CN102854686A - 一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents
一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102854686A CN102854686A CN201210364179XA CN201210364179A CN102854686A CN 102854686 A CN102854686 A CN 102854686A CN 201210364179X A CN201210364179X A CN 201210364179XA CN 201210364179 A CN201210364179 A CN 201210364179A CN 102854686 A CN102854686 A CN 102854686A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tft
- common electrode
- electrode
- wire
- sweep trace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title abstract description 21
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提出一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法，包括：扫描线；信号线，与扫描线纵横交叉，像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括与TFT栅极、TFT源极、以及TFT漏极，所述TFT源极、TFT漏极及像素电极位于底层；栅格状共通电极，位于顶层；第一绝缘层，覆盖在TFT源极、TFT漏极和像素电极之上；共通电极线，与所述栅格状共通电极线电性连接；第二绝缘层，覆盖在信号线、扫描线和共通电极线之上。本发明以金属氧化物作为TFT沟道半导体、源漏电极、栅格状像素电极或栅格状共通电极使用，可以提高TFT驱动能力和简化工艺。
Description
技术领域
本发明涉及一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法。
背景技术
传统的CRT显示器依靠阴极射线管发射电子撞击屏幕上的磷光粉来显示图像，但液晶显示的原理则完全不同。通常，液晶显示（LCD）装置具有上基板和下基板，彼此有一定间隔和互相正对。形成在两个基板上的多个电极相互正对。液晶夹在上基板和下基板之间。电压通过基板上的电极施加到液晶上，然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列从而显示图像、因为如上所述液晶显示装置不发射光，它需要光源来显示图像。因此，液晶显示装置具有位于液晶面板后面的背光源。根据液晶分子的排列控制从背光源入射的光量从而显示图像。如图1所示，上层偏光片101和下层偏光片109之间夹有彩膜基板104、共通电极105、液晶层106和阵列基板107，液晶分子是具有折射率及介电常数各向异性的物质。在阵列基板107上形成像素电极108、薄膜晶体管（TFT）114、阵列子像素111、扫描线110、信号线112等。信号线112连接到TFT的漏极，像素电极108连接到源级，扫描线110连接到栅极。背光源113发出的光线经过下偏光片109，成为具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶体管114控制像素电极108之间所加电压，而该电压作用于液晶来控制偏振光的偏振方向，偏振光透过相应的彩膜102后形成单色偏振光，如果偏振光能够穿透上层偏光片101，则显示出相应的颜色；电场强度不同，液晶分子的偏转角度也不同，透过的光强不一样，显示的亮度也不同。通过红绿蓝三种颜色的不同光强的组合来显示五颜六色的图像。
近年来随着液晶显示器尺寸的不断增大，驱动电路的频率不断提高，现有的非晶硅薄膜晶体管迁移率很难满足要求。高迁移率的薄膜晶体管有多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，其中多晶硅薄膜晶体管虽然研究较早，但是其均一性差，制作工艺复杂；金属氧化物薄膜晶体管相比于多晶硅薄膜晶体管的优点在于：氧化物材料的迁移率高。所以不需要采用晶化技术，节省工艺步骤，提高了均匀率和合格率；工艺简单，采用传统的溅射和湿刻工艺就可以，不需要采用等离子增强化学气相沉积和干刻技术。另外，目前的激光晶化技术还达不到大尺寸面板的要求，而氧化物晶体管因为不需要激光晶化，则没有尺寸的限制。由于这几方面的优势，金属氧化物薄膜晶体管备受人们关注，成为近几年研究的热点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高TFT驱动能力和简化工艺的金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法。
本发明提供一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，包括：扫描线；信号线，与扫描线纵横交叉，所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线；像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、与像素电极电性连接的TFT漏极、以及TFT沟道区，所述TFT沟道区位于底层；栅格状共通电极，位于顶层；共通电极线，与所述栅格状共通电极线电性连接；第一绝缘层，覆盖在TFT沟道区之上；第二绝缘层，覆盖在信号线、扫描线和共通电极线之上；第三绝缘层，覆盖在TFT源极、TFT漏极及像素电极之上。
