CN102739929A

CN102739929A - 影像撷取装置的电路布局

Info

Publication number: CN102739929A
Application number: CN2011100877880A
Authority: CN
Inventors: 傅佑邦
Original assignee: Altek Corp
Current assignee: Altek Corp
Priority date: 2011-04-08
Filing date: 2011-04-08
Publication date: 2012-10-17

Abstract

本发明公开了一种影像撷取装置的电路布局，其包含一电路主板、一影像撷取电路、一闪光灯电路以及一沟槽。电路主板为一多层结构。影像撷取电路设置于该电路主板。闪光灯电路设置于该电路主板。沟槽系形成于该电路主板的多层结构，并将影像撷取电路和闪光灯电路各别所设置的区域分隔为两个区间；该影像撷取电路位于一第一区间，该闪光灯电路位于一第二区间。如此，透过该沟槽以避免影像撷取电路和闪光灯电路之间的相互干扰，进一步，将可增进相机内部空间使用的效率。

Description

影像撷取装置的电路布局

技术领域

本发明是有关于一种电路布局，特别是有关于一种可避免闪光灯因充电而影响感光元件讯号的影像撷取装置。

背景技术

随着目前科技的蓬勃发展，市场上所见的3C（Computer, Communication, Consumer Electronics）数位产品不断地推陈出新且价格低廉，其中具有影像拍摄功能的手机、智慧型手机（Smartphone）、以及数位相机等消费级影像撷取装置已日渐普及化，尤其是数位相机随拍即看的便利功能已完全取代使用软片拍摄的传统相机，让人们能更快速的取得拍摄的影像，并已成为大众在日常生活或是工作上的便捷工具。

而无论是传统的光学相机或现在普遍流行的数位相机，其常常配置有闪光装置，以便于让使用者在光线不足的地方拍摄出满意的作品。一般来说，相机的闪光灯可分为二种类型：一种是外接式闪光灯；另一种是属于内建式闪光灯（隐藏式），属于相机本身结构之一。

现有技术中闪光灯电路的设计与互补式金氧半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）或电荷耦合元件（Charge-Coupled-Device，CCD）感光元件电路主板的电路常设计在不同块电路主板上。然，此种方式会造成相关的空间设置上，使用效率不彰的问题。并且，感光元件系为非常敏感的零件，其容易受到附近其他电场及杂讯的干扰。若要将闪光灯电路与感光元件的电路设计在同一块电路主板上，感光元件的讯号容易受到闪光灯充电造成的强电场效应影响。

因此，以需求来说，设计一个可避免闪光灯因充电而影响感光元件讯号的影像撷取装置的电路布局，已成市场应用上的一个刻不容缓的议题。

发明内容

本发明的目的是提供一种影像撷取装置的电路布局，以解决当闪光灯电路与感光元件电路设计在同一块电路主板上时，所产生闪光灯因充电而影响感光元件讯号的问题。

为实现上述目的，本发明采取以下设计方案：

一种影像撷取装置的电路布局，其包含一电路主板、一影像撷取电路、一闪光灯电路以及一沟槽。影像撷取电路设置于该电路主板。闪光灯电路设置于该电路主板。沟槽形成于该电路主板，并将该影像撷取电路和该闪光灯电路各别所设置的区域分隔为两个区间，该影像撷取电路位于一第一区间，该闪光灯电路位于一第二区间。

其中，该影像撷取电路以及该闪光灯电路之间的距离相距4毫米以上。

其中，该闪光灯电路更包含一高压线圈，该高压线圈与该影像撷取电路之间的距离相距6毫米以上。

其中，该闪光灯电路更包含一充电回路，该充电回路与该影像撷取电路之间的距离相距4毫米以上。

其中，该电路主板为一多层结构，该沟槽形成于该多层结构中。

其中，该影像撷取电路于该电路主板上的接地端以及该闪光灯电路于该电路主板上的接地端是由该沟槽实体分隔成一第一接地端以及一第二接地端。

其中，该沟槽之功能是为避免该影像撷取电路和该闪光灯电路之间的相互干扰。

该第二区间设置于该电路主板的一角落。

该闪光灯电路更包含一高压线圈以及一充电回路，该高压线圈以及该充电回路设置于该电路主板的一周缘。

该影像撷取电路为一互补式金氧半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）或电荷耦合元件（Charge-Coupled-Device，CCD）的感光元件。

