CN102170103A - 电子断路器及其处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电子断路器及其处理方法，该电子断路器及其处理方法，通过电流采样单元、限流控制单元、缓启单元、电流比较单元、电压采样单元、驱动单元以及电子开关等硬件电路来实现延时启动以及过流保护功能，从而可以避免采用微处理器进行过流保护引起的各种不稳定以及延迟问题。

Description

电子断路器及其处理方法

技术领域

本发明涉及电子开关技术，尤其涉及一种电子断路器及其处理方法。

背景技术

现有的机械开关或保险丝在接通电源和负载的回路时，由于没有限流作用，设备在启动时引起的冲击电流比较大，并且，在过载时，其启动过载保护所需的时间较长，造成母排电压可能被拉低，影响其他设备的正常工作。

为了解决上述方案由于没有限流作用造成的问题，业界引入了一种常用的限流装置。该限流装置的电子开关技术方案包括至少一个输入和一个输出，一个开关，一个限流装置和一个微处理器，微处理器与限流装置相连，微处理器检测回路电流是否超过设定值，如果超过设定值，则输出信号控制限流装置，将回路电流限定在某一值，然后微处理器通过一定的延时来切断电源和负载之间的通路。其中，微处理器采用软件进行控制。

现有的限流装置主要采用微处理器进行延时和过流控制保护，不仅在采样速度上有一定的延迟，而影响保护动作响应慢，且采用微处理器进行延时和过流控制保护还可能会因为软件跑飞失效，致使保护失效，也有可能由于采样丢失，发生没有保护作用的情况。

发明内容

本发明实施例是提供一种电子断路器及其处理方法，通过硬件电路实现可靠的延时以及过流控制保护，解决采用微处理器进行处理引起的问题。

本发明实施例提供了一种电子断路器，串联在包含负载的回路上，所述电子断路器包括：

电流采样单元，用于采样所述回路上的电流，并对采样电流进行放大处理；

限流控制单元，用于在所述电流采样单元输出的电流大于设定的第一阈值时，输出第一控制信号；

缓启单元，用于接收到所述限流控制单元输出的第一控制信号后，输出第一驱动电压；

电子开关，串联在所述回路上，用于在接收所述缓启单元输出的第一驱动电压时，工作在线性工作状态；

电流比较单元，用于在所述电流采样单元输出的电流大于设定的第二阈值时，输出第二控制信号；

电压采样单元，用于采样所述电子开关上的压降，并在压降大于设定的第三阈值时，输出第三控制信号；

驱动单元，用于在接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时，输出第二驱动电压；

所述电子开关还用于在接收到所述驱动单元输出的第二驱动电压时，工作在关断工作状态。

本发明实施例提供一种电子断路器的处理方法，包括：

电流采样单元采样所述回路上的电流，输出采样信号；

限流控制单元在所述电流采样单元输出的采样信号大于设定的第一阈值时，输出第一控制信号；

缓启单元接收到所述限流控制单元输出的第一控制信号后，输出第一驱动电压；

电子开关在接收所述缓启单元输出的第一驱动电压时，工作在线性工作状态；

电流比较单元在所述电流采样单元输出的采样信号大于设定的第二阈值时，输出第二控制信号；

电压采样单元采样所述电子开关上的压降，并在压降大于设定的第三阈值时，输出第三控制信号；

驱动单元在接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时，输出第二驱动电压；

所述电子开关在接收到所述驱动单元输出的第二驱动电压时，工作在关断工作状态。

上述电子断路器及其处理方法，均是通过电流采样单元、限流控制单元、缓启单元、电流比较单元、电压采样单元、驱动单元以及电子开关的硬件电路来实现延时启动以及过流保护功能，从而可以避免采用微处理器进行过流保护引起的各种不稳定以及延迟等问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例的电子断路器的结构示意图；

