CN102761057B - 一种腔内倍频780纳米固体激光器 - Google Patents
一种腔内倍频780纳米固体激光器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102761057B CN102761057B CN201110241543.9A CN201110241543A CN102761057B CN 102761057 B CN102761057 B CN 102761057B CN 201110241543 A CN201110241543 A CN 201110241543A CN 102761057 B CN102761057 B CN 102761057B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laser
- crystal
- transmitance
- wavelength
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
一种腔内倍频780nm固体激光器,属于固体激光材料和器件领域。采用Er3+和Yb3+双掺的硼铝酸盐激光晶体作为增益介质,结合该晶体在1.5-1.6μm波段良好的激光性能以及在1560nm波长处具有增益峰的特性,通过设计激光腔的输入和输出介质膜片透过率,同时在激光腔中加入沿倍频1560nm激光的相位匹配方向切割的非线性光学晶体,利用976nm附近波段的红外激光泵浦,可实现780nm单波长固体激光输出。本方法获得的高功率和高光束质量的780nm单波长固体激光,可以应用于超冷原子物理和量子信息等领域。
Description
技术领域
本发明涉及固体激光材料和器件领域。
背景技术
780nm激光对应于铷原子的D2吸收跃迁。因此,780nm激光可应用于超冷原子物理研究、原子钟、量子存储、量子通讯和计算等众多领域中,具有重要的军事和民用价值及广阔的市场前景。目前,用于上述领域的780nm激光主要是以1560nm光纤或半导体激光器作为光源,利用腔外倍频技术获得的。获得的780nm激光相对于固体激光而言,光束质量和波长稳定性均较差,在实际应用中受到了一定的限制。
目前,利用Er3+和Yb3+离子双掺的硼铝酸盐晶体作为增益介质已经实现了高性能的1.5-1.6μm波段的激光运转。该晶体在1.5-1.6μm波段具有宽的增益谱带和多个增益峰,其中一个增益峰正好位于1560nm波长,因此,通过采用特殊设计的激光腔镜,即可抑制除1560nm外其它波长的激光起振,实现高性能的1560nm单波长固体激光输出。然后利用腔内倍频技术,即可获得具有高输出光束质量和波长稳定性的780nm固体激光。
发明内容
本发明的目的是采用Er3+和Yb3+离子双掺的硼铝酸盐晶体作为增益介质,通过激光腔镜透过率设计来抑制除1560nm外其它波长的激光起振,同时在激光腔内加入倍频元件,获得高性能的780nm单波长固体激光,以应用于超冷原子物理和量子信息等领域。
本发明包括如下技术方案:
1.一种腔内倍频780nm固体激光器,包括红外激光泵浦系统、激光腔、Er3+和Yb3+离子双掺激光晶体以及用作倍频1560nm激光的非线性光学晶体,其特征在于:该激光器采用ErxYbyR(1-x-y)Al3(BO3)4激光晶体作为增益介质,其中0.005≤x≤0.05,0.05≤y≤0.5,R为Sc、Y、La、Gd、Lu元素中某一元素或若干元素的组合;激光泵浦系统利用976nm附近波长的红外激光;激光腔输入介质膜片设计为在976nm波长附近透过率T≥70%,在1560nm波长处透过率T≤1%,长于1570nm波长处的透过率T≥4%;激光腔输出介质膜片设计为在780nm波长处透过率T≥70%,在1560nm波长处透过率T≤3%,短于1550nm波长处的透过率T≥5%;非线性光学晶体为KTP、LBO、BBO或LiNbO3晶体,并沿倍频1560nm激光的相位匹配角切割。
2.如项1所述的固体激光器,其特征在于:激光腔输入介质膜片设计为在976nm波长附近透过率T≥70%,在1560nm波长处透过率T≤1%,短于1550nm波长处的透过率T≥5%;激光腔输出介质膜片设计为在780nm波长处透过率T≥70%,在1560nm波长处透过率T≤3%,长于1570nm波长处的透过率T≥4%。
3.如项1或2所述的固体激光器,其特征在于:将所述的激光晶体的一个端面与所述的非线性光学晶体的一个端面粘贴,在激光晶体的另一个端面和非线性光学晶体的另一个端面分别镀上输入和输出介质膜片。
4.一种腔内倍频780nm固体脉冲激光器,其特征在于:在项1或2的固体激光器的激光晶体和非线性光学晶体间插入1560nm波长处的调Q或锁模元件,输出780nm单波长脉冲激光。
5.如项4所述的固体脉冲激光器,其特征在于:将所述的激光晶体的一个端面与所述的调Q或锁模元件的一个端面粘贴,再将所述的调Q或锁模元件的另一端面与所述的非线性光学晶体的一个端面粘贴,在激光晶体的另一个端面和非线性光学晶体的另一个端面分别镀上输入和输出介质膜片。
