CN102360063B - 测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法 - Google Patents

测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102360063B
CN102360063B CN2011102793466A CN201110279346A CN102360063B CN 102360063 B CN102360063 B CN 102360063B CN 2011102793466 A CN2011102793466 A CN 2011102793466A CN 201110279346 A CN201110279346 A CN 201110279346A CN 102360063 B CN102360063 B CN 102360063B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cell piece
spectral response
sample
encapsulation
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2011102793466A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102360063A (zh
Inventor
乔虹桥
郭志球
顾斌峰
刘强
张斌
邢国强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIANGYIN XINHUI SOLAR ENERGY CO Ltd
Original Assignee
JIANGYIN XINHUI SOLAR ENERGY CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGYIN XINHUI SOLAR ENERGY CO Ltd filed Critical JIANGYIN XINHUI SOLAR ENERGY CO Ltd
Priority to CN2011102793466A priority Critical patent/CN102360063B/zh
Publication of CN102360063A publication Critical patent/CN102360063A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102360063B publication Critical patent/CN102360063B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

本发明涉及一种测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法，所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、选择电池片一或电池片二，电池片一正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，步骤二、制作封装前电池片试样，步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线，步骤四、制作封装后电池片试样，步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线，步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。本发明提供了一种简单的测试晶硅组件光谱的方法，将电池片与组件联系起来分析研究问题。

Description

测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法
技术领域
本发明涉及测试和制作被测样品的方法，具体指测试经过EVA和玻璃封装后电池片的光谱响应和反射率的方法。
背景技术
太阳能电池能把光能转变为电能，但不同波长的光能转变为电能的比例是不同的，这种性质称为太阳能电池的光谱响应。光谱特性的测量是用一定强度的单色光照射太阳能电池，测量此时电池的短路电流，然后依次改变单色光的波长，再重复测量以得到在各个波长下的短路电流，即反映了电池的光谱特性。目前，在电池片的光谱响应方面有较多的研究，但是组件上并没有这一测试手段和方法，因此从电池片到组件的一些特性研究有些脱节。
发明内容
本发明的目的是针对现有分析电池片到组件光谱特性技术的不足，而提供一种简单的测试晶硅组件光谱的方法，将电池片与组件联系起来分析研究问题。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种测试晶硅组件即封装后电池片的光谱响应和反射率的方法，所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、选择电池片
选择电池片一或电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，
步骤二、制作封装前电池片试样
在所述电池片一正面负极上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；或在所述电池片二背面正、负极上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样，
步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线
测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试封装前电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片试样一和电池片试样二上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比，
步骤四、制作封装后电池片试样
对于封装前电池片一试样，在其正面依次叠层上EVA和玻璃，焊带露出玻璃，背面不需要EVA和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片一试样；对于封装前电池片二试样，在其正面叠层上EVA和玻璃，两根焊带露出玻璃，背面或依次叠层上EVA和背板，或不依次叠层上EVA和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片二试样，
步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线
测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线时，首先测试点与封装前的要一致；其次，对于封装后电池片一试样，测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连，其背面与光谱响应设备的平台紧密相接；而对于封装后电池片二试样，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连，
步骤六、对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。
从上述技术方案可以看出，本发明不仅能够对比不同电池片封装后的反射率和光谱响应差异，及同一种电池片封装前后的光谱响应变化，也能对比同一种电池片用不同种类的玻璃和EVA封装后的光谱响应变化，从而定性地得到经玻璃和EVA封装后电池到组件的短路电流变化。
本发明的有益效果是： 
本发明提供了一种对比电池片和组件光谱响应的方法，将电池片和组件联系起来，有利于对比电池片封装前和封装后的光谱特性，为研究电池片经封装后短路电流的变化提供了一个分析依据。从而定量地得到经玻璃和EVA封装后电池到组件的短路电流变化。
附图说明
图1为本发明涉及的电池片一封装结构示意图。
图2为本发明涉及的电池片二封装结构示意图。
图中附图标记：
电池片一11、电池片二12；
焊带2
EVA 3
玻璃4。
具体实施方式
本发明适用于不同结构的电池片，包括传统工艺晶硅电池片和非传统工艺晶硅电池片；电池片的规格可以任意，但是电池片上必须可以连接出正负极。
下面附图是对本发明的进一步说明。
步骤一、选择电池片
选择两种不同结构的电池片：电池片一和电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面
步骤二、制作封装前电池片试样
在所述电池片一正面负极上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；在所述电池片二背面正、负极上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样；
步骤三、测试封装前电池片的光谱响应和反射率曲线
测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，测试时需要简单改造光谱响应设备，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片试样一和电池片试样二上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比；
步骤四、制作封装后电池片试样
将步骤三测试完的电池片试样用玻璃和EVA封装起来。对于封装前电池片一试样，在其正面依次叠层上EVA和玻璃，焊带需露出玻璃约2cm，背面不需要EVA和背板，结构见图1，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片一试样；对于封装前电池片二试样，在其正面叠层上EVA和玻璃，两根焊带需露出玻璃约2cm，背面可以依次叠层上EVA和背板，也可以不用，结构见图2，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片二试样。
步骤五、测试封装后电池片的光谱响应和反射率曲线
测试封装后电池片的光谱响应和反射率曲线时，首先测试点与封装前的要一致；其次，对于封装后电池片一，测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连，其背面与光谱响应设备的平台紧密相接；而对于封装后电池片二，测试时也需要简单改造光谱响应设备，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连。
步骤六、对比封装前、后电池片一和电池片二的光谱曲线和反射率曲线
最后对比封装前、后电池片一试样和电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。
（1）玻璃和EVA对电池片有一定的减反射效果；
（2）封装后电池的电流要比封装前高一些。

