CN102082416A - 基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法 - Google Patents

基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102082416A
CN102082416A CN2010105892986A CN201010589298A CN102082416A CN 102082416 A CN102082416 A CN 102082416A CN 2010105892986 A CN2010105892986 A CN 2010105892986A CN 201010589298 A CN201010589298 A CN 201010589298A CN 102082416 A CN102082416 A CN 102082416A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistance
control chip
boost control
effect transistor
field effect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010105892986A
Other languages
English (en)
Inventor
顾永德
苏周
王永彬
唐开锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Moso Power Supply Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Moso Power Supply Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Moso Power Supply Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Moso Power Supply Technology Co Ltd
Priority to CN2010105892986A priority Critical patent/CN102082416A/zh
Publication of CN102082416A publication Critical patent/CN102082416A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

一种基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法，该方法为在直流电源输出的正极和负极之间依次串联连接有热敏电阻RT1、电阻R2和电阻R1，电阻R2和电阻R1的公共结点与场效应管Q2的栅极连接，场效应管Q2的源极接地，场效应管Q2的漏极通过依次串联连接的电阻R6、电阻R7和电阻R9与直流电源输出的正极连接，电阻R6和电阻R7的公共结点与Boost控制芯片的OVP引脚连接，Boost控制芯片的driver引脚与场效应管Q1的栅极连接，场效应管Q1的源极通过电阻接地，场效应管Q1的漏极与直流电源输出的正极连接。本发明电路结构简单，实现成本较低，稳定性好。

Description

基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法
技术领域
本发明公开一种输入欠压和过温保护的方法，特别是一种基于Boost控制芯片现有的过压保护(OVP)功能引脚实现输入欠压和过温保护的方法。
背景技术
在直流电源电路中，通常都是采用交流市电通过AC/DC转换器转换成直流电进行供电。而交流市电通常会产生不稳定，当造成AC/DC转换后的直流电压欠压时，会影响到负载的使用及负载性能，而现有技术中的AC/DC转换器及电源电路中，通常不具有输入欠压保护功能，从而影响负载的使用。而且，当负载出现故障时或者环境温度过高时，容易对电源产生损坏。
发明内容
针对上述提到的现有技术中的直流电源电路缺少输入欠压保护及过温保护功能，本发明提供一种输入欠压和过温保护的方法，其采用Boost控制芯片，并利用电阻分压网络进行电压检测，通过电压控制场效应管工作，从而利用Boost控制芯片的OVP引脚保护功能控制电源的开关。
本发明解决其技术问题采用的技术方案是：一种基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法，方法为在直流电源输出的正极和负极之间依次串联连接有热敏电阻RT1、电阻R2和电阻R1，电阻R2和电阻R1的公共结点与场效应管Q2的栅极连接，场效应管Q2的源极接地，场效应管Q2的漏极通过依次串联连接的电阻R6、电阻R7和电阻R9与直流电源输出的正极连接，电阻R6和电阻R7的公共结点与Boost控制芯片的OVP引脚连接，Boost控制芯片的driver引脚与场效应管Q1的栅极连接，场效应管Q1的源极通过电阻接地，场效应管Q1的漏极与直流电源输出的正极连接。
本发明解决其技术问题采用的技术手段进一步还包括：
所述的场效应管Q2的源极和漏极之间并联连接有电阻R5。
所述的电阻R1并联连接有稳压管D1。
所述的Boost控制芯片的driver引脚通过电阻R3与场效应管Q1的栅极连接。
所述的场效应管Q1的源极与地之间连接有电阻R4和电阻R8，电阻R4和电阻R8并联连接，并联连接的电阻R4和电阻R8一端与场效应管Q1的源极连接，另一端接地。
所述的直流电源输出的正极上串联连接有电感L1和二极管D2，电感L1连接在热敏电阻RT1和场效应管Q1的源极之间，二极管D2连接在场效应管Q1的源极和电阻R9之间。
所述的Boost控制芯片采用型号为HV9963的芯片。
本发明的有益效果是：本发明电路结构简单，实现成本较低，稳定性好，通过本发明可有效的对电源输入欠压及环境和负载过温进行保护。
下面将结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。
附图说明
图1为本发明的电路原理图。
具体实施方式
本实施例为本发明优选实施方式，其他凡其原理和基本结构与本实施例相同或近似的，均在本发明保护范围之内。
请参看附图1，交流市电通过AC/DC转换器转换成直流电源进行供电，直流电源输出包括正极和负极两个电极输出，本实施例中，直流电源输出的正极上串联连接有电感L1和二极管D2，电感L1连接在热敏电阻RT1和场效应管Q1的源极之间，二极管D2连接在场效应管Q1的源极和电阻R9之间。本发明中的电路包括依次串联连接在直流电源输出的正极和负极之间的热敏电阻RT1、电阻R2和电阻R1，本实施例中，热敏电阻RT1连接在直流电源输出的正极线上，电阻R1接地，电阻R2和电阻R1的公共结点(即附图中的A点)与场效应管Q2的栅极连接，本实施例中，场效应管Q2的源极接地，场效应管Q2的漏极通过依次串联连接的电阻R6、电阻R7和电阻R9与直流电源输出的正极连接，本实施例中，电阻R1并联连接有稳压管D1，场效应管Q2的源极和漏极之间并联连接有电阻R5。电阻R6和电阻R7的公共结点(即附图中的B点)与Boost控制芯片U1的OVP引脚(即过压保护引脚)连接，本实施例中，Boost控制芯片U1采用型号为HV9963的芯片。Boost控制芯片U1的driver引脚(即MOSFET驱动引脚)通过电阻R3与场效应管Q1的栅极连接，场效应管Q1的漏极与直流电源输出的正极连接，场效应管Q1的源极通过电阻接地，本实施例中，场效应管Q1的源极与地之间连接有电阻R4和电阻R8，电阻R4和电阻R8并联连接，并联连接的电阻R4和电阻R8一端与场效应管Q1的源极连接，另一端接地。
上述电路在使用时，即实现本发明中的保护方法，本发明的保护可实现两种保护方式：
1、输入欠压保护：当输入的电压降低时，此时电路中A点电压也跟着降低，当A点电压降低至场效应管Q2栅极的开通电压以下时，场效应管Q2由导通变为截止，此时B点电压升高，触发Boost控制芯片U1内部OVP引脚功能动作，使Boost控制芯片U1的Driver引脚输出关闭，电源停止输出；
2、过温保护：当电源的工作环境及负载异常导致温升过高时，此时热敏电阻RT1的阻值增大，造成电路中A点的电压降低，当A点电压降低至场效应管Q2栅极的开通电压以下时，场效应管Q2由导通变为截止，此时B点电压升高，触发Boost控制芯片U1内部OVP引脚功能动作，使Boost控制芯片U1的Driver引脚输出关闭，电源停止输出。
本发明电路结构简单，实现成本较低，稳定性好，通过本发明可有效的对电源输入欠压及环境和负载过温进行保护。

