CN102288100B - 一种基于交变电场的时栅直线位移传感器 - Google Patents

一种基于交变电场的时栅直线位移传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN102288100B
CN102288100B CN201110145967A CN201110145967A CN102288100B CN 102288100 B CN102288100 B CN 102288100B CN 201110145967 A CN201110145967 A CN 201110145967A CN 201110145967 A CN201110145967 A CN 201110145967A CN 102288100 B CN102288100 B CN 102288100B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
scale
gauge head
base body
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110145967A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102288100A (zh
Inventor
刘小康
彭东林
王先全
朱革
彭凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General technology group Guoshi Time Grating Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Chongqing University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing University of Technology filed Critical Chongqing University of Technology
Priority to CN201110145967A priority Critical patent/CN102288100B/zh
Publication of CN102288100A publication Critical patent/CN102288100A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102288100B publication Critical patent/CN102288100B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于交变电场的时栅直线位移传感器，包括测头基体和定尺基体两部分；测头基体下表面覆有左、右两个电极；定尺基体上表面均匀地覆有左、右两排电极，定尺左、右两排电极的起始位置相差1/2个电极宽度；测头基体的下表面与定尺基体的上表面相对平行放置，并留有一定间隙δ，形成左、右两组差动电容；测头基体与定尺基体相对移动；定尺左、右两排电极分别连接相位相差90°的等幅等频正弦激励电压，测头左、右电极分别产生的两路电场耦合信号经加法电路合成一路行波信号Uo，与一路相位固定的同频参考信号Ur整形后，进行比相；两路信号的相位差由插补的时钟脉冲表示，再通过变换得到直线位移值。它功耗低，重量轻，分辨力高，成本低。

