CN102184117A - 系统在不同类型的Nandflash上的启动方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种系统在不同类型的Nandflash上的启动方法及装置，通过尝试所有的Nandflash具体类型参数组合，找到Nandflash具体的控制参数，能够在不使用Nandflash类型指示管脚的情况下，让系统在不同类型的Nandflash上启动，从而克服了原来通过使用Nandflash类型指示管脚时，需对每一种Nandflash存储器设计相应的控制电路，导致的不可扩展问题。

Description

系统在不同类型的Nandflash上的启动方法及装置
技术领域
本发明涉及一种系统启动方法及装置，尤其是一种系统在不同类型的Nandflash上的启动方法及装置。
背景技术
Nandflash存储器由于其容量大、成本低越来越多的被使用在MP3、MP4、手机等移动设备上，它不仅可用来存储用户数据文件，也可以用来存储系统代码和系统数据。当系统代码存放在Nandflash存储器上时，系统启动阶段需要将Nandflash存储器的具体参数告知系统启动代码，以便系统启动代码能够采用正确的读写参数配置Nandflash存储器的控制模块，将系统代码正确地读出，供CPU执行。一般的系统支持多种类型的Nandflash存储器，有些系统是采用通过Nandflash类型指示管脚告知系统目前所配置Nandflash的类型。随着Nandflash存储器的发展，目前市面上Nandflash存储器的类型很多，因此采用Nandflash类型指示管脚的方法缺少可扩展性。
发明内容
为了克服采用Nandflash类型指示管脚的方法的扩展性问题，本发明提供一种系统在不同类型的Nandflash上的启动方法及装置，能够在不使用Nandflash类型指示管脚的情况下，让系统在不同类型的Nandflash上启动。
本发明提供了一种系统在不同类型的Nandflash上的启动方法，该方法包括如下步骤：
步骤一，选取默认的Nandflash参数组；
步骤二，配置读写时序参数对存有Nandflash类型信息的页进行读操作；
步骤三，对读回来的页的数据进行差错检测和纠正（可采用ECC校验或者MAGIC检查）；
步骤四，判断差错检测和纠正是否通过，如是，则执行步骤六；如否，则执行步骤五；
步骤五，判断是否所有的参数组合都尝试过了，如是，则退出通过Nandflash启动系统的流程；如否，则选用新的参数组，并执行步骤二；
步骤六，采用从Nandflash芯片中读到的Nandflash参数配置控制参数完成Nandflash的读写操作，完成通过Nandflash启动系统的后续流程。
在系统启动之前，需通过闪存读写工具将NandFlash的具体类型信息存储到一个固定页中的固定位置, 所述NandFlash的具体类型信息包括总线宽度，page大小，Address cycle数，advance属性，空闲区域属性，存储于空闲ECC 比特的算法属性；在存储上述信息时，需满足如下要求：
(1) 选择一个可靠的页，将Nandflash的类型参数写到该页中；一般Nandflash存储器中的BLOCK0的可靠性最好，故将Nandflash的参数信息存储在BLOCK0中的PAGE0中；
(2) 根据该系统所支持的产品平台，可预见所有Nandflash类型的情况；
(3) 该ECC算法或者MAGIC与具体的Nandflash类型无关；ECC比特或者MAGIC 比特要足够强大，确保ECC纠错后，误码率接近于零，以致能够保证所需要支持的所有的NandFlash类型的可靠性问题；在增加ECC比特或者MAGIC比特，对包含有Nandflash类型参数的数据块进行保护时，该ECC或者MAGIC 比特写入到与存储Nandflash参数的同一个物理页的数据区，而不是空闲区域；
(4)   包含有Nandflash类型参数的数据块的ECC算法选择重用Nandflash控制模块中所支持的ECC算法中的一种；其具体方法如下：
首先将N-b 比特净荷扩展到N比特（可采用按0填充方法，或者按1填充方法），然后采用Nandflash控制模块的ECC算法生成N比特数据的b比特ECC校验位，并将生成的b比特校验位与N-b比特净荷构成N 比特数据，写到存储NandFlash参数的页的数据区中，最后将该页整个数据区中的ECC 比特存储到相应的空闲区域中；
其中，ECC的校验位为b比特，页的大小为N 比特，对于用于存储NandFlash参数的页，总共剩下N-b比特用于存储Nandflash参数和其它数据，将存储在这N-b比特上的数据称为该页的净荷。
较优地，所述所有的参数组合指的是总线宽度，page大小，Address cycle数，advance属性等参数的不同组合，这些组合的尝试顺序，按照市面上Nandflash存储器的流行情况进行优化。
本发明还提供了一种系统在不同类型的Nandflash上的启动装置,该装置包括CPU，Nandflash控制模块，Nandflash存储器；