本发明又提供一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，包括：扫描线，位于顶层；信号线，与扫描线纵横交叉，所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线；像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和栅格状像素电极，所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、与栅格状像素电极电性连接的TFT漏极、以及TFT沟道区，所述TFT沟道区位于底层；共通电极；共通电极线，位于所述共通电极线电性连接；第一绝缘层，覆盖在TFT沟道区之上；第二绝缘层，覆盖在信号线、扫描线及共通电极线之上。第三绝缘层，覆盖在信号线连接线、TFT源极、TFT漏极以及栅格状像素电极之上。
本发明又提供一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：
第一步：在基板上以底层金属氧化物层先形成源漏极连接线，再形成第一绝缘层；
第二步：在形成第一步图案的基础以金属形成信号线、扫描线、共通电极线与TFT栅极的图案；
第三步：在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层，并在信号线、扫描线、共通电极线、源漏极连接线的相应位置上形成接触孔图形；
第四步：在第二绝缘层以透明ITO层形成信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT漏极、与TFT漏极连接的像素电极、与共通电极线连接的共通电极线端子连接线、以及与扫描线连接的扫描线端子连接线；
第五步：在形成第四步图案的基础上形成第三绝缘层，并共通电极线的相应位置上形成接触孔图形；
第六步：在第三绝缘层上形成栅格状共通电极图形，通过共通电极线上的接触孔连接栅格状共通电极与共通电极线。
本发明又提供一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：
第一步：在基板上以底层金属氧化物层先形成源漏极连接线，再形成第一绝缘层；
第二步：在形成第一步图案的基础以金属形成信号线、扫描线、共通电极线、以及与扫描线连接的TFT栅极的图案；
第三步：在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层，并在共通电极线40’的相应位置上形成接触孔图形；
第四步：在第二绝缘层上形成共通电极图形，该共通电极通过共通电极线上的接触孔连接共通电极与共通电极线；
第五步：在形成第四步图案的基础上形成第三绝缘层，并在信号线、扫描线、共通电极线和源漏极连接线的相应位置上形成接触孔图形；
第六步：在第三绝缘层以透明ITO层形成信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT漏极、与TFT漏极连接的栅格状像素电极、与共通电极线连接的共通电极线端子连接线、以及与扫描线连接的扫描线端子连接线。
本发明以金属氧化物作为TFT沟道半导体、源漏电极、栅格状像素电极或栅格状共通电极使用，可以提高TFT驱动能力和简化工艺。
附图说明
图1为现有液晶显示（LCD）装置的结构示意图；
图2为本发明液晶显示面板第一实施例的结构示意图；
图2A为图1所示液晶显示面板在A-A’方向的剖视图；
图3为图1所示液晶显示面板的第一步制造方法的示意图；
图3A为图3所示在A-A’方向的剖视图；
图4为图1所示液晶显示面板的第二步制造方法的示意图；
图4A为图4所示在A-A’方向的剖视图；
图5为图1所示液晶显示面板的第三步制造方法的示意图；
图5A为图5所示在A-A’方向的剖视图；
图6为图1所示液晶显示面板的第四步制造方法的示意图；
图6A为图6所示在A-A’方向的剖视图；
图7为图1所示液晶显示面板的第五步制造方法的示意图；
图7A为图7所示在A-A’方向的剖视图；
图8为图1所示液晶显示面板的第六步制造方法的示意图；
图8A为图8所示在A-A’方向的剖视图；
图9为本发明液晶显示面板第二实施例的结构示意图；
图9A为图9所示液晶显示面板在A-A’方向的剖视图；
图10为图9所示液晶显示面板的第一步制造方法的示意图；
图10A为图10所示在A-A’方向的剖视图；
图11为图9所示液晶显示面板的第二步制造方法的示意图；
图11A为图11所示在A-A’方向的剖视图；
图12为图9所示液晶显示面板的第三步制造方法的示意图；
图12A为图12所示在A-A’方向的剖视图；
图13为图9所示液晶显示面板的第四步制造方法的示意图；
图13A为图13所示在A-A’方向的剖视图；
图14为图9所示液晶显示面板的第五步制造方法的示意图；
图14A为图14所示在A-A’方向的剖视图；
图15为图9所示液晶显示面板的第六步制造方法的示意图；
图15A为图15所示在A-A’方向的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
本发明是一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，边缘场开关型FFS（Fringe Filed Switching）技术是一种通过TFT基板上的顶层条状像素电极和底层面COM电极之间的边缘电场，使电极之间及电极正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上发生转动的技术。
图2至图8A是本发明第一实施例的示意图。