Description

一种基于交变电场的时栅直线位移传感器
技术领域
本发明属于精密直线位移测量传感器。
技术背景
精密直线位移测量领域主要采用光栅、磁栅和容栅等栅式传感器，其测量基准采用的是按空间均分的周期性栅线，通过对栅线的计数而得到位移量。精密测量要求能够测出1mm~0.1mm的直线位移，为了达到测量的精度和分辨力要求，单靠精密刻线本身无法实现，需要采用高精度电子细分技术，从而使这些栅式传感器的制造工艺要求苛刻，成本高，抗干扰力差。
近年来国内研制出了一种以时钟脉冲作为位移测量基准的时栅传感器。而现有的时栅直线位移传感器是基于电磁感应原理进行测量，定子线圈连接激励电源，利用感应线圈作为动测头获取感应信号；在动测头移动过程中，因磁通量变化而使感应信号相位相应移动。为了实现高精度测量，这种时栅直线位移传感器的定子线圈和感应线圈基体要求采用导磁材料，造成传感器质量较重；制作工艺需要绕线，生产效率低；另外，需要对激励电源进行功率放大才能驱动定子线圈，以获取幅值足够大的感应信号，造成时栅直线位移传感器的功耗较大。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提出一种基于交变电场的时栅直线位移传感器，它不用精密刻线，不用电阻细分箱，而采用差动平板电容式结构，利用电场耦合原理获取信号，以时钟脉冲作为位移计量基准，达到功耗低，重量轻，分辨力高，成本低的目的。
本发明的技术方案如下：
一种基于交变电场的时栅直线位移传感器，包括测头基体和定尺基体两部分； 
所述测头基体下表面覆有左、右两个电极；所述定尺基体上表面均匀地覆有左、右两排电极，定尺左排电极的起始位置与定尺右排电极的起始位置相差1/2个电极宽度W，定尺左排电极的奇数号电极连成一组，偶数号电极连成一组，两组电极组成一个A激励相，定尺右排电极的奇数号电极连成一组，偶数号电极连成一组，两组电极组成一个B激励相；测头基体的下表面与定尺基体的上表面相对平行放置，测头基体的测头左电极与定尺左排电极正对，测头基体的测头右电极与定尺右排电极正对，并留有一定间隙δ，形成左、右两组差动电容。
测头基体与定尺基体相对移动，差动电容的相对覆盖面积将由大变小、再由小变大呈周期性变化，电容值也随之相应地呈周期性变化；定尺左排的A激励相与定尺右排的B激励相分别连接相位相差90°的等幅等频正弦激励电压Ua、Ub，测头左电极与测头右电极产生的两路电场耦合信号Uoa、Uob经加法电路合成一路行波信号Uo，该行波信号与一路相位固定的同频率参考信号Ur经整形电路整形后，由比相电路进行比相；两路信号的相位差由插补的高频时钟脉冲个数表示，再经过标度变换得到测头基体相对于定尺基体的直线位移值。
进一步，所述定尺左排电极和定尺右排电极的形状为方形且大小相同；所述测头左电极和测头右电极的形状为一条[0,π]区间的正弦曲线围成的区域形状，以获得幅值按正弦规律调制的电场耦合信号，且其长度和宽度均与定尺左排电极的每个电极相同。
进一步，所述定尺左排电极的奇数号电极与测头左电极形成差动电容C 1 ，偶数号电极与测头左电极形成差动电容C 2 ；所述定尺右排电极的奇数号电极与测头右电极形成差动电容C 3 ，偶数号电极与测头右电极形成差动电容C 4 ；所述差动电容C 1 和差动电容C 2 构成一组交流电桥，输出测量信号Ua 1 、Ua 2 ；所述差动电容C 3 和差动电容C 4 构成另一组交流电桥，输出测量信号Ub 1 、Ub 2 。
测量信号Ua 1 、Ua 2 通过第一仪表放大器U1 输出电场耦合信号Uoa；测量信号Ub 1 、Ub 2 通过第二仪表放大器U2输出电场耦合信号Uob；输出的两路电场耦合信号Uoa、Uob通过加法器U3合成输出一路行波信号Uo。
行波信号Uo与同频率参考信号Ur经整形电路整形成方波后，再进行比相。
本发明的技术方案是“时栅传感器的测量思想+磁栅和感应同步器的激励方式+容栅和旋转变压器的结构形式”，采用基于交变电场的驻波合成电行波的新方法，融合了现有的多种栅式位移传感器的优点。
本发明的有益效果是：采用差动平行电容极板构建的交变电场进行测量，利用交流电桥结构的传感器测头，通过同频率正交的两路驻波（电场耦合）信号叠加而成一个电行波信号，以高频时钟脉冲作为位移计量基准；因此，本传感器功耗低，重量轻，分辨力高，成本低。
附图说明
图1（a）是定尺基体和测头基体上的电极示意图；