Claims (1)

1.一种测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、选择电池片
选择电池片一或电池片二，其中电池片一为传统工艺的晶硅电池片，其正面有负极栅线，背面有正极栅线；而电池片二为非传统工艺的晶硅电池片，其正面没有栅线，正、负极栅线均在背面，
步骤二、制作封装前电池片试样
在所述电池片一正面负极栅线上焊接或粘接上一根焊带引出负极，电池片一背面不做改变，制作成封装前电池片一试样；或在所述电池片二背面正、负极栅线上分别焊接或粘接上一根焊带引出正、负极，制作成封装前电池片二试样，
步骤三、测试封装前电池片试样的光谱响应和反射率曲线
测试封装前电池片一试样的光谱响应和反射率曲线时，电池片一试样的正面负极与光谱响应设备的探针相连，背面与光谱响应设备的平台紧密相接；测试封装前电池片二试样的光谱响应和反射率曲线时，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片二试样正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连；另外，在测试时，圈定电池片一试样和电池片二试样上的测试点，以便封装后选取同样的测试点做对比，
步骤四、制作封装后电池片试样
对于封装前电池片一试样，在其正面依次叠层上EVA和玻璃，焊带露出玻璃，背面不需要EVA和背板，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片一试样；对于封装前电池片二试样，在其正面叠层上EVA和玻璃，两根焊带露出玻璃，然后放进层压机进行层压，制作成封装后电池片二试样，
步骤五、测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线
测试封装后电池片试样的光谱响应和反射率曲线时，首先测试点与封装前的要一致；其次，对于封装后电池片一试样，测试时其正面负极与光谱响应设备的探针相连，其背面与光谱响应设备的平台紧密相接；而对于封装后电池片二试样，将光谱响应设备的平台改成探针型，使电池片正、负两极在测试时分别与光谱响应设备的两极相连，
步骤六、对比封装前、后电池片一试样和封装前、后电池片二试样的光谱曲线和反射率曲线，并得出结论。
CN2011102793466A 2011-09-20 2011-09-20 测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法 Expired - Fee Related CN102360063B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011102793466A CN102360063B (zh) 2011-09-20 2011-09-20 测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011102793466A CN102360063B (zh) 2011-09-20 2011-09-20 测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102360063A CN102360063A (zh) 2012-02-22
CN102360063B true CN102360063B (zh) 2013-06-26