如图2和图2A，本发明金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板包括：信号线30、与信号线30纵横交错的扫描线30、由信号线30和扫描线50交叉限定的多个像素单元、与扫描线50平行的共通电极线40、栅格状共通电极120、第一绝缘层20、第二绝缘层60、以及第三绝缘层110。
每个像素单元包括：薄膜晶体管单元、与薄膜晶体管单元连接的像素电极80。
其中，薄膜晶体管单元包括：与扫描线50连接的TFT栅极51、与信号线30电性连接的TFT源极11、与像素电极80电性连接的TFT漏极12，所述TFT源极11与TFT漏极12之间设有TFT沟道区10，所述TFT源极11、TFT漏极12及像素电极80位于第二绝缘层60上，所述TFT沟道区10位于底层。
所述栅格状共通电极120通过开设在第三绝缘层110上的第七接触孔111与共通电极线40电性连接，该栅格状共通电极100为本液晶显示面板的COM电极，通过栅格状共通电极100与像素电极80之间产生边缘电场，使电极之间及电极正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上发生转动的技术。
所述信号线30包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线70，该信号线连接线70与像素电极80、TFT源极11、以及TFT漏极12四者同时制成，该四者都是均由透明ITO形成。
所述信号线30、扫描线50、TFT栅极51、以及共通电极线40均位于第一绝缘层20上，所述栅格状共通电极120位于第三绝缘层110上，且由于本液晶显示面板的栅极51不是位于底层，故，本液晶显示面板是顶栅结构的液晶显示面板。
本发明液晶显示面板的制造步骤如下:
第一步：如图3和图3A，在玻璃基板(图未示)上以底层金属氧化物层先形成源漏极连接线10，再形成第一绝缘层20，所述源漏极连接线10形成TFT沟道区。
金属氧化物的材料是IZO或IGZO，厚度为450-550埃，最好为500埃。
第一绝缘层20的材料是SiNx或SiO2，厚度为1500-2500埃，最好为2000埃。
第二步：如图4和图4A，在形成第一步图案的基础以金属形成信号线30、扫描线50、共通电极线40与TFT栅极51的图案。
所述金属材料是Cr、或Al、或Cu，厚度为3500-4500埃，最好为4000埃。
第三步：如图5和图5A，在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层60，并在信号线30、扫描线50、共通电极线40、源漏极连接线10的相应位置上形成接触孔图形，具体为：在信号线30的两端形成第一接触孔61和第二接触孔62，在共通电极线40的端部形成第三接触孔63，在扫描线50的端部形成第四接触孔64，在源漏极连接线10的两端形成第五接触孔65和第六接触孔66。
第二绝缘层60的材料是SiNx或SiO2，厚度为500-1500埃，最好为1000埃。
第四步：如图6和图6A，在第二绝缘层60以透明ITO层形成信号线连接线70、与信号线连接线70连接的TFT源极11、TFT漏极12、与TFT漏极12连接的像素电极80、与共通电极线40连接的共通电极线端子连接线90、以及与扫描线50连接的扫描线端子连接线100，具体形成方式为：信号线连接线70由透明ITO层连接在信号线30及相邻像素单元的信号线30的第一接触孔61和第二接触孔62之间形成的；TFT源极11由透明ITO层连接在信号线30的第二接触孔62与源漏极连接线10的第五接触孔65之间形成的；像素电极80由透明ITO层在像素区域内形成的；TFT漏极12由透明ITO层连接在源漏极连接线10的第六接触孔66与像素电极80之间形成的；共通电极线端子连接线90由透明ITO层连接第三接触孔63形成的；扫描线端子连接线100由透明ITO层连接第四接触孔64形成的。
透明ITO层厚度为450-550埃，最好为500埃。
第五步：如图7和图7A，在形成第四步图案的基础上形成第三绝缘层110，并共通电极线40的相应位置上形成第七接触孔111图形。
第三绝缘层110的材料可以是SiNx或SiO2，厚度为500-1500埃，最好为1000埃。
第六步：如图8和图8A，在第三绝缘层110上形成栅格状共通电极120图形，通过共通电极线40上的第七接触孔111连接栅格状共通电极120与共通电极线40。
栅格状共通电极120的材料是ITO，厚度为450-550埃，最好为500埃。
图9至图15A是本发明第二实施例的示意图。
本发明的第二实施例与上述第一实施例主要区别是：第一实施例的最顶层为栅格状共通电极120，信号线连接线70’、TFT源极11’、TFT漏极12’、以及栅格状像素电极80’位于第二绝缘层60上；而本第二实施例最顶层为信号线连接线70’、TFT源极11’、TFT漏极12’、以及栅格状像素电极80’，栅格状共通电极120’第二绝缘层60’上。
如图9图9，本发明金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板包括：信号线30’、与信号线30’纵横交错的扫描线30’、由信号线30’和扫描线50’交叉限定的多个像素单元、与扫描线50’平行的共通电极线40’、共通电极120’、第一绝缘层20’、第二绝缘层60’、以及第三绝缘层110’。
每个像素单元包括：薄膜晶体管单元、与薄膜晶体管单元连接的栅格状像素电极80’。
其中，薄膜晶体管单元包括：与扫描线50’连接的TFT栅极51’、与信号线30’电性连接的TFT源极11’、与栅格状像素电极80’电性连接的TFT漏极12’，所述TFT源极11’与TFT漏极12’之间设有TFT沟道区10’，所述TFT源极11’、TFT漏极12’及栅格状像素电极80’位于顶层，所述TFT沟道区10位于底层。