图1（b）是定尺基体上的电极与测头基体上的电极的位置关系图；
图2是定尺左排电极、定尺右排电极的连接关系图；
图3是测头基体左电极与定尺左排电极形成的差动电容示意图；
图4（a）是定尺左排电极构成的交流电桥式结构电路图；
图4（b）是定尺右排排电极构成的交流电桥式结构电路图；
图5是行波信号Uo的合成电路原理图；
图6是本发明信号处理原理框图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
如图1（a）、图1（b）、图2、图4（a）、图4（b）所示，本发明所述的传感器包括测头基体1和定尺基体2两部分；采用石英作为基体材料，通过在石英表面喷镀一层铁镍合金作为电极。在定尺基体2的上表面均匀地覆有左、右两排尺寸相同的长方形电极，即定尺左排电极2-1和定尺右排电极2-2，每个电极大小为10mm*4.9mm，每排相邻电极之间的间距为0.1mm。定尺左排电极2-1与定尺右排电极2-2的个数相等，起始位置相差2.5mm。在测头基体1下表面覆有上、下两个电极，即测头左电极1-1和测头右电极1-2，每个电极大小为10mm*4.9mm，形状为一条[0,π]区间的正弦曲线围成的区域。
定尺左排的奇数号(即第1,3,5,…,55,57号)电极连成一组，偶数号(即第2,4,6,…,56,58号)电极连成一组，两组电极组成A激励相，在A激励相加上                                               
Figure 755795DEST_PATH_IMAGE002
激励信号。定尺右排的奇数号(即第1,3,5,…,55,57号)电极连成一组，偶数号(即第2,4,6,…,56,58号)电极连成一组，两组电极组成B激励相，在B激励相加上
Figure 109153DEST_PATH_IMAGE004
激励信号。
测头基体1的下表面与定尺基体2的上表面相对平行放置，测头基体1的测头左电极1-1与定尺左排电极2-1正对，测头基体1的测头右电极1-2与定尺右排电极2-2正对，并留有间隙d=0.2mm， 测头左电极1-1与定尺基体的A激励相的相邻两个电极形成差动电容C 1和C 2，其中C 1为测头左电极1-1与A激励相奇数号电极之间形成的电容，C 2为测头左电极1-1与A激励相偶数号电极之间形成的电容。测头右电极1-2与定尺基体的B激励相的相邻两个电极形成差动电容C 3和C 4，其中C 3为测头右电极1-2与B激励相奇数号电极之间形成的电容，C 4为测头右电极1-2与B激励相偶数号电极之间形成的电容。
如图3、图4（a）、图4（b）、图5所示，当测头基体1向左移动时，C 1电容的相对覆盖面积由小变大、再由大变小呈周期性变化，C 2电容的相对覆盖面积由大变小、再由小变大呈周期性变化，C 1和C 2的电容值也随之相应地呈周期性变化。采用交流电桥式结构电路获取测量信号，差动电容C 1和差动电容C 2构成一组交流电桥，输出测量信号Ua 1 、Ua 2 ；Ua 1接电桥的一端，作为参考点信号，Ua 2接测头左电极1-1。Ua 1和Ua 2分别与第一仪表放大器U1（INA141UA）的第2和3脚相连，第一仪表放大器U1的第6脚输出的信号Uoa可表示为：
Figure DEST_PATH_IMAGE005
                                   (1)
式中：Ke为电场耦合系数，x为测头和定尺之间的相对位移，W为电极宽度，这里取值为5.0mm。
同样地，差动电容C 3和差动电容C 4构成另一组交流电桥，输出测量信号Ub 1 、Ub 2 ；测头右电极1-2与B激励相产生的信号经处理后，从第二仪表放大器U2的第6脚输出，信号Uob可表示为：
                                   (2)
采用加法器U3（OPA277UA）构成的加法电路对两路驻波（电场耦合）信号Uoa和Uob进行处理，合成后的信号从加法器U3的第6脚输出，其数学表达式为：
Figure DEST_PATH_IMAGE007
        (3)
如图6所示，合成后的正弦行波信号Uo与一路相位固定的同频参考正弦信号Ur接入整形电路处理，转换为同频的两路方波信号后，送入比相电路进行处理，利用高频时钟插补技术得到两路信号的相位差，经微处理器计算处理后即可得到传感器测头基体与定尺基体之间的直线位移值。

