CN101990716A

CN101990716A - 用于控制超声波压电致动器的装置

Info

Publication number: CN101990716A
Application number: CN200980112298.2A
Authority: CN
Inventors: C·努瓦尔; P·巴罗索
Original assignee: Renault SAS
Current assignee: Renault SAS
Priority date: 2008-04-08
Filing date: 2009-04-07
Publication date: 2011-03-23
Also published as: FR2929773A1; EP2260519A2; EP2260519B1; WO2009136053A3; FR2929773B1; WO2009136053A2; JP2011517272A

Abstract

本发明涉及一种控制装置，其包含：第一级(1)，用于升高DC电压(V_batt)，以便产生中间电压(V_inter)；第二级(2)，其为由第一级(1)供电的存储级，包含用于存储中间电压(V_inter)的第一存储装置(20)；第三级(3)，用于对中间电压(V_inter)进行调制，以产生用于对超声波压电致动器(4)进行激励的AC激励电压(V_E)。根据本发明，第二级(2)包含：第二存储装置(21)，其与第一存储装置(20)并联安装，并被设计为存储中间电压(V_inter)，第一开关装置(22)，命令由第二存储装置(21)进行的中间电压(V_inter)的存储，到使得V_BT＜V_inter的低电压设置点(V_BT)。

Description

用于控制超声波压电致动器的装置

技术领域

本发明涉及一种机动车载装置，其用于控制受到电子驱动且与内燃机中的燃料喷射器相关联的至少一个超声波压电致动器。

背景技术

更精确地说，本发明根据其第一实施形态涉及现有技术中例如在法国专利申请FR 2 847 743中介绍并在图1-2中部分地示出的一种控制装置。该装置被设计为控制由控制计算机10以及DC电压源V_batt(几十伏，例如12V或42V)电子地驱动的至少一个超声波压电致动器4。该控制装置包含：

-第一级1，用于升高由DC电压源V_batt供电的所述DC电压V_batt，并被设计为在电力线5上产生中间DC电压V_inter(几百伏，例如250V)，

-第二级2，用于存储，其经由电力线5由第一级1所产生的中间DC电压V_inter供电，并包含第一存储装置20，第一存储装置20一方面连接到地K，另一方面连接到电力线5，并被设计为存储中间DC电压V_inter，

第三级3，用于对经由电力线5由第二级2所存储的中间DC电压V_inter供电的中间DC电压V_inter进行调制，并被设计为产生超声波压电致动器4的AC激励电压V_E(千伏以上，例如1200V)。

这种已知的控制装置使得可以传送“致动/保持”型的中间DC电压V_inter控制，其被设计为提供喷射器7的希望的运行，即：

-在短暂的喷射致动期间，也就是说，在第一喷射瞬间期间，经由第一级1和第二级2，向第三级3传送高幅度的中间DC电压V_inter，以便通过第三级3致动超声波压电致动器4的事实上为瞬间的激励，从而加速喷射器7的开启，因此确保进入发动机6的汽缸的燃料流，

-在长的喷射保持阶段期间，也就是说，一旦所述第一瞬间已经过去，直到喷射结束时，经由第一级1和第二级2，向第三级3传送中等(moderate)幅度的中间DC电压V_inter，以便通过第三级3保持超声波压电致动器4的激励，从而对于喷射的剩余时间将喷射器7保持于开启位置。

为了产生电压幅度的这些变化，根据FR 2 847 743的控制装置以及特别是第一级1和第二级2(尤其是开关装置(晶体管)和其它无源部件装置)必须是过大型的，这是因为它们必须被设计为耐受致动阶段期间供到第三级3的最大电力。尽管短时间内被传送，此最大电力大于对于保持阶段的长时间传送的中等电力。因此，必须在控制装置的紧凑性和第一级1与第二级2的庞大装置——因为它们是过大型的，以便向第三级3传送所述“致动/保持”控制——之间达成微妙的妥协。

