CN102148293B - 一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法 - Google Patents

一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102148293B
CN102148293B CN 201010587174 CN201010587174A CN102148293B CN 102148293 B CN102148293 B CN 102148293B CN 201010587174 CN201010587174 CN 201010587174 CN 201010587174 A CN201010587174 A CN 201010587174A CN 102148293 B CN102148293 B CN 102148293B
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
sub
battery
test
scribing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201010587174
Other languages
English (en)
Other versions
CN102148293A (zh
Inventor
张亚萍
张鑫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TIANJIN JINNENG SOLAR CELL CO Ltd
Original Assignee
TIANJIN JINNENG SOLAR CELL CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TIANJIN JINNENG SOLAR CELL CO Ltd filed Critical TIANJIN JINNENG SOLAR CELL CO Ltd
Priority to CN 201010587174 priority Critical patent/CN102148293B/zh
Publication of CN102148293A publication Critical patent/CN102148293A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102148293B publication Critical patent/CN102148293B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法,修复方法是:首先对子电池按所测电压进行分档,每0.5V为一档;打开稳压电源,将稳压源正负接头分别置于子电池电压最小值处,正负表笔与电池正负极相反,调节稳压电压,施加电压范围3-6V。本发明在装有稳定光源的平台上通过测试其光照下的子电池开路电压确定激光刻划效果,按不同的刻划程度进行采用两种方法分别进行修复,该修复方法更有针对性,定位更准确,治愈效果更佳,是非晶硅太阳电池生产及研发过程中重要的质量保障。

Description

一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法
技术领域
本发明属于太阳能光伏技术领域,涉及非晶硅太阳电池,尤其是一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法。
背景技术
太阳电池是一种利用“光伏效应”原理直接将太阳能转化为电能的半导体光伏器件,非晶硅太阳电池是一种薄膜电池,在实际生产工艺中需要经过激光刻划形成内部的串联从而形成组件,如图1所示。其中第三条AL刻划线起到分割子电池的作用,工艺要求较高。但在实际生产中却易受环境影响,往往造成一些质量缺陷,如存在刻划线未断点、刻划后存在残渣等问题,这些原因都会形成子电池短路通道,降低电池的并联电阻,从而影响到电池的开路电压和功率。因此对存在质量问题的电池进行有效治疗将大大提高电池的性能,是生产环节中重要的一环。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种非晶硅太阳电池激光刻划测试修复的方法。
本发明解决其技术问题是采取以下技术方案实现的:
一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法,修复方法是:首先对子电池按所测电压进行分档,每0.5V为一档;打开稳压电源,将稳压源正负接头分别置于子电池电压最小值处,正负表笔与电池正负极相反,调节稳压电压,施加电压范围3-6V。
而且,对子电池所测电压的测试方法为:
(1)将电池板平置于测试平台上,打开稳定光源;
(2)将万用表置于直流电压档,两表笔分别接在各子电池上,先从左侧进行测试;
(3)记录所测电压值;
(4)再从右侧进行测试,记录所测电压值。
(5)比较同侧和异侧测试结果,数据明显较小的子电池判断为AL激光刻划需要修复。
而且,对于所测电压比正常电压低50%以上的子电池,需再重新刻划一次AL刻划线,该操作应在激光刻划操作平台上进行,而且此线位于第一条AL刻划线间隔的右侧。
本发明的优点和积极效果是:
1、本方法针对不同的激光刻划效果采用分类修复,一是对于存在严重刻划质量缺陷的电池板需要对第三条刻划线进行非原位重新刻划;二是对于子电池电压稍低与正常水平的情况进行电治疗,电治疗时需在子电池两端施加反向电压,电治疗所用仪器为可调节的稳压电源。
2、本发明采用的电治疗方法,在对子电池进行电治疗时首先要确定该条子电池电压最小点处,在最小点处施加某一数值反向电压,而不是简单的将电压加于该条子电池末端处,这样修复定位更准,治愈效果更好。
3、本发明在装有稳定光源的平台上通过测试其光照下的子电池开路电压确定激光刻划效果,按不同的刻划程度进行采用两种方法分别进行修复,该修复方法更有针对性,定位更准确,治愈效果更佳,是非晶硅太阳电池生产及研发过程中重要的质量保障。
4、本发明采用分类修复和子电池单条修复方法,简单有效,既提高了不同情况修复的针对性,又提高了单条子电池修复的可靠性,修复后电池性能可显著提高,从而大大提高生产中产品的合格率。
附图说明
图1为本发明太阳电池内部串联示意图;
图2为本发明测试及修复平台结构主视图;
图3为图2的侧视图。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明作进一步详述,以下实施例只是描述性的,不是限定性的,不能以此限定本发明的保护范围。
图1所示的非晶硅太阳电池的内部串联结构示意图,三条激光刻划线分别为图1中TCO刻划线1、Si刻划线2和AL刻划线3,其中第三条AL刻划线的刻划效果对电池板性能影响比较大,易造成子电池之间短路、子电池开路电压降低,从而直接影响到整个电池的性能,因此修复主要针对该条划线。下面结合图2、图3来说明本发明的对AL刻划线的测试及修复方法。测试步骤如下:
(1)将电池板8平置于测试平台5上,打开稳定光源6;
(2)将万用表7置于直流电压档,两表笔分别接在各子电池9上,先从左侧进行测试;
(3)记录所测电压值;
(4)再从右侧进行测试,记录所测电压值。
(5)比较同侧和异侧测试结果,数据明显较小的子电池可判断为AL激光刻划有问题,对有问题的子电池从左侧到右侧选取一定步长将整条子电池进行测试找到最小电压点处。
测试完毕后通过结果分析,将所测电压比正常电压低50%以上的子电池,由于刻划质量严重缺陷需再重新刻划一次AL线,该操作应在激光刻划操作平台上进行,而且此线位于第一条AL刻划线3的右侧即刻划线4,不与原线重合,因为第一条线融熔冷却后的残渣不易再一次刻断,影响修复效果。
对于可进行电治疗的情况,测试完子电池电压后关掉光源进行修复。修复方法为:
首先对子电池按所测电压进行分档,每0.5V为一档。
打开稳压电源10,将稳压源正负接头分别置于子电池电压最小值处,正负表笔应与电池正负极相反,即所加为反向电压,调节稳压电压,施加电压范围3-6V。定位准确治愈效果才更显著。

