化腔室；绝缘层的下部分为圆柱轴状的热塑性塑料，圆柱轴状的热塑性塑料及不锈钢离化器壳体通过陶瓷密封穿有通向离化腔室的Se蒸汽输入管5、两个电极引出与适配器37两端连接的电极接线柱44，以及通向柱状电极的Ar气输入管7，Ar气输入管另一端经气体流量控制器38通向Ar气容器中；气体离化器上法兰一端的离化器壳体放入两端均带有法兰的输气管路中，气体离化器上法兰另一端的Se蒸汽输入管、Ar气输入管、电极接线柱一端放入另一个两端均带有法兰的输气管路中，气体离化器上的法兰与两个输气管路上的法兰之间放置铜垫圈后，通过螺栓密封固装成一体；露在表面的输气管路均自内至外包有由热保护层8、热屏蔽层9和水冷保护层10构成的热保护装置3，见图1（1），所述热保护层为石棉，热屏蔽层为镍层，所述水冷保护层为空中通水的橡胶套。

参照图8-18，Se源蒸发区包括内部置有固态Se41的高铬含量的铁素体不锈钢Se源料桶24，靠近上边缘的Se源料桶壁上插有两根构成十字形的连接杆25，Se源料桶外壁上缠绕有两端连接在PLC加热控制器40上的Se源料桶加热丝26，Se源料桶置于顶部带有卡槽33的蒸发区外壳体34中，卡槽卡装在Se源料桶的连接杆上，Se源料桶与蒸发区外壳体之间置有热保护装置，见图1（1），蒸发区外壳体上端的卡槽卡装于连接杆上，Se源料桶底部置有连接在PLC加热控制器上的热偶15；装有Se源料桶的蒸发区外壳体顶端有高铬含量的铁素体不锈钢材料料筒上沿27和料筒盖31；圆圈状的料筒上沿上端面制有料筒上沿刀口28，料筒盖的中心处制有Se蒸汽输出口30、Se蒸汽输出口旁制有填料口29，料筒盖的下端面制有料筒盖刀口32，料筒上沿刀口和料筒盖刀口经铜垫圈密封咬合成一体，料筒上沿与料桶盖通过禁锢螺栓连接后，料筒上沿与Se源料桶通过氩弧焊连接成一体，经螺钉与蒸发区外壳体密封固装成一体；Se蒸汽输出口与输气管路一端密封氩弧焊接成一体，输气管路的另一端上有端面带有刀口的法兰，该法兰通过铜垫圈与放有气体离化器的Se蒸汽输入管、Ar气输入管、电极接线柱的输气管路的法兰由螺栓螺栓密封固装成一体；带有法兰的填料管35的法兰一端朝上，填料管另一端与填料口密封亚弧焊接成一体；填料管的法兰端面上制有与密封盖咬合的填料管法兰刀口36，填料管的法兰端面上有密封盖；露在表面的输气管路均自内至外包有热保护装置3，见图1（1）。

参照图2-7和图18，气体输出区包括带有法兰的高铬含量的铁素体不锈钢气体输出腔管16，法兰上有腔管固定孔17，气体输出腔管外壁套上连接座2，连接座与腔管固定孔和放有离化器壳体输气管路的法兰由螺栓密封固装成一体；气体输出腔管外壁套上高铬含量的铁素体不锈钢加热套筒18，所述腔管加热套筒上制有螺旋状的线槽21，线槽上缠绕有套筒加热丝19，腔管加热套筒上还缠绕有一圈热偶线20；缠绕有加热丝和热偶线的腔管加热套筒外面套有底端带有走线口23的高铬含量的铁素体不锈钢加热套筒保护管22，所述套筒加热丝和热偶线的端部从走线口引出；气体输出腔管上端内壁密封氩弧焊接有连接整流片43、中心处为喷嘴的碳喷嘴整流装置42，所述碳喷嘴整流装置和整流片构成如图18所示的喷嘴部分45；完成本发明射频离化硒源装置的制备。