发明内容

基于此新观察的本发明主要目的在于提出一种控制装置，其被设计为至少是降低至少一种上面提到的限制。

为此目的，控制装置——此外，其按照上面的前序部分对其所作的一般定义——的实质性特征在于第二级至少包含：

-一个第二存储装置，其安装在电力线和地之间，与第一存储装置并联，并被设计为存储中间DC电压V_inter；

-一个第一开关装置，其串联安装在第二存储装置和地之间，并被设计为有选择地控制第二存储装置对中间DC电压V_inter的存储，一直到V_BT＜V_inter的低DC电压设置点V_BT。

借助此布置，可以：

-由尺寸对于所述中等电力设计的同样的第一级，对第二级的两个不同的存储装置供电，以便在其中存储两个不同的电压；

-接着，相继地从第一或从第二存储装置，向第三级3传送所述“致动/保持”电压控制，以便获得两个不同的电压幅度：相应地为，致动阶段，来自第一存储装置的V_inter，保持阶段，来自第二存储装置的V_BT。

由于至少第一级的尺寸不再设计为(最大)致动电力，而仅仅是(中等)保持电力，使得其体积变小(且成本变小)，因此，最终有助于根据本发明的控制装置的更好的紧凑性。

根据其第二实施形态，本发明涉及一种内燃机，其使用根据本发明的控制装置，也就是说，置有此控制装置的这种发动机。

附图说明

参照附图，由下面作为说明而不是限制的介绍，将会明了本发明的其他特征和优点，在附图中：

图1示出了具有三个级的已知控制装置的局部简化电路图，以便使得可以驱动超声波压电致动器，从而将燃料喷射到内燃机中；

图2示出了具有三个级的已知控制装置的第三级的局部简化电路图，其由电压调制器构成，并连接到超声波压电致动器；

图3-5示出了根据本发明具有三个级的控制装置的第二级的第一、第二、第三变型的三个局部简化电路图；

图6原理性地示出了图5所示根据本发明具有三个级的控制装置的第二级的第三变型的第一与第二开关装置在存储中间(充电)电压期间的控制算法；

图7示出了根据本发明具有三个级的控制装置的第一级的第一变型的局部简化电路图，其由电气隔离的回扫电压转换器(flyback voltage converter)构成；

图8示出了根据本发明具有三个级的控制装置的第一级的第二变型的局部简化电路图，其由升压转换器构成。

具体实施方式

示出了现有技术的图1和图2已经在上面讨论。

如图3-8中示出和在前面介绍的那样，本发明涉及机动车载控制装置，其被设计为控制由控制计算机10和DC电压源V_batt电子驱动的至少一个超声波压电致动器4。致动器4与例如用于向内燃机6的汽缸喷射燃料的喷射器7相关联。在另一实例(图中未示出)中，喷射器7也可安装在排气管道中，以便将例如燃料喷射到容纳在所述管道中的去污染装置中，从而促进其中的烟灰氧化反应。

控制装置包含(图3-5，7-8)：

-第一级1，用于对由DC电压源V_batt供给的所述DC电压V_batt进行升压，并被设计为在电力线5中产生中间DC电压V_inter；

-第二级2，用于存储，其经由电力线5由第一级1所产生的中间DC电压V_inter供电，包含第一存储装置20，第一存储装置20在一方面连接到地K，另一方面连接到电力线5，并被设计为存储中间DC电压V_inter；

-第三级3，用于对经由电力线5由第二级2所存储的中间DC电压V_inter供给的中间DC电压V_inter进行调制，并被设计为产生超声波压电致动器4的AC激励电压V_E。

根据本发明，第二级2至少包含(图3-5)：

-一个第二存储装置21，其安装在电力线5和地K之间，与第一存储装置20并联，并被设计为存储中间DC电压V_inter；

-一个第一开关装置22，其串联安装在第二存储装置21和地K之间，并被设计为有选择地控制通过第二存储装置21对中间DC电压V_inter的存储，直到V_BT＜V_inter的低DC电压设置点V_BT。

“参照地K”的第一开关装置22的此优选位置——也就是说，放置在第二存储装置21和地K之间——使得可以将电力线5留在第一开关装置22的自由电压上。这使得可以更为容易地驱动根据本发明的装置的电子线路。