Family

ID=45585424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011102793466A Expired - Fee Related CN102360063B (zh) 2011-09-20 2011-09-20 测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102360063B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103048120B (zh) * 2012-12-21 2015-04-01 东莞南玻光伏科技有限公司 太阳能光伏组件的反射率测试方法
CN111795953A (zh) * 2019-04-04 2020-10-20 天合光能股份有限公司 一种快速面测多晶硅片反射率的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1901236A (zh) * 2006-07-03 2007-01-24 王兴华 太阳能电池组件制造方法
CN201050126Y (zh) * 2007-04-28 2008-04-23 保定天威英利新能源有限公司 光电玻璃幕墙
CN101311742A (zh) * 2007-05-22 2008-11-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种测试太阳电池组件效率的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6515449B1 (en) * 2001-11-21 2003-02-04 Ngk Spark Plug Co., Ltd Battery with lead/nugget protection insert

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1901236A (zh) * 2006-07-03 2007-01-24 王兴华 太阳能电池组件制造方法
CN201050126Y (zh) * 2007-04-28 2008-04-23 保定天威英利新能源有限公司 光电玻璃幕墙
CN101311742A (zh) * 2007-05-22 2008-11-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种测试太阳电池组件效率的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2003-178747A 2003.06.27

Also Published As

Publication number Publication date
CN102360063A (zh) 2012-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2053665A2 (en) Process testers and testing methodology for thin-film photovoltaic devices
TW201122506A (en) Method and device for characterizing at least one solar cell module
CN108922945B (zh) 评估双面太阳能电池和其发射极量子效率的系统及方法
JP5128564B2 (ja) 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
Vorasayan et al. Limited laser beam induced current measurements: a tool for analysing integrated photovoltaic modules
CN102360063B (zh) 测试晶硅组件光谱响应和反射率的方法
Forsyth et al. Use of the suns-Voc for diagnosing outdoor arrays & modules
CN202275139U (zh) 测试晶硅组件光谱响应和反射率的装置
CN109037091B (zh) 一种切片电池参考片及其标定方法
Shi et al. Refined nano-textured surface coupled with SiNx layer on the improved photovoltaic properties of multi-crystalline silicon solar cells
CN106230379B (zh) 一种多结太阳电池芯片的检测装置及检测方法
CN104269449B (zh) 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法
Roy Comprehensive analysis and modeling of cell to module (CTM) conversion loss during c-Si Solar Photovoltaic (SPV) module manufacturing
EP3989436A1 (en) Testing method for testing currents of subcells of multi-junction tandem photovoltaic cell and degree of matching between currents
CN108562856A (zh) 太阳能电池阵列并联内阻的在线检测装置及其检测方法
Dumbrell et al. Extracting surface saturation current density from lifetime measurements of samples with metallized surfaces
Yang et al. Effect of binding force between silver paste and silicon on power degradation of crystalline silicon solar module
CN106911304A (zh) 一种双面太阳能电池双光源测试设备
CN206629032U (zh) 一种双面太阳能电池双光源测试设备
Zhang et al. Investigation of SHJ module degradation: a post-mortem approach
CN206640554U (zh) 一种双面太阳能电池测试设备
Soufiani et al. Contactless series resistance imaging of perovskite solar cells via inhomogeneous illumination
CN104065340A (zh) 一种太阳电池片检测系统及其测量方法
CN110324004A (zh) 一种太阳能电池的量子效率指标的测试方法和系统
Kumar et al. High-Speed Laser Beam Induced Current Imaging: A Complementary Quantitative Diagnostic Tool for Modules

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130626

Termination date: 20210920