CN102891471A - 具有零偏、零火反接和火线漏接保护功能的三相断路器 - Google Patents
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Abstract
一种具有零偏、零火反接和火线漏接保护功能的三相断路器。该断路器包括检测线路、控制线路和三相断路器,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的一端分别接在三相断路器负载侧的火线上,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的另一端接在一起,形成负载侧的虚拟零线,三相断路器负载侧的零线和虚拟零线之间的电压不相等时,第一整流桥的直流侧有直流电压产生,第一整流桥直流侧的电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值时,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸,脱扣断路器的电源侧和负载侧断开。
Description
技术领域 本发明涉及一种三相断路器,尤其是一种具有零偏、零火反接和火线漏接保护功能的三相断路器。
背景技术 断路器本身具有短路和过载保护功能,附加有漏电保护功能的断路器还可以保护人身避免触电,还有很多具有缺相保护、断相保护和过载保护的专用电气装置也被普遍使用。
对于需要零线接入的控制线路,如果外部动力电源的零线漏接,则可能造成控制线路内工作电压为AC220V的PLC、伺服驱动器、计算机、PID等设备的损坏,这是因为这些设备都有一根公用电源零线接在一起,如果控制线路内部三相火线与零线之间的阻抗不同,当外部电源的零线漏接时,则会使控制线路内部的零线电压偏离AC0V,造成不同火线上工作电压为AC220V的设备,其电源电压偏离AC220V,电压过高的设备将被烧毁,电压过低的设备将不能正常工作。
对于需要零线接入的控制线路,如果三相火线电源电压不平衡,同样会造成不同火线上工作电压为AC220V的设备,其电源电压偏离AC220V,电压过高的设备将被烧毁,电压过低的设备将不能正常工作,三相火线电源电压不平衡也会造成三相用电设备有的相电流过大而损坏。
常规的三相断路器对于因零线漏接对负载侧造成的危害不能提供保护,同时常规的三相断路器对于因三相不平衡对负载侧造成的危害也不能提供有效的保护,目前,缺乏能检测断路器输出侧零线电压偏离AC0V并能提供保护的三相断路器。
发明内容 为了提供一种能检测断路器输出侧零线电压偏离AC0V的三相断路器,并且在断路器输出侧零线电压偏离AC0V时该断路器能保护性断电,本发明提供一种具有零偏和零火反接保护功能的三相断路器。
本发明所采用的技术方案是:具有零偏、零火反接和火线漏接保护功能的三相断路器包括检测线路、控制线路和三相断路器,检测线路包括3-4个阻抗器、第一整流器、电流互感器、电压检测电路和第一半导体控制器件,阻抗器可以是电阻、电容或电感,阻抗器包括第一阻抗器、第二阻抗器、第三阻抗器和第四阻抗器,电流互感器包括第一线圈、第二线圈和磁芯,电压检测电路包括压敏器件、电阻和电容,压敏器件可以是压敏电阻或稳压管,控制线路包括第二整流桥、电磁铁和第二半导体控制器件,电磁铁的线圈和第二半导体控制器件串接后接到第二整流器的直流侧,三相断路器具有脱扣机构,电磁铁控制脱扣机构的动作,检测线路、控制线路与三相断路器可以组合成一体,也可以将检测线路与控制线路组合成一体,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的阻抗值相等,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的一端分别接在三相断路器负载侧的火线上,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的另一端接在一起,形成负载侧的虚拟零线,三相断路器负载侧的零线经电流互感器的第一线圈和虚拟零线分别接入第一整流桥的交流输入侧,可以将虚拟零线经电流互感器的第一线圈和三相断路器负载侧的零线分别接入第一整流桥的交流输入侧,可以将第四个阻抗器与电流互感器的第一线圈串联后接到第一整流桥的交流输入侧,第一整流桥的直流侧接电压检测电路和第一半导体控制器件,三相断路器负载侧的零线和虚拟零线之间的电压不相等时,第一整流桥的直流侧有直流电压产生,零线电压和虚拟零线电压的差异值越高,第一整流桥的直流侧电压也越高,第一整流桥直流侧的电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值时,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电流互感器的第一线圈产生电流,电流互感器的第二线圈接控制线路的触发线路,电流互感器第二线圈的电流使第二半导体控制器件触发时,第二半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸,脱扣断路器的电源侧和负载侧断开。
当本发明的三相断路器其电源侧的零线漏接,而三相平衡的火线正常连接时,如果被控线路每相中的AC220V工作设备的阻抗不同,则断路器负载侧零线电压偏离AC0V,即出现零偏,而虚拟零线的电压为AV0V,这样第一整流桥中有直流电压产生,断路器负载侧零线电压与虚拟零线电压差异越大,第一整流桥中有直流电压就越高,该直流电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值时,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电流互感器的第一线圈产生电流,电流互感器第二线圈的电流触发第二半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸。