6.如项5所述的固体脉冲激光器,其特征在于:将所述的激光晶体与所述的调Q或锁模元件分开。
7.如项5所述的固体脉冲激光器,其特征在于:将所述的调Q或锁模元件与所述的非线性光学晶体分开。
8.如项4,5,6和7其中任一所述的固体脉冲激光器,其特征在于:将所述的调Q和锁模元件同时置于激光腔中。
利用本发明技术方案制造的固体激光器具有的有益效果是能获得高功率和高光束质量的780nm单波长固体激光,而且可以使器件更加紧凑和稳定可靠,使用更加方便。
具体实施方式
实例1:976nm半导体激光端面泵浦Yb3+和Er3+离子双掺的YAl3(BO3)4激光晶体实现780nm单波长固体激光输出。
利用熔盐法生长掺杂25at.%Yb3+和1.1at.%Er3+的YAl3(BO3)4激光晶体。在976nm处,Yb3+和Er3+离子对平行于光轴入射的泵浦光的吸收系数总和为43cm-1。根据晶体需对入射泵浦光功率单程吸收80%左右的原则,确定c切片晶体的厚度为0.35mm(端面积一般为平方毫米到平方厘米)。然后将激光晶体端面抛光后固定在中间有通光孔的铝片上并置于激光腔中。入射镀膜腔镜在976nm波长附近透过率T=90%,在1560nm波长处透过率T=0.1%,长于1570nm波长处的透过率T≥4%;出射镀膜腔镜在780nm波长处透过率T=80%,在1560nm波长处透过率T=2.5%,短于1550nm波长处的透过率T≥8%。在激光晶体和出射镀膜腔镜间加入沿倍频1560nm激光的II类相位匹配角切割的KTP非线性光学晶体(θ=54o,φ=0o)。利用20W的976nm半导体激光端面泵浦即可得到功率高于50mW的780nm单波长固体激光输出。也可以将介质膜分别镀在激光晶体和非线性光学晶体的一个端面上,或者将激光晶体和非线性光学晶体粘贴,以实现同样的目的。
实例2:976nm半导体激光端面泵浦Yb3+和Er3+离子双掺的LuAl3(BO3)4激光晶体实现780nm单波长固体激光输出。
利用熔盐法生长掺杂24.1at.%Yb3+和1.1at.%Er3+的LuAl3(BO3)4激光晶体。在976nm处,Yb3+和Er3+离子对平行于光轴入射的泵浦光的吸收系数总和为45cm-1。根据晶体需对入射泵浦光功率单程吸收80%左右的原则,确定c切片晶体的厚度为0.35mm(端面积一般为平方毫米到平方厘米)。然后将激光晶体端面抛光后固定在中间有通光孔的铝片上并置于激光腔中。入射镀膜腔镜在976nm波长附近透过率T=90%,在1560nm波长处透过率T=0.1%,长于1570nm波长处的透过率T≥4%;出射镀膜腔镜在780nm波长处透过率T=80%,在1560nm波长处透过率T=2.5%,短于1550nm波长处的透过率T≥8%。在激光晶体和出射镀膜腔镜间加入沿倍频1560nm激光的II类相位匹配角切割的KTP非线性光学晶体(θ=54o,φ=0o)。利用20W的976nm半导体激光端面泵浦即可得到功率高于60mW的780nm单波长固体激光输出。也可以将介质膜分别镀在激光晶体和非线性光学晶体的一个端面上,或者将激光晶体和非线性光学晶体粘贴,以实现同样的目的。
实例3:976nm半导体激光端面泵浦Yb3+和Er3+离子双掺的YAl3(BO3)4激光晶体实现780nm单波长固体脉冲激光输出。
直接将1560nm波段的声光调Q模块插入实例1中激光晶体和非线性光学晶体之间,利用20W的976nm半导体激光端面泵浦即可实现脉冲能量高于30μJ,脉冲宽度短于80ns和输出峰值功率高于0.3kW的780nm主动调Q单波长固体脉冲激光输出。或者将激光晶体的一个端面与声光调Q模块的一个端面粘贴,再将声光调Q模块的另一端面与非线性光学晶体的一个端面粘贴,激光晶体的另一个端面和非线性光学晶体的另一个端面镀上适合976nm红外激光端面泵浦、1560nm激光谐振并输出780nm脉冲激光的介质膜,利用976nm半导体激光端面泵浦也可输出780nm主动调Q单波长固体脉冲激光。
Claims (8)
1.一种腔内倍频780nm固体激光器,包括红外激光泵浦系统、激光腔、Er3+和Yb3+离子双掺激光晶体以及用作倍频1560nm激光的非线性光学晶体,其特征在于:该激光器采用ErxYbyR(1-x-y)Al3(BO3)4激光晶体作为增益介质,其中0.005≤x≤0.05,0.05≤y≤0.5,R为Sc、Y、La、Gd、Lu元素中某一元素或若干元素的组合;激光泵浦系统利用976nm附近波长的红外激光;激光腔输入介质膜片设计为在976nm波长附近透过率T≥70%,在1560nm波长处透过率T≤1%,长于1570nm波长处的透过率T≥4%;激光腔输出介质膜片设计为在780nm波长处透过率T≥70%,在1560nm波长处透过率T≤3%,短于1550nm波长处的透过率T≥5%;非线性光学晶体为KTP、LBO、BBO或LiNbO3晶体,并沿倍频1560nm激光的相位匹配角切割。