如图4所示，第二级2可包含至少一个第二开关装置23，其串联安装在第一存储装置20和地K之间，并被设计为有选择地控制由第一存储装置20对中间DC电压V_inter的存储，直到V_HT≤V_inter的高DC电压设置点V_HT。

借助此布置，可以使得第一存储装置20和第二存储装置21可互换。另外，此拓扑使得可以对高电压V_HT进行调制，以便在汽缸中的同一压缩循环期间产生燃料的多次喷射。

优选为，第二级2包含至少一个第三开关装置24，其串联安装在第一存储装置20和电力线5之间，并被设计为有选择地控制第一存储装置20对中间DC电压V_inter的存储，一直到V_BT＜V_HT≤V_inter的高DC电压设置点V_HT。

借助此拓扑，可以经由电力线5以隔离的方式将第一存储装置20或第二存储装置21连接到第三调制级3，也就是说，在没有这两个存储装置20、21之间的电压再平衡的情况下(因此，在没有发出可能导致损坏或甚至是摧毁控制装置的电路的过度发热(热损耗)的情况下)(如果第一开关装置22和第三开关装置23的对应的控制不重叠的话)。

第一存储装置20可包含至少一个第一电容器，其具有第一电容C₁，第二存储装置21可包含至少一个第二电容器，其具有第二电容C₂，使得C₂＞C₁。优选为，在以下时候，C₂＞3*C₁：

-在短暂的喷射致动阶段期间，也就是说，在第一喷射瞬间(大约20μs和大约200μs之间)期间，第一电容器用于经由电力线5向第三级3传送高电压V_HT，以便通过第三级3发起超声波压电致动器4的事实上为瞬间的激励，从而加速喷射器7的开启，因此，确保进入发动机6的汽缸的燃料流；以及

-在长的(＞＞200μs)喷射保持阶段期间，也就是说，一旦所述第一瞬间已经过去，一直到喷射的结束，第二电容器用于经由电力线5向第三级3传送低电压V_BT，以便通过第三级3保持超声波压电致动器4的激励，从而对于喷射的其余时间，将喷射器7保持在开启位置。

借助这些布置，控制装置的尺寸、特别是第二级2的尺寸(尤其是，在致动与保持阶段期间代表电源的所述电容器的尺寸)可在考虑以下事实的情况下得到最优化：第三级3的电力需求对于致动阶段(其在上面的实例中，从第一电容器C₁吸取)低于对于保持阶段的电力需求(其在上面的实例中，由第二电容器C₂吸取)。

另外，在缺少第三开关装置的情况下(例如，对于图3所示的拓扑)，电压再平衡现象在致动阶段结束与保持阶段开始之间在第一与第二电容器之间发生(在其开关期间，以便将电压传送到电力线5)。在这种情况下，电容器之间的关系C₂＞C₁(另外，C₂＞3*C₁的关系)有助于使得此再平衡更快，由此使得其所伴随的发热最小化，以便保护控制装置的电子线路的整体性。

如图5所示，串联安装在第二存储装置21和地K之间的第一开关装置22可包含至少一个第一晶体管M₂，其具有：

-第一源极S₂，连接到地K，

-第一漏极D₂，连接到第二存储装置21，

-第一栅极G₂，连接到第一控制块25，

-第一衬底B₂，连接到地K，且

串联安装在第一存储装置20和电力线5之间的第三开关装置24可包含至少一个第二晶体管M₃，其具有；

-第二源极S₃，连接到电力线5，

-第二漏极D₃，连接到第一存储装置20，

-第二栅极G₃，连接到第一控制块25，

-第二衬底B₃，连接到电力线5。

第一晶体管M₂和第二晶体管M₃的使用使得可以在第一控制块25的帮助下容易地控制第二存储装置21和第一存储装置20，特别是通过使得第一电容器C₁和第二电容器C₂之间的切换时的电力损耗最小化，并通过提供更容易的运行和保持阶段可用电压值的更大的动态。

