CN102414944A - 边发射的半导体激光器 - Google Patents

Abstract

提出了一种边发射的半导体激光器，具有半导体本体(10)，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2a)、第二波导层(2b)和设置在第一波导层(2a)和第二波导层(2b)之间的用于产生激光辐射(5)的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一覆盖层(1a)和第二覆盖层(1b)之间，所述第二覆盖层在半导体本体(10)的生长方向上设置在波导区域(4)之后。波导区域(4)具有400nm或者更小的厚度(d)，以及在平行于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角和在垂直于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角彼此相差小于3倍。

Description

边发射的半导体激光器

本发明涉及一种边发射的半导体激光器，尤其是一种基于氮化物化合物半导体的半导体激光器。

本专利申请要求德国专利申请10 2009 019 516.5的优先权，其公开内容通过引用结合于此。

传统的基于氮化物化合物半导体的半导体激光器通常针对实现高输出功率而优化。这种半导体激光器因此具有大斜率的特性曲线，也就是说，半导体激光器的输出功率随着增大的工作电流强度而强烈地增加。因为工作电流强度的小的变化已经导致输出功率的明显变化，所以对于所希望的输出功率的精确控制、尤其是小的输出功率的精确控制有问题。此外，在仅仅略微在激光器阈值之上的工作电流范围中的这种半导体激光器的驱动也是困难的。其原因在于，在恒定的工作电流情况下，已经会引起半导体激光器的阈值电流强度的小的、例如由于老化引起的升高，使得不再达到阈值电流强度并且半导体激光器因此不再发射相干的激光辐射。

针对在高光学功率情况下的高效率而优化的边发射的半导体激光器通常具有比较宽的波导结构，这些波导结构导致与外延层的层平面平行的比较小的发射角。而这种半导体激光器在垂直于外延层的方向上由于衍射而典型地具有比较大的发射角。激光射束因此是强椭圆的，使得当边发射的半导体激光器的应用要求近似圆形的射束轮廓时，通常需要复杂并且昂贵的光学系统。

本发明所基于的任务是，提出一种改进的边发射的半导体激光器，其中以比较简单的方式实现具有小的椭圆性的射束轮廓，优选为几乎圆形的射束轮廓。

该任务通过具有权利要求1的特征的边发射的半导体激光器来解决。本发明的有利的扩展方案和改进方案是从属权利要求的主题。

根据至少一个实施形式，边发射的半导体激光器具有半导体本体，其带有波导区域，其中波导区域具有第一波导层、第二波导层和设置在第一波导层和第二波导层之间的有源层，用于产生激光辐射。波导区域设置在第一覆盖层和第二覆盖层之间，其中第一覆盖层例如朝向边发射的半导体激光器的衬底，而第二覆盖层例如在半导体本体的生长方向上设置在波导区域之后。在半导体本体的生长方向上于是优选相继跟随着第一覆盖层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二覆盖层。优选外延制造的半导体层例如施加到衬底上并且可以在与衬底对置的侧上设置有电接触层。

波导区域优选具有400nm或者更小的厚度。也就是说，第一波导层、第二波导层和设置在第一波导层和第二波导层之间的有源层的厚度之和不超过400nm。

通过波导区域比较薄并且优选具有小于400nm的厚度，实现了在水平方向(即在平行于半导体层的层平面的方向)上和在垂直方向(即在垂直于半导体层的层平面的方向)上的发射角之差相对于传统的边发射的半导体激光器而减小。通过这种方式减少了对于边发射的半导体激光器典型的像散、即强椭圆的射束轮廓。

优选的是，波导区域具有300nm或者更小的厚度，特别优选甚至250nm或者更小的厚度。

在一个优选的扩展方案中，在平行于有源层的层平面的方向上从半导体本体出射的激光辐射的发射角α_P和在垂直于有源层的层平面的方向上从半导体本体出射的激光辐射的发射角α_S彼此相差小于3倍。在本申请的范围中，发射角α_S、α_P分别理解为其中所发射的激光辐射的强度不小于主辐射方向中的强度的一半(FWHM-半峰全宽)的全部角度范围。此外，从半导体本体出射的激光辐射的发射角理解为：不考虑可能存在的用于射束成形的光学元件、尤其是设置在半导体本体之外的透镜的情况下，在半导体激光器的侧小面上的发射角。