2.如权利要求1所述的固体激光器,其特征在于:激光腔输入介质膜片设计为在976nm波长附近透过率T≥70%,在1560nm波长处透过率T≤1%,短于1550nm波长处的透过率T≥5%;激光腔输出介质膜片设计为在780nm波长处透过率T≥70%,在1560nm波长处透过率T≤3%,长于1570nm波长处的透过率T≥4%。
3.如权利要求1或2所述的固体激光器,其特征在于:将所述的激光晶体的一个端面与所述的非线性光学晶体的一个端面粘贴,在激光晶体的另一个端面和非线性光学晶体的另一个端面分别镀上输入和输出介质膜片。
4.一种腔内倍频780nm固体脉冲激光器,其特征在于:在权利要求1或2的固体激光器的激光晶体和非线性光学晶体间插入1560nm波长处的调Q或锁模元件,输出780nm单波长脉冲激光。
5.如权利要求4所述的固体脉冲激光器,其特征在于:将所述的激光晶体的一个端面与所述的调Q或锁模元件的一个端面粘贴,再将所述的调Q或锁模元件的另一端面与所述的非线性光学晶体的一个端面粘贴,在激光晶体的另一个端面和非线性光学晶体的另一个端面分别镀上输入和输出介质膜片。
6.如权利要求5所述的固体脉冲激光器,其特征在于:将所述的激光晶体与所述的调Q或锁模元件分开。
7.如权利要求5所述的固体脉冲激光器,其特征在于:将所述的调Q或锁模元件与所述的非线性光学晶体分开。
8.如权利要求4,5,6和7其中任一所述的固体脉冲激光器,其特征在于:将所述的调Q和锁模元件同时置于激光腔中。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110241543.9A CN102761057B (zh) | 2011-04-26 | 2011-08-22 | 一种腔内倍频780纳米固体激光器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110105106 | 2011-04-26 | ||
CN201110105106.4 | 2011-04-26 | ||
CN201110241543.9A CN102761057B (zh) | 2011-04-26 | 2011-08-22 | 一种腔内倍频780纳米固体激光器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102761057A CN102761057A (zh) | 2012-10-31 |
CN102761057B true CN102761057B (zh) | 2015-12-09 |
Family
ID=47055418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110241543.9A Active CN102761057B (zh) | 2011-04-26 | 2011-08-22 | 一种腔内倍频780纳米固体激光器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102761057B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103490275A (zh) * | 2013-09-24 | 2014-01-01 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 基于键合晶体的1.5至1.6微米波段及其变频激光器 |
CN112864781A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-28 | 中国船舶重工集团公司第七0七研究所 | 一种用于冷原子干涉仪的通信波段激光系统及方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6878962B1 (en) * | 1999-03-25 | 2005-04-12 | Japan Science And Technology Corp. | Semiconductor device |
CN1306326C (zh) * | 2003-01-10 | 2007-03-21 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 反射体和液晶显示装置 |
CN101771238A (zh) * | 2009-01-04 | 2010-07-07 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种用于拉曼光谱分析的765nm-780nm脉冲激光器 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1134090C (zh) * | 2001-01-05 | 2004-01-07 | 南京大学 | 以超晶格为变频晶体的全固态红、蓝双色激光器 |
-
2011
