CN102142811B - 基于低压差调压器的低噪声cmos压控振荡电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种电感电容压控振荡电路，由低压差调压器、并联电容电感噪声滤波器以及互补交叉耦合结构的电感电容压控振荡器构成，其中，所述低压差调压器由误差放大器、MOS管、第一电阻和第二电阻构成，所述MOS管的栅极、源极、漏极分别与所述误差放大器的输出端、电源、第一电阻R1的一端相连，并从第MOS管的漏极引出低压差调压器的输出端，第一电阻的另一端和第二电阻互连后接到误差放大器正向输入端，第二电阻的一端和正向输入端相连，另一端接地线，所述噪声滤波器中还包括电感，电容，所述电感的一端和所述电容相连后接到共模端，其另一端和低压差调压器的输出端相连，所述电容的一端连到共模端，其另一端连到地线。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于低压差调压器的低噪声CMOS压控振荡电路，确切说，涉及一种基于低压差调压器的低噪声CMOS电感电容压控振荡电路，属于集成电路设计及信号处理的技术领域。
背景技术
近年来随着射频集成电路的迅速发展，无线通讯技术逐步步入人们的日常生活。其中超高频(Ultra High Frequency，简称UHF)无线射频识别(RadioFrequency Identification，简称RFID)技术由于其相对较远的传输距离和较快的传输速率得到广泛的关注，尤其是在物流，目标跟踪等领域得到了广泛的应用。
现今全球超高频射频识别系统的工作频率主要在860～960MHz之间，针对射频识别系统的通信协议规范主要有欧洲的ETSI和北美的FCC两种规范。和其他无线通讯设备一样，单片UHF RFID阅读器中射频前端采用锁相环提供本地振荡源。依据IEEE近年来关于单片UHF RFID阅读器研究的相关报道显示，单片UHF RFID阅读器中锁相环的设计依然面临着许多挑战，其相位噪声性能直接影响着阅读器中接收机的灵敏度和信噪比。
压控振荡器是锁相环电路中的核心模块，主要产生射频前端所需要的本振信号，而其相位噪声性能主要决定了锁相环的带宽外噪声，对UHF RFID阅读器通信过程中的临道抑制和抗干扰能力有很大的影响。电感电容压控振荡器(LC VCO)由于其相对较好的相位噪声性能而被广泛采用，目前LC VCO的设计主要采用电流源偏置结构，例如：2008年4月的IEEE《固态电路》杂志上发表的“A single-chip CMOS Transceiver for UHF Mobile RFID Reader(手持式超高频无线射频识别阅读器中单片CMOS收发机)”见图1。图1为NMOSFET和PMOSFET构成的交叉耦合结构的工作原理：M1’、M2’以及M3’、M4’分别通过反馈形成等效负电阻，并利用负电阻电路产生的能量补偿电容电感谐振回路中的损耗，形成持续振荡。其中该结构的LC VCO中电源抖动形成的随机噪声会周期性改变尾管电流源的电流大小，使VCO输出幅度周期性改变，影响本振相位噪声性能；同时尾管电流源的热噪声也会进入电感电容谐振回路，极大地恶化了本振相位噪声，降低了整个接收机的抗干扰能力。
综上所述，设计一种低噪声电感电容压控振荡电路对于整个单片UHFRFID阅读器性能的提升有重大的意义。
[1]K.Ickjin，E.Yunseong，B.Heemun et al.“A single-chip CMOSTransceiver for UHF Mobile RFID Reader”IEEE Journal of Solid-State Circuits，vol.43，no.3，pp.729-737，March 2008.