尤其可能的是，半导体激光器的发射角在水平方向和垂直方向上彼此相差小于2倍。例如，在垂直方向上、即垂直于半导体层的层平面的方向上的发射角可以大于在水平方向上、即平行于半导体层的层平面的方向上的发射角。然而在此在垂直方向上的发射角最大为水平方向上的发射角的三倍，并且优选不超过两倍。

由于在水平方向和垂直方向上的发射角仅仅具有比较小的差别，所以可使用成本比较低廉的球形透镜用于激光辐射的准直。可以有利地省去比较昂贵的球形透镜，例如圆柱形透镜。

边发射的半导体激光器尤其可以具有壳体，该壳体包含用于将发射的激光辐射进行射束成形的透镜。优选的球形透镜有利地同时用作壳体的覆盖物，并且保护边发射的半导体激光器的半导体本体免受机械损伤或者环境影响如湿气或者污物。

边发射的半导体激光器的壳体尤其可以实施为所谓的TO(晶体管轮廓)壳体。该壳体类型通常具有多个(典型为三个)连接腿，用于电接触和安装边发射的半导体激光器。边发射的半导体激光器的半导体本体在尤其可以是圆柱形的覆盖物之下设置在导电支承体上，该支承体与连接腿连接。典型地至少近似为圆柱形的覆盖物例如可以由塑料或者金属制成，并且在辐射出射侧具有透明的覆盖物，该覆盖物优选实施为透镜，特别优选实施为球形透镜。

可替选地，半导体激光器也可以具有SMT(表面安装技术)壳体。这种可表面安装的壳体在壳体下侧和/或壳体侧面上具有用于电接触的接触面，壳体例如可以在这些接触面上被焊接到电路板上。

边发射的半导体激光器具有第一侧小面和第二侧小面，它们优选分别设置有提高反射的涂层。在一个优选的扩展方案中，半导体本体的用作辐射耦合输出面的第一侧小面设置有提高反射的涂层，其反射性优选为75％或者更高。特别优选地，在用作辐射耦合输出面的第一侧小面上的提高反射的涂层的反射性甚至为85％或者更高。也可能的是，提高反射的涂层的反射性甚至为95％或者更高。

通过在半导体本体的用作辐射耦合输出面的侧小面上的这种高反射性，减小了半导体激光器的特性曲线的斜率，即与其中辐射耦合输出面具有较小的反射性的传统半导体激光器相比，该半导体激光器的输出功率随着增加的工作电流较弱地增大。这基于的是，更大比例的、射到半导体本体的侧小面上的激光辐射被向回反射到谐振器中，并且由此并不从半导体激光器中耦合输出。另一方面，通过这种方式也增大了激光辐射在激光谐振器中的平均传播时间，由此有利地减小了半导体激光器的阈值电流强度。

半导体激光器的小的阈值电流强度和特性曲线的小的斜率具有的优点是，在半导体激光器的低输出功率情况下也保证了稳定的工作。尤其是工作电流强度的较小变化仅仅引起光学输出功率的小的变化，并且由于小的阈值电流强度，在工作电流强度波动时低于阈值电流强度的危险较小。尤其是，在正常工作中的工作电流远在半导体激光器的阈值电流强度之上，使得可能出现的由于老化而引起的阈值电流强度的增大通常并不导致不再达到激光器阈值并且出现激光器运行的中断。

在另一优选的实施形式中，在半导体激光器的与辐射耦合输出面对置的第二侧小面之后设置有监视器二极管。与用作辐射耦合输出面的第一侧小面对置的第二侧小面典型地具有比较高的反射性，优选为85％或者更高，或者特别优选地为95％或者更高。然而，至少少量的激光辐射可以在与辐射耦合输出面对置的侧小面上从半导体本体出射，并且输送给监视器二极管，用于监控半导体激光器的光学输出功率。监视器二极管优选与调节回路相连，通过该调节回路将光学输出功率保持恒定。

提高用作辐射耦合输出面的第一侧小面的反射性具有前面提及的减小阈值电流强度以及减小半导体激光器的特性曲线的斜率的优点。此外有利地也可能的是，相比于传统的半导体激光器减小了谐振器长度。尤其表明的是，激光谐振器的长度从长度L_a缩短到长度L_b可以通过如下方式来补偿：用作辐射耦合输出面的第一侧小面的反射率R_1，a被提高到值R_1，b。减小的谐振器长度通过第一侧小面的提高的反射性R_1，b的补偿在此按照以下方程实现：

$R_{1b}=\frac{1}{R_{2,a}*\exp (\frac{L_b}{L_a}*\ln [\frac{1}{R_{2,a}*R_{1,a}}\left]\right)}$