图2为本发明实施例的电子断路器的结构图；

图3为本发明实施例电子断路器的处理方法流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明实施例的电子断路器的结构示意图，该电子断路器可以与负载一起串联在回路上，对负载进行过流保护。参见图1，本实施例包括电流采样单元11、限流控制单元12、缓启单元13、电流比较单元14、电压采样单元15、驱动单元16和电子开关17。组成本实施例电子断路器的上述各单元模块均为硬件电路。电流采样单元11用于采样所述回路上的电流，并对采样电流进行放大处理；限流控制单元12用于在所述电流采样单元输出的电流大于设定的第一阈值时，输出第一控制信号；缓启单元13用于接收到所述限流控制单元输出的第一控制信号后，输出第一驱动电压；电流比较单元14用于在所述电流采样单元输出的电流大于设定的第二阈值时，输出第二控制信号；电压采样单元15用于采样电子开关上的压降，并在压降大于设定的第三阈值时，输出第三控制信号；驱动单元16用于在接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时，输出第二驱动电压；电子开关17串联在所述回路上，用于在接收所述缓启单元输出的第一驱动电压时，工作在线性工作状态，在接收到所述驱动单元输出的第二驱动电压时，工作在关断工作状态。

本实施例通过由硬件电路组成的电子断路器进行过流保护，可以避免微处理器进行过流保护引起的问题，实现快速可靠的过流保护。

请一并参阅图2，在本实施例中，上述电流采样单元11可以包括：采样电阻R1029，其与所述电子开关17串联在所述回路上，用于采样所述回路上的电流；第一运算放大器U1000，其输入端与所述采样电阻R1029连接，用于对输入的根据采样电流和所述采样电阻R1029的阻值得到的电压值进行放大处理，输出所述采样信号。所述电流采样单元还可以包括其他的一些保证正常工作的电阻和电容，例如，电流采样单元还包括电阻(R1031、R1030、R1037)和电容C1002等。

上述限流控制单元12可以包括：第二运算放大器U1004，其正输入端与所述第一运算放大器U1000的输出端连接，其负输入端连接基准限流电压(REF)，用于比较所述采样信号和基准限流电压，并在所述采样信号大于所述基准限流电压时，输出第一电平信号；第一三极管Q1004，其基极连接所述第二运算放大器U1004的输出端，用于接收到所述第一电平信号时输出所述第一控制信号。所述限流控制单元12还可以包括其他的一些保证正常工作的电阻、电容、二极管等，例如，限流控制单元12还包括电阻(R1018、R1004、R1015、R1016、R1010)、电容C1004以及二极管D1000等。

上述缓启单元13可以包括：第一电容C1001，连接在所述第一三极管Q1004的集电极和发射极之间，用于在接收到所述第一控制信号时泄放存储的电荷；第三运算放大器U1001，其正输入端连接所述第一电容C1001的一端及所述第二运算放大器U1004的输出端，其负输入端连接所述第一电容C1001的另一端及所述第二运算放大器U1004的输出端，输出端连接所述电子开关，用于输出所述第一驱动电压。所述缓启单元13还可以包括其他的一些保证正常工作的电阻、电容等，例如，缓启单元13还包括电阻(R1014、R1040、R1017、R1001、R1000)以及电容C1003等。

上述电流比较单元14可以包括：第四运算放大器U1002，其正输入端与所述电流采样单元的输出端相连，其负输入端连接基准电流(I_REF)，用于比较所述采样信号和基准电流，并在所述采样信号大于所述基准电流时，输出所述第二控制信号。进一步地，为了更好地限流，还可以包括：锁死单元。该锁死单元包括：电阻R1036，其连接在所述第四运算放大器U1002的输出端和正输入端。进一步地，还可以包括解锁单元。该解锁单元包括：第三三极管Q1002，其集电极连接所述第四运算放大器U1002的正输入端，其基极连接MCU的控制管脚，用于接收到MCU的控制信号(HOLDLOCK)后对电流比较单元进行解锁。所述电流比较单元14还可以包括其他的一些保证正常工作的电阻、电容等，例如，电流比较单元还包括电阻(R1038、R1006、R1036)以及电容C1000等。