发明内容
本发明的目的是推出一种基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡电路，它的优点是：能够有效抑制电源噪声对VCO相位噪声性能的恶化；利用稳定的低压差调压器偏置取代普通电流源偏置结构，消除电流源噪声对VCO相位噪声的影响。
本发明的技术方案是利用低压差调压器有效抑制电源噪声，提供给LCVCO一个稳定的低噪声偏置电流源，有效降低电源噪声对VCO相位噪声性能的影响。
本发明提供了一种电感电容压控振荡电路，由低压差调压器、并联电容电感噪声滤波器以及互补交叉耦合结构的电感电容压控振荡器构成，其中，所述低压差调压器由误差放大器A(s)、MOS管M15、第一电阻R1和第二电阻R2构成，所述MOS管M15的栅极、源极、漏极分别与所述误差放大器的输出端Aout、电源VDD、第一电阻R1的一端相连，并从第MOS管M15的漏极引出低压差调压器的输出端，第一电阻R1的另一端和第二电阻R2互连后接到误差放大器正向输入端FB，第二电阻R2的一端和正向输入端FB相连，另一端接地线GND，所述噪声滤波器中还包括电感Lf，电容Cf，所述电感Lf的一端和所述电容Cf相连后接到共模端G，其另一端和低压差调压器的输出端VBias相连，所述电容Cf的一端连到共模端G，其另一端连到地线GND。
在本发明的电感电容压控振荡电路，所述低压差调压器中的误差放大器A(s)包括第十一MOS管M11，第十二MOS管M12，第十三MOS管M13，第十四MOS管M14，第十六MOS管M16，第十七MOS管M17，第一电流源I1，其中，第十一MOS管M11的栅极、漏极、源极分别接到误差放大器输入端IN-、误差放大器输出端Aout、第十二MOS管M12的源极，第十二MOS管M12的源极和第十一MOS管M11的源极互连后接到第十六MOS管M16的漏极，第十二MOS管M12的栅极和漏极分别接到误差放大器正向输入端FB和第十三MOS管M13的栅极，第十三MOS管M13和第十四MOS管M14的栅极互连后接到误差放大器正向输入端FB，第十三MOS管M13和第十四MOS管M14的源极互连后接到电源VDD，第十四MOS管M14的漏极接到误差放大器正向输入端FB，第十六MOS管M16的栅极、源极、漏极分别与第十七MOS管M17的栅极、第十七MOS管M17的源极、第十二MOS管M12的源极连接，第十七MOS管M17的栅极和漏极互连后接到第一电流源I1，第十七MOS管M17的源极和第十六MOS管M16的源极互连后接地GND，第一电流源I1的一端接到电源VDD的另一端接到第十七MOS管M17的栅极。
本发明的电感电容压控振荡电路，其中所述互补交叉耦合结构电感电容压控振荡器核中还包括第一MOS管M1，第二MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4，第一差分对称电感L1，第一集成MOS可变电容Var1，第二集成MOS可变电容Var2，第一电容C1，第二电容C2，第三电容C3，第四电容C4，其中第一MOS管M1的漏极、栅极、源极分别和第二MOS管M2的栅极、漏极、源极相连，第二MOS管M2的栅极和漏极分别与输出端VOUT+和输出端VOUT-相连，第一MOS管M1和第二MOS管M2源极互连后与共模端G相连，第三MOS管M3的栅极、漏极、源极分别和第四MOS管M4的漏极、栅极、源极相连，第四MOS管M4的栅极和漏极分别与输出端VOUT+和输出端VOUT-，第三MOS管M3和第四MOS管M4的源极互连后接到地线GND，第一差分对称电感L1的差分输入端和输出端VOUT+和输出端VOUT-相连，第一集成MOS可变电容Var1的两端分别与电压调谐端Vtune和输出端VOUT+相连，第二集成MOS可变电容Var2的两端分别与电压调谐端Vtune和输出端VOUT-相连，第一电容和第二电容之间连有第一开关电路，第三电容和第四电容之间连有第二开关电路。
在本发明的电感电容压控振荡电路，所述第一开关电路由第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7和开关控制端S1构成，所述第二开关电路由第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10和开关控制端S2构成。其中，第五MOS管M5和第六MOS管M6的源极连在一起接到地线，第五MOS管M5和第七MOS管M7的漏极互连后与第一电容C1相连，第六MOS管M6的漏极和第七MOS管M7源极互连后与第二电容C2相连，第一电容C1的一端与第五MOS管M5和第七MOS管M7的漏极相连，另一端和输出端VOUT+相连，第二电容C2的一端与第六MOS管M6的漏极和第七MOS管M7源极相连，另一端和输出端VOUT-相连，第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10的栅极连在一起接到开关控制端S2，第八MOS管M8和第九MOS管M9的源极互连后接到地线(GND)，第八MOS管M8和第十MOS管M10的漏极互连后与第三电容C3相连，第九MOS管M9的漏极和第十MOS管M10的源极互连后与第四电容C4相连，第三电容C3的一端和第八MOS管M8和第十MOS管M10的漏极相连另一端和输出端VOUT+相连，第四电容C4一端和第九MOS管M9的漏极和第十MOS管M10的源极相连另一端和输出端VOUT-相连。