在此，R_2，a是第二侧小面的反射率，该第二侧小面与用作辐射耦合输出面的第一侧小面对置。

将边发射的半导体激光器的谐振器缩短具有的优点是，在晶片上可以制造更大数量的激光二极管，由此有利地降低了制造成本。

有利的是，边发射的半导体激光器的激光谐振器的长度不超过450μm。

由于比较小的阈值电流强度和特性曲线的小的斜率，边发射的半导体激光器尤其适于在小的输出功率情况下的工作。优选的是，光学输出功率为10mW或者更小。特别地，稳定的工作也可以在5mW或者更小的输出功率情况下实现。边发射的半导体激光器因此尤其对于其中要以成本低廉的方式实现具有小的输出功率的稳定工作的应用(例如在激光指示器的情况下)是有意义的。

边发射的半导体激光器尤其可以是发射在430nm至700nm波长范围中的激光辐射的半导体激光器。

优选的是，半导体激光器在可见光谱的蓝色或者蓝绿范围中进行发射。尤其是，所发射的激光辐射可以具有在430nm到540nm之间的波长附近的强度最大值。半导体激光器例如可以是激光指示器的组成部分，其具有在蓝色光谱范围(＜500nm)中的波长或者具有在绿色光谱范围(＞500nm)中的波长。

这种半导体激光器例如可以基于氮化物化合物半导体。在该上下文中，“基于氮化物化合物半导体”表示，半导体层序列或者其中至少一层包括III-氮化物-化合物半导体材料，优选为In_xAl_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。在此，该材料不必一定具有根据上式的数学上精确的组分。更确切地说，其可以具有一种或者多种掺杂材料，例如Mg或者Si，以及附加的组成部分，它们基本上不改变In_xAl_yGa_1-x-yN材料的典型物理特性。出于简单的原因，上述公式仅仅包括晶格的主要组成部分(In，Al，Ga，N)，即使它们可以部分地通过少量其他材料来替代。

下面借助实施例结合图1至图5进一步阐述本发明。

其中：

图1A示出了边发射的半导体激光器的一个实施例的横截面的示意图，

图1B示出了图1A中所示的实施例的俯视图的示意图，

图2示出了对于具有不同厚度的波导区域的半导体激光器的两个实施例的、与工作电流强度相关的光学输出功率的曲线图，

图3分别示出了没有壳体覆盖物(左边)和带有壳体覆盖物(右边)的边发射的半导体激光器的实施例的透视图，

图4示出了针对具有不同高低的反射率的辐射耦合输出面的边发射的半导体激光器的五个实施例的、与驱动电流相关的光学输出功率的曲线图，以及

图5示出了针对具有不同反射率的辐射耦合输出面的半导体激光器的另外五个实施例的、与驱动电流相关的光学输出功率的曲线图。

在附图中，相同或者作用相同的组成部分设置有相同的附图标记。所示的组成部分以及组成部分彼此间的大小关系不能视为合乎比例。

在图1A和1B中在横截面和俯视图中示出了边发射的半导体激光器的一个实施例。

边发射的半导体激光器具有半导体本体10，其中包含波导区域4。波导区域4包括第一波导层2a、第二波导层2b和设置在第一波导层2a与第二波导层2b之间的有源层3，该有源层用于产生激光辐射5。

边发射的半导体激光器的有源层3尤其可以是单量子阱结构或者多量子阱结构。术语“量子阱结构”在本发明的范围中包括任意如下结构：其中载流子通过限制(“Confinement”)而经历其能量状态的量子化。尤其是，该术语“量子阱结构”并不包含关于量子化的维度的说明。由此，量子阱结构尤其是包括其他量子槽、量子线和量子点以及这些结构的任意组合。

波导区域4设置在第一覆盖层1a和在半导体本体10的生长方向上设置在波导区域4之后的第二覆盖层1b之间。第一覆盖层1a于是设置在朝向半导体本体10的衬底6的侧上，而第二覆盖层1b设置在从有源层3出发来看半导体本体10的背离衬底6的侧上。优选的是，设置在有源层之上的半导体层1b、2b构建了p掺杂的区域，而设置在有源层3之下的层1a、2a构建n掺杂的区域。

边发射的半导体激光器的半导体本体10优选基于氮化物化合物半导体。氮化物化合物半导体尤其适于产生蓝色光谱范围和蓝绿光谱范围中的辐射。边发射的半导体激光器的发射波长尤其可以在大约430nm至540nm的范围中。