实施例2：

参照图1和图20，射频离化硒源装置，所述气体离化器包括两端均带有法兰的不锈钢方形离化器壳体，离化器壳体内四壁均置有作为绝缘层的热塑性塑料，其中相对应的两壁上各置有一个平板状电极，两个电极相互平行，两个电极之间的空隙形成离化腔室；下端的法兰与焊接在Se蒸汽输出口的输气管路上的法兰由螺栓密封固装成一体，下端的法兰上有通向离化腔室的Se蒸汽输入管；上端的法兰与气体输出区腔管上的腔管固定孔、连接座由螺栓密封固装成一体；制备过程均与实施例1相同。

本发明实施例1装置的使用过程：

气体离化器的离化腔室中通入Ar气，400℃~500℃下，Ar气经由离化器生成等离子带电体，并稳定存在于环形极板及电极柱之间，离化腔室形成辉光放电区；将Se源料桶加热丝通电，由连接到PLC加热控制器的热偶测量Se源料桶底部温度，PLC加热控制器控制温度，将Se源料桶中的固态Se加热至200-300℃，固态Se生成低活性Se_n（n≥5）大原子团Se蒸汽，大原子团Se蒸汽通过带有加热、热屏蔽及外部水冷保护的输气管路，保持大原子团Se蒸汽的温度为200-300℃，大原子团Se蒸汽进入到温度为400℃~500℃气体离化器内的辉光放电区间，低活性的Se_n（n≥5）大原子团开始裂解，形成高活性的Se_n（n＜5）小原子团，小原子团Se蒸汽通过带有加热保护、热屏蔽及外部水冷热保护装置的输气管路，保持小原子团Se蒸汽的温度为400℃~500℃，小原子团Se蒸汽进入到温度为400-500℃的气体输出区，由适配器和气体流量控制器控制小原子团Se蒸汽的流量，通过喷嘴喷射到衬底表面，参与薄膜太阳电池大面积衬底上CIGS层的反应成膜的Se化过程；当CIGS层的反应成膜完成后，先关闭Se蒸汽，待气体离化器中的温度降至150℃以下后再停止Ar气的提供，以防止Se蒸汽倒灌入Ar气输入管，造成Ar气输入管堵塞。由于Se的熔点为217℃，Se温达到230℃后即会有较大量的气体蒸出；最好在固态Se加热至190℃前，再将Ar气通入400℃~500℃气体离化器的离化腔室中，使离化腔室形成辉光放电区，既避免了Ar气通入过早造成Ar气不必要的浪费，又防止Ar气通入过晚导致高弥散性的Se气体先进入到离化腔室而造成Ar气输送管路因凝结带来的管路堵塞。

本发明实施例2装置的使用过程：

Ar气由平板状电极边缘喷出至离化区，离化区形成辉光放电区，Se蒸汽经由输气管路输送后进入辉光放电区进行活化后，稳定存在于辉光放电区；被活化后的Se蒸汽进入气体输出区参与成膜反应，既简化了装置，又满足小面积玻璃刚性衬底，PI、不锈钢及钛薄等柔性衬底上CIGS层的反应成膜的Se化过程。

尽管上面结合附图对本发明的优选实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，并不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可以作出很多形式。这些均属于本发明的保护范围之内。

Claims

1.射频离化硒源装置，包括带有Se源料桶的Se源蒸发区和带有喷嘴的气体输出区，其特征在于：所述Se源蒸发区和气体输出区之间连接有气体离化器；所述气体离化器包括带有法兰的离化器壳体，离化器壳体内壁置有绝缘层，绝缘层内有两个电极，两个电极之间的空隙形成离化腔室；离化腔室与Se蒸汽输入管和Ar气输入管相通，两个电极引出与适配器两端连接的电极接线柱；露在表面的输气管路均包有热保护装置。

