CN102041483A - 低压化学气相沉积设备以及低压化学气相沉控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种低压化学气相沉积设备以及低压化学气相沉控制方法。根据本发明的低压化学气相沉积设备包括：真空泵；采集器；布置在真空泵与收集器之间的主阀门；工艺导管；以及布置在工艺导管中的气流方向检测装置。根据本发明的低压化学气相沉积设备能够在真空泵突然出现故障时防止工艺副产品的出现、并防止加工中的晶片报废，因此，所述低压化学气相沉积设备能够提高成品率，由此降低工艺成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种低压化学气相沉积设备、以及相应的低压化学气相沉控制方法。
背景技术
化学气相沉积(简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。化学气相沉积包括常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积等。
其中，低压化学气相沉积是随着半导体工艺特征尺寸的减小、对薄膜的均匀性要求以及膜厚误差要求的不断提高而出现的。低压化学气相沉积是指系统工作在较低的压强下的一种化学气相沉积的方法。低压化学气相沉积技术不仅用于制备硅外延层，还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶硅薄膜的沉积，是一种重要的薄膜沉积技术。低压化学气相沉积是一种直接生成多晶硅的方法。低压化学气相沉积渐渐成为集成电路中所用多晶硅薄膜的制备中普遍采用的标准方法，其具有生长速度快，成膜致密、均匀，装片容量大等特点。
图1示出了现有技术的低压化学气相沉积设备在正常工作状态下的示意图。图2示出了现有技术的低压化学气相沉积设备在异常工作状态下的示意图。
如图1所示，现有技术的低压化学气相沉积设备包括：真空泵、收集器、以及布置在真空泵与收集器之间的主阀门，并且低压化学气相沉积设备还包括连接用于传递反应物的工艺导管，其中工艺导管可分为两部分：内导管和外导管，其中布置在供应源设备外部的靠近采集器的部分被称为外导管，布置在供应源设备内部的部分被称为内导管。其中，真空泵被用来保持工艺导管中的低压，并使得气体流动方向保持为从工艺导管流向采集器。
但是，在图2所示的异常工作状态下，当真空泵由于例如停电等原因而突然停止工作或工作不正常时，真空泵突然出现的故障使得微粒沿真空泵、主阀门、收集器、工艺导管的方向回流，从而使工艺产生不期望的副产品，并且可能使得加工中的晶片报废。
因此，希望能够提出一种能够在真空泵突然出现故障时防止工艺副产品的出现、并防止加工中的晶片报废的技术方案。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种能够在真空泵突然出现故障时防止工艺副产品的出现、并防止加工中的晶片报废的低压化学气相沉积设备以及相应的低压化学气相沉控制方法，因此，所述设备和方法能够提高成品率，由此降低工艺成本。
根据本发明的第一方面，提供了一种低压化学气相沉积设备以及低压化学气相沉控制方法。根据本发明的低压化学气相沉积设备包括：真空泵；采集器；布置在真空泵与收集器之间的主阀门；工艺导管；以及布置在工艺导管中的气流方向检测装置。
根据本发明的低压化学气相沉积设备能够在真空泵突然出现故障时防止工艺副产品的出现、并防止加工中的晶片报废，因此，所述低压化学气相沉积设备能够提高成品率，由此降低工艺成本。
优选地，在上述低压化学气相沉积设备中，所述气流方向检测装置在检测到气流异常时阻断气流通路。
优选地，在上述低压化学气相沉积设备中，所述气流方向检测装置是检查阀门。
优选地，在上述低压化学气相沉积设备中，所述低压化学气相沉积设备还包括供应源设备。
优选地，在上述低压化学气相沉积设备中，所述工艺导管被分为内导管和外导管，其中布置在所述供应源设备外部的部分为外导管，布置在所述供应源设备内部的部分为内导管。
根据本发明的第二方面，提供了一种低压化学气相沉控制方法，其包括：提供真空泵；提供采集器；提供布置在真空泵与收集器之间的主阀门；提供工艺导管；以及提供布置在工艺导管中的气流方向检测装置。
同样，根据本发明的低压化学气相沉积控制方法能够在真空泵突然出现故障时防止工艺副产品的出现、并防止加工中的晶片报废，因此，所述低压化学气相沉积控制方法能够提高成品率，由此降低工艺成本。
优选地，在上述低压化学气相沉积控制方法中，所述低压化学气相沉积控制方法还包括：在所述气流方向检测装置检测到气流异常时利用所述气流方向检测装置阻断气流通路。
优选地，在上述低压化学气相沉积控制方法中，所述气流方向检测装置是检查阀门。
优选地，在上述低压化学气相沉积控制方法中，所述低压化学气相沉积控制方法还包括：提供供应源设备。
优选地，在上述低压化学气相沉积控制方法中，所述工艺导管被分为内导管和外导管，其中布置在所述供应源设备外部的部分为外导管，布置在所述供应源设备内部的部分为内导管。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示出了现有技术的低压化学气相沉积设备在正常工作状态下的示意图。
图2示出了现有技术的低压化学气相沉积设备在异常工作状态下的示意图。
图3示出了根据本发明实施例的低压化学气相沉积设备在正常工作状态下的示意图。