所述共通电极120’通过开设在第二绝缘层60’上的第一接触孔61’与共通电极线40’电性连接，该共通电极120’为本液晶显示面板的COM电极，通过共通电极120’与顶层的栅格状像素电极80’之间产生边缘电场，使电极之间及电极正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上发生转动的技术。
所述信号线30’包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线70’，该信号线连接线70’与像素电极80’、TFT源极11’、以及TFT漏极12’四者同时制成，该四者都是均由透明ITO形成。
所述信号线30’、扫描线50’、TFT栅极51’、以及共通电极线40’均位于第一绝缘层20’上，所述共通电极120’位于第二绝缘层60’上，且由于本液晶显示面板的栅极51’不是位于底层，故，本液晶显示面板是顶栅结构的液晶显示面板。
以下为本发明液晶显示面板第二实施例的制造步骤如下:
第一步：如图10和图10A,在玻璃基板(图未示)上以底层金属氧化物层先形成源漏极连接线10’，再形成第一绝缘层20’，所述源漏极连接线10’形成TFT沟道区。
金属氧化物的材料是IZO或IGZO，厚度为450-550埃，最好为500埃。
第一绝缘层20的材料是SiNx或SiO2，厚度为1500-2500埃，最好为2000埃。
第二步：如图11和图11A，在形成第一步图案的基础以金属形成信号线30’、扫描线50’、共通电极线40’、以及与扫描线50’连接的TFT栅极51’的图案。
所述金属材料是Cr、或Al、或Cu，厚度为3500-4500埃，最好为4000埃。
第三步：如图12和图12A，在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层60’，并在共通电极线40’的相应位置上形成第一接触孔61’图形。
第二绝缘层60’的材料是SiNx或SiO2，厚度为500-1500埃，最好为1000埃。
第四步：如图13和图13A,在第二绝缘层60’上形成共通电极120’图形，该共通电极120’通过共通电极线40’上的第一接触孔61’连接共通电极120’与共通电极线40’。
共通电极120’的材料是ITO，厚度为450-550埃，最好为500埃。
第五步：如图14和图14A,在形成第四步图案的基础上形成第三绝缘层110’，并在信号线30’、扫描线50’、共通电极线40’和源漏极连接线10’的相应位置上形成接触孔图形，具体为：在信号线30’的两端形成第二接触孔111’和第三接触孔112’，在共通电极线40’的端部形成第四接触孔113’，在扫描线50’的端部形成第五接触孔114’，在源漏极连接线10’的两端形成第六接触孔115’和第七接触孔116’。
第三绝缘层110’的材料是SiNx或SiO2，厚度为500-1500埃，最好为1000埃。
第六步：如图15和图15A,在第三绝缘层110’以透明ITO层形成信号线连接线70’、与信号线连接线70’连接的TFT源极11’、TFT漏极12’、与TFT漏极12’连接的栅格状像素电极80’、与共通电极线40’连接的共通电极线端子连接线90’、以及与扫描线50’连接的扫描线端子连接线100’，具体形成方式为：信号线连接线70’由透明ITO层连接在信号线30’及相邻像素单元的信号线30’的第二接触孔111’和第三接触孔112’之间形成的；TFT源极11’由透明ITO层连接在信号线30’的第三接触孔112’与源漏极连接线10’的第六接触孔115’之间形成的；栅格状像素电极80’由透明ITO层在像素区域内形成的；TFT漏极12’由透明ITO层连接在源漏极连接线10’的第七接触孔116’与栅格状像素电极80’之间形成的；共通电极线端子连接线90’由透明ITO层连接第四接触孔113’形成的；扫描线端子连接线100’由透明ITO层连接第五接触孔114’形成的。
透明ITO层厚度为450-550埃，最好为500埃。
本发明以金属氧化物作为TFT沟道半导体、源漏电极、栅格状像素电极或栅格状共通电极使用，可以提高TFT驱动能力和简化工艺。
Claims (9)
1.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于，包括：
扫描线；
信号线，与扫描线纵横交叉，所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线；
像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、与像素电极电性连接的TFT漏极、以及TFT沟道区，所述TFT沟道区位于底层；
栅格状共通电极，位于顶层；
共通电极线，与所述栅格状共通电极线电性连接；
第一绝缘层，覆盖在TFT沟道区之上；
第二绝缘层，覆盖在信号线、扫描线和共通电极线之上；
第三绝缘层，覆盖在TFT源极、TFT漏极及像素电极之上。
2.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于，包括：
扫描线，位于顶层；
信号线，与扫描线纵横交叉，所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线；
像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和栅格状像素电极，所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、与栅格状像素电极电性连接的TFT漏极、以及TFT沟道区，所述TFT沟道区位于底层；
共通电极；
共通电极线，位于所述共通电极线电性连接；
第一绝缘层，覆盖在TFT沟道区之上；
第二绝缘层，覆盖在信号线、扫描线及共通电极线之上。