如图5所示，第一晶体管M₂包含至少一个第一二极管d₂，其具有连接到第一源极S₂的第一阳极A₂和连接到第一漏极D₂的第一阴极X₂，第二晶体管M₃包含至少一个第二二极管d₃，其具有连接到第二源极S₃的第二阳极A₃和连接到第二漏极D₃的第二阴极X₃。

借助此拓扑，可以将高电压V_HT保持为总是高于低电压V_BT(V_HT＞V_BT)，特别是在放电期间(当第二级2向第三级3馈送电压时)。具体而言，当处于放电(从高电压V_HT开始)的第一电容器逼近第二电容器的低电压V_BT时，连接在这两个电容器之间经由第一二极管d₂和第二二极管d₃发生，以便保持不均衡：V_HT＞V_BT。这种特性具有可靠性以及成本方面的价值，因为并不必需附加的系统来提供放电或充电(当第一级1向第二级2馈送电压时)的控制装置运行期间的不均衡V_HT＞V_BT。

优选为，第一晶体管M₂为n沟道金属氧化物半导体场效应(MOSFET)型(电流通过电子的移动提供)，第二晶体管M₃为p沟道金属氧化物半导体场效应(MOSFET)型(电流由空穴的移动提供)。

第一二极管d₂和第二二极管d₃分别以结构化的方式在第一MOSFET晶体管M₂和第二MOSFET晶体管M₂上存在。借助于此拓扑，因此可以产生分立部分的节省(使控制装置的电子线路杂乱的上面介绍的第一二极管d₂的和第二二极管d₃的节省)，所述第一二极管d2和所述第二二极管d3安装在MOSFET晶体管中，由此使得控制装置的电子线路更小。

如图4所示，串联安装在第一存储装置20和地K之间的第二开关装置23可包含至少一个第三晶体管M₄，其具有：

-第三源极S₄，连接到地K，

-第三漏极D₄，连接到第一存储装置20，

-第三栅极G₄，连接到第二控制块26，

-第三衬底B₄，连接到地K，

第三晶体管M₄可包含至少一个第三二极管d₄，其具有连接到第三源极S₄的第三阳极A₄和连接到第三漏极D₄的第三阴极X₄，第三晶体管M₄优选为n沟道金属氧化物半导体场效应(MOSFET)型。

由此形成的第二开关装置23提供的优点基本上类似于上面参照包含第一晶体管M₂的第一开关装置22已经讨论的，这里不再详细阐释。

另外，注意，两个控制块25、26中的每一个可包含图3-5中标为“Z”的至少一个的驱动器的模块。各个驱动器Z放置在对应的晶体管的栅极和地K之间，并在所述栅极上传送控制控制电压V_DD，其使得可以使对应的晶体管闭合，也就是说，允许电流经过(在缺少电压V_DD的情况下，或当电压V_DD保持低于晶体管特有的某个阈值时，后者保持关断状态即断开，阻碍任何电流流通)。为了进一步使得控制装置的电子线路最小化，两个控制块25、26可以完全相同(图5)，以便包含例如与将被控制的晶体管M₂、M₃一样多的驱动器Z。

优选为，第一级1包含至少一个电气隔离回扫电压转换器(借助变压器T_f)，其例如为在图7中所示出的，并包含DC电压源V_batt，例如，具有电容C_batt的12V或42V电池，变压器T_f包含两个磁耦合的电感L_f、二极管D_f、驱动两个电感L_f中的一个的开关装置(例如轮到时由驱动器Z控制的MOSFET型第四晶体管M₅)。

通过变压器T_f的电压变换比，可以在第一级1的输出上实现电压增益，同时，保持由汽缸压缩循环施加的动态(因此保持喷射的动态)。另外，变压器T_f的磁装置的漏感效应使得可以确保第四晶体管M₅的温和的开关(温和的开关意味着第四晶体管M₅在其端子电压低时的闭合，低电压为在每次开关时在第四晶体管M₅中产生小于或等于变压器T_f中的电阻或磁耗散的能量耗散的电压)，这进一步改进了包含回扫电压转换器的第一级1的电力效率。电气隔离还使得可以在电磁兼容性——也叫做EMC——方面改进第一级1的性能，也就是说，在第一级1的运行而不将电磁干扰引入控制装置的电子线路的容量方面，特别是对于V_inter/V_batt＞10的电压增益。