上述电压采样单元15可以包括：第五运算放大器U1003，其正输入端连接所述电子开关17和负载之间的回路上，其负输入端连接基准电压(V_REF)，用于比较所述电子开关上的压降和基准电压，并在所述电子开关上的压降大于所述基准电压时，输出所述第三控制信号。所述电压采样单元15还可以包括其他的一些保证正常工作的电阻、电容、二极管、三极管等，例如，电压采样单元15还包括电阻(R1006、R1002、R1007、R1013、R1011、R1009、R1012)、三极管(Q1006、Q1005)、二极管D1001以及电容(C1002、C1011、C1006)等。

上述驱动单元16可以包括：第二三极管Q1003，其基极与所述第四运算放大器U1002的输出端及所述第五运算放大器U1003的输出端连接，其集电极连接所述电子开关17，用于接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时工作在饱和导通状态，输出使得所述电子开关关断的所述第二驱动电压。所述驱动单元16还可以包括其他的一些保证正常工作的电阻、电容、二极管等，例如，驱动单元16还包括二极管(D1002、D1003)、电阻(R1021、R1026)以及电容C1010等。

进一步地，本实施例还可以包括：MCU，与所述第二三极管Q1003的基极连接，用于输出高电平(HOLDLOCK＝高电平)时控制所述第二三极管Q1003工作在饱和导通状态，即意味着触发电子开关的关断。特别地，该MCU还可以用于检测所述电子开关的温度，并在检测到的温度大于设定的阈值时，输出高电平，即意味着触发电子开关的关断。另外，MCU还可以用于接收用户输入的控制信号，并根据用户输入的控制信号输出高电平或者低电平。

进一步地，本实施例还可以包括保护单元，具体包括：第四三极管Q1007，其基极连接所述第四运算放大器U1002的输出端和所述第五运算放大器U1003的输出端，其集电极连接MCU，用于控制MCU输出高电平，即意味着触发电子开关的关断。当然，所述保护单元还可以包括其他的一些保证正常工作的电阻、二极管等，例如，保护单元还包括电阻(R1039、R1027、R1003、R1025)以及二极管D1004等。

特别地，本实施例的电子开关17可以为MSOFET，数量可以为一个或者多个。

进一步地，为了防止灾害性故障，可以在电子开关17和负载之间串联一个保险丝。

在上述模块的基础上，处理流程可以具体如下：

(1)，ON/OFF信号在OFF时，MCU发出高电平信号，让三极管Q1003饱和导通，三极管Q1003的集电极为低电平，运算放大器U1001输出被拉低置电平1V以下，电子开关(MOSFET)Q1和电子开关Q2无驱动信号关断；当MCU接收到外部的按钮开关的开通信号，MCU发出低电平控制信号，三极管Q1003关断，开始启动；

(2)，此时运算放大器U1001输出为低电平，不能驱动MOSFET导通，此时VCC通过电阻R1040，电阻R1014，电阻R1017对电容C1001充电，随着电容C1001电压逐渐升高，运算放大器U1001输出电压逐渐增大，当到达电子开关Q1和电子开关Q2的启动阀值时，电子开关Q1和电子开关Q2开始导通，MOSFET漏极电流逐渐增大到设定的最大值，峰值电流可控制在需要的范围值，如40A～50A；

(3)，在电流上升的过程中，电流信号经检测电阻R1029后变成电压信号，再经运算放大器U1000放大后，送给比较器U1004的正端，当漏极电流到达设定的最大值时，运算放大器U1004输出高电平，该电平信号驱动三极管Q1004工作在放大区，泄放电容C1001存储的电荷，使电容C1001两端的电压维持在某一定值，同时该电平送到运算放大器U1001的正负端，由于该电平送到正端需要经过电阻R1014，电容C1001，运算放大器U1001的正端和负端的变化相等时，运算放大器U1001输出电压不变，电子开关Q1和电子开关Q2维持工作在线性区，抑制了回路电流；上述过程起到了在启动过程中限制启动时冲击电流的作用，有缓启的功能；

(4)，当主回路的电子开关完全导通后，如负载发生了过载或短路故障，放大单元检测到电流超过了设定的阀值REF，此时运算放大器U1004输出高电平，并且根据负载过流的程度不同而不同，从而控制运算放大器U1001输出电压变小，让MOSFET工作在线性区，加大了回路阻抗，从而抑制了回路的过载电流，达到了限流的目的；