边发射的半导体激光器的电接触例如通过在衬底6的背离有源层3的背面上的第一电接触层11以及在半导体本体10的与衬底6对置的表面上的第二电接触层12进行。

半导体本体10可以附加于图1A中所示的半导体层而包含一个或者多个另外的层。例如，一个或者多个中间层可以设置在衬底6和下部覆盖层1a之间或者在上部覆盖层1b和第二接触层12之间。此外也可能的是，前面描述的半导体本体10的半导体层中的一个或者多个不是由单层组成，而是由多个部分层组成。尤其是，例如有源层3可以由带有多个设置在势垒层之间的量子层的量子阱结构形成。此外例如也可能的是，具有增大的电子带隙的部分层嵌入到第二波导层2b中(未示出)，该部分层用作电子势垒并且导致在有源层3中更好的载流子限制(Ladungstraegereinschluss)。

覆盖层1a、1b有利地具有比波导层2a、2b更低的折射率，由此在横向方向上传播的激光辐射5基本上包含在波导区域4中。在由有源层3、第一波导层2a和第二波导层2b形成的波导区域4中传播的激光模式于是仅仅少量地渗入覆盖层1a、1b中。

边发射的半导体激光器的激光谐振器通过半导体本体10的侧小面7、8形成。侧小面7、8优选分别设置有提高反射的涂层9a、9b。提高反射的涂层9a、9b例如可以由多个交替的介电层形成。尤其是，提高反射的涂层9a、9b可以分别具有多个层对，所述层对由具有不同折射率的氧化物层构成，例如具有较低的折射率的二氧化硅和具有比较高的折射率的五氧化钽。可替选地也可能的是，由具有不同折射率的交替的半导体层构建提高反射的涂层9a、9b。

在边发射的半导体激光器中，第一侧小面7用作辐射耦合输出面。激光辐射5于是通过第一侧小面7从半导体本体10发射，该第一侧小面具有优选施加于其上的提高反射的涂层9a，其中激光辐射5的主辐射方向垂直于半导体本体10的侧小面7对准。为了使得在由第一侧小面7和第二侧小面8形成的激光谐振器中传播的激光辐射的一部分在第一侧小面7上从半导体本体10耦合输出，第一侧小面7的提高反射的涂层9a优选具有比第二侧小面8的提高反射的涂层9b更低的反射率R。

由于衍射效应，并非全部激光辐射5都垂直于辐射耦合输出面地发射，而是其具有发射角α_S、α_P的射束锥。在传统的半导体激光器情况下，在垂直于有源层的层平面的方向上的发射角α_S明显大于在平行于有源层的层平面的方向上的发射角α_P。在本申请的范围中，发射角α_S、α_P分别理解为其中所发射的激光辐射5的强度不小于强度最大值的一半的全部角度范围。

证明是有利的是，可以通过减小波导区域4的厚度d来减小在垂直于有源层3的层平面的方向上的发射角α_S与平行于有源层3的层平面的方向上的发射角α_P之间的差。波导区域4优选具有400nm或者更小的厚度d，特别优选为300nm或者更小的厚度。

通过这种方式，实现了在垂直于有源层3的层平面的发射角α_S与平行于有源层3的平面的发射角α_P优选彼此相差小于3倍，并且特别优选彼此相差小于2倍。

图2说明了波导区域4的厚度d对于边发射的半导体激光器的特性曲线的影响。对于其中波导区域4的厚度d为600nm(曲线21)的边发射的半导体激光器，与其中波导区域4的厚度d有利地仅仅为250nm的边发射的半导体激光器(曲线22)相比，示出了与工作电流强度I相关的光学输出功率P。在两个实施例中，在第一侧小面7(其等同于辐射耦合输出面)上的反射率分别为50％，而在第二侧小面8上的反射率分别为95％。带有仅仅250nm的有利地小的厚度的波导区域4的边发射的半导体激光器的特性曲线22具有与带有厚度d为600nm的波导区域4的边发射的半导体激光器的特性曲线21相比更小的斜率。当希望半导体激光器的输出功率高时，通过减小波导区域4的厚度得到的特性曲线的较小斜率尽管不利。但另一方面，更平地延伸的特性曲线22具有的优点是，通过调节工作电流强度I可以更精确地调节比较小的输出功率，尤其是10mW或者更小的输出功率。具有较平的特性曲线22的半导体激光器有利地也对于外部影响例如温度变化或者老化引起的阈值电流强度的推移更不敏感。

