CN102540061A - Sram型fpga电离总剂量辐照试验偏置装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验偏置装置,包括:偏置测试板;偏置测试板上的转接板,用于承载被测FPGA;偏置测试板上的配置状态检测单元;偏置测试板上的程控电源;配置管理单元。本发明还提供一种SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验偏置装置操作方法。
Description
技术领域
本发明涉及电离总剂量辐照试验偏置装置,可以用于SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验的加电偏置和被辐照器件的功能性检测。
背景技术
SRAM(静态随机存取存储器)型FPGA(现场可编程门阵列)是一种常用的宇航器件,在宇宙环境中,由于受到宇宙射线的辐照,器件的性能容易退化,为了检测SRAM型FPGA在辐照下的退化性能,需要测试使器件性能退化的电离总剂量阈值。
从事电离总剂量效应试验研究的报道主要有美国XILINX公司和欧洲SAAB试验室,但是其公布的抗电离总剂量能力数据是基于对空白未配置的器件(blank devices)进行试验得到的结果;欧洲SAAB试验室和Xilinx公司合作,采用了专门设计的检测板、上位机检测软件以及IP核进行电离总剂量效应检测,系统复杂,成本较高。因此,需要开发一种结构简单、成本较低的测量SRAM型FPGA电离总剂量阈值的偏置装置。
发明内容
本发明提供了一种SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验偏置装置,可将FPGA配置后再进行电离总剂量辐照试验,能够更加真实的反映器件在太空中可能出现的状态,且结构简单、成本低,该装置包括:
偏置测试板;
偏置测试板上的转接板,用于承载被测FPGA;
偏置测试板上的配置状态检测单元;
偏置测试板上的程控电源;
配置管理单元。
根据本发明提供的偏置装置,其中配置管理单元包括偏置测试板上存储器配置管理单元,由可擦写只读存储器PROM构成。
根据本发明提供的偏置装置,其中配置管理单元还包括计算机配置管理单元,通过被测FPGA的JTAG端口对被测FPGA进行配置。
根据本发明提供的偏置装置,其中计算机配置管理单元的优先级别高于存储器配置管理单元。
根据本发明提供的偏置装置,其中配置状态检测单元由发光管和电阻器组成。
根据本发明提供的偏置装置,其中当偏置装置加电后,被测FPGA和PROM被加电,存放在PROM中的程序通过被测器件的配置端口对被测FPGA自动配置。
本发明还提供一种SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验偏置装置操作方法,包括:
1)将被测器件装上辐照试验板;
2)开启程控电源,对辐照偏置板加电,使装在辐照试验板上的被测FPGA、PROM同时被加电;
3)使配置管理单元完成对被测器件的配置;
4)配置状态管理单元检测器件是否配置成功。
根据本发明提供的操作方法,其中步骤3)包括使存储器配置管理单元完成对被测器件的配置。
根据本发明提供的操作方法,其中步骤3)包括使计算机配置管理单元完成对被测器件的配置。
根据本发明提供的操作方法,其中还包括将FPGA配置后进行电离总剂量辐照试验。
采用本实施例提供的偏置装置,可将FPGA配置后再进行电离总剂量辐照试验,而非背景技术所述的空白未配置的器件,能够更加真实的反映器件在太空中可能出现的状态。
附图说明
以下参照附图对本发明实施例作进一步说明,其中:
图1为根据本发明的实施例的偏置装置的结构示意图;
图2为配置成功后FPGA模块的内部状态示意图。
具体实施方式
本实施例提供一种SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验偏置装置,如图1所示,包括:
偏置测试板;
偏置测试板上的转接板,用于承载被测FPGA;
偏置测试板上的存储器配置管理单元,由可擦写只读存储器PROM构成,用于存放被测FPGA的配置程序;
偏置测试板上的计算机配置管理单元,具有与存储器配置管理单元同样的对将被测器件进行配置的功能,通过被测FPGA的JTAG端口对被测FPGA进行配置,计算机配置管理单元的优先级别高于存储器配置管理单元;
偏置测试板上的配置状态检测单元,由发光管和电阻器组成;
偏置测试板上的程控电源,由可编程多路程控电源构成,编程形成3路输出电源,第一路给被测FPGA内核供电,并利用程控电源电流检测功能实时、动态监测被测FPGA的内核电流,第二路给被测FPGA的I/O供电,并利用程控电源电流检测功能实时、动态监测被测FPGA的I/O电流,第三路给辐照偏置测试板上其它部分(包括PROM)供电。
其中,当偏置装置加电后,被测FPGA和PROM被加电,存放在PROM中的程序通过被测器件的配置端口对被测器件自动配置。存储器配置管理单元可在被测器件配置成功后拔去。
在被测器件配置过程中,配置完成后,均可通过计算机配置管理单元对被测器件进行配置或再配置。被测器件配置成功后,可将计算机配置管理单元撤除。通过计算机配置管理单元,可对被测FPGA进行任何所希望的配置程序配置。