当本发明的三相断路器电源侧三相火线和零线正常连接,但三相火线的电压不平衡时,则虚拟零线的电压偏离AC0V,这样第一整流桥中有直流电压产生,零线电压与虚拟零线电压差异越大,第一整流桥中有直流电压就越高,该直流电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值时,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电流互感器的第一线圈产生电流,电流互感器第二线圈的电流触发第二半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸。
当本发明的三相断路器电源侧出现火线漏接时,第一整流桥中有大的直流电压产生,该直流电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电流互感器的第一线圈产生电流,电流互感器第二线圈的电流触发第二半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸。
当本发明的三相断路器电源侧出现零线和火线错接时,第一整流桥中有大的直流电压产生,该直流电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电流互感器的第一线圈产生电流,电流互感器第二线圈的电流触发第二半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸。
将三相火线和零线按照相同的顺序和方向从电流互感器中穿过,本发明的三相断路器还具有漏电保护功能,本发明的三相断路器负载侧的电路中发生漏电时,三相火线和零线的总矢量电流不再等于零,电流互感器的第二线圈中有电流产生,电流互感器第二线圈的电流触发第二半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸。
具有零偏、零火反接和火线漏接保护功能的三相断路器包括检测控制线路和三相断路器,检测控制线路包括3-4个阻抗器、第一整流器、电磁铁、电压检测电路和第一半导体控制器件,阻抗器可以是电阻、电容或电感,阻抗器包括第一阻抗器、第二阻抗器、第三阻抗器和第四阻抗器,电压检测电路包括压敏器件、电阻和电容,压敏器件可以是压敏电阻或稳压管,三相断路器具有脱扣机构,电磁铁控制脱扣机构的动作,检测控制线路与三相断路器可以组合成一体,也可以将检测控制线路组合成一体,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的阻抗值相等,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的一端分别接在三相断路器负载侧的火线上,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的另一端接在一起,形成负载侧的虚拟零线,三相断路器负载侧的零线经电磁铁的线圈和虚拟零线分别接入第一整流桥的交流输入侧,可以将虚拟零线经电磁铁的线圈和三相断路器负载侧的零线分别接入第一整流桥的交流输入侧,可以将第四个阻抗器与电流互感器的第一线圈串联后接到第一整流桥的交流输入侧,第一整流桥的直流侧接电压检测电路和第一半导体控制器件,三相断路器负载侧的零线和虚拟零线之间的电压不相等时,第一整流桥的直流侧有直流电压产生,零线电压和虚拟零线电压的差异值越高,第一整流桥的直流侧电压也越高,第一整流桥直流侧的电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值时,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸,脱扣断路器的电源侧和负载侧断开,也可以将电磁铁的线圈与第一半导体控制器件串接在第一整流桥的直流侧,第一半导体控制器件可以使用可控硅也可以使用三极管。
当本发明的三相断路器其电源侧的零线漏接,而三相平衡的火线正常连接时,如果被控线路每相中的AC220V工作设备的阻抗不同,则断路器负载侧零线电压偏离AC0V,即出现零偏,而虚拟零线的电压为AV0V,这样第一整流桥中有直流电压产生,断路器负载侧零线电压与虚拟零线电压差异越大,第一整流桥中有直流电压就越高,该直流电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值时,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸。
当本发明的三相断路器电源侧三相火线和零线正常连接,但三相火线的电压不平衡时,则虚拟零线的电压偏离AC0V,这样第一整流桥中有直流电压产生,零线电压与虚拟零线电压差异越大,第一整流桥中有直流电压就越高,该直流电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值时,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸。
当本发明的三相断路器电源侧出现火线漏接时,第一整流桥中有大的直流电压产生,该直流电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸。