第三绝缘层，覆盖在信号线连接线、TFT源极、TFT漏极以及栅格状像素电极之上。
3.根据权利要求1或2所述的金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于：所述TFT沟道区由金属氧化物制成。
4.根据权利要求1或2所述的金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于：所述像素电极、TFT源极、以及TFT漏极由透明ITO制成的。
5.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步：在基板上以底层金属氧化物层先形成源漏极连接线，再形成第一绝缘层；
第二步：在形成第一步图案的基础以金属形成信号线、扫描线、共通电极线与TFT栅极的图案；
第三步：在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层，并在信号线、扫描线、共通电极线、源漏极连接线的相应位置上形成接触孔图形；
第四步：在第二绝缘层以透明ITO层形成信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT漏极、与TFT漏极连接的像素电极、与共通电极线连接的共通电极线端子连接线、以及与扫描线连接的扫描线端子连接线；
第五步：在形成第四步图案的基础上形成第三绝缘层，并共通电极线的相应位置上形成接触孔图形；
第六步：在第三绝缘层上形成栅格状共通电极图形，通过共通电极线上的接触孔连接栅格状共通电极与共通电极线。
6.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步：在基板上以底层金属氧化物层先形成源漏极连接线，再形成第一绝缘层；
第二步：在形成第一步图案的基础以金属形成信号线、扫描线、共通电极线、以及与扫描线连接的TFT栅极的图案；
第三步：在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层，并在共通电极线的相应位置上形成接触孔图形；
第四步：在第二绝缘层上形成共通电极图形，该共通电极通过共通电极线上的接触孔连接共通电极与共通电极线；
第五步：在形成第四步图案的基础上形成第三绝缘层，并在信号线、扫描线、共通电极线和源漏极连接线的相应位置上形成接触孔图形；
第六步：在第三绝缘层以透明ITO层形成信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT漏极、与TFT漏极连接的栅格状像素电极、与共通电极线连接的共通电极线端子连接线、以及与扫描线连接的扫描线端子连接线。
7.根据权利要求5或6所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于：所述绝缘层图形的材料是SiNx或SiO2。
8.根据权利要求5或6所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于：信号线、扫描线、共通电极线是Cr、或Al、或Cu。
9.根据权利要求5或6所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于：金属氧化物的材料是IZO或IGZO。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210364179.XA CN102854686B (zh) | 2012-09-26 | 2012-09-26 | 一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210364179.XA CN102854686B (zh) | 2012-09-26 | 2012-09-26 | 一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102854686A true CN102854686A (zh) | 2013-01-02 |
| CN102854686B CN102854686B (zh) | 2014-11-12 |
Family
ID=47401405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210364179.XA Expired - Fee Related CN102854686B (zh) | 2012-09-26 | 2012-09-26 | 一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102854686B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104600030B (zh) * | 2015-02-02 | 2017-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1532616A (zh) * | 2003-03-18 | 2004-09-29 | 友达光电股份有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法 |
| CN1550857A (zh) * | 2003-03-29 | 2004-12-01 | Lg.������Lcd��ʽ���� | 水平电场施加型液晶显示器及其制造方法 |
| US20100053530A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Innolux Display Corp. | Thin film transistor substrate and method for manufacturing same |