Claims (7)

1.一种基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法，其特征是：所述的方法为在直流电源输出的正极和负极之间依次串联连接有热敏电阻RT1、电阻R2和电阻R1，电阻R2和电阻R1的公共结点与场效应管Q2的栅极连接，场效应管Q2的源极接地，场效应管Q2的漏极通过依次串联连接的电阻R6、电阻R7和电阻R9与直流电源输出的正极连接，电阻R6和电阻R7的公共结点与Boost控制芯片的OVP引脚连接，Boost控制芯片的driver引脚与场效应管Q1的栅极连接，场效应管Q1的源极通过电阻接地，场效应管Q1的漏极与直流电源输出的正极连接。
2.根据权利要求1所述的基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法，其特征是：所述的场效应管Q2的源极和漏极之间并联连接有电阻R5。
3.根据权利要求1所述的基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法，其特征是：所述的电阻R1并联连接有稳压管D1。
4.根据权利要求1所述的基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法，其特征是：所述的Boost控制芯片的driver引脚通过电阻R3与场效应管Q1的栅极连接。
5.根据权利要求1所述的基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法，其特征是：所述的场效应管Q1的源极与地之间连接有电阻R4和电阻R8，电阻R4和电阻R8并联连接，并联连接的电阻R4和电阻R8一端与场效应管Q1的源极连接，另一端接地。
6.根据权利要求1所述的基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法，其特征是：所述的直流电源输出的正极上串联连接有电感L1和二极管D2，电感L1连接在热敏电阻RT1和场效应管Q1的源极之间，二极管D2连接在场效应管Q1的源极和电阻R9之间。
7.根据权利要求1所述的基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法，其特征是：所述的Boost控制芯片采用型号为HV9963的芯片。
CN2010105892986A 2010-12-15 2010-12-15 基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法 Pending CN102082416A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105892986A CN102082416A (zh) 2010-12-15 2010-12-15 基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105892986A CN102082416A (zh) 2010-12-15 2010-12-15 基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102082416A true CN102082416A (zh) 2011-06-01

