CN102290621A - Dgs低通滤波器 - Google Patents

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CN2011102037740A
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Inventor
陈波
彭皞
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Dfine Technology Co Ltd
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Dfine Technology Co Ltd
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Abstract

本发明的DGS低通滤波器,涉及电子技术领域,旨在解决低通滤波器尺寸复杂、体积较大等技术问题。本发明的DGS低通滤波器,由两个完全相同的哑铃状DGS结构和一根微带线构成,两个DGS结构蚀刻于基片上,并平行排布在微带线背面,每个DGS结构中间连接部的中心线与另一个DGS结构中间连接部的中心线相互平行,并与微带线中心线垂直。

Description

DGS低通滤波器
技术领域
本发明涉及电子技术领域,特别是一种应用于微波通信领域的本振源接收机中的DGS低通滤波器。
背景技术
对目前小型化宽带接收机,低通滤波器是小型化宽带接收机重要组成部分。当前市场上高频段的低通滤波器尺寸复杂,体积较大。在微带线背面周期地刻上图形,形成的PBG(photonic bandgap)结构在某个频率上具有带阻效应。LC并联电路具有带阻特性,因此,单个DGS单元可用LC并联电路等效。
发明内容
本发明旨在解决传统低通滤波器尺寸复杂、体积较大等技术问题,以提供具有体积小、结构简单等优点的DGS低通滤波器。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
本发明的DGS低通滤波器,由两个完全相同的哑铃状DGS结构和一根微带线构成,两个DGS结构蚀刻于基片上,并平行排布在微带线背面,每个DGS结构中间连接部的中心线与另一个DGS结构中间连接部的中心线相互平行,并与微带线中心线垂直。
本发明的DGS低通滤波器,其中所述的DGS结构为在微带线背面的绝缘基片上蚀刻出的哑铃状图形,哑铃状图形的两个头部为正方形,微带线的方向与该哑铃状图形中间连接部的中心线方向空间垂直。
本发明的DGS低通滤波器,其中所述DGS结构头部边长为1.3mm~4.6mm,DGS结构哑铃状图形中间连接部宽度为0.2mm~0.6mm。
本发明的DGS低通滤波器,其中所述的基片为RT/duroid 5880,基片厚度为0.254。
本发明DGS低通滤波器的有益效果:体积小、结构简单、性能稳定可靠。
 