当本发明的三相断路器电源侧出现零线和火线错接时,第一整流桥中有大的直流电压产生,该直流电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸。
本发明的有益效果是:利用三相断路器负载侧虚拟零线和零线之间电压的差异,来判断零线电压偏离、零线漏接、零线火线反接和火线漏接等电路危害,控制三相断路器保护性跳闸,该三相断路器结构简单,技术可行,不难实现。
附图说明 下面结合附图和优选实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明具有零偏、零火反接和火线漏接保护功能的三相断路器的第一个优选实施例。
图2是本发明的第二个优选实施例。
图3是本发明的第三个优选实施例。
图4是本发明的第四个优选实施例。
图5是本发明的第五个优选实施例。
图6是本发明的第六个优选实施例。
图7是本发明的第七个优选实施例。
图8是本发明的第八个优选实施例。
图中1.第一阻抗器,2.、第二阻抗器,3.第三阻抗器,4.第四阻抗器,5.虚拟零线,6.电流互感器,7.第一整流桥,8.电压检测电路,9.第一半导体控制器件,10.第二整流桥,11.触发线路,12.电磁铁,13.第二半导体控制器件,14.三相断路器。
具体实施方式 在图1所示的实施例中,三相断路器14具有脱扣机构,三相断路器14的电源侧接L1、L2、L3和N,三相断路器14的负载侧为L1‘、L2’、L3‘和N’,三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘接第二整流桥10的交流输入,第二半导体控制器件13和电磁铁12串接在第二整流桥10的直流侧,触发线路11用于触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电时三相断路器14脱扣跳闸,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的一端分别接三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的另一端接在一起形成虚拟零线5,负载侧零线N’经第四阻抗器4和电流互感器6接第一整流桥7的交流输入,虚拟零线5接第一整流桥7的另一个交流输入端,第一阻抗器1、第二阻抗器2、第三阻抗器3和第四阻抗器4为阻值相等的电阻,第一整流桥7的直流侧接电压检测电路8和第一半导体控制器件9,电压检测电路8中的压敏器件为压敏电阻,第一半导体控制器件9为单相可控硅,三相断路器14的电源侧电压正常并正确接入后,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压基本相等,第一整流桥7直流输出电压接近于零,第一半导体控制器件9不导通,电流互感器6的第一线圈中没有电流,当三相断路器14的电源侧出现三相电压不平衡、零线火线反接或火线漏接等问题时,以及负载侧各相的AC220V设备阻抗不等且漏接零线N时,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压不再相等,第一整流桥7直流输出电压升高,电压检测电路8中的压敏器件击穿,第一半导体控制器件9导通,电流互感器6的第一线圈中有电流流过,电流互感器6的第二线圈接触发线路11,触发线路11触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电三相断路器14脱扣跳闸。
在图2所示的实施例中,三相断路器14具有脱扣机构,三相断路器14的电源侧接L1、L2、L3和N,三相断路器14的负载侧为L1‘、L2’、L3‘和N’,三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘接第二整流桥10的交流输入,第二半导体控制器件13和电磁铁12串接在第二整流桥10的直流侧,触发线路11用于触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电时三相断路器14脱扣跳闸,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的一端分别接三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的另一端接在一起形成虚拟零线5,负载侧零线N’经电流互感器6接第一整流桥7的交流输入,虚拟零线5接第一整流桥7的另一个交流输入端,第一阻抗器1、第二阻抗器2、和第三阻抗器3为电容值相等的电容,第一整流桥7的直流侧接电压检测电路8和第一半导体控制器件9,电压检测电路8中的压敏器件为稳压二极管,第一半导体控制器件9为单相可控硅,三相断路器14的电源侧电压正常并正确接入后,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压基本相等,第一整流桥7直流输出电压接近于零,第一半导体控制器件9不导通,电流互感器6的第一线圈中没有电流,当三相断路器14的电源侧出现三相电压不平衡、零线火线反接或火线漏接等问题时,以及负载侧各相的AC220V设备阻抗不等且漏接零线N时,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压不再相等,第一整流桥7直流输出电压升高,电压检测电路8中的压敏器件击穿,第一半导体控制器件9导通,电流互感器6的第一线圈中有电流流过,电流互感器6的第二线圈接触发线路11,触发线路11触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电三相断路器14脱扣跳闸。