Family

ID=44088201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105892986A Pending CN102082416A (zh) 2010-12-15 2010-12-15 基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102082416A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106851924A (zh) * 2017-03-30 2017-06-13 横店集团得邦照明股份有限公司 一种适用于芯片ovp引脚的调光装置及其实现方法
CN108287587A (zh) * 2018-01-16 2018-07-17 成都京东方光电科技有限公司 温度补偿电路及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090244942A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Ming-Ho Huang Synchronous rectification control circuit
CN201393057Y (zh) * 2009-03-04 2010-01-27 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 过压及欠压保护电路
CN201466716U (zh) * 2009-07-24 2010-05-12 北京七星华创电子股份有限公司 浪涌保护电路
CN201629555U (zh) * 2010-01-19 2010-11-10 鲁红波 一种交流欠压或断电快速响应电路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090244942A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Ming-Ho Huang Synchronous rectification control circuit
CN201393057Y (zh) * 2009-03-04 2010-01-27 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 过压及欠压保护电路
CN201466716U (zh) * 2009-07-24 2010-05-12 北京七星华创电子股份有限公司 浪涌保护电路
CN201629555U (zh) * 2010-01-19 2010-11-10 鲁红波 一种交流欠压或断电快速响应电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106851924A (zh) * 2017-03-30 2017-06-13 横店集团得邦照明股份有限公司 一种适用于芯片ovp引脚的调光装置及其实现方法
CN108287587A (zh) * 2018-01-16 2018-07-17 成都京东方光电科技有限公司 温度补偿电路及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101867168B (zh) 一种电源保护电路及led灯具
CN203180783U (zh) 一种升压电路
CN202798439U (zh) 一种开关电源及其防倒灌保护电路
CN205039517U (zh) 过压保护电路
CN104753034A (zh) 电子装置及其充电保护电路
CN102082416A (zh) 基于Boost控制芯片OVP功能实现输入欠压和过温保护的方法
CN203193500U (zh) 一种开关电源及其充电回路
CN208904649U (zh) 一种高压挡墙的电源过压保护电路
CN201252402Y (zh) 防电源反接保护电路
CN202150690U (zh) 辅助电源的保护装置
CN207559965U (zh) 一种快速关断的直流固态继电器
CN204205929U (zh) 一种带过压保护的高性能模块开关电源电路
CN204190358U (zh) 一种关断pwm芯片输出的led电源保护电路
CN204168529U (zh) 一种用于led的防雷电路
CN203481803U (zh) Pwm输出短路保护电路
CN204376382U (zh) 用于led高压灯带的保护电路
CN101009470A (zh) 一种计量装置的电源电路
CN108288850B (zh) 一种电压转换输入输出低端导通保护电路
CN202405740U (zh) 交流供电回路的限流保护电路
CN208173507U (zh) 一种电子商务服务终端设备
CN202797875U (zh) 市电过电压与欠电压自动保护器
CN204425213U (zh) 一种智能家用面条机控制器
CN201854178U (zh) 实用过流保护电路
CN204928080U (zh) 过压保护电路
CN204967434U (zh) 一种浪涌电流峰值测量电路的电源供电电路及系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Shenzhen Nanshan District City, Guangdong province 518108 industrial park outside the small pine Tai Bai Lu Bai mang mulberry 6 layer

Applicant after: MOSO Power Supply Technology Co., Ltd.

Address before: Shenzhen Nanshan District City, Guangdong province 518108 industrial park outside the small pine Tai Bai Lu Bai mang mulberry 6 layer

Applicant before: Shenzhen MoSo Power Supply Technology Co., Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: SHENZHEN MOSO POWER SUPPLY TECHNOLOGY CO., LTD. TO: MOSO POWER SUPPLY TECHNOLOGY CO., LTD.

C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20110601