- 2011-08-22 CN CN201110241543.9A patent/CN102761057B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6878962B1 (en) * | 1999-03-25 | 2005-04-12 | Japan Science And Technology Corp. | Semiconductor device |
CN1306326C (zh) * | 2003-01-10 | 2007-03-21 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 反射体和液晶显示装置 |
CN101771238A (zh) * | 2009-01-04 | 2010-07-07 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种用于拉曼光谱分析的765nm-780nm脉冲激光器 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
稀土激光晶体研究进展;张霞等;《人工晶体学报》;20050831;第5.2节 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102761057A (zh) | 2012-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102074887A (zh) | 一种基于掺钕硼酸钙氧钆晶体的自变频固体激光器 | |
CN107425407B (zh) | 基于内腔自倍频的可调谐蓝光辐射源及实现方法 | |
CN101741000A (zh) | 以级联超晶格为变频晶体的黄光激光器 | |
CN102074889B (zh) | 一种单频可见光激光器 | |
CN105063755A (zh) | 铒离子激活的焦硅酸盐晶体及其1.55微米波段固体激光器件 | |
CN204992236U (zh) | 一种被动锁模线偏振皮秒脉冲光纤激光器 | |
CN103490275A (zh) | 基于键合晶体的1.5至1.6微米波段及其变频激光器 | |
CN103594914A (zh) | 一种基于自倍频激光晶体的黄橙光激光器 | |
CN102761057B (zh) | 一种腔内倍频780纳米固体激光器 | |
CN103259182B (zh) | 奇次通过旋光性晶体的宽波段通用电光调q开关及调q激光器 | |
CN103414100A (zh) | 一种偏振功率比可调的正交偏振激光器 | |
Kim et al. | A 1030 nm all-PM SESAM mode-locked dissipative soliton fiber oscillator and its amplification with Yb-doped fiber and a Yb: YAG thin rod | |
CN209389443U (zh) | 全固态578nm黄光脉冲激光器 | |
Zhou et al. | Continuous-wave and passively Q-switched c-cut Nd: CTGS laser | |
CN201766283U (zh) | 半导体泵浦固体激光器被动调q试验装置 | |
CN201781186U (zh) | 一种高偏振比输出的固体激光器 | |
CN212182756U (zh) | 一种正交偏振输出的激光器 | |
Lin et al. | Diode-pumped simultaneous multi-wavelength linearly polarized Nd: YVO4 laser at 1062, 1064 and 1066 nm | |
Cui et al. | 70-W average-power doubly resonant optical parametric oscillator at 2 μm with single KTP | |
CN101499612A (zh) | 一种自倍频近红外固体激光器 | |
CN201044328Y (zh) | 低噪声全固体蓝光激光谐振腔 | |
US20060002433A1 (en) | Micro crystal fiber lasers and method of making frequency-doubling crystal fibers | |
Sun et al. | Diode-pumped continuous-wave quasi-three-level Nd: GYSGG laser at 937 nm | |
CN104577701A (zh) | 1.55微米波段铒镱双掺磷酸盐晶体激光器 | |
CN102109730A (zh) | 一种非线性晶体倍频器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |