CN102456819A - 发光二极管封装结构 - Google Patents
发光二极管封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102456819A CN102456819A CN2010105320370A CN201010532037A CN102456819A CN 102456819 A CN102456819 A CN 102456819A CN 2010105320370 A CN2010105320370 A CN 2010105320370A CN 201010532037 A CN201010532037 A CN 201010532037A CN 102456819 A CN102456819 A CN 102456819A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fence
- light
- package structure
- emitting diode
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 196
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 9
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N chloro(trihydroxy)silane Chemical compound O[Si](O)(O)Cl GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001074085 Scophthalmus aquosus Species 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005297 material degradation process Methods 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种发光二极管封装结构,包括有基板、透明材质制成的至少一围栏、发光二极管、第一封装材料及第二封装材料,其中围栏设置于基板的表面上,并且包围形成配置区域,以供发光二极管设置于其内。而以透明材质制成的第一封装材料设置于配置区域内,并覆盖住发光二极管,内含荧光材料的第二封装材料覆盖住围栏、发光二极管及第一封装材料。本发明通过将发光二极管与具有荧光材料的封装材料相互远离而不直接接触的设置关系,使得发光二极管与反射光线的荧光材料之间有一定的距离,因而提高发光二极管封装结构的整体发光效能以及反射光线的均匀性,同时得以大幅降低制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装结构,特别涉及一种发光组件未直接接触荧光材料的封装型态的发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管(light emitting diode,LED)由于其耗电量低、效率高且寿命长的优点,因此可广泛用于各种应用领域,例如笔记型计算机、监视器、移动电话、电视和液晶显示器所用背光模块的光源。再者,随着越来越多研发人员投入发光二极管(LED)的研究发展,使得目前的发光二极管的发光强度已达到照明的程度。
以目前最常使用的白光发光二极管为例,其是利用光三原色调光组合,将发出红、绿及蓝色光的三种发光二极管芯片以阵列方式组合并予以封装,并将三种不同颜色的发光二极管所发出的色光加以混合,即获得可发出白色光的多晶粒发光二极管封装装置。
现有发光二极管封装装置是以添加有荧光粉体的封装体直接包覆住发光二极管芯片,即发光二极管与用以折射光线的荧光粉体直接的接触结合。上述的现有做法,是将荧光粉体均匀的混合至树脂材料的封装体内(称做均匀涂布方式(uniform distribution)),或者是将荧光粉体的混合区域靠近于发光二极管芯片的位置(称做敷型涂布方式(conformal distribution)),皆是为了改善发光二极管的出光颜色均匀性。
如此一来,当发光二极管芯片运作时,其所产生的高热能将直接传递至封装材料,而荧光粉体因受热而造成其特性的改变,进而导致发光二极管封装装置的整体发光效能降低。并且,在现行的发光二极管的封装技术中,难以达到照明光线的空间光谱分布以及照明亮度的一致性。
由于目前现有的发光二极管(LED)的发光效率仍过低,且制造成本也相对昂贵,对相关领域的技术研发人员来说,最重要的研发课题即是将发光二极管的发光效率大幅提升,以及降低发光二极管的制造成本,如此发光二极管于日后得以具备优势竞争力。
封装技术是影响发光二极管的效能的最重要环节之一,为了提高发光二极管的颜色均匀性及达到高输出流明(光通量)等特性,现有的荧光粉涂布方式已无法满足现今对于发光二极管的要求。因此,遂有制造厂商发展出不同于现有的荧光粉涂布技术,例如美国专利第6,576,488号专利案所载的技术,其发光二极管通过电泳披覆技术将荧光层沉积形成于导电基板/非导电基板(芯片)上;或者是,将一荧光涂布片直接贴附于芯片上,以达到增进发光二极管的发光效能目的。
但,6,576,488号专利案所揭露的电泳披覆技术,其制造成本相当昂贵,因此无法降低发光二极管的成本,使得以此一做法制造而成的发光二极管在市场上并不具备价格优势。另外,以荧光涂布片贴附于芯片上的做法,其荧光涂布片必须另外制造,导致备料过程繁复,且贴附荧光涂布片的步骤必须相当精确,其良率不易控制,相对造成制造成本的上升。
目前也有制造厂商以硅胶透镜(silicone lens)做为发光二极管的封装材料,藉以增加发光二极管的折射率,进而提高发光二极管的发光效能。硅胶透镜除了具备有高透光性及高折射率的优点,更兼具备高耐温性、高绝缘性、及高化学稳定性等优异的材料特性,因此相当适用于高功率发光二极管上。硅胶透镜可承受发光二极管于运作时所产生的高温,改善现有封装材料因高温而造成材料劣化的问题,大幅提高发光二极管的可靠度。
发明内容
鉴于以上的问题,本发明所要解决的技术问题在于提供一种发光二极管封装结构,藉以改进现有发光二极管封装装置的添加有荧光粉体的封装材料直接与发光二极管芯片相接触,进而导致发光效能不显著及照明亮度不均匀,以及改进现有发光二极管封装装置的工艺步骤繁复,导致其制造成本过高等问题。
为了实现上述目的,本发明所揭露一实施例的发光二极管封装结构,包括有一基板、一第一围栏、至少一发光二极管、一第一封装材料、一第二围栏、及一第二封装材料。其中,第一围栏设于基板的表面上,并于基板上包围形成一第一配置区域,第一围栏的材质为透明材料。发光二极管设置于第一配置区域内,并可发出照明光线。第一封装材料设置于第一配置区域内,并且覆盖住发光二极管,第一封装材料的材质为透明材料。第二围栏设于基板的表面上,并于位于第一围栏外,第二围栏与第一围栏之间形成一第二配置区域,第二围栏的材质为透明材料。第二封装材料内添加有荧光材料,第二封装材料设置于第二配置区域内,并且覆盖住第一围栏、发光二极管及第一封装材料。
为了实现上述目的,本发明还揭露另一实施例的发光二极管封装结构,包括有一基板、一围栏、至少一发光二极管、一第一封装材料、及一第二封装材料。其中,围栏设于基板的表面上,并于基板上包围形成一配置区域,围栏的材质为透明材料。发光二极管设置于配置区域内,并可发出照明光线。第一封装材料设置于配置区域内,并且覆盖住发光二极管,第一封装材料的材质为透明材料。第二封装材料内添加有荧光材料,第二封装材料设置于第二配置区域内,并且覆盖住围栏、发光二极管及第一封装材料。
本发明的功效在于,通过将发光二极管与具有荧光材料的封装材料相互远离(remote phosphor)而不直接接触的设置关系,使得发光二极管与反射光线的荧光材料之间有一定的距离,因而提高发光二极管封装结构的整体发光效能以及反射光线的均匀性。
由于荧光材料远离发热来源的发光二极管,也就是说,荧光材料与发光二极管并不直接接触,因此可提高发光二极管封装结构的可靠度(reliability),适用于多个发光二极管的封装结构,同时得以大幅降低制造成本。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明第一实施例的剖视侧视图;
图2为本发明第一实施例的不同态样的剖视侧视图;
图3为本发明第一实施例的不同态样的剖视侧视图;
图4为本发明第二实施例的剖视侧视图;
图5为本发明第二实施例的不同态样的剖视侧视图;
图6为本发明第二实施例的不同态样的剖视侧视图。
其中,附图标记
第一实施例
100 发光二极管封装结构
110 基板
120 第一围栏
121 第一配置区域
130 发光二极管
140 第一封装材料
150 第二围栏
151 第二配置区域
160 第二封装材料
161 第一荧光材料
170 透镜
171 第二荧光材料
第二实施例
300 发光二极管封装结构
310 基板
320 围栏
321 配置区域
330 发光二极管
340 第一封装材料
350 第二封装材料
351 第一荧光材料
360 透镜
361 第二荧光材料
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
图1为本发明第一实施例的剖视侧视图。如图所示,本发明第一实施例的发光二极管封装结构100包括有一基板110、一第一围栏(enclosure)120、至少一发光二极管(light emitting diode,LED)130、一第一封装材料140、一第二围栏150及一第二封装材料160。基板110的材质可选自金属材料、陶瓷材料、钻石材料、类钻碳材料、或印刷电路板的其中一种材料,但并不以此为限。
第一围栏120设于基板110的顶表面上,并于基板110的表面上包围形成一第一配置区域121。值得注意的是,本发明的第一围栏120与基板110之间概略呈相互垂直的关系,第一围栏120的材质为透明材料(transparent material),并且本实施例的第一围栏120所构成的第一配置区域121的形状为矩形、圆形、或是椭圆形等型态,然本领域技术人员,可依据实际使用需求而将第一配置区域121设计为各种几何形状,并不以上述所揭示的形状为限。
另外,第一围栏120也可设计成以一倾斜角度设置于基板110上,或者是将第一围栏120设计为类似梯形的结构,其目的皆是为了达到光线反射的最适化。因此,本领域技术人员,可依据实际使用需求而将本发明所述的第一围栏120更衍生设计为各种几何形状及不同摆放角度的形式,并不以本发明所揭露的各实施例为限。
如图1所示,发光二极管130设置于第一配置区域121内,即发光二极管130是位于第一围栏120的内部。发光二极管130电性连接至一电压,并且发光二极管130通过此一电压的驱动而发出照明光线。本实施例的发光二极管130的配置数量可依据实际使用需求而对应增减其数量,并不以本实施例的一个发光二极管的数量为限。
本实施例的发光二极管130所发出的光线颜色可为冷白光、暖白光、仿日光白光等各种光色,而此一照明光线具有高色彩演色性的特性,而本发明的照明光线通过第一围栏120而具备垂直反射与水平反射的全反射效果,避免照明光线于折射过程中产生过多的光损耗。
请继续参阅图1,第一封装材料140填装于第一配置区域121内,并完全覆盖住发光二极管130。第一封装材料140的材质为透明材料,例如环氧树脂(epoxy)或是硅胶(silicone)等高分子材料,但并不以此为限。另外,第一封装材料140可采用成模工艺(molding process)的方式设置于第一配置区域121内,但并不以此为限。
第二围栏150设于基板110的顶表面上,第二围栏150位于第一围栏120外并且间隔有一距离,因而第二围栏150与第一围栏120之间(亦即于基板110的表面上)形成一第二配置区域151。值得注意的是,本发明的第二围栏150与基板110之间概略呈相互垂直的关系,第二围栏150的材质为透明材料(transparent material),并且本实施例的第二围栏150所构成的第二配置区域151的形状为矩形、圆形、或是椭圆形等型态,然本领域技术人员,可依据实际使用需求而将第二配置区域151设计为各种几何形状,并不以上述所揭示的形状为限。