或者，第一级1可包含至少一个升压转换器，其类似于例如在图8中所示出的，并包含DC电压源V_batt，例如为12V或42V电池，具有电容C_batt、电感器L_B、二极管D_f、由驱动器Z控制的开关装置(例如，MOSFET型的第五晶体管M₁)。

此布置的优点在于升压转换器的鲁棒性。

第三调制级3可具有已知的拓扑，例如图2中所示的，其在法国专利申请FR 2 847 743中介绍，并包含由开关装置驱动的电感器L_P(例如轮到时由驱动器Z控制的MOSFET型的第六晶体管M₆)、存储装置(例如，具有电容C_P的电容器)。

对于根据本发明的控制装置的运行，应当注意，第二级2的充电与放电(特别地，第一存储装置20和第二存储装置21的)从来不是同时的：

-或者，包含第一级1和第二级2的控制装置的电子线路的第一部分有效(负载)，

-或者，包含第二控制级2和第三控制级3的电子线路的第二部分有效。

由于此，电力线5也以周期性的方式运行：

-或者，借助第一级1，处于第二级2的充电(在汽缸的两个压缩循环之间，也就是说，在两次喷射之间)。第三级3于是无效，其开关装置断开(图2中的第六晶体管M₆在其“断开”状态将第三级3的电感器L_P从地K断开)，

-或者，通过向第三级3供给电压，处于首先(在致动阶段期间)从第一存储装置20、接着(在保持阶段期间)从第二存储装置的放电(在每次喷射期间)。第一级1于是无效，其开关装置断开(对于升压转换器(图8)，处于“断开”状态的第五晶体管M₁将第一级1的电感器L_B从地K断开，对于回扫电压转换器(图7)，处于“断开”状态的第四晶体管M₅将第一级1的变压器T_f的电感器L_f之一从地K断开)。

第一运行实例关于如图3所示具有第一晶体管M₂的控制装置介绍。

在这种情况下，在充电开始时，第一晶体管M₂保持闭合(将第二电容器C₂连接到地K)。因此，两个电容器C₁和C₂充电直到使得V_BT＜V_inter的低DC电压设置点V_BT(对于保持阶段适应的电压)。于是，第一晶体管M₂断开(将第二电容器C₂从地K断开)。作为此结果，当第一电容器C₁的充电继续(从第一级1，经由电力线5)，直到使得V_BT＜V_HT≤V_inter(优选为V_HT＝V_inter)的高DC电压设置点V_BT，第二电容器C₂的电压保持不变(等于低DC电压设置点V_BT)。

在放电(在喷射期间)开始时，第一晶体管M₂在致动阶段期间保持断开(第二电容器C₂因此从地K断开)。第三级3于是被供给来自第一电容器C₁的高电压V_HT。在从致动阶段到保持阶段的转换期间，第一晶体管M₂闭合(将第二电容器C₂连接到地K)。电压的再平衡在第一电容器C₁和第二电容器C₂之间发生，使得其相应的端子上的电压差抵消。保持阶段的喷射以新的电压继续，其保持高于(尽管其确切值在再平衡之后保持未知)低DC电压设置点V_BT(准确地，由于所述再平衡)并且低于致动阶段的高DC电压设置点V_HT。

第二运行实例参照这样的控制装置介绍：如图5所示，其具有第一晶体管M₂和第二晶体管M₃，并在图6所示充电期间(由第二级2存储电压)用于控制所述晶体管M₂、M₃的算法的帮助下。