在图3所示的实施例中,三相断路器14具有脱扣机构,三相断路器14的电源侧接L1、L2、L3和N,三相断路器14的负载侧为L1‘、L2’、L3‘和N’,三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘接第二整流桥10的交流输入,第二半导体控制器件13和电磁铁12串接在第二整流桥10的直流侧,触发线路11用于触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电时三相断路器14脱扣跳闸,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的一端分别接三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的另一端接在一起形成虚拟零线5,负载侧零线N’接第一整流桥7的交流输入,虚拟零线5经电流互感器6接第一整流桥7的另一个交流输入端,第一阻抗器1、第二阻抗器2、和第三阻抗器3为电容值相等的电容,第一整流桥7的直流侧接电压检测电路8和第一半导体控制器件9,电压检测电路8中的压敏器件为压敏电阻,第一半导体控制器件9为单相可控硅,三相断路器14的电源侧电压正常并正确接入后,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压基本相等,第一整流桥7直流输出电压接近于零,第一半导体控制器件9不导通,电流互感器6的第一线圈中没有电流,当三相断路器14的电源侧出现三相电压不平衡、零线火线反接或火线漏接等问题时,以及负载侧各相的AC220V设备阻抗不等且漏接零线N时,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压不再相等,第一整流桥7直流输出电压升高,电压检测电路8中的压敏器件击穿,第一半导体控制器件9导通,电流互感器6的第一线圈中有电流流过,电流互感器6的第二线圈接触发线路11,触发线路11触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电三相断路器14脱扣跳闸。
在图4所示的实施例中,三相断路器14具有脱扣机构,三相断路器14的电源侧接L1、L2、L3和N,三相断路器14的电源侧L1、L2、L3和N穿过电流互感器6,三相断路器14的负载侧为L1‘、L2’、L3‘和N’,三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘接第二整流桥10的交流输入,第二半导体控制器件13和电磁铁12串接在第二整流桥10的直流侧,触发线路11用于触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电时三相断路器14脱扣跳闸,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的一端分别接三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的另一端接在一起形成虚拟零线5,负载侧零线N’经电流互感器6接第一整流桥7的交流输入,虚拟零线5接第一整流桥7的另一个交流输入端,第一阻抗器1、第二阻抗器2、和第三阻抗器3为电容值相等的电容,第一整流桥7的直流侧接电压检测电路8和第一半导体控制器件9,电压检测电路8中的压敏器件为压敏电阻,第一半导体控制器件9为单相可控硅,三相断路器14的电源侧电压正常并正确接入后,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压基本相等,第一整流桥7直流输出电压接近于零,第一半导体控制器件9不导通,电流互感器6的第一线圈中没有电流,当三相断路器14的电源侧出现三相电压不平衡、零线火线反接或火线漏接等问题时,以及负载侧各相的AC220V设备阻抗不等且漏接零线N时,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压不再相等,第一整流桥7直流输出电压升高,电压检测电路8中的压敏器件击穿,第一半导体控制器件9导通,电流互感器6的第一线圈中有电流流过,电流互感器6的第二线圈接触发线路11,触发线路11触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电三相断路器14脱扣跳闸,当三相断路器14的负载侧出现漏电时,流过电流互感器6的总矢量电流不再等于零,电流互感器6的第二线圈中有电流产生,电流互感器6的第二线圈接触发线路11,触发线路11触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电三相断路器14脱扣跳闸。
在图5所示的实施例中,三相断路器14具有脱扣机构,三相断路器14的电源侧接L1、L2、L3和N,三相断路器14的负载侧为L1‘、L2’、L3‘和N’,三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘接第二整流桥10的交流输入,第二半导体控制器件13和电磁铁12串接在第二整流桥10的直流侧,触发线路11用于触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电时三相断路器14脱扣跳闸,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的一端分别接三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的另一端接在一起形成虚拟零线5,负载侧零线N’经第四阻抗器4和电流互感器6接第一整流桥7的交流输入,虚拟零线5接第一整流桥