与背景技术相比，本发明有以下积极效果：
1、本发明的基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡器(LCVCO)，能够有效抑制电源噪声，提高本振信号的相位噪声性能。
2、本发明的基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡器(LCVCO)，取消了电流源偏置结构，消除了电流源噪声对相位噪声性能的影响。
附图说明
图1为文献[1]中采用的LC VCO结构电路图。
图2为本发明基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡器的框图。
图3为本发明采用的基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡器(LC VCO)电路图。
具体实施方式
现结合附图2和附图3具体描述本发明的一个实施方式。
一种基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡电路，如图2所示，由低压差调压器，并联电容电感(LC)噪声滤波器以及互补交叉耦合结构的电感电容压控振荡器构成；如图3所示，所述低压差调压器有误差放大器负相输入端IN-，误差放大器正向输入端FB，误差放大器输出端Aout，低压差调压器输出端VBias，所述并联LC滤波器一端连于交叉管共模端G，所述互补交叉耦合结构电感电容压控振荡器核有差分输出端VOUT-及VOUT+，电压调谐端Vtune，开关控制端S1和S2，其特征在于，互补交叉耦合结构电感电容压控振荡器核中还包括第一MOS管M1，第二MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4，第五MOS管M5，第六MOS管M6，第七MOS管M7，第八MOS管M8，第九MOS管M9，第十MOS管M10，第一差分对称电感L1，第一集成MOS可变电容Var1，第二集成MOS可变电容Var2，第一集成金属介质层金属(MIM)电容C1，第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2，第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3，第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4，其中第一MOS管M1的漏极、栅极、源极分别和第二MOS管M2的栅极、漏极、源极相连，第二MOS管M2的栅极和漏极分别与输出端VOUT+和输出端VOUT-相连，第一MOS管M1和第二MOS管M2源极互连后与共模端G相连，第三MOS管M3的栅极、漏极、源极分别和第四MOS管M4的漏极、栅极、源极相连，第四MOS管M4的栅极和漏极分别与输出端VOUT+和输出端VOUT-，第三MOS管M3和第四MOS管M4的源极互连后接到地线(GND)，第一差分对称电感L1的差分输入端和输出端VOUT+和输出端VOUT-相连，第一集成MOS可变电容Var1的两端分别与电压调谐端Vtune和输出端VOUT+相连，第二集成MOS可变电容Var2的两端分别与电压调谐端Vtune和输出端VOUT-相连，第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7的栅极连在一起接到控制端S1，第五MOS管M5和第六MOS管M6的源极连在一起接到地线，第五MOS管M5和第七MOS管M7的漏极互连后与第一集成金属介质层金属(MIM)电容C1相连，第六MOS管M6的漏极和第七MOS管M7源极互连后与第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2相连，第一集成金属介质层金属(MIM)电容C1一端与第五MOS管M5和第七MOS管M7的漏极相连另一端和输出端VOUT+相连，第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2一端与第六MOS管M6的漏极和第七MOS管M7源极相连另一端和输出端VOUT-相连，第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10的栅极连在一起接到开关控制端S2，第八MOS管M8和第九MOS管M9的源极互连后接到地线(GND)，第八MOS管M8和第十MOS管M10的漏极互连后与第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3相连，第九MOS管M9的漏极和第十MOS管M10的源极互连后与第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4相连，第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3的一端和第八MOS管M8和第十MOS管M10的漏极相连另一端和输出端VOUT+相连，第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4一端和第九MOS管M9的漏极和第十MOS管M10的源极相连另一端和输出端VOUT-相连。