CN102837548A - 陶瓷片体图样结构改良 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种陶瓷片体图样结构改良，包括有一陶瓷片体、至少一饰层及一保护层，该陶瓷片体底面系形成结合部，该饰层系以釉料设置于陶瓷片体上，而该保护层为玻璃砂层，且该保护层分布设于已设置饰层的陶瓷片体整体表面；由此，一体窑烧成型于该陶瓷片体上，以供饰层与保护层结合于陶瓷片体表面，而具有组设稳固、易于保存、凸显立体感的功效及增加整体的美观性。

Description

陶瓷片体图样结构改良
技术领域
本发明涉及陶瓷片，尤其是一种陶瓷片体图样结构改良。
背景技术
本发明提供一种陶瓷片体图样结构改良，包括有一陶瓷片体、至少一饰层及一保护层，该陶瓷片体底面系形成结合部，该饰层系以釉料设置于陶瓷片体上，而该保护层为玻璃砂层，且该保护层分布设于已设置饰层的陶瓷片体整体表面；由此，一体窑烧成型于该陶瓷片体上，以供饰层与保护层结合于陶瓷片体表面，而具有组设稳固、易于保存、凸显立体感的功效及增加整体的美观性。
一种陶瓷片体图样结构改良。该结构包括: 一陶瓷片体,该陶瓷片体底面形成结合部; 至少一饰层,该饰层以釉料设置于陶瓷片体上; 以及一保护层,该保护层为玻璃砂层,而该保护层分布设于已设置饰层的陶瓷片体整体表面上; 由此,一体窑烧成型于该陶瓷片体上,以供饰层与保护层结合于陶瓷片体者。
其中，该陶瓷片体底面形成的结合部系采平面设置。其中，该陶瓷片体底面形成的结合部为复数个凸粒。
其中，该陶瓷片体底面结合部的复数个凸粒可制成各式几何形状，其中，该陶瓷片体底面结合部的各凸粒间隙介于1~2mm之间。
其中，该陶瓷片体底面结合部与陶瓷片体边缘相邻的凸粒系距离边缘介于1~2mm之间，其中，该陶瓷片体底面结合部的各凸粒深度小于3mm。
其中，该饰层为图样，其中，该陶瓷片体上进一步设有一相片，该相片系结合于陶瓷片体表面，而相片邻侧的陶瓷片体表面设有饰层。 
发明内容
针对上述问题，本发明提供一种陶瓷片体图样结构改良。
本发明提供一种陶瓷片体图样结构改良，包括有一陶瓷片体、至少一饰层及一保护层，该陶瓷片体底面系形成结合部，该饰层系以釉料设置于陶瓷片体上，而该保护层为玻璃砂层，且该保护层分布设于已设置饰层的陶瓷片体整体表面；由此，一体窑烧成型于该陶瓷片体上，以供饰层与保护层结合于陶瓷片体表面，而具有组设稳固、易于保存、凸显立体感的功效及增加整体的美观性。
一种陶瓷片体图样结构改良。该结构包括: 一陶瓷片体,该陶瓷片体底面形成结合部; 至少一饰层,该饰层以釉料设置于陶瓷片体上; 以及一保护层,该保护层为玻璃砂层,而该保护层分布设于已设置饰层的陶瓷片体整体表面上; 由此,一体窑烧成型于该陶瓷片体上,以供饰层与保护层结合于陶瓷片体者。
其中，该陶瓷片体底面形成的结合部系采平面设置。其中，该陶瓷片体底面形成的结合部为复数个凸粒。
其中，该陶瓷片体底面结合部的复数个凸粒可制成各式几何形状，其中，该陶瓷片体底面结合部的各凸粒间隙介于1~2mm之间。
其中，该陶瓷片体底面结合部与陶瓷片体边缘相邻的凸粒系距离边缘介于1~2mm之间，其中，该陶瓷片体底面结合部的各凸粒深度小于3mm。
其中，该饰层为图样，其中，该陶瓷片体上进一步设有一相片，该相片系结合于陶瓷片体表面，而相片邻侧的陶瓷片体表面设有饰层。 
具体实施方式
本发明提供一种陶瓷片体图样结构改良，包括有一陶瓷片体、至少一饰层及一保护层，该陶瓷片体底面系形成结合部，该饰层系以釉料设置于陶瓷片体上，而该保护层为玻璃砂层，且该保护层分布设于已设置饰层的陶瓷片体整体表面；由此，一体窑烧成型于该陶瓷片体上，以供饰层与保护层结合于陶瓷片体表面，而具有组设稳固、易于保存、凸显立体感的功效及增加整体的美观性。
一种陶瓷片体图样结构改良。该结构包括: 一陶瓷片体,该陶瓷片体底面形成结合部; 至少一饰层,该饰层以釉料设置于陶瓷片体上; 以及一保护层,该保护层为玻璃砂层,而该保护层分布设于已设置饰层的陶瓷片体整体表面上; 由此,一体窑烧成型于该陶瓷片体上,以供饰层与保护层结合于陶瓷片体者。
其中，该陶瓷片体底面形成的结合部系采平面设置。其中，该陶瓷片体底面形成的结合部为复数个凸粒。
其中，该陶瓷片体底面结合部的复数个凸粒可制成各式几何形状，其中，该陶瓷片体底面结合部的各凸粒间隙介于1~2mm之间。
其中，该陶瓷片体底面结合部与陶瓷片体边缘相邻的凸粒系距离边缘介于1~2mm之间，其中，该陶瓷片体底面结合部的各凸粒深度小于3mm。
其中，该饰层为图样，其中，该陶瓷片体上进一步设有一相片，该相片系结合于陶瓷片体表面，而相片邻侧的陶瓷片体表面设有饰层。

Claims (6)

1.一种陶瓷片体图样结构改良，该结构包括: 一陶瓷片体,该陶瓷片体底面形成结合部; 至少一饰层,该饰层以釉料设置于陶瓷片体上; 以及一保护层,该保护层为玻璃砂层,而该保护层分布设于已设置饰层的陶瓷片体整体表面上; 由此,一体窑烧成型于该陶瓷片体上,以供饰层与保护层结合于陶瓷片体者。
2.根据权利要求1所述的陶瓷片体图样结构改良，其特征在于：该陶瓷片体底面形成的结合部系采平面设置。
3.根据权利要求1所述的陶瓷片体图样结构改良，其特征在于：该陶瓷片体底面形成的结合部为复数个凸粒。
4.根据权利要求1所述的陶瓷片体图样结构改良，其特征在于：该陶瓷片体底面结合部的复数个凸粒可制成各式几何形状。
5.根据权利要求1所述的陶瓷片体图样结构改良，其特征在于：该陶瓷片体底面结合部的各凸粒间隙介于1~2mm之间。
6.根据权利要求3所述的陶瓷片体图样结构改良，其特征在于：该陶瓷片体底面结合部与陶瓷片体边缘相邻的凸粒系距离边缘介于1~2mm之间。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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