(5)，在过流过程中，过流信号经过运算放大器U1000放大后经过电阻R1019对电容C1000充电，当充电延时时间达到设定保护阀值I_REF时，运算放大器U1002输出翻转成高电平，经过二极管D1004，二极管D1002驱动三极管Q1003饱和导通，把运算放大器U1001的正端和运算放大器U1001输出拉低至低电平(0.5V以下)，控制电子开关Q1和电子开关Q2关断，切断回路，保护负载。

(6)，在(5)过程中，电子开关Q1和电子开关Q2漏极电压检测单元同时检测了MOSFET漏极电压的变化，当过载或短路时，MOSFET漏极电压可能升高，经过三极管Q1005，电阻R1006，电阻R1013分压后，经过电容C1002延时一定时间后，当其值升高到设定阀值V_REF时，二极管U1003输出翻转变成高电平，经过二极管D1004，二极管D1002驱动三极管Q1003饱和导通，把运算放大器U1001的正端和运算放大器U1001输出拉低至低电平(0.5V以下)，控制电子开关Q1和电子开关Q2关断，切断回路。

上述(5)和(6)过程中保护单元的延时时间和电流，电压设定值都让电子开关Q1，电子开关Q2都工作在SOA(安全工作区)区内，保证其的安全工作。

上述(5)和(6)过程中的保护高电平信号在保护时同时还驱动三极管Q1007导通，送给MCU的信号从高电平变成低电平，MCU检测到该变化后，送出一个高电平信号让三极管Q1003持续导通，且三极管Q1003的集电极持续维持在低电平状态，在回路发生过流和短路后，锁死保护单元，等待ON信号解锁。

本实施例通过在负载发生过流或短路时进行限流，可以让功率器件MOSFET工作在线性区限制过载或短路电流，快速的切断回路，保护负载；通过硬件单元进行保护，比用软件控制的方法的更可靠快速；本发明通过ON/OFF控制信号可以实现远程上下电控制，有利于在设备空闲时下电节能；当发生保护时，还能进行远程维护；MCU可以根据温度进行控制，可以提供过温保护功能；与电子开关串联保险丝作为灾难性故障保护。

图3为本发明实施例电子断路器的处理方法流程示意图，包括：

步骤31：电流采样单元采样回路上的电流，输出采样信号；

其中，电子断路器串联在包含负载的回路上；

可以是，电阻R1029采样所述回路上的电流；第一运算放大器U1000对输入的根据采样电流和所述电阻R1029的阻值得到的电压值进行放大处理，输出所述采样信号。

步骤32：限流控制单元在所述电流采样单元输出的采样信号大于设定的第一阈值时，输出第一控制信号；

可以是，第二运算放大器U1004比较所述采样信号和基准限流电压(REF)，并在所述采样信号大于所述基准限流电压时，输出第一电平信号；第一三极管Q1004接收到所述第一电平信号时输出所述第一控制信号。

步骤33：缓启单元接收到所述限流控制单元输出的第一控制信号后，输出第一驱动电压；

可以是，第一电容C1001在接收到所述第一控制信号时泄放存储的电荷；第三运算放大器U1001输出维持电子开关工作状态的所述第一驱动电压。

步骤34：电流比较单元在所述电流采样单元输出的采样信号大于设定的第二阈值时，输出第二控制信号；

可以是，第四运算放大器U1002比较所述采样信号和基准电流(I_REF)，并在所述采样信号大于所述基准电流时，输出所述第二控制信号。

步骤35：电压采样单元采样电子开关上的压降，并在压降大于设定的第三阈值时，输出第三控制信号；

可以是，第五运算放大器U1003比较所述电子开关上的压降和基准电压(V_REF)，并在所述电子开关上的压降大于所述基准电压时，输出所述第三控制信号。

步骤36：驱动单元在接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时，输出第二驱动电压；

可以是，第二三极管Q1003接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时工作在饱和导通状态，输出使得所述电子开关关断的所述第二驱动电压。