带有厚度d为600nm的波导区域4的边发射的半导体激光器具有在平行于有源层3的层平面的方向上大约8.3度的发射角α_P。在垂直于有源层3的层平面的方向上，发射角α_S为大约22.4度。由此，发射角α_S与发射角α_P的比为大约2.7。具有特性曲线22和250nm的厚度d的波导区域4的边发射的半导体激光器具有11.9度的发射角α_P和大约18.6度的发射角α_S。由于波导区域的厚度d减小，由此发射角α_S与发射角α_P的比仅仅为大约1.57。具有减小厚度d的波导区域4的边发射的半导体激光器于是有利地比带有更大厚度d的波导区域的半导体激光器具有更小椭圆率的射束轮廓。

由于波导区域4的比较小的厚度导致的半导体激光器射束轮廓的小的椭圆率具有的优点是，可以使用比较简单并且成本低廉的光学元件用于射束成形。与此相对，在传统的针对大功率优化的半导体激光器中通常使用复杂的非球面透镜或者透镜系统，以便将在平行于和垂直于半导体层的方向中的射束发散性彼此匹配。在这里描述的边发射的半导体激光器中，优选仅仅使用唯一的透镜来射束成形。透镜优选是球面透镜，其可以简单并且成本低廉地制造。

优选球面透镜可以集成到边发射的半导体激光器的壳体中。带有所谓TO壳体(晶体管轮廓)的边发射的半导体激光器的一个实施例在图3中示出。在图3的右半边示出了带有壳体覆盖物18的壳体，而在图3的左半边为了说明而没有壳体覆盖物。壳体14具有壳体基本体15，三个连接腿16从壳体基本体中伸出，所述连接腿用于安装和电接触边发射的半导体激光器。半导体本体10有利地安装在热沉17上，通过该热沉将半导体本体10的损耗热散发。为了电接触，将半导体本体10借助接合线与壳体的两个连接腿16导电连接。半导体本体10垂直地安装在壳体中，使得激光辐射的主发射方向垂直于壳体14的壳体基本体15。如在图3的右半边中所示，壳体14优选具有壳体覆盖物18，在半导体本体10的辐射方向上将透镜19集成到壳体覆盖物中，用于对激光辐射进行射束成形。透镜19尤其可以是能够简单并且成本低廉地制造的球面透镜。

从前面已经阐述的图2中可以得出的是，与具有更陡的特性曲线21以及比较厚的波导区域4(其具有600nm的厚度)的边发射的半导体激光器相比，具有特性曲线22和仅仅250nm的厚度d的波导区域4的边发射的半导体激光器具有更大的阈值电流强度。通过减小波导区域4的厚度而导致的阈值电流强度的升高可以被对抗，其方式是提高半导体激光器的用作辐射耦合输出面的第一侧小面7的反射率。这在下面借助图4和5中所示的、具有不同高低的反射率的第一侧小面的边发射的半导体激光器的特性曲线来阐述。

图4示出了针对边发射的半导体激光器的如下实施例的、与工作电流强度I相关的光学输出功率P的曲线图：在这些实施例中用作辐射耦合输出面的第一侧小面的反射率R₁为50％(曲线41)、75％(曲线42)、85％(曲线43)、90％(曲线44)和95％(曲线45)。在所有情况中，半导体激光器的第二侧小面的反射率R₂都为95％。第一侧小面的反射率R₁尤其可以通过改变提高反射的涂层来改变，所述涂层被施加到半导体激光器的第一侧小面上。尤其是可以改变介电反射器的材料组合或者交替的层的数目，以便调节所希望的反射率。

图4表明，特性曲线的斜率随着在辐射耦合输出面上的增大的反射率而减小，并且同时降低了阈值电流强度。特性曲线的小的斜率和小的阈值电流强度具有的优点是，通过调整工作电流强度可以精确地调节所希望的光学输出功率，并且由于半导体激光器的老化效应而会形成的阈值电流强度的提高并不导致半导体激光器的故障，因为在具有明显在激光器阈值以上的工作电流强度的小的输出功率情况下也进行工作。有利的是，半导体激光器的第一侧小面的提高反射的涂层的反射率R₁为至少75％。特别优选的是，第一侧小面的反射率R₁至少为85％并且特别优选为至少90％。

在图5中示出了对于边发射的半导体激光器的五个另外的实施例的、与工作电流强度I相关的光学输出功率P，其中在第一侧小面上的反射率R₁为50％(曲线51)、75％(曲线52)、85％(曲线53)、90％(曲线54)和95％(曲线55)。与图4中所示的实施例相对，半导体激光器的第二侧小面的反射率R₂并不是95％，而是仅仅85％。如在图4中所示的特性曲线那样，图5中所示的特性曲线也表现出，随着用作辐射耦合输出面的第一侧小面的增大的反射率R₁，特性曲线的斜率减小并且阈值电流强度降低。