在这种情况下，在充电开始时，第一晶体管M₂保持闭合(将第二电容器C₂连接到地K)，第二晶体管M₃保持断开(第一电容器C1因此从电力线5断开)。优选为，为了防止第一电容器C₁和第二电容器C₂之间暂时的再平衡——所述暂时再平衡产生热损耗，过程首先用于第二晶体管M₃的断开(图6中的时刻t₀)，接着用于第一晶体管M₂的闭合(图6中的时刻t₁，使得t₁＞t₀)。因为两个电容器C₁与C₂借助二极管d₃连接，这些电容器C₁和C₂被充电直到低DC电压设置点V_BT(对于保持阶段适应的电压)。于是，第一晶体管M₂断开(将第二电容器C₂从地K断开)。考虑断开第一n沟道晶体管M₂必需的第一时延τ₂＞0短于闭合第二p沟道晶体管M₃的第二时延τ₃＞τ₂＞0(图6)，当所述第二时延τ₃已经过去时，第二晶体管M₃闭合，将第一电容器C₁连接到电力线5。由于这一点，当第一电容器C₁的充电继续时(从第一级1经由电力线5)，一直到使得V_BT＜V_HT≤V_inter(优选为V_HT＝V_inter)的高DC电压设置点V_HT，第二电容器C₂的电压保持不变(等于低DC电压设置点V_BT)。

在放电(在喷射期间)开始时，在致动阶段期间，第一晶体管M₂保持断开(将第二电容器C₂从地K断开)，同时，第二晶体管M₃保持闭合(将第一电容器C₁连接到电力线5)。在转换到保持阶段期间(在所述第二时延τ₃之后)，第二晶体管M₃断开(将第一电容器C₁从电力线5断开)，第一晶体管M₂闭合(将第二电容器C₂连接到地K)。

不像上面的第一实例，在这种第二情况下，第一电容器C₁和第二电容器C₂之间不发生充电的再平衡。具体而言，在第一电容器C₁端子电压高于第二电容器C₂端子电压时(V_HT＞V_BT)，两个相应的二极管d₂、d₃“看到”其相应的阳极A₂、A₃以及阴极X₂、X₃上的严格为正的电压(V_D2＝V_X2＞V_S2＝V_A2，以及V_D3＝V_X3＞V_S3＝V_A2，图5)。第一二极管d₂和第二二极管d₃因此处于关闭状态(除非MOSFET的隔离电压被超过，其不在预期的使用条件下发生)。控制装置的电子线路因此表现为好像所述二极管d₂、d₃不存在一样。如果第一电容器C₁端子电压足够减小到等于第二电容器C₂端子电压，相应的二极管d₂、d₃的端子电压抵消，于是，倾向于下降到低于零(V_D2＝V_X2＜V_S2＝V_A2，V_d3＝V_X3＜V_S3＝V_A2，图5)，即立即停止的现象，这是由于所述二极管d₂、d₃变为导通状态，并表现为好像两个闭合的开关(分别将第二电容器C₂连接到地K以及将第一电容器C₁连接到电力线5)。电流于是可从第二电容器C₂流到第一电容器C₁(在图5中标为“I”的箭头的方向)，以便保持第一电容器C1和第二电容器C₂的端子电压的均衡。总之，保持阶段中的喷射以精确等于低DC电压设置点V_BT的电压继续。因此，和图3所示的相比，图5所示的控制装置的拓扑允许在保持阶段中第三级3的输入上的电压的更好控制，这是因为从致动阶段到保持阶段的转换期间的再平衡，没有使得可以将精确电压(等于低电压设置点V_BT)在保持阶段中传送到第三级3的输入。

Claims

1.一种用于控制至少一个由控制计算机(10)和DC电压源(V_batt)电子驱动的超声波压电致动器(4)的装置，包含：

-第一级(1)，用于对由DC电压源(V_batt)供给的所述DC电压(V_batt)进行升压，并被设计为产生电力线(5)中的中间DC电压(V_inter)，

-第二级2，用于存储，其经由电力线5由第一级(1)所产生的中间DC电压(V_inter)供电，并包含第一存储装置(20)，第一存储装置(20)一方面连接到地(K)，另一方面连接到电力线(5)，并被设计为存储中间DC电压(V_inter)，

-第三级(3)，用于对经由电力线(5)由被第二级(2)存储的中间DC电压(V_inter)供给的中间DC电压(V_inter)进行调制，并被设计为产生超声波压电致动器(4)的AC激励电压(V_E)，