7的另一个交流输入端,第一阻抗器1、第二阻抗器2、第三阻抗器3和第四阻抗器4为电感值相等的电感,第一整流桥7的直流侧接电压检测电路8和第一半导体控制器件9,电压检测电路8中的压敏器件为压敏电阻,第一半导体控制器件9为单相可控硅,三相断路器14的电源侧电压正常并正确接入后,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压基本相等,第一整流桥7直流输出电压接近于零,第一半导体控制器件9不导通,电流互感器6的第一线圈中没有电流,当三相断路器14的电源侧出现三相电压不平衡、零线火线反接或火线漏接等问题时,以及负载侧各相的AC220V设备阻抗不等且漏接零线N时,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压不再相等,第一整流桥7直流输出电压升高,电压检测电路8中的压敏器件击穿,第一半导体控制器件9导通,电流互感器6的第一线圈中有电流流过,电流互感器6的第二线圈接触发线路11,触发线路11触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电三相断路器14脱扣跳闸。
在图6所示的实施例中,三相断路器14具有脱扣机构,三相断路器14的电源侧接L1、L2、L3和N,三相断路器14的负载侧为L1‘、L2’、L3‘和N’,三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘接第二整流桥10的交流输入,第二半导体控制器件13和电磁铁12串接在第二整流桥10的直流侧,触发线路11用于触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电时三相断路器14脱扣跳闸,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的一端分别接三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的另一端接在一起形成虚拟零线5,负载侧零线N’经电流互感器6和第四阻抗器4接第一整流桥7的交流输入,虚拟零线5接第一整流桥7的另一个交流输入端,第一阻抗器1、第二阻抗器2、第三阻抗器3和第四阻抗器4为电容值相等的电容,第一整流桥7的直流侧接电压检测电路8和第一半导体控制器件9,电压检测电路8中的压敏器件为稳压二极管,第一半导体控制器件9为单相可控硅,三相断路器14的电源侧电压正常并正确接入后,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压基本相等,第一整流桥7直流输出电压接近于零,第一半导体控制器件9不导通,电流互感器6的第一线圈中没有电流,当三相断路器14的电源侧出现三相电压不平衡、零线火线反接或火线漏接等问题时,以及负载侧各相的AC220V设备阻抗不等且漏接零线N时,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压不再相等,第一整流桥7直流输出电压升高,电压检测电路8中的压敏器件击穿,第一半导体控制器件9导通,电流互感器6的第一线圈中有电流流过,电流互感器6的第二线圈接触发线路11,触发线路11触发第二半导体控制器件13导通,电磁铁12通电三相断路器14脱扣跳闸。
在图7所示的实施例中,三相断路器14具有脱扣机构,三相断路器14的电源侧接L1、L2、L3和N,三相断路器14的负载侧为L1‘、L2’、L3‘和N’,电磁铁12通电时三相断路器14脱扣跳闸,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的一端分别接三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的另一端接在一起形成虚拟零线5,负载侧零线N’经电磁铁12接第一整流桥7的交流输入,虚拟零线5接第一整流桥7的另一个交流输入端,第一阻抗器1、第二阻抗器2、和第三阻抗器3为电容值相等的电容,第一整流桥7的直流侧接电压检测电路8和第一半导体控制器件9,电压检测电路8中的压敏器件为压敏电阻,第一半导体控制器件9为单相可控硅,三相断路器14的电源侧电压正常并正确接入后,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压基本相等,第一整流桥7直流输出电压接近于零,第一半导体控制器件9不导通,电磁铁12不通电,当三相断路器14的电源侧出现三相电压不平衡、零线火线反接或火线漏接等问题时,以及负载侧各相的AC220V设备阻抗不等且漏接零线N时,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压不再相等,第一整流桥7直流输出电压升高,电压检测电路8中的压敏器件击穿,第一半导体控制器件9导通,电磁铁12通电三相断路器14脱扣跳闸。