Nandflash存储器用于存储Nandflash的具体类型信息，系统代码和系统数据，用户数据以及其他数据；
当系统启动时，CPU选择默认的Nandflash参数组配置Nandflash控制模块，并对存有Nandflash类型信息的页进行读操作，然后对读出来的数据进行差错检测和纠正（可采用ECC校验或者MAGIC检查），如果通过，则采用从Nandflash存储器中读到的Nandflash类型信息配置控制模块，完成对Nandflash存储器的读写操作；如果未通过差错检测和纠正，则选用新的Nandflash参数组重新配置Nandflash控制模块，直至选择某一组Nandflash参数时，通过差错检测和纠正；或者所有的Nandflash参数组合均尝试完成，退出通过Nandflash启动系统的流程。
较优地，在系统启动之前，需要通过Flash读写工具将NandFlash的具体类型信息存储到一个固定页中的固定位置，NandFlash的具体类型信息包括总线宽度，page大小，Address cycle数，advance属性，空闲(Spare)区域属性，存储于空闲(Spare)ECC 比特的算法属性；在存储上述信息时，需满足如下要求：
(1) 选择一个可靠的页，将Nandflash的类型参数写到该页中；一般Nandflash存储器中的BLOCK0的可靠性最好，故将Nandflash的参数信息存储在BLOCK0中的PAGE0中；
(2) 根据该系统所支持的产品平台，可预见所有Nandflash类型的情况；
(3) 该ECC算法或者MAGIC与具体的Nandflash类型无关；ECC比特或者MAGIC 比特要足够强大，确保ECC纠错后，误码率接近于零，以致能够保证所需要支持的所有的NandFlash类型的可靠性问题；在增加ECC比特或者MAGIC比特，对包含有Nandflash类型参数的数据块进行保护时，该ECC或者MAGIC 比特写入到与存储Nandflash参数的同一个物理页的数据区，而不是空闲区域；
(4) 包含有Nandflash类型参数的数据块的ECC算法可以选择重用Nandflash控制模块中所支持的某个ECC算法。
较优地，所述所有的参数组合指的是总线宽度，page大小，Address cycle数，advance属性等参数的不同组合，这些组合的尝试顺序，按照市面上Nandflash存储器的流行情况进行优化。
与现有技术相比较，本发明提供一种系统在不同类型的Nandflash上的启动方法及装置，通过尝试所有的Nandflash具体类型参数组合，找到Nandflash具体的控制参数，能够在不使用Nandflash类型指示管脚的情况下，让系统在不同类型的Nandflash上启动，从而克服了原来通过使用Nandflash类型指示管脚时，需对每一种Nandflash存储器设计相应的控制电路，导致的不可扩展问题。
附图说明
图1是本发明提供的系统在不同类型的Nandflash上的启动方法的一个实施方式的流程图。
图2是ECC校验位的生成及存储示意图。
图3是本发明提供的系统在不同类型的Nandflash上的启动装置的一个实施方式的模块图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明具体实施方式进行说明。
请参阅图1所示，图1是本发明提供的系统在不同类型的Nandflash上的启动方法的一个实施方式的流程图，具体包括如下步骤：
步骤S101，选取默认的Nandflash参数组。
步骤S102，配置读写时序参数对存有Nandflash类型信息的页进行读操作。
上述读写时序参数包括总线宽度，page大小，Address cycle数，advance属性等。
与本步骤相对应地，需要通过Flash读写工具将NandFlash的具体类型信息（包括Nandflash类型信息包括总线宽度， page大小， Address cycle数， advance属性，空闲(Spare)区域属性，存储于空闲(Spare)空间中的ECC 比特的算法属性）存储到一个固定页中的固定位置。在存储上述信息时，需满足如下要求：
(1) 选择一个比较可靠的页，将Nandflash的类型参数写到该页中。一般Nandflash中的BLOCK0的可靠性最好，因此可以将Nandflash的参数信息存储在BLOCK0中的PAGE0中。
(2) 可以根据该芯片所支持的产品平台的可预见所有Nandflash类型的情况，选择增加ECC(Error Checking and Correcting错误检查和纠正)比特或者魔数（MAGIC） 比特，对包含有Nandflash类型参数的数据块进行保护。该ECC或者MAGIC 比特写入到与存储Nandflash参数的同一个物理页的数据区，而不是空闲（Spare）区域。
