CN102360063B - 测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法，所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、选择电池片一或电池片二，电池片一正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，步骤二、制作封装前电池片试样，步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线，步骤四、制作封装后电池片试样，步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线，步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。本发明提供了一种简单的测试晶硅组件光谱的方法，将电池片与组件联系起来分析研究问题。

Description

测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法
技术领域
本发明涉及测试和制作被测样品的方法，具体指测试经过EVA和玻璃封装后电池片的光谱响应和反射率的方法。
背景技术
太阳能电池能把光能转变为电能，但不同波长的光能转变为电能的比例是不同的，这种性质称为太阳能电池的光谱响应。光谱特性的测量是用一定强度的单色光照射太阳能电池，测量此时电池的短路电流，然后依次改变单色光的波长，再重复测量以得到在各个波长下的短路电流，即反映了电池的光谱特性。目前，在电池片的光谱响应方面有较多的研究，但是组件上并没有这一测试手段和方法，因此从电池片到组件的一些特性研究有些脱节。
发明内容
本发明的目的是针对现有分析电池片到组件光谱特性技术的不足，而提供一种简单的测试晶硅组件光谱的方法，将电池片与组件联系起来分析研究问题。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种测试晶硅组件即封装后电池片的光谱响应和反射率的方法，所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、选择电池片
选择电池片一或电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，
步骤二、制作封装前电池片试样
在所述电池片一正面负极上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；或在所述电池片二背面正、负极上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样，
步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线
测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试封装前电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片试样一和电池片试样二上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比，
步骤四、制作封装后电池片试样
对于封装前电池片一试样，在其正面依次叠层上EVA和玻璃，焊带露出玻璃，背面不需要EVA和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片一试样；对于封装前电池片二试样，在其正面叠层上EVA和玻璃，两根焊带露出玻璃，背面或依次叠层上EVA和背板，或不依次叠层上EVA和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片二试样，
步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线
测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线时，首先测试点与封装前的要一致；其次，对于封装后电池片一试样，测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连，其背面与光谱响应设备的平台紧密相接；而对于封装后电池片二试样，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连，
步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。
从上述技术方案可以看出，本发明不仅能够对比不同电池片封装后的反射率和光谱响应差异，及同一种电池片封装前后的光谱响应变化，也能对比同一种电池片用不同种类的玻璃和EVA封装后的光谱响应变化，从而定性地得到经玻璃和EVA封装后电池到组件的短路电流变化。
本发明的有益效果是： 
本发明提供了一种对比电池片和组件光谱响应的方法，将电池片和组件联系起来，有利于对比电池片封装前和封装后的光谱特性，为研究电池片经封装后短路电流的变化提供了一个分析依据。从而定量地得到经玻璃和EVA封装后电池到组件的短路电流变化。
附图说明
图1为本发明涉及的电池片一封装结构示意图。
图2为本发明涉及的电池片二封装结构示意图。
图中附图标记：
电池片一11、电池片二12；
焊带2
EVA 3
玻璃4。
具体实施方式
本发明适用于不同结构的电池片，包括传统工艺晶硅电池片和非传统工艺晶硅电池片；电池片的规格可以任意，但是电池片上必须可以连接出正负极。
下面附图是对本发明的进一步说明。
步骤一、选择电池片
选择两种不同结构的电池片：电池片一和电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面
步骤二、制作封装前电池片试样
在所述电池片一正面负极上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；在所述电池片二背面正、负极上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样；
步骤三、测试封装前电池片的光谱响应和反射率曲线
测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，测试时需要简单改造光谱响应设备，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片试样一和电池片试样二上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比；
步骤四、制作封装后电池片试样
将步骤三测试完的电池片试样用玻璃和EVA封装起来。对于封装前电池片一试样，在其正面依次叠层上EVA和玻璃，焊带需露出玻璃约2cm，背面不需要EVA和背板，结构见图1，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片一试样；对于封装前电池片二试样，在其正面叠层上EVA和玻璃，两根焊带需露出玻璃约2cm，背面可以依次叠层上EVA和背板，也可以不用，结构见图2，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片二试样。
步骤五、测试封装后电池片的光谱响应和反射率曲线
测试封装后电池片的光谱响应和反射率曲线时，首先测试点与封装前的要一致；其次，对于封装后电池片一，测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连，其背面与光谱响应设备的平台紧密相接；而对于封装后电池片二，测试时也需要简单改造光谱响应设备，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连。
步骤六、对比封装前、后电池片一和电池片二的光谱曲线和反射率曲线
最后对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。
（1）玻璃和EVA对电池片有一定的减反射效果；
（2）封装后电池的电流要比封装前高一些。

Claims (1)

1.一种测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、选择电池片
选择电池片一或电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，
步骤二、制作封装前电池片试样
在所述电池片一正面负极栅线上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；或在所述电池片二背面正、负极栅线上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样，
步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线
测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试封装前电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片一试样和电池片二试样上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比，
步骤四、制作封装后电池片试样
对于封装前电池片一试样，在其正面依次叠层上EVA和玻璃，焊带露出玻璃，背面不需要EVA和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片一试样；对于封装前电池片二试样，在其正面叠层上EVA和玻璃，两根焊带露出玻璃，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片二试样，
步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线
测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线时，首先测试点与封装前的要一致；其次，对于封装后电池片一试样，测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连，其背面与光谱响应设备的平台紧密相接；而对于封装后电池片二试样，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连，
步骤六、对比封装前、后电池片一试样和封装前、后电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。
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