LC噪声滤波器中还包括第一集成螺旋电感Lf，第5集成金属介质层金属(MIM)电容Cf，第一集成螺旋电感Lf一端和第5集成金属介质层金属(MIM)电容Cf相连后接到共模端G另一端和低压差调压器输出VBias端相连，第5集成金属介质层金属(MIM)电容Cf一端连到共模端G另一端连到地线(GND)。低压差调压器1中还包括第十一MOS管M11，第十二MOS管M12，第十三MOS管M13，第十四MOS管M14，第十五MOS管M15，第十六MOS管M16，第十七MOS管M17，第一电流源I1，第一电阻R1，第二电阻R2，第十一MOS管M11的栅极、漏极、源极分别接到误差放大器输入端IN-、误差放大器输出端Aout、第十二MOS管M12的源极，第十二MOS管M12的源极和第十一MOS管M11的源极互连后接到第十六MOS管M16的漏极，第十二MOS管M12的栅极和漏极分别接到误差放大器正向输入端FB和第十三MOS管M13的栅极，第十三MOS管M13和第十四MOS管M14的栅极互连后接到误差放大器正向输入端FB，第十三MOS管M13和第十四MOS管M14的源极互连后接到电源(VDD)，第十四MOS管M14的漏极接到误差放大器正向输入端FB，第十五MOS管M15的栅极、源极、漏极分别与误差放大器输出端Aout、电源(VDD)、第一电阻R1相连，第一电阻R1一端和第十五MOS管M15的漏极相连另一端和第二电阻R2互连后接到误差放大器正向输入端FB，第二电阻R2一端和FB相连另一端接地线(GND)，第十六MOS管M16的栅极、源极、漏极分别与第十七MOS管M17的栅极、第十七MOS管M17的源极、第十二MOS管M12的源极连接，第十七MOS管M17的栅极和漏极互连后接到第一电流源I1，第十七MOS管M17的源极和第十六MOS管M16的源极互连后接地(GND)，第一电流源I1一端接到电源(VDD)另一端接到第十七MOS管M17的栅极。
现结合实例详细说明本发明的技术方案和工作原理。本实例具有与图3所示的电路完全相同的电路结构。本实例的元器件和电路参数罗列如下：
第一差分对称电感L1、第一集成螺旋电感Lf电感量分别为：1.4nH、2.2nH；
第一集成MOS可变电容Var1、第二集成MOS可变电容Var2：5pF、5pF；
第一集成金属介质层金属(MIM)电容C1、第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2、第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3、第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4、第5集成金属介质层金属(MIM)电容Cf的电容值分别为：3pF、3pF、3pF、3pF、500fF；
第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4的宽长比分别为：(200/0.32)μm/μm，(200/0.32)μm/μm，(160/1)μm/μm，(160/1)μm/μm；
第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10的宽长比分别为：(40/0.4)μm/μm，(40/0.4)μm/μm，(400/0.4)μm/μm，(40/0.4)μm/μm，(40/0.4)μm/μm，(400/0.4)μm/μm；
第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16、第十七MOS管M17的宽长比分别为：(500/0.4)μm/μm、(500/0.4)μm/μm、(375/1)μm/μm、(500/0.4)μm/μm、(2000/0.4)μm/μm、(200/2)μm/μm、(2/2)μm/μm；
第一电流源I1电流大小为：10μA；
第一电阻R1、第二电阻R2的阻值分别为：120KΩ、130KΩ；
电源电压(VDD)为：3.3V；
VBias电压为：2.5V；
电压控制端Vtune的电压变化范围为：0-3.3V；
开关控制电压S1和S2分别为：0V或3.3V；
工作原理：