(3) 该ECC算法或者MAGIC与具体的Nandflash类型无关；ECC比特或者MAGIC 比特要足够强大，确保ECC纠错后，误码率接近于零，以致能够保证所需要支持的所有的Flash类型的可靠性问题；在增加ECC比特或者MAGIC比特，对包含有Nandflash类型参数的数据块进行保护时，该ECC或者MAGIC 比特写入到与存储Nandflash参数的同一个物理页的数据区，而不是空闲区域。
(4) 包含有Nandflash类型参数的数据块的ECC算法可以选择重用Nandflash控制模块中所支持的ECC算法中的一种，以提高系统性能节约成本。
请参阅图2所示，是ECC校验位的生成及存储示意图。假设满足第3个要求的ECC的比特位是b，页的大小为N 比特。对于用于存储NandFlash参数的页，总共剩下N-b比特用于存储Nandflash参数和其它数据，将存储在这N-b比特上的数据称为该页的净荷。使用Nandflash控制模块ECC算法时，可以采用下面方法：
a)  将N-b 比特净荷扩展到N比特（例如按0填充，或者按1填充）；
b）采用Nandflash控制模块的ECC算法生成N比特数据的b比特ECC校验位；
c) 将生成的b比特校验位与N-b比特净荷构成N 比特数据，写到存储NandFlash参数的页的数据区中；
d)为了保持该存储Nandflash参数的页与其它页的兼容性，该页整个数据区中的ECC 比特可以存储到相应的空闲(Spare)区域中。
步骤S103，对读回来的页的数据进行差错检测和纠正（ECC校验或者MAGIC检查），但可以不检查该页对应的Spare区域的ECC 比特。
步骤S104，判断差错检测和纠正是否通过，如是，则执行步骤S106；如否，则执行步骤S105。
步骤S105，判断是否所有的参数组合都尝试过了，如是，则退出通过Nandflash启动系统的流程（Nandboot流程）；如否，则选用新的参数组，并执行步骤S102。
上述步骤S105中，所有的参数组合指的是总线宽度，page大小，Address cycle数，advance属性等参数的不同组合，这些组合的尝试顺序，可以按照市面上Nandflash芯片的流行情况进行优化，使得期望尝试的组合次数最少。
步骤S106，采用从Nandflash芯片中读到的Nandflash信息配置控制参数完成Nandflash的读写操作，完成通过Nandflash启动系统（Nandboot）的后续流程。
请参阅图3所示，图3是本发明提供的系统在不同类型的Nandflash上的启动装置的一个实施方式的模块图，包括CPU301，Nandflash控制模块302，Nandflash存储器303。
Nandflash存储器303用于存储Nandflash的具体类型信息，系统代码和系统数据，用户数据以及其他数据。
当系统启动时，CPU301选择默认的Nandflash参数组配置Nandflash控制模块302，并对存有Nandflash类型信息的页进行读操作，然后对读出来的数据进行差错检测和纠正（ECC校验或者MAGIC检查），如果通过，则采用从Nandflash存储器303中读到的Nandflash类型信息配置控制模块，完成对Nandflash存储器的读写操作；如果未通过差错检测和纠正，则选用新的Nandflash类型信息重新配置Nandflash控制模块，直至选择某一组Nandflash参数时，通过差错检测和纠正；或者所有的Nandflash参数组合均尝试完成，退出通过Nandflash启动系统的流程。
在系统启动之前，需要通过Flash读写工具将NandFlash的具体类型信息存储到一个固定页中的固定位置，NandFlash的具体类型信息包括总线宽度，page大小，Address cycle数，advance属性，空闲(Spare)区域属性，存储于空闲(Spare)空间中的ECC 比特的算法属性等。在存储上述信息时，需满足如下要求：
(1) 选择一个比较可靠的页，将Nandflash的类型参数写到该页中。一般Nandflash中的BLOCK0的可靠性最好，因此可以将Nandflash的参数信息存储在BLOCK0中的PAGE0中。
(2) 可以根据该芯片所支持的产品平台的可预见所有Nandflash类型的情况，选择增加ECC比特或者MAGIC比特，对包含有Nandflash类型参数的数据块进行保护。
（3）该ECC算法或者MAGIC与具体的Nandflash类型无关；ECC比特或者MAGIC 比特要足够强大，确保ECC纠错后，误码率接近于零，以致能够保证所需要支持的所有的Flash类型的可靠性问题；在增加ECC比特或者MAGIC比特，对包含有Nandflash类型参数的数据块进行保护时，该ECC或者MAGIC 比特写入到与存储Nandflash参数的同一个物理页的数据区，而不是Spare区域。
（4）包含有Nandflash类型参数的数据块的ECC算法可以选择重用Nandflash控制模块中所支持的某个ECC算法，以提高系统性能节约成本。
