CN102290309A - 场发射显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种场发射显示装置，包括相对设置的一阳极结构以及一阴极结构。阳极结构包括一阳极基板、一阳极层、复数个介电图案以及复数个发光图案。阴极结构包括一与阳极基板面对设置的阴极基板、复数个阴极图案以及复数个场发射源，其中各场发射源是对应于阳极结构的各发光图案。本发明提出的场发射显示器，阳极结构中的介电图案造可造成电位线的扭曲，使介电图案边缘的局部电场增强吸引场发射源所发射出的电子，因此可有效提高电子发射均匀性。此外，由于本发明具有简化的阴极结构，所以可避免场发射源在制程中受到破坏。
Description
技术领域
本发明是关于一种场发射显示器，尤指一种能提高电子发射均匀性，且可避免场发射源在制程中受到破坏的场发射显示器。
背景技术
场发射显示器是继阴极射线管显示器及液晶显示器之后，最具发展潜力的下一代兴新技术。相对于现有的显示技术，场发射显示器具有低驱动电压、无视角限制、操作温度范围大、高亮度、高对比及色彩饱和等优点，尤其是奈米碳管场发射显示器，近年来越来越受到重视。
一般而言，场发射显示器包括一涂布有荧光材料的阳极基板和一设置有复数个场发射源的阴极基板。在真空环境下利用强电场使场发射源的电子游离出，而离开阴极基板的场发射电子受阳极基板正电压的加速吸引，撞击至阳极基板的荧光材料而发光。而奈米碳管因为具有低场发射起始电压的特性，目前是制作场发射源最佳的材料之一，但奈米碳管在制程上会有不稳定的表现，而影响发光均匀性。为了提高电子发射的均匀性，习知的场发射显示器中常会在阴极基板上设置介电材料或是信道等外加结构，以诱导电子有效撞击阳极基板上的荧光层而发光，进而提升发光效果。然而，在制程中，场发射源容易受到阴极基板上外加结构的影响而受损或是产生电子偏向等问题，因此如何避免对场发射源造成破坏的前提下提高电子发射的均匀性已成为学者研究的目标。
发明内容
本发明的主要目的之一在于提供一种场发射显示器，以提高电子发射的均匀性，同时避免场发射源在制程中受到破坏。
为达上述目的，本发明提供一种场发射显示装置，具有相对设置的一阳极结构以及一阴极结构。阳极结构包括一阳极基板、一阳极层、复数个介电图案以及复数个发光图案。阴极结构包括一与阳极基板面对设置的阴极基板、复数个阴极图案以及复数个场发射源，其中各场发射源是对应于阳极结构的各发光图案。
根据本发明提出的场发射显示器，阳极结构中的介电图案造可造成电位线的扭曲，使介电图案边缘的局部电场增强吸引场发射源所发射出的电子，因此可有效提高电子发射均匀性。此外，由于本发明具有简化的阴极结构，所以可避免场发射源在制程中受到破坏。
附图说明
图1为本发明第一实施例的场发射显示装置的示意图。
图2至图5为制作本发明第一实施例的阳极结构的方法的示意图。
图6及图7为制作本发明第一实施例的阴极结构的方法的示意图。
第8图为本发明第二实施例的场发射显示装置的示意图。
【主要组件符号说明】
| 10 | 阳极结构 | 12 | 阳极基板 |
| 14 | 阳极层 | 16 | 介电图案 |
| 16’ | 介电材料层 | 18 | 发光图案 |
| 20 | 阴极结构 | 22 | 阴极基板 |
| 24 | 阴极图案 | 26 | 场发射源 |
| 30 | 闸极 | 100,200 | 场发射显示装置 |
| D | 介电区域 | L | 发光区域 |
| T | 厚度 | V1,V2 | 电压 |
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下将通过具体实施例和相关附图，对本发明作进一步详细说明。
请参考图1，图1为本发明第一实施例的场发射显示装置的示意图。如图1所示，本发明第一实施例的场发射显示装置100包括一阳极结构10以及一阴极结构20。阳极结构10包括一阳极基板12、一阳极层14、复数个介电图案16以及复数个发光图案18。在本实施例中，阳极基板12上定义有复数个介电区域D以及复数个发光区域L。阳极层14是位于阳极基板12上，且阳极层14可包括一透明电极层，例如一氧化铟锡层。介电图案16是位于阳极层14上并分别对应于阳极基板12的各介电区域D。在本实施例中，介电图案16包括一绝缘图案或一光阻图案，且介电图案16的厚度T较佳是大于10微米，但不限于此。发光图案18是位于阳极层14上并分别对应阳极基板12的各发光区域L。在本实施例中，发光图案18可包括一荧光图案，但不限于此。阴极结构20包括一与阳极基板12面对设置的阴极基板22、复数个阴极图案24以及复数个场发射源26。阴极图案24是位于阴极基板22上并分别对应阳极基板12的各发光区域L，且阴极图案24可包括一金属电极图案，但不以此为限。场发射源26是分别位于各阴极图案24之上。在本实施例中，场发射源26包括一奈米碳管，但不限于此，亦可为其它具有发射电子功能的材料。值得注意的是，在本实施例中，阳极结构10以及阴极结构20是相对设置，且阴极结构20中的各场发射源26是对应于阳极结构10的各发光图案18。