Claims (4)

1.一种基于交变电场的时栅直线位移传感器，包括测头基体（1）和定尺基体（2）两部分，其特征是：
所述测头基体下表面覆有左、右两个电极；所述定尺基体上表面均匀地覆有左、右两排电极，定尺左排电极（2-1）的起始位置与定尺右排电极（2-2）的起始位置相差1/2个电极宽度，定尺左排电极的奇数号电极连成一组，偶数号电极连成一组，两组电极组成一个A激励相，定尺右排电极的奇数号电极连成一组，偶数号电极连成一组，两组电极组成一个B激励相；测头基体的下表面与定尺基体的上表面相对平行放置，测头基体的测头左电极（1-1）与定尺左排电极正对，测头基体的测头右电极（1-2）与定尺右排电极正对，并留有一定间隙δ，形成左、右两组差动电容；
测头基体与定尺基体相对移动；定尺左排的A激励相与定尺右排的B激励相分别连接相位相差90°的等幅等频正弦激励电压Ua、Ub，测头左电极与测头右电极产生的两路电场耦合信号Uoa、Uob经加法电路合成一路行波信号Uo，该行波信号与一路相位固定的同频率参考信号Ur经整形电路整形后，由比相电路进行比相；两路信号的相位差由插补的高频时钟脉冲个数表示，再经过标度变换得到测头基体相对于定尺基体的直线位移值；
所述定尺左排电极（2-1）和定尺右排电极（2-2）的形状为方形且大小相同；所述测头左电极（1-1）和测头右电极（1-2）的形状为半正弦形，且其长度和宽度均与定尺左排电极的每个电极相同。
2.根据权利要求1所述的基于交变电场的时栅直线位移传感器，其特征是：所述定尺左排电极（2-1）的奇数号电极与测头左电极（1-1）形成差动电容C 1 ，偶数号电极与测头左电极（1-1）形成差动电容C 2 ；所述定尺右排电极（2-2）的奇数号电极与测头右电极（1-2）形成差动电容C 3 ，偶数号电极与测头右电极（1-2）形成差动电容C 4 ；所述差动电容C 1 和差动电容C 2 构成一组交流电桥，输出测量信号Ua 1 、Ua 2 ；所述差动电容C 3 和差动电容C 4 构成另一组交流电桥，输出测量信号Ub 1 、Ub 2 。
3.根据权利要求2所述的基于交变电场的时栅直线位移传感器，其特征是：所述测量信号Ua 1 、Ua 2 通过第一仪表放大器U1 输出电场耦合信号Uoa；所述测量信号Ub 1 、Ub 2 通过第二仪表放大器U2输出电场耦合信号Uob；输出的两路电场耦合信号Uoa、Uob通过加法器U3合成输出一路行波信号Uo。
4.根据权利要求1或3所述的基于交变电场的时栅直线位移传感器，其特征是：所述行波信号Uo与同频率参考信号Ur经整形电路整形成方波后，再进行比相。
CN201110145967A 2011-06-01 2011-06-01 一种基于交变电场的时栅直线位移传感器 Active CN102288100B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110145967A CN102288100B (zh) 2011-06-01 2011-06-01 一种基于交变电场的时栅直线位移传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110145967A CN102288100B (zh) 2011-06-01 2011-06-01 一种基于交变电场的时栅直线位移传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102288100A CN102288100A (zh) 2011-12-21
CN102288100B true CN102288100B (zh) 2012-09-26

Family

ID=45334730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110145967A Active CN102288100B (zh) 2011-06-01 2011-06-01 一种基于交变电场的时栅直线位移传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102288100B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109238119A (zh) * 2017-12-15 2019-01-18 重庆理工大学 一种基于交变电场的绝对式时栅直线位移传感器

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103162606A (zh) * 2012-11-30 2013-06-19 陈晓玉 电容式非接触位置传感器
CN103075954B (zh) * 2012-12-26 2015-05-20 中北大学 一种曲面结构电场式时栅角位移传感器微纳制造方法
CN103591896B (zh) * 2013-11-29 2016-05-11 重庆理工大学 一种基于交变光场的时栅直线位移传感器
CN103644834B (zh) * 2013-12-24 2016-04-27 重庆理工大学 一种时栅直线位移传感器
CN103822571B (zh) * 2014-03-19 2016-11-02 重庆理工大学 基于单排多层结构的电场式时栅直线位移传感器
CN103968750B (zh) 2014-05-09 2017-01-18 重庆理工大学 一种电场式时栅角位移传感器
CN104019734B (zh) * 2014-06-19 2016-07-06 重庆理工大学 一种平面二维时栅位移传感器
CN104457544B (zh) * 2014-12-31 2016-11-02 重庆理工大学 时栅直线位移传感器
CN104655057B (zh) * 2015-02-11 2016-11-16 重庆理工大学 一种基于光强正交调制的时栅角位移传感器
CN104655023B (zh) * 2015-02-11 2016-11-16 重庆理工大学 一种基于构造运动光场的单排时栅直线位移传感器
CN104697424B (zh) * 2015-03-04 2017-07-25 浙江师范大学 一种双频率四象限平面坐标位置检测方法
CN106197240B (zh) * 2016-07-06 2018-10-09 重庆理工大学 基于交变电场的绝对式直线时栅位移传感器
CN109752030A (zh) * 2019-02-21 2019-05-14 长春通视光电技术有限公司 一种贴片式位置检测传感器
CN113008120B (zh) * 2019-12-19 2023-09-22 通用技术集团国测时栅科技有限公司 一种电容式直线位移传感器及其动尺
CN111077344B (zh) * 2019-12-30 2021-03-26 华中科技大学 一种加速度传感器
CN114018300B (zh) * 2021-11-12 2024-05-03 德普数控(深圳)有限公司 一种基于正交三角函数双激励的编码器及其运行方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100451558C (zh) * 2006-11-10 2009-01-14 重庆工学院 一种绝对式角位移传感器
CN101556138A (zh) * 2008-09-27 2009-10-14 重庆工学院 一种时栅直线位移传感器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100451558C (zh) * 2006-11-10 2009-01-14 重庆工学院 一种绝对式角位移传感器
CN101556138A (zh) * 2008-09-27 2009-10-14 重庆工学院 一种时栅直线位移传感器