与现有技术相比较，本发明提供一种系统在不同类型的Nandflash上的启动方法及装置，通过尝试所有的Nandflash具体类型参数组合，找到Nandflash具体的控制参数，能够在不使用Nandflash类型指示管脚的情况下，让系统在不同类型的Nandflash上启动，从而克服了原来通过使用Nandflash类型指示管脚时，需对每一种Nandflash存储器设计相应的控制电路，导致的不可扩展问题。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (16)

1. 一种系统在不同类型的Nandflash上的启动方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
步骤一，选取默认的Nandflash参数组；
步骤二，配置读写时序参数对存有Nandflash类型信息的页进行读操作；
步骤三，对读回来的页的数据进行差错检测和纠正；
步骤四，判断差错检测和纠正是否通过，如是，则执行步骤六；如否，则执行步骤五；
步骤五，判断是否所有的参数组合都尝试过了，如是，则退出通过Nandflash启动系统的流程；如否，则选用新的参数组，并执行步骤二；
步骤六，采用从Nandflash芯片中读到的Nandflash类型信息配置控制参数完成Nandflash的读写操作，完成通过Nandflash启动系统的后续流程。
2. 如权利要求1所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动方法，其特征在于，所述进行差错检测和纠正的方法是ECC校验或者MAGIC检查中的一种。
3. 如权利要求1所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动方法，其特征在于，所述Nandflash类型信息包括总线宽度， 页的大小， Address cycle数， advance属性，空闲区域属性，存储于空闲空间中的ECC 比特的算法属性；所述读写时序参数包括总线宽度， page大小， Address cycle数， advance属性。
4. 如权利要求1所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动方法，其特征在于，在系统启动之前，需通过闪存读写工具将NandFlash的具体类型信息存储到一个固定页中的固定位置；在存储上述信息时，需满足如下要求：
选择一个可靠的页，将Nandflash的类型参数写到该页中；
根据该系统所支持的产品平台，可预见所有Nandflash类型的情况；
该ECC算法或者MAGIC与具体的Nandflash类型无关；该ECC比特或者MAGIC 比特要足够强大，确保ECC纠错后，误码率接近于零，以致能够保证所需要支持的所有的NandFlash类型的可靠性问题； 
包含有Nandflash类型参数的数据块的ECC算法选择重用Nandflash控制模块中所支持的ECC算法中的一种。
5. 如权利要求4所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动方法，其特征在于，所述Nandflash存储器中的BLOCK0的可靠性最好，将Nandflash的参数信息存储在BLOCK0中的PAGE0中。
6. 如权利要求4所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动方法，其特征在于，在增加ECC比特或者MAGIC比特，对包含有Nandflash类型参数的数据块进行保护时，该ECC或者MAGIC 比特写入到与存储Nandflash参数的同一个物理页的数据区，而不是空闲区域。
7. 如权利要求4所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动方法，其特征在于，重用Nandflash控制模块中的ECC算法的具体方法如下：
首先将N-b 比特净荷扩展到N比特，然后采用Nandflash控制模块的ECC算法生成N比特数据的b比特ECC校验位，并将生成的b比特校验位与N-b比特净荷构成N 比特数据，写到存储NandFlash参数的页的数据区中，最后将该页整个数据区中的ECC 比特存储到相应的空闲区域中；
其中，ECC的校验位为b比特，页的大小为N 比特，对于用于存储NandFlash参数的页，总共剩下N-b比特用于存储Nandflash参数和其它数据，将存储在这N-b比特上的数据称为该页的净荷。
8. 如权利要求7所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动方法，其特征在于，所述将N-b 比特净荷扩展到N比特可采用按0填充方法，或者按1填充方法中的一种。
9. 如权利要求1所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动方法，其特征在于，所述所有的参数组合指的是总线宽度，page大小，Address cycle数，advance属性等参数的不同组合，这些组合的尝试顺序，按照市面上Nandflash存储器的流行情况进行优化。