其特征在于，第二级(2)至少包含：

-一个第二存储装置(21)，其安装在电力线(5)和地(K)之间，与第一存储装置(20)并联，并被设计为存储中间DC电压(V_inter)；

-一个第一开关装置(22)，其串联安装在第二存储装置(21)和地(K)之间，并被设计为有选择地控制第二存储装置(21)对中间DC电压(V_inter)的存储，一直到使得V_BT＜V_inter的低DC电压设置点(V_BT)。

2.根据权利要求1的控制装置，其特征在于，第二级(2)包含至少一个第二开关装置(23)，第二开关装置(23)串联安装在第一存储装置(20)和地(K)之间，并被设计为有选择地控制第一存储装置(20)对中间DC电压(V_inter)的存储，直到使得V_HT≤V_inter的高DC电压设置点(V_HT)。

3.根据权利要求1或2的控制装置，其特征在于，第二级(2)包含至少一个第三开关装置(24)，其串联安装在第一存储装置(20)和电力线(5)之间，并被设计为有选择地控制第一存储装置(20)对中间DC电压(V_inter)的存储，一直到使得V_BT＜V_HT≤V_inter的高DC电压设置点(V_HT)。

4.根据权利要求1-3中任意一项的控制装置，其特征在于，第一存储装置(20)包含至少一个具有第一电容(C₁)的第一电容器，且其特征在于，第二存储装置(21)包含至少一个具有第二电容(C₂)的第二电容器，使得C₂＞C₁。

5.根据权利要求3或4的控制装置，其特征在于，串联安装在第二存储装置(21)和地(K)之间的第一开关装置(22)包含至少一个第一晶体管(M₂)，其具有：

-第一源极(S₂)，连接到地(K)，

-第一漏极(D₂)，连接到第二存储装置(21)，

-第一栅极(G₂)，连接到第一控制块(25)，

-第一衬底(B₂)，连接到地(K)，且

其特征在于，串联安装在第一存储装置(20)和电力线(5)之间的第三开关装置(24)包含至少一个第二晶体管(M₃)，其具有；

-第二源极(S₃)，连接到电力线(5)，

-第二漏极(D₃)，连接到第一存储装置(20)，

-第二栅极(G₃)，连接到第一控制块(25)，

-第二衬底(B₃)，连接到电力线(5)。

6.根据权利要求5的控制装置，其特征在于，第一晶体管(M₂)包含至少一个第一二极管(d₂)，其具有连接到第一源极(S₂)的第一阳极(A₂)和连接到第一漏极(D₂)的第一阴极(X₂)，且其特征在于，第二晶体管(M₃)包含至少一个第二二极管(d₃)，其具有连接到第二源极(S₃)的第二阳极(A₃)和连接到第二漏极(D₃)的第二阴极(X₃)。

7.根据权利要求5或6的控制装置，其特征在于，第一晶体管(M₂)为n沟道金属氧化物半导体场效应型，且其特征在于，第二晶体管(M₃)为p沟道金属氧化物半导体场效应型。

8.根据权利要求2-7中任意一项的控制装置，其特征在于，串联安装在第一存储装置(20)和地(K)之间的第二开关装置(23)包含至少一个第三晶体管(M₄)，其具有：

-第三源极(S₄)，连接到地(K)，

-第三漏极(D₄)，连接到第一存储装置(20)，

-第三栅极(G₄)，连接到第二控制块(26)，

-第三衬底(B₄)，连接到地(K)，

且其特征在于，第三晶体管(M₄)包含至少一个第三二极管(d₄)，其具有连接到第三源极(S₄)的第三阳极(A₄)和连接到第三漏极(D₄)的第三阴极(X₄)，且

其特征在于，第三晶体管(M₄)为n沟道金属氧化物半导体场效应型。

9.根据权利要求1-8中一项的控制装置，其特征在于，第一级(1)包含至少一个电气隔离回扫电压转换器。

10.根据权利要求1-8中一项的控制装置，其特征在于，第一级(1)包含至少一个升压转换器。