另外,第二围栏150也可设计成以一倾斜角度设置于基板110上,或者是将第二围栏150设计为类似梯形的结构,其目的皆是为了达到光线反射的最适化。因此,本领域技术人员,可依据实际使用需求而将本发明所述的第二围栏150更衍生设计为各种几何形状及不同摆放角度的形式,并不以本发明所揭露的各实施例为限。
如图1所示,第二封装材料160内添加有粉体型态的第一荧光材料161,且第二封装材料160填装于第二配置区域151内,并完全覆盖住第一围栏120、发光二极管130及第一封装材料140,以构成完整的发光二极管封装结构100。其中,第二封装材料160的材质为透明材料,例如环氧树脂(epoxy)或是硅胶(silicone)等高分子材料,但并不以此为限。
第二封装材料160所添加的第一荧光材料161是选自Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce,Tb、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua Sr5(PO4)3Cl:Eua的其中之一或上述所组成的混合材质,但第一荧光材料161的材质选用并不以此为限,且第一荧光材料161的型态也不以本实施例所揭露的粉体为限,本领域技术人员,可依据实际制作需求而对应采用各种型态添加至第二封装材料160内,例如以胶体贴覆于第二封装材料160的顶表面。当照明光线穿通过第二封装材料160时,混合于第二封装材料160内的第一荧光材料161提供了照明光线更为良好的反射效果。
请参阅图1所示,由于第二围栏150的高度尺寸实质上大于第一围栏120的高度尺寸,因此当第二封装材料160填装至第二配置区域151,并且第二封装材料160与第二围栏150等高时,第二封装材料160可完全罩覆住第一围栏120、发光二极管130及第一封装材料140。
图2及图3为本发明第一实施例的不同态样的剖视侧视图,图2及图3所揭露的实施态样与图1的实施例结构大致相同,以下仅就两者间的差异加以说明。
如图2所示,本发明的发光二极管封装结构100除了包括基板110、第一围栏120、发光二极管130、第一封装材料140、第二围栏150及第二封装材料160之外,还可包括有一透镜170。其中,透镜170包覆住第二围栏150及第二封装材料160,并且透镜170的材质为透明材料,例如高分子材料或是玻璃材料,但并不以此为限,因此发光二极管130所射出的照明光线反射至透镜170的壁面上,透镜170提供了更为良好的反射光线之用。
另外,如图3所示,本发明的透镜170内更可添加粉体型态的第二荧光材料171,藉以增加透镜170的反射效果。透镜170所添加的第二荧光材料171是选自Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce,Tb、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua Sr5(PO4)3Cl:Eua的其中之一或上述所组成的混合材质,但第二荧光材料171的材质选用并不以此为限,且第二荧光材料171的型态也不以本实施例所揭露的粉体为限,本领域技术人员,可依据实际制作需求而对应采用各种型态添加至透镜170内,例如以胶体贴覆于透镜170的表面。当照明光线穿通过透镜170时,混合于透镜170内的第二荧光材料171提供了照明光线更为良好的反射效果。
图4为本发明第二实施例的剖视侧视图。如图所示,本发明第二实施例的发光二极管封装结构300包括有一基板310、一围栏(enclosure)320、至少一发光二极管(light emitting diode,LED)330、一第一封装材料340、及一第二封装材料350。基板310的材质可选自金属材料、陶瓷材料、钻石材料、类钻碳材料、或印刷电路板的其中一种材料,但并不以此为限。
围栏320设于基板310的顶表面上,并于基板310的表面上包围形成一配置区域321。值得注意的是,本发明的围栏320与基板310之间概略呈相互垂直的关系,围栏320的材质为透明材料(transparent material),并且本实施例的围栏320所构成的配置区域321的形状为矩形、圆形、或是椭圆形等型态,然本领域技术人员,可依据实际使用需求而将配置区域321设计为各种几何形状,并不以上述所揭示的形状为限。
另外,围栏320也可设计成以一倾斜角度设置于基板310上,或者是将围栏320设计为类似梯形的结构,其目的皆是为了达到光线反射的最适化。因此,本领域技术人员,可依据实际使用需求而将本发明所述的围栏320更衍生设计为各种几何形状及不同摆放角度的形式,并不以本发明所揭露的各实施例为限。
如图4所示,发光二极管330设置于配置区域321内,即发光二极管330是位于围栏320的内部。发光二极管330电性连接至一电压,并且发光二极管330通过此一电压的驱动而发出照明光线。本实施例的发光二极管330的配置数量可依据实际使用需求而对应增减其数量,并不以本实施例的一个发光二极管的数量为限。
本实施例的发光二极管330所发出的光线颜色可为冷白光、暖白光、仿日光白光等各种光色,而此一照明光线具有高色彩演色性的特性,而本发明的照明光线通过围栏320而具备垂直反射与水平反射的全反射效果,避免照明光线于折射过程中产生过多的光损耗。
请继续参阅图4,第一封装材料340填装于配置区域321内,并完全覆盖住发光二极管330。第一封装材料340的材质为透明材料,例如环氧树脂(epoxy)或是硅胶(silicone)等高分子材料,但并不以此为限。另外,第一封装材料340可采用成模工艺(molding process)的方式设置于配置区域321内,但并不以此为限。
第二封装材料350内添加有粉体型态的第一荧光材料351,且第二封装材料350是完全覆盖住围栏320、发光二极管330及第一封装材料340,以构成完整的发光二极管封装结构300。其中,第二封装材料350的材质为透明材料,例如环氧树脂(epoxy)或是硅胶(silicone)等高分子材料,但并不以此为限。
第二封装材料350所添加的第一荧光材料351是选自Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce,Tb、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12:Eu ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua Sr5(PO4)3Cl:Eua的其中之一或上述所组成的混合材质,但第一荧光材料351的材质选用并不以此为限,且第一荧光材料351的型态也不以本实施例所揭露的粉体为限,本领域技术人员,可依据实际制作需求而对应采用各种型态添加至第二封装材料350内,例如以胶体贴覆于第二封装材料350的顶表面。当照明光线穿通过第二封装材料350时,混合于第二封装材料350内的第一荧光材料351提供了照明光线更为良好的反射效果。
图5及图6为本发明第二实施例的不同态样的剖视侧视图,图5及图6所揭露的实施态样与图4的实施例结构大致相同,以下仅就两者间的差异加以说明。
如图5所示,本发明的发光二极管封装结构300除了包括基板310、围栏320、发光二极管330、第一封装材料340及第二封装材料350之外,还可包括有一透镜360。其中,透镜360包覆住第二封装材料350,并且透镜360的材质为透明材料,例如高分子材料或是玻璃材料,但并不以此为限,因此发光二极管330所射出的照明光线反射至透镜360的壁面上,透镜360提供了更为良好的反射光线之用。
另外,如图6所示,本发明的透镜360内还可添加粉体型态的第二荧光材料361,藉以增加透镜360的反射效果。透镜360所添加的第二荧光材料361是选自Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce,Tb、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua Sr5(PO4)3Cl:Eua的其中之一或上述所组成的混合材质,但第二荧光材料361的材质选用并不以此为限,且第二荧光材料361的型态也不以本实施例所揭露的粉体为限,本领域技术人员,可依据实际制作需求而对应采用各种型态添加至透镜360内,例如以胶体贴覆于透镜360的表面。当照明光线穿通过透镜360时,混合于透镜360内的第二荧光材料361提供了照明光线更为良好的反射效果。
通过将发光二极管与具有荧光材料的封装材料相互远离而不直接接触的设置方式(remote phosphor),使得发光二极管与反射光线的荧光材料之间有一定的间距,进而可提高发光二极管封装结构的整体发光效能,以及发光二极管封装结构的光线反射均匀性。并且,本发明的封装结构可同时适用垂直发光式及水平发光式的发光二极管型态。
由于荧光材料远离发热来源的发光二极管,也就是说,荧光材料与发光二极管并未直接接触,相当适用于多个发光二极管的封装结构,并可提高发光二极管封装结构的可靠度(reliability),发光二极管的制造成本也可大幅降低。
另外,本发明的发光二极管封装结构还可设置一透镜于第二封装材料外,藉以进一步提升发光二极管封装结构的整体发光效能。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (18)
1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括有:
一基板;
一第一围栏,设于该基板的一表面上,该第一围栏于该基板上包围形成一第一配置区域,该第一围栏的材质为透明材料;
至少一发光二极管,设置于该第一配置区域内,该发光二极管发出一照明光线;
一第一封装材料,设置于该第一配置区域内,该第一封装材料覆盖住该发光二极管,该第一封装材料的材质为透明材料;
一第二围栏,设于该基板的该表面上,该第二围栏设置于该第一围栏外,并与该第一围栏之间形成一第二配置区域,该第二围栏的材质为透明材料;以及
一第二封装材料,该第二封装材料内添加有一第一荧光材料,该第二封装材料设置于该第二配置区域内,并且覆盖住该第一围栏、该发光二极管及该第一封装材料。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,还包括有一透镜,为包覆住该第二围栏及该第二封装材料。
3.根据权利要求2所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该透镜的材质为透明材料。
4.根据权利要求2所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该透镜内还含有一第二荧光材料,该第二荧光材料为选自Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce,Tb、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua Sr5(PO4)3Cl:Eua的其中之一或上述所组成的混合材质。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该第二围栏的高度尺寸大于该第一围栏的高度尺寸。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该第一荧光材料为选自Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce,Tb、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua Sr5(PO4)3Cl:Eua的其中之一或上述所组成的混合材质。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该基板的材质为选自金属材料、陶瓷材料、钻石材料、类钻碳材料、或印刷电路板其中之一。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该第一封装材料与该第二封装材料的材质为环氧树脂或是硅胶。
9.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该第一围栏所构成的该第一配置区域的形状为矩形、圆形、或是椭圆形。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该第二围栏所构成的该第二配置区域的形状为矩形、圆形、或是椭圆形。
11.一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括有:
一基板;
一围栏,设于该基板的一表面上,该围栏于该基板上包围形成一配置区域,该围栏的材质为透明材料;
至少一发光二极管,设置于该配置区域内,该发光二极管发出一照明光线;
一第一封装材料,设置于该配置区域内,该第一封装材料覆盖住该发光二极管,该第一封装材料的材质为透明材料;以及
一第二封装材料,该第二封装材料内添加有一第一荧光材料,该第二封装材料覆盖住该围栏、该发光二极管及该第一封装材料。
12.根据权利要求11所述的发光二极管封装结构,其特征在于,还包括有一透镜,包覆住该第二封装材料。
13.根据权利要求12所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该透镜的材质为透明材料。
14.根据权利要求12所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该透镜内还含有一第二荧光材料,该第二荧光材料为选自Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce,Tb、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua Sr5(PO4)3Cl:Eua的其中之一或上述所组成的混合材质。
15.根据权利要求11所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该第一荧光材料为选自Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu、((Ba,Sr,Ca)(Mg,Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba,Sr,Ca)1-xEux)(Mg,Zn)1-xMnx))Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、((Ba,Sr,Ca,Mg)1-xEux)2SiO4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce,Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce,Tb、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl,Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu ZnS:Cu,Al、(Y,Gd,Tb,Lu,Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、及(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua Sr5(PO4)3Cl:Eua的其中之一或上述所组成的混合材质。
16.根据权利要求11所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该基板的材质为选自金属材料、陶瓷材料、钻石材料、类钻碳材料、或印刷电路板其中之一。
17.根据权利要求11所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该第一封装材料与该第二封装材料的材质为环氧树脂或是硅胶。
18.根据权利要求11所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该围栏所构成的该配置区域的形状为矩形、圆形、或是椭圆形。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010105320370A CN102456819A (zh) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 发光二极管封装结构 |
CN201510247538.7A CN104851957B (zh) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 发光二极管封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010105320370A CN102456819A (zh) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 发光二极管封装结构 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510247538.7A Division CN104851957B (zh) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 发光二极管封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102456819A true CN102456819A (zh) | 2012-05-16 |
Family
ID=46039729
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010105320370A Pending CN102456819A (zh) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 发光二极管封装结构 |
CN201510247538.7A Active CN104851957B (zh) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 发光二极管封装结构 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510247538.7A Active CN104851957B (zh) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 发光二极管封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (2) | CN102456819A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103682050A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-03-26 | 苏州东山精密制造股份有限公司 | Led封装结构及封装方法 |
CN103883933A (zh) * | 2012-12-22 | 2014-06-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 背光模组的制造方法 |
CN107731993A (zh) * | 2016-08-11 | 2018-02-23 | 三星电子株式会社 | 制造发光装置封装件的方法 |
CN107833947A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-03-23 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 一种led封装方法 |
US10553765B2 (en) | 2016-11-21 | 2020-02-04 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111883635B (zh) * | 2015-12-30 | 2023-06-30 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置以及其制造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201262372Y (zh) * | 2008-09-04 | 2009-06-24 | 严钱军 | 一种交流led光源器件 |
KR20090073598A (ko) * | 2007-12-31 | 2009-07-03 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 |
CN101719492A (zh) * | 2009-10-27 | 2010-06-02 | 东莞市精航科技有限公司 | 发光二极管的封装结构及其封装方法 |
CN101789483A (zh) * | 2010-02-05 | 2010-07-28 | 江苏伯乐达光电科技有限公司 | 一种led荧光粉的涂敷方法 |
CN101826590A (zh) * | 2010-04-20 | 2010-09-08 | 北京朗波尔光电股份有限公司 | 一种透镜注荧光胶的led灯及其封装方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7858408B2 (en) * | 2004-11-15 | 2010-12-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens |
US7847302B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-12-07 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature |
CN101253637A (zh) * | 2005-08-30 | 2008-08-27 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 光电子器件 |
-
2010
- 2010-10-27 CN CN2010105320370A patent/CN102456819A/zh active Pending
- 2010-10-27 CN CN201510247538.7A patent/CN104851957B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090073598A (ko) * | 2007-12-31 | 2009-07-03 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 |
CN201262372Y (zh) * | 2008-09-04 | 2009-06-24 | 严钱军 | 一种交流led光源器件 |
CN101719492A (zh) * | 2009-10-27 | 2010-06-02 | 东莞市精航科技有限公司 | 发光二极管的封装结构及其封装方法 |
CN101789483A (zh) * | 2010-02-05 | 2010-07-28 | 江苏伯乐达光电科技有限公司 | 一种led荧光粉的涂敷方法 |
CN101826590A (zh) * | 2010-04-20 | 2010-09-08 | 北京朗波尔光电股份有限公司 | 一种透镜注荧光胶的led灯及其封装方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103883933A (zh) * | 2012-12-22 | 2014-06-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 背光模组的制造方法 |
CN103682050A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-03-26 | 苏州东山精密制造股份有限公司 | Led封装结构及封装方法 |
CN107731993A (zh) * | 2016-08-11 | 2018-02-23 | 三星电子株式会社 | 制造发光装置封装件的方法 |
US10326061B2 (en) | 2016-08-11 | 2019-06-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating light emitting device package |
CN107731993B (zh) * | 2016-08-11 | 2020-01-07 | 三星电子株式会社 | 制造发光装置封装件的方法 |
US10991857B2 (en) | 2016-08-11 | 2021-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating light emitting device package |
US10553765B2 (en) | 2016-11-21 | 2020-02-04 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
CN107833947A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-03-23 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 一种led封装方法 |
CN107833947B (zh) * | 2017-11-28 | 2020-12-18 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 一种led封装方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104851957A (zh) | 2015-08-19 |
CN104851957B (zh) | 2019-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101495071B1 (ko) | 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법 | |
EP2398051A2 (en) | LED package structure | |
KR100930171B1 (ko) | 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈 | |
JP4648454B2 (ja) | 赤色蛍光体及び緑色蛍光体を有する白色発光ダイオードを採用したバックライトパネル | |
CN100424901C (zh) | 发光二极管 | |
CN100578781C (zh) | 发光装置 | |
US10084119B2 (en) | Light-emitting device | |
WO2008018548A1 (en) | Illuminating apparatus | |
WO2011129429A1 (ja) | Led発光装置 | |
CN102456819A (zh) | 发光二极管封装结构 | |
TWI447969B (zh) | 發光二極體封裝結構 | |
CN203218325U (zh) | 混光发光二极管结构 | |
KR101772656B1 (ko) | 형광체 및 발광장치 | |
CN102270627A (zh) | 发光二极管封装结构 | |
KR100624046B1 (ko) | 백라이트 유닛 | |
KR101195430B1 (ko) | 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈 | |
KR100990647B1 (ko) | 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈 | |
KR20110096923A (ko) | 백색 발광 다이오드 광원 | |
CN102097571A (zh) | 一种黄绿光二极管、背光源、手机及照明指示装置 | |
KR100449502B1 (ko) | 백색 발광 다이오드 및 그 제작 방법 | |
KR100567550B1 (ko) | 핑크색 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
KR102475623B1 (ko) | 발광 장치 | |
KR20090004344A (ko) | 백색 led 장치 | |
KR20110094524A (ko) | 백색 발광 다이오드 광원 | |
KR20110092426A (ko) | 백색 발광 다이오드 패키지 및 그 패키지를 구비한 백라이트 모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120516 |