10. 一种系统在不同类型的Nandflash上的启动装置，其特征在于，该装置包括CPU，Nandflash控制模块，Nandflash存储器；
Nandflash存储器用于存储Nandflash的具体类型信息，系统代码和系统数据，用户数据以及其他数据；
当系统启动时，CPU选择默认的Nandflash类型信息配置Nandflash控制模块，并对存有Nandflash类型信息的页进行读操作，然后对读出来的数据进行差错检测和纠正，如果通过，则采用从Nandflash存储器中读到的Nandflash类型信息配置控制模块，完成对Nandflash存储器的读写操作；如果未通过差错检测和纠正，则选用新的Nandflash参数组重新配置Nandflash控制模块，直至选择某一组Nandflash参数时，通过差错检测和纠正；或者所有的Nandflash参数组合均尝试完成，退出通过Nandflash启动系统的流程。
11. 如权利要求10所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动装置，其特征在于，所述差错检测和纠正可采用ECC校验或者MAGIC检查中的一种。
12. 如权利要求10所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动装置，其特征在于，在系统启动之前，需要通过Flash读写工具将NandFlash的具体类型信息存储到一个固定页中的固定位置，NandFlash的具体类型信息包括总线宽度，page大小，Address cycle数，advance属性，空闲区域属性，存储于空闲空间中的ECC 比特的算法属性。
13. 如权利要求12所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动装置，其特征在于，在存储NandFlash的具体类型信息时，需满足如下要求：
(1) 选择一个可靠的页，将Nandflash的类型信息写到该页中；
(2) 根据该系统所支持的产品平台，可预见所有Nandflash类型的情况；
(3) 该ECC算法或者MAGIC与具体的Nandflash类型无关；该ECC比特或者MAGIC 比特要足够强大，确保ECC纠错后，误码率接近于零，以致能够保证所需要支持的所有的NandFlash类型的可靠性问题；
(4) 包含有Nandflash类型参数的数据块的ECC算法选择重用Nandflash控制模块中所支持的ECC算法中的一种。
14. 如权利要求13所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动装置，其特征在于，所述Nandflash存储器中的BLOCK0的可靠性最好，将Nandflash的参数信息存储在BLOCK0中的PAGE0中。
15. 如权利要求13所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动装置，其特征在于，在增加ECC比特或者MAGIC比特，对包含有Nandflash类型参数的数据块进行保护时，该ECC或者MAGIC 比特写入到与存储Nandflash参数的同一个物理页的数据区。
16. 如权利要求10所述的系统在不同类型的Nandflash上的启动装置，其特征在于，所述所有的参数组合指的是总线宽度，页的大小，Address cycle数，advance属性等参数的不同组合，这些组合的尝试顺序，按照市面上Nandflash存储器的流行情况进行优化。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102622243A (zh) * 2012-01-19 2012-08-01 苏州希图视鼎微电子有限公司 支持多种nand闪存的固化代码的执行方法
CN102622305A (zh) * 2012-01-19 2012-08-01 苏州希图视鼎微电子有限公司 Nand闪存硬件访问地址宽度参数的处理方法
CN102929565A (zh) * 2012-10-24 2013-02-13 北京华大信安科技有限公司 基于SoC的引导装载程序读取、装置及芯片
CN103455454A (zh) * 2013-09-02 2013-12-18 华为技术有限公司 一种控制存储器启动的方法和装置
CN103902461A (zh) * 2012-12-27 2014-07-02 中兴通讯股份有限公司 不同Nand闪存兼容方法及装置
CN105159714A (zh) * 2015-09-02 2015-12-16 福州瑞芯微电子股份有限公司 一种pmic初始化方法和电子设备
CN105159716A (zh) * 2015-09-02 2015-12-16 福州瑞芯微电子股份有限公司 一种存储器件初始化方法和电子设备