| CN102034750A (zh) * | 2009-09-25 | 2011-04-27 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
| CN202421685U (zh) * | 2012-02-13 | 2012-09-05 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
-
2012
- 2012-09-26 CN CN201210364179.XA patent/CN102854686B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1532616A (zh) * | 2003-03-18 | 2004-09-29 | 友达光电股份有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法 |
| CN1550857A (zh) * | 2003-03-29 | 2004-12-01 | Lg.������Lcd��ʽ���� | 水平电场施加型液晶显示器及其制造方法 |
| US20100053530A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Innolux Display Corp. | Thin film transistor substrate and method for manufacturing same |
| CN102034750A (zh) * | 2009-09-25 | 2011-04-27 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
| CN202421685U (zh) * | 2012-02-13 | 2012-09-05 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102854686B (zh) | 2014-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103268878B (zh) | Tft阵列基板、tft阵列基板的制作方法及显示装置 | |
| CN102841718B (zh) | 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置 | |
| CN102629585B (zh) | 一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法 | |
| CN102566168B (zh) | 阵列基板及其制作方法、液晶显示装置 | |
| CN102929062B (zh) | 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法 | |
| CN105161499B (zh) | 一种显示基板及其制作方法和显示装置 | |
| CN104914640A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
| CN103309100B (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
| CN102866553B (zh) | 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板的制造方法 | |
| CN100592176C (zh) | 面内切换模式液晶显示器件及其制造方法 | |
| CN105093750A (zh) | Tft阵列基板结构及其制作方法 | |
| CN103094069B (zh) | 像素结构 | |
| CN103412447A (zh) | 一种液晶显示面板和显示装置 | |
| CN101089710B (zh) | 半透过型液晶显示装置 | |
| CN102289114B (zh) | 液晶显示装置 | |
| CN102854684B (zh) | 一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法 | |
| CN103762244A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管阵列基板及液晶面板 | |
| CN105093756A (zh) | 液晶显示像素结构及其制作方法 | |
| CN102650783A (zh) | 一种显示装置、tft-lcd像素结构及其制作方法 | |
| CN103278986A (zh) | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法 | |
| CN104752345A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 | |
| CN103700663B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN102854683B (zh) | 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法 | |
| CN103163704B (zh) | 像素结构、阵列基板及其制造方法 | |
| CN103135302B (zh) | 平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20141112 |