2.根据权利要求1所述的射频离化硒源装置，其特征在于：所述气体离化器下端带有法兰，离化器壳体为圆柱形不锈钢壳体，离化器壳体内壁的绝缘层为热塑性塑料，热塑性塑料的上部分为台阶孔状、下部分为圆柱轴状；一个电极为外壁包于台阶孔状热塑性塑料内壁的环形电极，另一个电极为位于环形电极中心处的柱状电极；绝缘层的下部分为圆柱轴状的热塑性塑料；Se蒸汽输入管、Ar气输入管和电极接线柱通过陶瓷密封穿过所述热塑性塑料的下部分通向离化腔室；所述热保护装置由输气管路上自内至外的热保护层、热屏蔽层和水冷保护层构成；所述热保护层为石棉，热屏蔽层为镍层，所述水冷保护层为空中通水的橡胶套。

3.根据权利要求1所述的射频离化硒源装置，其特征在于：所述气体离化器上、下两端均带有法兰，离化器壳体为方形不锈钢壳体，离化器壳体内壁的绝缘层为中心为方形空腔的热塑性塑料，方形空腔相对应的两壁上各置有一个平板状电极，两个电极相互平行，方形空腔形成离化腔室；下端的法兰通向Se蒸汽输入管，上端的法兰通向气体输出区；Ar气输入管和电极接线柱通过陶瓷密封穿过所述热塑性塑料通向离化腔室；所述热保护装置由输气管路上自内至外的热保护层、热屏蔽层和水冷保护层构成；所述热保护层为石棉，热屏蔽层为镍层，所述水冷保护层为空中通水的橡胶套。

4.根据权利要求1-3中一项所述的射频离化硒源装置，其特征在于：所述Se源料桶靠近上边缘的的桶壁上插有两根构成十字形的连接杆，Se源料桶外壁上缠绕有两端连接在PLC加热控制器上的Se源料桶加热丝，Se源料桶置于顶部带有卡槽的蒸发区外壳体中，卡槽卡装在Se源料桶的连接杆上，Se源料桶与蒸发区外壳体之间置有所述热保护装置；蒸发区外壳体上端的卡槽卡装于连接杆上；装有Se源料桶的蒸发区外壳体顶端有高铬含量的铁素体不锈钢材料料筒上沿和料筒盖；圆圈状的料筒上沿上端面制有料筒上沿刀口，料筒盖的中心处制有Se蒸汽输出口、Se蒸汽输出口旁制有填料口，料筒盖的下端面制有料筒盖刀口，料筒上沿刀口和料筒盖刀口经铜垫圈密封咬合成一体，料筒上沿与料桶盖通过禁锢螺栓连接后，料筒上沿与Se源料桶通过氩弧焊连接成一体，经螺钉与蒸发区外壳体密封固装成一体；带有法兰的填料管的法兰一端朝上，填料管另一端与填料口密封亚弧焊接成一体；填料管的法兰端面上有密封盖。

5.根据权利要求4所述的射频离化硒源装置，其特征在于：所述气体输出区包括带有法兰的高铬含量的铁素体不锈钢气体输出腔管，法兰上有腔管固定孔，气体输出腔管外壁套上连接座，连接座与腔管固定孔和放有离化器壳体输气管路的法兰由螺栓密封固装成一体；气体输出腔管外壁套上高铬含量的铁素体不锈钢加热套筒，所述腔管加热套筒上制有螺旋状的线槽，线槽上缠绕有套筒加热丝，腔管加热套筒上还缠绕有一圈热偶线；缠绕有加热丝和热偶线的腔管加热套筒外面套有底端带有走线口的高铬含量的铁素体不锈钢加热套筒保护管，所述套筒加热丝和热偶线的端部从走线口引出；气体输出腔管上端内壁密封氩弧焊接有连接整流片、中心处为喷嘴的碳喷嘴整流装置，所述碳喷嘴整流装置和整流片构成喷嘴部分。