请参考图2至图5，图2至图5为制作本发明第一实施例的阳极结构的方法的示意图。如图2所示，首先提供一阳极基板12，并于阳极基板12上定义出复数个介电区域D以及复数个发光区域L。之后，于阳极基板12上形成一阳极层14。接着，如图3所示，覆盖一介电材料层16’于阳极层14上。在本实施例中，介电材料层16’可包括一绝缘材料或一光阻材料，但不限于此。然后，如图4所示，可利用一微影暨蚀刻制程去除部分介电材料层16’，以于阳极层14上形成复数个对应介电区域D的介电图案16。最后，如图5所示，利用一涂布或是一网印制程将一发光材料覆盖于阳极基板12的各发光区域L之上，以于阳极基板12上形成发光图案18。在本实施例中，发光材料是一荧光材料，但不限于此。另外，请参考图6及图7，图6及图7为制作本发明第一实施例的阴极结构的方法的示意图。如图6所示，首先提供一阴极基板22并形成阴极图案24于阴极基板22上。接着，如图6所示，利用例如一网印制程于各阴极图案24上形成场发射源26。
在本发明第一实施例中，如图1所示，于阳极层14以及阴极图案24之间提供一电压V1可使场发射源26发射出电子，并使电子撞击阳极结构10中的发光图案18，将电子的动能转换成为光能，而在本实施例中，阳极结构10中的介电图案16可造成电位线的扭曲，使介电图案16边缘的局部电场增强吸引场发射源26所发射出的电子，因此可有效提高电子发射均匀性。
请参考图8，图8为本发明第二实施例的场发射显示装置的示意图。为了更清楚比较不同实施例之间的差异，在本实施例与第二较佳实施例中使用相同的标号标注相同的组件，并仅针对两实施例的相异处进行说明，相同的部分不再赘述。如图8所示，场发射显示装置200具有一阳极结构10、一阴极结构20以及复数个闸极30。闸极30是分别位于阳极基板12的各介电图案16之上。相较于本发明第一实施例的操作方式，本实施例是于闸极30以及阴极图案24之间提供一较小的电压V2，即可使场发射源26发射出电子。此外，本实施例可藉由调整闸极30以及阴极图案24之间的电压V2以控制场发射源发射出的电子密度。
综上所述，根据本发明第一实施例以及第二实施例提出的场发射显示器，阳极结构中的介电图案可造成电位线的扭曲，使介电图案边缘的局部电场增强吸引场发射源所发射出的电子，因此可有效提高电子发射均匀性。此外，由于在本发明实施例中并未于阴极基板上设置其它外加结构，所以可避免阴极基板上的场发射源在制程中受到破坏。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (9)
1. 一种场发射显示装置，其特征在于，包括：
一阳极结构，包括：
一阳极基板，该阳极基板上定义有复数个介电区域以及复数个发光区域；
一阳极层，位于该阳极基板上；
复数个介电图案，位于该阳极层上并分别对应于该阳极基板的各该介电区域；以及
复数个发光图案，位于该阳极层上并分别对应该阳极基板的各该发光区域；以及
一阴极结构，包括：
一阴极基板，与该阳极基板面对设置；
复数个阴极图案，位于该阴极基板上并分别对应该阳极基板的各该发光区域；以及
复数个场发射源，分别位于各该阴极图案之上。
2.根据权利要求第1项所述的场发射显示装置，其特征在于，其中该阳极结构以及该阴极结构是相对设置，且该阴极结构中的各该场发射源是对应于该阳极结构的各该发光图案。
3. 根据权利要求第1项所述的场发射显示装置，其特征在于，其中该介电图案包括一绝缘图案或一光阻图案。
4. 根据权利要求第1项所述的场发射显示装置，其特征在于，其中该介电图案之一厚度是大于10微米。
5. 根据权利要求第1项所述的场发射显示装置，其特征在于，其中该发光图案包括一荧光图案。
6. 根据权利要求第1项所述的场发射显示装置，其特征在于，其中该场发射源包括一奈米碳管。
7. 根据权利要求第1项所述的场发射显示装置，其特征在于，其中该阳极层包括一透明电极层。
8. 根据权利要求第1项所述的场发射显示装置，其特征在于，其中该阴极图案包括一金属电极图案。
9.根据权利要求第1项所述的场发射显示装置，其特征在于，另包括复数个闸极，分别位于该阳极基板的各该介电图案之上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011102045357A CN102290309A (zh) | 2011-07-21 | 2011-07-21 | 场发射显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN2011102045357A CN102290309A (zh) | 2011-07-21 | 2011-07-21 | 场发射显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102290309A true CN102290309A (zh) | 2011-12-21 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN102290309A (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1622265A (zh) * | 2004-12-16 | 2005-06-01 | 中原工学院 | 带有聚焦电极结构的碳纳米管场发射平板显示器及其制作工艺 |
| CN101226863A (zh) * | 2007-01-18 | 2008-07-23 | 大同股份有限公司 | 场发射元件间隔物的制造方法及间隔物用的基材 |
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2011
- 2011-07-21 CN CN2011102045357A patent/CN102290309A/zh active Pending
Patent Citations (2)
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