Claims (1)

1.一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法,其特征在于:修复方法是:
(1)将电池板平置于测试平台上,打开稳定光源;
(2)将万用表置于直流电压档,两表笔分别接在各子电池上,先从左侧进行测试;
(3)记录所测电压值;
(4)再从右侧进行测试,记录所测电压值;
(5)比较同侧和异侧测试结果,数据明显较小的子电池可判断为AL激光刻划有问题,对有问题的子电池从左侧到右侧选取一定步长将整条子电池进行测试找到最小电压点处;
测试完毕后通过结果分析,将所测电压比正常电压低50%以上的子电池,由于刻划质量严重缺陷需再重新刻划一次AL线,该操作应在激光刻划操作平台上进行,而且此线位于第一条AL刻划线的右侧;
对于可进行电治疗的情况,测试完子电池电压后关掉光源进行修复,修复方法为:
首先对子电池按所测电压进行分档,每0.5V为一档;打开稳压电源,将稳压源正负接头分别置于子电池电压最小值处,正负表笔与电池正负极相反,调节稳压电压,施加电压范围3-6V。
CN 201010587174 2010-12-14 2010-12-14 一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法 Expired - Fee Related CN102148293B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010587174 CN102148293B (zh) 2010-12-14 2010-12-14 一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010587174 CN102148293B (zh) 2010-12-14 2010-12-14 一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102148293A CN102148293A (zh) 2011-08-10
CN102148293B true CN102148293B (zh) 2012-10-10

Family

ID=44422423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010587174 Expired - Fee Related CN102148293B (zh) 2010-12-14 2010-12-14 一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102148293B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105514220A (zh) * 2016-02-19 2016-04-20 江西共青城汉能薄膜太阳能有限公司 一种柔性太阳能电池的修复方法
CN107093653A (zh) * 2017-06-15 2017-08-25 宁夏旭唐新材料科技有限公司 非晶硅薄膜太阳能电池的反向电压修复系统及方法
CN108899382A (zh) * 2018-07-03 2018-11-27 广东汉能薄膜太阳能有限公司 一种太阳能电池板激光刻线异常的返修方法及太阳能电池板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166918A (en) * 1978-07-19 1979-09-04 Rca Corporation Method of removing the effects of electrical shorts and shunts created during the fabrication process of a solar cell
CN101718846A (zh) * 2009-12-08 2010-06-02 普乐新能源(蚌埠)有限公司 一种检测薄膜太阳能电池板电性能的方法及其检测装置
CN101834234A (zh) * 2010-04-30 2010-09-15 江苏综艺光伏有限公司 非晶硅太阳能电池刻蚀不良品的修复方法及专用装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
左其培.一种治疗非晶硅太阳电池缺陷的新方法.《太阳能学报》.1999,第20卷(第3期),第352-356页. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN102148293A (zh) 2011-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201477774U (zh) 太阳能电池检测与应用综合实验装置
CN102148293B (zh) 一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法
CN102636737A (zh) 一种快速简易功率表测试高倍聚光电池片装置
CN107192962A (zh) 一种锂离子动力电池电压内阻测试装置
CN104932603A (zh) 一种光伏控制器最大功率点跟踪精度的测试系统及方法
CN104113281A (zh) 新型多通道太阳能电池组件测试系统及双重智能扫描方法
CN104602406A (zh) 一种户外广告牌实时监控系统供能方法及供能系统
CN101311742A (zh) 一种测试太阳电池组件效率的方法
CN103684252B (zh) 一种聚光光伏户外性能测试系统
CN203630175U (zh) 一种直流电弧发生装置
CN203337560U (zh) 太阳能电池晶硅硅片隐裂检测分选装置
CN102156254B (zh) 太阳能电池组件中电池片损坏、老化的自动巡航检测系统
CN104135231A (zh) 一种太阳能电池性能测试仪
CN103353576B (zh) 基于伏安特性曲线的光伏组件发电量测量方法
CN203660987U (zh) 一种高倍聚光光伏电池测试系统
CN103888075B (zh) 一种全时测量pv组件功率特性的装置
CN204789917U (zh) 光伏控制器检测系统
CN201382915Y (zh) 一种检测太阳电池单片缺陷的装置
CN107863935A (zh) 一种高仿真太阳能电池模拟器
CN204206107U (zh) 一种太阳能电池性能测试仪
CN206850720U (zh) 一种光伏组件现场多性能移动检测平台
CN102175959A (zh) 太阳能光伏电池组件矩阵中电池片损坏、老化的检测装置及检测方法
CN104635038A (zh) 一种采用电子负载仪测量电池板小组件的方法
CN210837659U (zh) 一种激光电池芯片参数的测试装置
CN109525193B (zh) 一种低轨道高压太阳电池阵电流收集测试系统及方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20121010

Termination date: 20141214

EXPY Termination of patent right or utility model