半导体激光器的与辐射耦合输出面对置的第二侧小面的较小的反射率R₂例如可以用来在半导体激光器的第二侧小面上将用于监控二极管的激光辐射的小部分耦合输出。例如，如图1B中所示，半导体激光器的第二侧小面8之后设置有监控二极管13。借助监控二极管13可以确定由于外部影响例如温度改变或者由于半导体激光器的老化引起的光学输出功率的改变。监控二极管13优选与电调节回路相连，通过该调节回路重新调节工作电流强度用于实现所希望的光学输出功率。

提高半导体激光器的用作辐射耦合输出面的第一侧小面7的反射率R₁具有的优点是，在相同工作电流强度情况下可以减小半导体激光器的谐振器长度，而在此并不低于激光器阈值。尤其是谐振器长度从原始的谐振器长度L_a缩短至谐振器长度L_b可以通过如下方式来补偿：第一侧小面7的反射率R_1，b相对于半导体激光器的第一侧小面7的原始反射率R_1，a如下地增大：

$R_{1b}=\frac{1}{R_{2,a}*\exp (\frac{L_b}{L_a}*\ln [\frac{1}{R_{2,a}*R_{1,a}}\left]\right)}$

通过减小半导体激光器的谐振器长度，可能的是在晶片上制造更大数量的半导体激光器，由此有利地降低了制造成本。优选的是，激光谐振器的长度为450μm或者更小。

这里所描述的边发射的半导体激光器有利地用在如下应用中：其中小的输出功率例如10mW或者更小、优选5mW或者更小是足够的，然而希望在器件的寿命期间稳定的工作以及成本低廉的制造方法。

本发明并未通过借助实施例的描述而受到限制。更确切地说，本发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，尤其是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中说明。

Claims (15)

1.一种边发射的半导体激光器，具有半导体本体(1)，所述半导体本体具有波导区域，其中

—波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的用于产生激光辐射(5)的有源层(3)，

—波导区域(4)设置在第一覆盖层(1A)和第二覆盖层(1B)之间，所述第二覆盖层在半导体本体(10)的生长方向上设置在波导区域(4)之后，

其特征在于，

—波导区域(4)具有400nm或者更小的厚度d，以及

—在平行于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角α_P和在垂直于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角α_S彼此相差小于3倍。

2.根据权利要求1所述的边发射的半导体激光器，其中波导区域(4)具有300nm或者更小的厚度d。

3.根据权利要求1或2所述的边发射的半导体激光器，其中发射角α_S和发射角α_P彼此相差小于2倍。

4.根据上述权利要求之一所述的边发射的半导体激光器，其具有用于激光辐射(5)的射束成形的透镜(19)。

5.根据权利要求4所述的边发射的半导体激光器，其中所述透镜(19)是球面透镜。

6.根据权利要求4或5所述的边发射的半导体激光器，其中所述透镜包含在半导体激光器的壳体(14)中。

7.根据权利要求6所述的边发射的半导体激光器，其中所述壳体(14)是晶体管轮廓壳体或者表面安装技术壳体。

8.根据上述权利要求之一所述的边发射的半导体激光器，其中半导体本体(10)的用作辐射耦合输出面的第一侧小面(7)设置有提高反射的涂层(9A)。

9.根据权利要求8所述的边发射的半导体激光器，其中提高反射的涂层(9A)的反射率为75％或者更高。

10.根据权利要求9所述的边发射的半导体激光器，其中提高反射的涂层(9A)的反射率为85％或者更高。

11.根据权利要求10所述的边发射的半导体激光器，其中提高反射的涂层(9A)的反射率为95％或者更高。

12.根据上述权利要求之一所述的边发射的半导体激光器，其中在半导体激光器的与辐射耦合输出面对置的第二侧小面(8)之后设置有监控二极管(13)。

13.根据上述权利要求之一所述的边发射的半导体激光器，其具有长度为450μm或者更小的激光谐振器。

14.根据上述权利要求之一所述的边发射的半导体激光器，其具有10mW或者更低的光学输出功率。

15.根据上述权利要求之一所述的边发射的半导体激光器，其中所发射的激光辐射(5)具有在430nm到540nm之间的波长附近的强度最大值。

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