附图说明
图1 本发明的电路原理图
图2 本发明的等效电路图
图3 DSG结构的示意图
图4 DGS的EM仿真结果示意图
图5 DGS等效电路图
图6巴特沃斯低通滤波器原型电路图
图7 LC等效电路的ADS仿真示意图
图8低通滤波器的EM仿真示意图
图中标号说明:
a DGS正方形头部边长
b DGS正方形头部边长
g DGS结构中间连接部宽度
w 与两个DGS结构相接微带线的宽度
w1 微带线左右两个端部的宽度
具体实施方式
本发明详细结构、应用原理、作用与功效,参照附图1-8,通过如下实施方式予以说明。
本发明由两个完全相同的哑铃状DGS结构和一根微带线构成,两个DGS结构蚀刻于基片上,并平行排布在微带线背面,每个DGS结构中间连接部的中心线与另一个DGS结构中间连接部的中心线相互平行,并与微带线中心线垂直。
DGS结构为在微带线背面的绝缘基片上蚀刻出的哑铃状图形,哑铃状图形的两个头部为正方形,微带线的方向与该哑铃状图形中间连接部的中心线方向空间垂直。DGS结构头部边长a或b为1.3mm~4.6mm,DGS结构哑铃状图形中间连接部宽度g为0.2mm~0.6mm。基片为RT/duroid 5880,基片厚度为0.254。
在微带线背面周期地刻上图形,形成的PBG(photonic bandgap)结构在某个频率上具有带阻效应。PBG的研究最初主要在光学领域,但实际的应用频率范围很宽,已在微波和毫米波电路中得到应用。Defected Ground Structure(DGS) 就是在微带线背面蚀刻出哑铃状的图形,它已应用于定向耦合器、滤波器和功率放大器的设计。
本发明用Ansoft Ensemble仿真软件分析DGS的频率特性,利用电磁场仿真结果和ADS2004的电路仿真结果提取其等效电路的参数值,只使用了两个DGS单元和一根微带线做宽带低通滤波器。
DGS 单元在HFSS里的电磁仿真结果如附图4所示,单元的频率特性曲线与单极点巴特沃斯低通滤波器的响应相似,都可由其3 dB截止频率和谐振频率决定。反映出了低通滤波器的特性。我们得到它的3dB截止频率为6GHz。
众所周知, LC并联电路具有带阻特性。因此,单个DGS单元可用LC并联电路等效,如附图5示,巴特沃斯低通滤波器原型的电路原理图可见附图6。改变DGS的参数也必将改变其频率特性和等效的LC参数值。
本发明提及的DGS单元微带滤波器的等效L,C值为0.135nH和0.835pF。其电路仿真结果与EM仿真结果相似,参见附图7所示。
DGS低通滤波器截止频率与微带线背面蚀刻出哑铃状的格子大小有关,被蚀刻的格子可以等效于串联电感。当被蚀刻的格子尺寸减小,截止频率将会升高。此外截止频率也与DGS蚀刻的间隙g有关,它们的尺寸改变都将影响等效LC并联电路的L,C值。下面用图表说明:
表一  DGS微带线频率特性及其等效LC值与方格的关系
DGS尺寸(mm) a=b=1.3 a=b=2.5 a=b=4.6
电感值(nH) 0.3675 0.865945 1.97725
电容值(pF) 0.51222 0.52845 0.537947
截止频率(GHz) 10.15 6.085 3.62
表二  DGS微带线频率特性及其等效LC值与间隙g关系
DGS尺寸(mm) g=0.2 g=0.4 g=0.6
电感值(nH) 0.81051 0.90712 0.96825
电容值(pF) 0.60286 0.43306 0.34247
截止频率 (GHz) 6.0 6.4 6.72
本发明使用两个DGS结构和一根微带线构建了低通滤波器,示意图见附图1。等效LC电路见附图2。仿真基片用RT/duroid 5880,厚度为0.254。在HFSS里进行仿真。尺寸为:a=b=3mm, w=3mm, w1=1.4mm, g=0.4mm. 在HFSS中仿真曲线见附图8所示。
本发明使用两个DGS结构和一根微带线设计出了低通滤波器,DGS微带线的频率特性受方格面积影响较大,受间隙影响相对较小。DGS微带线低通滤波器的实验测试、电路仿真和电磁场仿真结果表明DGS等效电路及其参数的提取方法是可行的。DGS由其结构简单,尺寸小将在微波电路中得到广泛应用。

Claims (4)

1.DGS低通滤波器,其特征在于:由两个完全相同的哑铃状DGS结构和一根微带线构成,两个DGS结构蚀刻于基片上,并平行排布在微带线背面,每个DGS结构中间连接部的中心线与另一个DGS结构中间连接部的中心线相互平行,并与微带线中心线垂直。
2.如权利要求1所述的DGS低通滤波器,其特征在于:所述的DGS结构为在微带线背面的绝缘基片上蚀刻出的哑铃状图形,哑铃状图形的两个头部为正方形,微带线的方向与该哑铃状图形中间连接部的中心线方向空间垂直。
3.如权利要求1所述的DGS低通滤波器,其特征在于:所述DGS结构头部边长为1.3mm~4.6mm,DGS结构哑铃状图形中间连接部宽度为0.2mm~0.6mm。
4.如权利要求1所述的DGS低通滤波器,其特征在于:所述的基片为RT/duroid 5880,基片厚度为0.254。
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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