本发明的优点是：当闪光灯电路与感光元件电路设计在同一块电路主板上时，感光元件的讯号容易受到闪光灯充电造成的强电场效应影响。此影像撷取装置的电路布局可避免因为在闪光灯充电造成强电场效应而影响感光元件讯号。进一步，将可增进相机内部空间使用的效率。

附图说明

图1 为本发明的影像撷取装置一实施例的方块图。

图2 为本发明影像撷取装置的电路布局一实施例的示意图。

图3 为本发明多层电路结构的电路主板一实施例的剖面示意图。

图4A 为本发明的影像撷取装置一第一实施例的外观示意图。

图4B 为本发明的影像撷取装置一第二实施例的外观示意图。

图中元件符号说明：

1：影像撷取装置；10：影像撷取模组；101：影像；11：处理模组；12：影像处理模组；13：闪光灯模组；14：储存模组；15：显示模组；21：电路主板；22：影像撷取电路；23：闪光灯电路；231：高压线圈；232：充电回路；24：沟槽；L1～L6：电路主板的多层电路结构。

下面结合附图及具体实施例对本发明做进一步详细说明。

具体实施方式

以下将参照相关图式，说明依本发明的影像撷取装置的电路布局的实施例，为使便于理解，下述实施例中的相同元件是以相同的符号标示来说明。

本发明的影像撷取装置可以是数位相机（Digital Camera）、照相手机（Camera Phone）、智慧型手机（Smartphone）或数位摄影机（Digital Video Camera）等各种具有摄像功能的可携式电子装置，为便于更暸解本发明的技术特征，底下是以照相手机为实施例，但并不以此为限。

请参阅图1，其为本发明的影像撷取装置一实施例的方块图。如图所示，本发明的影像撷取装置1包含了一影像撷取模组10、一处理模组11、一影像处理模组12、一闪光灯模组13、一储存模组14以及一显示模组15。影像撷取模组10可根据一拍摄场景来撷取影像及产生影像资料。影像撷取模组10可包含镜头、感光元件如互补式金氧半导体元件（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）或电荷耦合元件（Charge-Coupled-Device，CCD）、类比/数位电路、影像处理器等。

处理模组11电性连接影像撷取模组10、影像处理模组12、闪光灯模组13、储存模组14以及显示模组15，其可为中央处理器（Central Processing Unit，CPU）或微处理器（Micro-Processing Unit）。使用者可依拍摄现场的灯光亮度透过处理模组11来控制闪光灯模组13于影像撷取的过程中进行闪光。影像撷取模组10所撷取的影像101可于影像处理模组12处理过后，储存于储存模组14或显示于显示模组15。储存模组14可为嵌入式记忆体、外接式记忆卡或其组合；显示模组15可为液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）或触控式液晶萤幕。

请参阅图2，其为本发明影像撷取装置的电路布局一实施例的示意图。如图所示，本发明影像撷取装置的电路板布局结构包含了一电路主板21、一影像撷取电路22、一闪光灯电路23以及一沟槽24。电路主板21较佳为一多层的电路结构。实施上，影像撷取电路22较佳为一互补式金氧半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）或电荷耦合元件（Charge-Coupled-Device，CCD）的感光元件；其可设置于该电路主板21靠近中心点的位置。其中，上述影像撷取电路22的设置位置仅为举例，并不以此为限。闪光灯电路23较佳地可设置于该电路主板21靠近角落的一隅；其可更包含一高压线圈231以及一充电回路232（或为一充电器）。高压线圈231以及充电回路232可设置于电路主板21靠近周缘的位置。