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《容栅传感器在汽车轮胎充气枪中的应用》;杨永平;《传感器与微系统》;20061231;第25卷(第8期);74－76 *
《时栅位移传感器中产生电行波信号的新方法》;徐君等;《电子测量技术》;20070831;第30卷(第8期);11－13 *
徐君等.《时栅位移传感器中产生电行波信号的新方法》.《电子测量技术》.2007,第30卷(第8期),11－13.
杨永平.《容栅传感器在汽车轮胎充气枪中的应用》.《传感器与微系统》.2006,第25卷(第8期),74－76.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109238119A (zh) * 2017-12-15 2019-01-18 重庆理工大学 一种基于交变电场的绝对式时栅直线位移传感器
CN109238119B (zh) * 2017-12-15 2019-06-14 重庆理工大学 一种基于交变电场的绝对式时栅直线位移传感器

Also Published As

Publication number Publication date
CN102288100A (zh) 2011-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102288100B (zh) 一种基于交变电场的时栅直线位移传感器
CN102425987B (zh) 一种基于交变电场的时栅角位移传感器
US10495488B2 (en) Electric field time-grating linear displacement sensors based on single row multilayer structure
CN103644834B (zh) 一种时栅直线位移传感器
CN106197240B (zh) 基于交变电场的绝对式直线时栅位移传感器
CN107796293B (zh) 一种电磁感应式直线位移传感器
CN104019734B (zh) 一种平面二维时栅位移传感器
CN102359753A (zh) 一种直线位移传感器
CN105300262B (zh) 一种绝对式时栅直线位移传感器
CN104457544B (zh) 时栅直线位移传感器
CN103591896A (zh) 一种基于交变光场的时栅直线位移传感器
CN106441059B (zh) 一种单列双排式时栅直线位移传感器
CN101556138A (zh) 一种时栅直线位移传感器
CN106338234B (zh) 一种双列式时栅直线位移传感器
CN103278082B (zh) 一种平面弦线直线位移传感器
CN109631735A (zh) 一种基于交变电场的平面二维时栅位移传感器
CN109238119B (zh) 一种基于交变电场的绝对式时栅直线位移传感器
CN208140019U (zh) 基于交变电场的差极型绝对式时栅直线位移传感器
CN104848778A (zh) 时栅直线位移传感器
CN106441058B (zh) 一种单列式二维时栅直线位移传感器
CN203259113U (zh) 一种用于角度位移测量的弦线绕组传感器
CN106197244B (zh) 一种双列式二维时栅直线位移传感器
CN206002046U (zh) 单列式时栅直线位移传感器
CN106257231B (zh) 一种单列双排式二维时栅直线位移传感器
CN108267072B (zh) 一种时栅直线位移传感器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210618

Address after: 400050 Chongqing Jiulongpo Xingsheng Road No. 4

Patentee after: Liu Xiaokang

Patentee after: Chongqing University of science and Technology Asset Management Co.,Ltd.

Address before: No. 69 lijiatuo Chongqing District of Banan City Road 400054 red

Patentee before: Chongqing University of Technology

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210701

Address after: No. 99, Xinfeng Avenue, Jinfeng Town, Jiulongpo District, Chongqing

Patentee after: General technology group Guoshi Time Grating Technology Co.,Ltd.

Address before: 400050 Chongqing Jiulongpo Xingsheng Road No. 4

Patentee before: Liu Xiaokang

Patentee before: Chongqing University of science and Technology Asset Management Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right