在图8所示的实施例中,三相断路器14具有脱扣机构,三相断路器14的电源侧接L1、L2、L3和N,三相断路器14的负载侧为L1‘、L2’、L3‘和N’,电磁铁12通电时三相断路器14脱扣跳闸,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的一端分别接三相断路器14的负载侧的L1‘、L2’和L3‘,第一阻抗器1、第二阻抗器2和第三阻抗器3的另一端接在一起形成虚拟零线5,负载侧零线N’接第一整流桥7的交流输入,虚拟零线5接第一整流桥7的另一个交流输入端,第一阻抗器1、第二阻抗器2、和第三阻抗器3为电感值相等的电感,三个电感线圈可以缠绕在一个铁芯上,第一整流桥7的直流侧接电压检测电路8、电磁铁12和第一半导体控制器件9,电压检测电路8中的压敏器件为压敏电阻,第一半导体控制器件9为晶体三极管,三相断路器14的电源侧电压正常并正确接入后,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压基本相等,第一整流桥7直流输出电压接近于零,第一半导体控制器件9不导通,电磁铁12不通电,当三相断路器14的电源侧出现三相电压不平衡、零线火线反接或火线漏接等问题时,以及负载侧各相的AC220V设备阻抗不等且漏接零线N时,虚拟零线5的电压和负载侧零线N’上的电压不再相等,第一整流桥7直流输出电压升高,电压检测电路8中的压敏器件击穿,第一半导体控制器件9导通,电磁铁12通电三相断路器14脱扣跳闸。
熟悉本领域的技术人员应该认识到,虽然前面已经描述了8个实施例,但它们并非本发明的所有形式,应该理解的是,在不背离本发明的精神和范围的情况下可以做出许多修改,如改变电流互感器的位置,改变电磁铁的位置,改变半导体控制器件的类型,改变触发电路的结构,改变检测线路的结构,改变压敏器件的类型,改变阻抗器为阻容串联或并联方式,改变阻抗器为阻感串联或并联方式,改变阻抗器为电容电感感串联或并联方式,等等,显然,本领域的技术人员不脱离本发明的构思可以以其它形式实施本发明,因而,其它的实施例也在本发明权利要求的范围内。
Claims (2)
1.一种具有零偏、零火反接和火线漏接保护功能的三相断路器,包括检测线路、控制线路和三相断路器,检测线路包括3-4个阻抗器、第一整流器、电流互感器、电压检测电路和第一半导体控制器件,阻抗器可以是电阻、电容或电感,阻抗器包括第一阻抗器、第二阻抗器、第三阻抗器和第四阻抗器,电流互感器包括第一线圈、第二线圈和磁芯,电压检测电路包括压敏器件、电阻和电容,压敏器件可以是压敏电阻或稳压管,控制线路包括第二整流桥、电磁铁和第二半导体控制器件,电磁铁的线圈和第二半导体控制器件串接后接到第二整流器的直流侧,三相断路器具有脱扣机构,电磁铁控制脱扣机构的动作,检测线路、控制线路与三相断路器可以组合成一体,也可以将检测线路与控制线路组合成一体,其特征是:第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的阻抗值相等,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的一端分别接在三相断路器负载侧的火线上,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的另一端接在一起,形成负载侧的虚拟零线,三相断路器负载侧的零线经电流互感器的第一线圈和虚拟零线分别接入第一整流桥的交流输入侧,可以将虚拟零线经电流互感器的第一线圈和三相断路器负载侧的零线分别接入第一整流桥的交流输入侧,可以将第四个阻抗器与电流互感器的第一线圈串联后接到第一整流桥的交流输入侧,第一整流桥的直流侧接电压检测电路和第一半导体控制器件,三相断路器负载侧的零线和虚拟零线之间的电压不相等时,第一整流桥的直流侧有直流电压产生,零线电压和虚拟零线电压的差异值越高,第一整流桥的直流侧电压也越高,第一整流桥直流侧的电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值时,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电流互感器的第一线圈产生电流,电流互感器的第二线圈接控制线路的触发线路,电流互感器第二线圈的电流使第二半导体控制器件触发时,第二半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸,脱扣断路器的电源侧和负载侧断开。
2.一种具有零偏、零火反接和火线漏接保护功能的三相断路器包括检测控制线路和三相断路器,检测控制线路包括3-4个阻抗器、第一整流器、电磁铁、电压检测电路和第一半导体控制器件,阻抗器可以是电阻、电容或电感,阻抗器包括第一阻抗器、第二阻抗器、第三阻抗器和第四阻抗器,电压检测电路包括压敏器件、电阻和电容,压敏器件可以是压敏电阻或稳压管,三相断路器具有脱扣机构,电磁铁控制脱扣机构的动作,检测控制线路与三相断路器可以组合成一体,也可以将检测控制线路组合成一体,其特征是:第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的阻抗值相等,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的一端分别接在三相断路器负载侧的火线上,第一阻抗器、第二阻抗器和第三阻抗器的另一端接在一起,形成负载侧的虚拟零线,三相断路器负载侧的零线经电磁铁的线圈和虚拟零线分别接入第一整流桥的交流输入侧,可以将虚拟零线经电磁铁的线圈和三相断路器负载侧的零线分别接入第一整流桥的交流输入侧,可以将第四个阻抗器与电流互感器的第一线圈串联后接到第一整流桥的交流输入侧,第一整流桥的直流侧接电压检测电路和第一半导体控制器件,三相断路器负载侧的零线和虚拟零线之间的电压不相等时,第一整流桥的直流侧有直流电压产生,零线电压和虚拟零线电压的差异值越高,第一整流桥的直流侧电压也越高,第一整流桥直流侧的电压高于电压检测电路中压敏器件的动作值时,电压检测电路触发第一半导体控制器件导通,电磁铁动作,脱扣断路器跳闸,脱扣断路器的电源侧和负载侧断开,也可以将电磁铁的线圈与第一半导体控制器件串接在第一整流桥的直流侧,第一半导体控制器件可以使用可控硅也可以使用三极管。
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130123 |