CN105808372A (zh) * 2016-03-04 2016-07-27 大唐微电子技术有限公司 一种系统初始指标数据配置方法和装置
CN109725939A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种芯片启动方法、芯片和计算机可读存储介质
CN111241005A (zh) * 2020-01-09 2020-06-05 杭州涂鸦信息技术有限公司 一种基于键值对的安全分区存储方法及系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101719098A (zh) * 2009-05-26 2010-06-02 苏州国芯科技有限公司 Nandflash芯片组存储控制器
US20100169546A1 (en) * 2006-08-15 2010-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flash memory access circuit
CN102043639A (zh) * 2009-10-12 2011-05-04 珠海全志科技有限公司 一种从nand flash启动处理系统的方法及装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100169546A1 (en) * 2006-08-15 2010-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flash memory access circuit
CN101719098A (zh) * 2009-05-26 2010-06-02 苏州国芯科技有限公司 Nandflash芯片组存储控制器
CN102043639A (zh) * 2009-10-12 2011-05-04 珠海全志科技有限公司 一种从nand flash启动处理系统的方法及装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102622305A (zh) * 2012-01-19 2012-08-01 苏州希图视鼎微电子有限公司 Nand闪存硬件访问地址宽度参数的处理方法
CN102622243A (zh) * 2012-01-19 2012-08-01 苏州希图视鼎微电子有限公司 支持多种nand闪存的固化代码的执行方法
CN102929565B (zh) * 2012-10-24 2016-04-06 北京华大信安科技有限公司 基于SoC的引导装载程序读取方法、装置及芯片
CN102929565A (zh) * 2012-10-24 2013-02-13 北京华大信安科技有限公司 基于SoC的引导装载程序读取、装置及芯片
CN103902461A (zh) * 2012-12-27 2014-07-02 中兴通讯股份有限公司 不同Nand闪存兼容方法及装置
US9424186B2 (en) 2013-09-02 2016-08-23 Huawei Technologies Co., Ltd. Method and apparatus for controlling memory startup
CN103455454A (zh) * 2013-09-02 2013-12-18 华为技术有限公司 一种控制存储器启动的方法和装置
CN103455454B (zh) * 2013-09-02 2016-09-07 华为技术有限公司 一种控制存储器启动的方法和装置
CN105159716A (zh) * 2015-09-02 2015-12-16 福州瑞芯微电子股份有限公司 一种存储器件初始化方法和电子设备
CN105159714A (zh) * 2015-09-02 2015-12-16 福州瑞芯微电子股份有限公司 一种pmic初始化方法和电子设备
CN105159716B (zh) * 2015-09-02 2019-05-21 福州瑞芯微电子股份有限公司 一种存储器件初始化方法和电子设备
CN105159714B (zh) * 2015-09-02 2019-06-21 福州瑞芯微电子股份有限公司 一种pmic初始化方法和电子设备
CN105808372A (zh) * 2016-03-04 2016-07-27 大唐微电子技术有限公司 一种系统初始指标数据配置方法和装置
CN109725939A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种芯片启动方法、芯片和计算机可读存储介质
CN111241005A (zh) * 2020-01-09 2020-06-05 杭州涂鸦信息技术有限公司 一种基于键值对的安全分区存储方法及系统

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