步骤37：电子开关在接收所述缓启单元输出的第一驱动电压时，工作在线性工作状态，在接收到所述驱动单元输出的第二驱动电压时，工作在关断工作状态；

所述电流采样单元，限流控制单元，缓启单元，电流比较单元，电压采样单元，驱动单元，电子开关均为硬件。

本实施例还可以进一步包括：MCU输出高电平时控制所述第二三极管工作在饱和导通状态。

还可以包括：第四三极管Q1007在接收所述第二控制信号或者第三控制信号后控制所述MCU输出高电平。

还可以包括：所述MCU检测所述电子开关的温度，并在检测到的温度大于设定的阈值时，输出高电平。

本实施例通过由硬件进行过流保护，可以避免微处理器进行过流保护引起的问题，实现快速可靠的过流保护。

可以理解的是，上述方法及设备中的相关特征可以相互参考。另外，上述实施例中的“第一”、“第二”等是用于区分各实施例，而并不代表各实施例的优劣。最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (19)

1.一种电子断路器，其特征在于，串联在包含负载的回路上，所述电子断路器包括由硬件组成的如下单元：

电流采样单元，用于采样所述回路上的电流，输出采样信号；

限流控制单元，用于在所述电流采样单元输出的采样信号大于设定的第一阈值时，输出第一控制信号；

缓启单元，用于接收到所述限流控制单元输出的第一控制信号后，输出第一驱动电压；

电子开关，串联在所述回路上，用于在接收所述缓启单元输出的第一驱动电压时，工作在线性工作状态；

电流比较单元，用于在所述电流采样单元输出的采样信号大于设定的第二阈值时，输出第二控制信号；

电压采样单元，用于采样所述电子开关上的压降，并在压降大于设定的第三阈值时，输出第三控制信号；

驱动单元，用于在接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时，输出第二驱动电压；

所述电子开关还用于在接收到所述驱动单元输出的第二驱动电压时，工作在关断工作状态。

2.根据权利要求1所述的电子断路器，其特征在于，所述电流采样单元包括：

电阻，与所述电子开关串联在所述回路上，用于采样所述回路上的电流；

第一运算放大器，输入端与所述电阻连接，用于对输入的根据采样电流和所述电阻的阻值得到的电压值进行放大处理，输出所述采样信号。

3.根据权利要求2所述的电子断路器，其特征在于，所述限流控制单元包括：

第二运算放大器，其正输入端与所述第一运算放大器的输出端连接，负输入端连接基准限流电压，用于比较所述采样信号和基准限流电压，并在所述采样信号大于所述基准限流电压时，输出第一电平信号；

第一三极管，其基极连接所述第二运算放大器的输出端，用于接收到所述第一电平信号时输出所述第一控制信号。

4.根据权利要求3所述的电子断路器，其特征在于，所述缓启单元包括：

第一电容，连接在所述第一三极管的集电极和发射极之间，用于在接收到所述第一控制信号时泄放存储的电荷；

第三运算放大器，其正输入端连接所述第一电容的一端及所述第二运算放大器的输出端，负输入端连接所述第一电容的另一端及所述第二运算放大器的输出端，输出端连接所述电子开关，用于输出维持电子开关工作状态的所述第一驱动电压。

5.根据权利要求1所述的电子断路器，其特征在于，所述电流比较单元包括：

第四运算放大器，其正输入端与所述电流采样单元的输出端相连，负输入端连接基准电流，用于比较所述采样信号和基准电流，并在所述采样信号大于所述基准电流时，输出所述第二控制信号。

6.根据权利要求5所述的电子断路器，其特征在于，所述电压采样单元包括：

第五运算放大器，其正输入端连接所述电子开关和负载之间的回路上，负输入端连接基准电压，用于比较所述电子开关上的压降和基准电压，并在所述电子开关上的压降大于所述基准电压时，输出所述第三控制信号。