本发明基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡器(LC VCO)电路如图3所示。第一电流源I1为偏置电流源，第十六MOS管M16和第十七MOS管M17构成电流镜，第十七MOS管M17将第一电流源I1的电流值按比例放大作为差分输入对第十一MOS管M11和第十二MOS管M12的偏置电流源，第十三MOS管M13和第十四MOS管M14构成差分输入的电流镜负载，误差放大器输出端Aout处的电压作为第十五MOS管M15的偏置电压，第一电阻R1和第二电阻R2构成比例关系，并将第二电阻R2上产生的压降反馈到第十二MOS管M12的栅极上构成负反馈环路，迫使第十二MOS管M12栅极上的电压等于第十一MOS管M11栅极的输入基准电压，调节第一电阻R1和第二电阻R2阻值的比值，可以在VBias端获得独立于电源电压的稳定偏置电压源，本发明中VBias的电压大小为2.5V，第一集成螺旋电感Lf和第5集成金属介质层金属(MIM)电容Cf以及共模端G处的寄生电容谐振在两倍的本振信号频率处，构成LC噪声滤波器，降低本振信号二次谐波对相位噪声的影响，第一MOS管M1和第MOS管M2以及第三MOS管M3和第四MOS管M4形成正反馈连接方式，用以产生等效负电阻，所述负电阻和第一差分对称电感L1与第一集成MOS可变电容Var1以及第二集成MOS可变电容Var2构成的谐振网络中寄生电阻对能量的消耗，实现振荡器的持续振荡，第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7以及第一集成金属介质层金属(MIM)电容C1、第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2构成开关电容结构，当开关控制端S1电压为3.3V时，第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7全部导通，此时第一集成金属介质层金属(MIM)电容C1、第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2接入谐振网络中，降低频率，当开关控制端S1电压为0V时，第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7全部截止，此时第一集成金属介质层金属(MIM)电容C1、第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2不接入谐振网络中，频率提高，第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10以及第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3、第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4构成开关电容结构，当开关控制端S2电压为3.3V时，第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10全部导通，此时第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3、第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4接入谐振网络中，降低频率，当开关控制端S2电压为0V时，第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10全部截止，此时第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3、第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4不接入谐振网络中，频率提高，通过控制开关控制端S1和S2可以克服VCO制造工程中的工艺偏差和频段覆盖要求。
Claims (2)
1.一种电感电容压控振荡电路，其特征在于，由低压差调压器、并联电容电感噪声滤波器以及互补交叉耦合结构的电感电容压控振荡器构成，其中，所述低压差调压器由误差放大器(A(s))、第十五MOS管(M15)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)构成，所述第十五MOS管(M15)的栅极、源极、漏极分别与所述误差放大器的输出端(Aout)、电源(VDD)、第一电阻R1的一端相连，并从第十五MOS管(M15)的漏极引出低压差调压器的输出端，第一电阻(R1)的另一端和第二电阻(R2)互连后接到误差放大器正向输入端(FB)，第二电阻(R2)的一端和正向输入端(FB)相连，另一端接地线(GND)，所述噪声滤波器中还包括电感(Lf)，电容(Cf)，所述电感(Lf)的一端和所述电容(Cf)相连后接到共模端(G)，所述电感(Lf)的另一端和低压差调压器的输出端(VBias)相连，所述电容(Cf)的一端连到共模端(G)，所述电容(Cf)的另一端连到地线(GND)；