承接上述，沟槽24可形成于电路主板21的多层结构中，以将影像撷取电路22和闪光灯电路23各别所设置的区域分隔为两个区间；影像撷取电路22可位于一第一区间，闪光灯电路23可位于一第二区间。其中，影像撷取电路22与闪光灯电路23之间的距离可相距4毫米以上；高压线圈231与影像撷取电路22之间的距离可相距6毫米以上；充电回路232与影像撷取电路22之间的距离可相距4毫米以上。

请参阅图3，其为本发明多层电路结构的电路主板一实施例的剖面示意图。如图所示，多层电路结构的电路主板可分做6层结构L1至L6。其中，第2层L2及第6层L6可为接地端的布局；其他层可为其他电路部分的必要布局。然，值得注意的是，此影像撷取电路22于该电路主板21上的接地端以及闪光灯电路23于该电路主板上21的接地端可由该沟槽24实体分隔成一第一接地端以及一第二接地端。也就是说，电路主板的6层结构中，影像撷取电路22与闪光灯电路23之间仅留必须的线路；其接地端皆将其单独的分离出来。如此，闪光灯电路23布局在表面之铜箔将可与影像撷取电路22区分开；即透过沟槽24以避免影像撷取电路22和闪光灯电路23之间的相互干扰。例如，共模杂讯（Common Mode Noise）或同步切换杂讯（Simultaneous Switching Noise，SSN）的杂讯干扰。

请一并参阅图4A及图4B，图4A为本发明的影像撷取装置一第一实施例的外观示意图；图4B为本发明的影像撷取装置一第二实施例的外观示意图。如图所示，本发明影像撷取装置的电路布局的闪光灯电路23较佳地可设置于该电路主板21靠近角落的一隅。例如，靠近右上角的一隅（如图4A所示）或靠近左上角的一隅（如图4B所示）。其位置看设计上的需求而定，使用者可依照其喜好来做选择。其闪光灯电路23设置位置的实施态样仅为举例而非限制，本发明于实际实施时，并不限于此种方式。

综上所述，当闪光灯电路与感光元件电路设计在同一块电路主板上时，感光元件的讯号容易受到闪光灯充电造成的强电场效应影响。本发明所提出的影像撷取装置的电路布局可避免因为在闪光灯充电造成强电场效应而影响感光元件讯号。进一步，将可增进相机内部空间使用的效率。

以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于后附的申请专利范围中。

Claims

1.一种影像撷取装置的电路布局，其特征在于：其包含：

一电路主板；

一影像撷取电路，设置于该电路主板；

一闪光灯电路，设置于该电路主板；以及

一沟槽，形成于该电路主板，并将该影像撷取电路和该闪光灯电路各别所设置的区域分隔为两个区间，该影像撷取电路位于一第一区间，该闪光灯电路位于一第二区间。

2.根据权利要求1所述的影像撷取装置的电路布局，其特征在于：该影像撷取电路以及该闪光灯电路之间的距离相距4毫米以上。

3.根据权利要求1所述的影像撷取装置的电路布局，其特征在于：该闪光灯电路更包含一高压线圈，该高压线圈与该影像撷取电路之间的距离相距6毫米以上。

4.根据权利要求1所述的影像撷取装置的电路布局，其特征在于：该闪光灯电路更包含一充电回路，该充电回路与该影像撷取电路之间的距离相距4毫米以上。

5.根据权利要求1所述的影像撷取装置的电路布局，其特征在于：该电路主板为一层以上的结构，该沟槽形成于该多层结构中。

6.根据权利要求1所述的影像撷取装置的电路布局，其特征在于：该影像撷取电路于该电路主板上的接地端以及该闪光灯电路于该电路主板上的接地端由该沟槽实体分隔成一第一接地端以及一第二接地端。

7.根据权利要求1所述的影像撷取装置的电路布局，其特征在于：该第二区间设置于该电路主板的一角落。

8.根据权利要求1所述的影像撷取装置的电路布局，其特征在于：该闪光灯电路更包含一高压线圈以及一充电回路，该高压线圈以及该充电回路设置于该电路主板的一周缘。

9.根据权利要求1所述的影像撷取装置的电路布局，其特征在于：该影像撷取电路为一互补式金氧半导体CMOS或电荷耦合元件CCD的感光元件。