7.根据权利要求6所述的电子断路器，其特征在于，所述驱动单元包括：

第二三极管，其基极与所述第四运算放大器的输出端及所述第五运算放大器的输出端连接，集电极连接所述电子开关，用于接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时工作在饱和导通状态，输出使得所述电子开关关断的所述第二驱动电压。

8.根据权利要求7所述的电子断路器，其特征在于，还包括：

MCU，与所述第二三极管的基极连接，用于输出高电平时控制所述第二三极管工作在饱和导通状态。

9.根据权利要求8所述的电子断路器，其特征在于，还包括：

连接在所述第四运算放大器的输出端和正输入端的电阻。

10.根据权利要求9所述的电子断路器，其特征在于，还包括：

第三三极管，其集电极连接所述第四运算放大器的正输入端，基极连接所述MCU的控制管脚，用于接收到MCU的控制信号后对电流比较单元进行解锁。

11.根据权利要求8所述的电子断路器，其特征在于，还包括：

第四三极管，其基极连接所述第四运算放大器的输出端和所述第五运算放大器的输出端，集电极连接所述MCU，用于在接收所述第二控制信号或者第三控制信号后控制所述MCU输出高电平。

12.根据权利要求8所述的电子断路器，其特征在于，所述MCU还用于检测所述电子开关的温度，并在检测到的温度大于设定的阈值时，输出高电平。

13.根据权利要求1所述的电子断路器，其特征在于，还包括：

保险丝，串联在所述电子开关和负载之间。

14.一种电子断路器的处理方法，其特征在于，包括：

电流采样单元采样所述回路上的电流，输出采样信号；

限流控制单元在所述电流采样单元输出的采样信号大于设定的第一阈值时，输出第一控制信号；

缓启单元接收到所述限流控制单元输出的第一控制信号后，输出第一驱动电压；

电子开关在接收所述缓启单元输出的第一驱动电压时，工作在线性工作状态；

电流比较单元在所述电流采样单元输出的采样信号大于设定的第二阈值时，输出第二控制信号；

电压采样单元采样所述电子开关上的压降，并在压降大于设定的第三阈值时，输出第三控制信号；

驱动单元在接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时，输出第二驱动电压；

所述电子开关在接收到所述驱动单元输出的第二驱动电压时，工作在关断工作状态。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，

所述电流采样单元采样所述回路上的电流，输出采样信号，包括：

电阻采样所述回路上的电流；第一运算放大器对输入的根据采样电流和所述电阻的阻值得到的电压值进行放大处理，输出所述采样信号；

所述限流控制单元在所述电流采样单元输出的采样信号大于设定的第一阈值时，输出第一控制信号，包括：

第二运算放大器比较所述采样信号和基准限流电压，并在所述采样信号大于所述基准限流电压时，输出第一电平信号；第一三极管接收到所述第一电平信号时输出所述第一控制信号；

所述缓启单元接收到所述限流控制单元输出的第一控制信号后，输出第一驱动电压，包括：

第一电容在接收到所述第一控制信号时泄放存储的电荷；第三运算放大器输出维持电子开关工作状态的所述第一驱动电压。

16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，

所述电流比较单元在所述电流采样单元输出的采样信号大于设定的第二阈值时，输出第二控制信号，包括：

第四运算放大器比较所述采样信号和基准电流，并在所述采样信号大于所述基准电流时，输出所述第二控制信号；

所述电压采样单元采样电子开关上的压降，并在压降大于设定的第三阈值时，输出第三控制信号，包括：

第五运算放大器比较所述电子开关上的压降和基准电压，并在所述电子开关上的压降大于所述基准电压时，输出所述第三控制信号；

所述驱动单元在接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时，输出第二驱动电压，包括：

第二三极管接收到所述第二控制信号或者第三控制信号时工作在饱和导通状态，输出使得所述电子开关关断的所述第二驱动电压。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括：

MCU输出高电平时控制所述第二三极管工作在饱和导通状态。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括：

第四三极管在接收所述第二控制信号或者第三控制信号后控制所述MCU输出高电平。

19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括：

所述MCU检测所述电子开关的温度，并在检测到的温度大于设定的阈值时，输出高电平。

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