其中，所述低压差调压器中的误差放大器(A(s))包括第十一MOS管(M11)，第十二MOS管(M12)，第十三MOS管(M13)，第十四MOS管(M14)，第十六MOS管(M16)，第十七MOS管(M17)，第一电流源(I1)；
其中，第十一MOS管(M11)的栅极、漏极、源极分别接到误差放大器输入端(IN-)、误差放大器输出端(Aout)、第十二MOS管(M12)的源极，第十二MOS管(M12)的源极和第十一MOS管(M11)的源极互连后接到第十六MOS管(M16)的漏极，第十二MOS管(M12)的栅极和漏极分别接到误差放大器正向输入端(FB)和第十三MOS管(M13)的栅极，第十三MOS管(M13)和第十四MOS管(M14)的栅极互连后接到误差放大器正向输入端(FB)，第十三MOS管(M13)和第十四MOS管(M14)的源极互连后接到电源(VDD)，第十四MOS管(M14)的漏极接到误差放大器正向输入端(FB)，第十六MOS管(M16)的栅极、源极、漏极分别与第十七MOS管(M17)的栅极、第十七MOS管(M17)的源极、第十二MOS管(M12)的源极连接，第十七MOS管(M17)的栅极和漏 极互连后接到第一电流源(I1)，第十七MOS管(M17)的源极和第十六MOS管(M16)的源极互连后接地(GND)，第一电流源(I1)一端接到电源(VDD)另一端接到第十七MOS管(M17)的栅极；
其中，所述互补交叉耦合结构电感电容压控振荡器中还包括第一MOS管(M1)，第二MOS管(M2)，第三MOS管(M3)，第四MOS管(M4)，第一差分对称电感(L1)，第一集成MOS可变电容(Var1)，第二集成MOS可变电容(Var2)，第一电容(C1)，第二电容(C2)，第三电容(C3)，第四电容(C4)，其中，第一MOS管(M1)的漏为输出端Vout+，第二MOS管(M2)的漏极为输出端Vout-；其中第一MOS管(M1)的漏极、栅极、源极分别和第二MOS管(M2)的栅极、漏极、源极相连，第二MOS管(M2)的栅极和漏极分别与输出端VOUT+和输出端VOUT-相连，第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)源极互连后与共模端(G)相连，第三MOS管(M3)的栅极、漏极、源极分别和第四MOS管(M4)的漏极、栅极、源极相连，第四MOS管(M4)的栅极和漏极分别与输出端VOUT+和输出端VOUT-，第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)的源极互连后接到地线(GND)，第一差分对称电感(L1)的差分输入端和输出端VOUT+和输出端VOUT-相连，第一集成MOS可变电容(Var1)的两端分别与电压调谐端(Vtune)和输出端VOUT+相连，第二集成MOS可变电容(Var2)的两端分别与电压调谐端(Vtune)和输出端VOUT-相连，第一电容和第二电容之间连有第一开关电路，第三电容和第四电容之间连有第二开关电路。
2.如权利要求1所述的电感电容压控振荡电路，其特征在于，所述第一开关电路由第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)和开关控制端(S1)构成，所述第二开关电路由第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)、第十MOS管(M10)和开关控制端(S2)构成，
其中，第五MOS管(M5)和第六MOS管(M6)的源极连在一起接到地线，第五MOS管(M5)和第七MOS管(M7)的漏极互连后与第一电容(C1)相连，第六MOS管(M6)的漏极和第七MOS管(M7)源极互连后与第二电容(C2)相连，第一电容(C1)的一端与第五MOS管(M5)和第七MOS管(M7)的漏极相连，第一电容(C1)的另一端和输出端VOUT+相连，第二电容(C2)的一端与第六MOS管(M6)的漏极和第七MOS管(M7)源极相连，第二电容(C2)的另一端和输出端VOUT-相连，第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)、第十MOS管(M10) 的栅极连在一起接到开关控制端(S2)，第八MOS管(M8)和第九MOS管(M9)的源极互连后接到地线(GND)，第八MOS管(M8)和第十MOS管(M10)的漏极互连后与第三电容(C3)相连，第九MOS管(M9)的漏极和第十MOS管(M10)的源极互连后与第四电容(C4)相连，第三电容(C3)的一端和第八MOS管(M8)和第十MOS管(M10)的漏极相连另一端和输出端VOUT+相连，第四电容(C4)一端和第九MOS管(M9)的漏极和第十MOS管(M10)的源极相连，第四电容(C4)的另一端和输出端VOUT-相连。
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