图4示出了根据本发明实施例的低压化学气相沉积设备在异常工作状态下的示意图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图3示出了根据本发明实施例的低压化学气相沉积设备在正常工作状态下的示意图。与现有技术中的低压化学气相沉积设备相同的是，根据本发明实施例的低压化学气相沉积设备同样包括：真空泵、收集器、以及布置在真空泵与收集器之间的主阀门，并且低压化学气相沉积设备还包括连接用于传递反应物的工艺导管，其中工艺导管可分为两部分：内导管和外导管，其中布置在供应源设备外部的靠近采集器的部分被称为外导管，布置在供应源设备内部的部分被称为内导管。同样，其中，真空泵被用来保持工艺导管中的低压，并使得气体流动方向保持为从工艺导管流向采集器。
而与现有技术中的低压化学气相沉积设备相同的是，根据本发明实施例的低压化学气相沉积设备还包括布置在供应源设备与收集器之间(即可以布置在工艺导管中)的检查阀门。并且，该检查阀门只能朝着低压化学气相沉积工艺中气流的正常流动方向打开。下面将具体说明。
在图3所示的正常工作状态下，所添加的检查阀门不会对正常工作产生任何负面影响，即不会影响低压化学气相沉积工艺。也就是说，该检查阀门在图3所示的正常工作状态下是打开的，不会关断或组阻断气流路径。
但是，在异常工作状态下，例如在真空泵由于例如停电等原因而突然停止工作或工作不正常时，检查阀门可以消除真空泵突然出现的故障所带来的不利因素。
具体地说，图4示出了根据本发明实施例的低压化学气相沉积设备在异常工作状态下的示意图。其中，检查阀门由于气体回流压力的影响而闭合，由此截断了气体回流通道。也就是说，在图4所示的状态中，该检查阀门是闭合的，即关断或组阻断气体回流路径。由于当真空泵由于例如停电等原因而突然停止工作或工作不正常时，检查阀门能够迅速闭合，由此阻挡气体回流，从而有效地迅速防止工艺的恶化。因此，图3所示的根据本发明实施例的低压化学气相沉积设备能够在真空泵突然出现故障时有效地防止或者降低工艺副产品的出现、并防止加工中的晶片报废的低压化学气相沉积设备以及相应的低压化学气相沉控制方法，因此，上述低压化学气相沉积设备和相应的方法能够提高成品率，由此降低工艺成本。
在本发明的其它实施例中，可利用其它装置来代替检查阀门，例如还可利用一个感应装置，当检测到气流方向相对于低压化学气相沉积的工艺而言是正常的时，不执行任何操作；而当检测到气流方向相对于低压化学气相沉积的工艺而言是异常的时，则执行操作来关断气流通道。
对于本领域技术人员来说明显的是，可在不脱离本发明的范围的情况下对本发明进行各种改变和变形。所描述的实施例仅用于说明本发明，而不是限制本发明；本发明并不限于所述实施例，而是仅由所附权利要求限定。
Claims (10)
1.一种低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述低压化学气相沉积设备包括：
真空泵；
采集器；
布置在真空泵与收集器之间的主阀门；
工艺导管；以及
布置在工艺导管中的气流方向检测装置。
2.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，其中所述气流方向检测装置在检测到气流异常时阻断气流通路。
3.根据权利要求1或2所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，其中所述气流方向检测装置是检查阀门。
4.根据权利要求1或2所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，其中所述低压化学气相沉积设备还包括供应源设备。
5.根据权利要求4所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，其中所述工艺导管被分为内导管和外导管，其中布置在所述供应源设备外部的部分为外导管，布置在所述供应源设备内部的部分为内导管。
6.一种低压化学气相沉控制方法，其特征在于包括：
提供真空泵；
提供采集器；
提供布置在真空泵与收集器之间的主阀门；
提供工艺导管；以及
提供布置在工艺导管中的气流方向检测装置。
7.根据权利要求6所述的低压化学气相沉积控制方法，其特征在于，所述低压化学气相沉积控制方法还包括：在所述气流方向检测装置检测到气流异常时利用所述气流方向检测装置阻断气流通路。
8.根据权利要求6或7所述的低压化学气相沉积控制方法，其特征在于，其中所述气流方向检测装置是检查阀门。
9.根据权利要求6或7所述的低压化学气相沉积控制方法，其特征在于，所述低压化学气相沉积控制方法还包括：提供供应源设备。
10.根据权利要求9所述的低压化学气相沉积控制方法，其特征在于，其中所述工艺导管被分为内导管和外导管，其中布置在所述供应源设备外部的部分为外导管，布置在所述供应源设备内部的部分为内导管。
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Citations (2)
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| US5948169A (en) * | 1998-03-11 | 1999-09-07 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Apparatus for preventing particle deposition in a capacitance diaphragm gauge |
| JP2003247075A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-09-05 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Ｌｐｃｖｄ装置及び薄膜製造方法 |
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2011
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