SRAM型FPGA本身有配置成功指示端Done,当被测器件配置成功后,其配置成功指示端Done将被器件本身自动置高,配置状态检测单元连接在配置成功指示端Done和地GND端,当被测器件未配置或配置不成功时,其配置成功指示端Done为低电平,配置状态检测单元电路中无电流流过,配置状态检测单元中发光管不发光,当被测器件配置不成功后,其配置成功指示端Done为高电平,配置状态检测单元电路中有电流流过,配置状态检测单元中的发光管发光,代表被测FPGA配置成功。
在本实施例中,通过接收存储器配置单元的配置程序,可进行内部可配置模块的配置,也可通过配置计算机进行内部可配置模块的配置,通过被测FPGA配置成功指示端Done电位的高低,可判断被测器件配置是否成功。被测FPGA配置成功指示端Done电位为高,表明被测FPGA配置成功。
所述的配置工作过程为:在偏置测试板上,通过将被测器件的相关引出端连接电源端或地端,实现对被测器件状态的设定,包括将高低I/O端口信号设定为LVTTL模式;电源端连接规定的电源电压(VCCO、VCCINT),地端接地,输入端串联1kΩ电阻后,依次交替连接电源VCCO和地端,输出端悬空。配置成功后器件内部状态如图2所示。其中可编程逻辑模块使用率为90%,块存储器使用率为50%,输入输出管脚使用率为100%,延时锁定环路模块使用率为100%。
FPGA配置成功后,即可将上述偏置装置放入辐照装置中进行测试,采用本实施例提供的偏置装置,可将FPGA配置后再进行电离总剂量辐照试验,而非背景技术所述的空白未配置的器件,能够更加真实的反映器件在太空中可能出现的状态。
本实施例提供的SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验偏置装置的操作方法包括:
1)将被测器件装上辐照试验板;
2)开启程控电源,对辐照偏置板加电,使装在辐照试验板上的被测FPGA、PROM同时被加电,同时利用程控电源的电流检测功能实时、连续监测被测FPGA的内核电流、I/O电流;
3)被测FPGA的配置使能端被置于有效,预先烧写在存储器配置管理单元的PROM中的配置文件将自动下载到被测FPGA中,使存储器配置管理单元完成对被测器件的配置;
4)在计算机上编制配置程序,在试验前、试验中,由计算机通过被测FPGA的JTAG口对被测FPGA进行配置,使计算机配置管理单元完成对被测器件的配置;
5)配置状态管理单元检测器件是否配置成功;
6)将FPGA配置后进行电离总剂量辐照试验。
根据本发明的其他实施例,其中SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验偏置装置中,也可以不包括计算机配置管理单元,而仅包括存储器配置管理单元。存储器配置管理单元体积小、使用更方便。计算机配置管理单元能够更灵活的编制配置程序。
根据本发明的其他实施例,其中SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验偏置装置的操作方法中,也可以不包括步骤4),仅采用存储器配置管理单元完成对被测器件的配置,而不使用计算机配置管理单元完成对被测器件的配置。
最后所应说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,都不脱离本发明技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (10)
1.一种SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验偏置装置,包括:
偏置测试板;
偏置测试板上的转接板,用于承载被测FPGA;
偏置测试板上的配置状态检测单元;
偏置测试板上的程控电源;
配置管理单元。
2.根据权利要求1所述的偏置装置,其中配置管理单元包括偏置测试板上存储器配置管理单元,由可擦写只读存储器PROM构成。
3.根据权利要求2所述的偏置装置,其中配置管理单元还包括计算机配置管理单元,通过被测FPGA的JTAG端口对被测FPGA进行配置。
4.根据权利要求3所述的偏置装置,其中计算机配置管理单元的优先级别高于存储器配置管理单元。
5.根据权利要求1所述的偏置装置,其中配置状态检测单元由发光管和电阻器组成。
6.根据权利要求1的偏置装置,其中当偏置装置加电后,被测FPGA和PROM被加电,存放在PROM中的程序通过被测器件的配置端口对被测FPGA自动配置。
7.一种SRAM型FPGA电离总剂量辐照试验偏置装置操作方法,包括:
1)将被测器件装上辐照试验板;
2)开启程控电源,对辐照偏置板加电,使装在辐照试验板上的被测FPGA、PROM同时被加电;
3)使配置管理单元完成对被测器件的配置;
4)配置状态管理单元检测器件是否配置成功。
8.根据权利要求7所述的操作方法,其中步骤3)包括使存储器配置管理单元完成对被测器件的配置。
9.根据权利要求7所述的操作方法,其中步骤3)包括使计算机配置管理单元完成对被测器件的配置。
10.根据权利要求7所述的操作方法,其中还包括将FPGA配置后进行电离总剂量辐照试验。
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