CN101938083A - 基于y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 - Google Patents

基于y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101938083A
CN101938083A CN 201010231175 CN201010231175A CN101938083A CN 101938083 A CN101938083 A CN 101938083A CN 201010231175 CN201010231175 CN 201010231175 CN 201010231175 A CN201010231175 A CN 201010231175A CN 101938083 A CN101938083 A CN 101938083A
Authority
CN
China
Prior art keywords
waveguide
district
layer
grating
distributed feedback
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 201010231175
Other languages
English (en)
Other versions
CN101938083B (zh
Inventor
孔端花
朱洪亮
梁松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Semiconductors of CAS
Original Assignee
Institute of Semiconductors of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Semiconductors of CAS filed Critical Institute of Semiconductors of CAS
Priority to CN2010102311755A priority Critical patent/CN101938083B/zh
Publication of CN101938083A publication Critical patent/CN101938083A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101938083B publication Critical patent/CN101938083B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,包括:在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层;制作无源波导区,另一侧为有源波导区;制作光栅;在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层;在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导;在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层;将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉;在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟,在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟;在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极;将N型磷化铟衬底减薄;在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极,完成器件的制作。

Description

基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 
技术领域
本发明涉及光电子器件领域,特别涉及一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法。 
背景技术
多段式自脉动激光器的基本组成部分是两个分布反馈激光器,利用电流调谐或采用具有不同布拉格波长的光栅,两个激光器的发射波长存在一个几个纳米左右的偏调。当自脉动激光器发出的激光照射在探测器上时,会产生一个频率等于两个分布反馈激光器发射频率之差的自脉动信号。相对于其他形式的基于激光器的时钟恢复器件,多段式自脉动激光器具有结构紧凑的优点,同时其自脉动频率可以由注入电流在很大范围内灵活调节,因此其在时钟恢复和ROF领域都具有广泛的应用前景。对于自脉动激光器,如何提高其信号的调制深度是关系其应用的关键因素。目前,多段式自脉动激光器在通过直接调制DFB激光器的注入电流得到大范围可调谐的自脉动拍频频率的同时,无法兼顾信号调制深度,使得可用的信号调谐范围大大降低。相对于其他多段式自脉动DFB器件,本发明所公开的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法通过调节两DFB激光器的注入电流,能够在得到大范围的可调谐自脉动拍频的同时通过调节两SOA的注入电流使得当两DFB的出射光强在各个拍频频率都保持相同,从而使得其拍频频率的信噪比和调制深度不会随两DFB本身的出射光强差的加大而降低。 
发明内容
本发明的目的作用,提供一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放 大器的制作方法,在两DFB区的双模频率差、双模强度方面的调节灵活性高,故具备大范围自脉动拍频频率可调谐范围及高的调制深度的特性,使其在时钟恢复和微波信号的产生方面的性能大大提高。本发明公开的器件方法可以大大改善器件的应用性能。 
本发明提供一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,包括如下步骤: 
步骤1:选择一N型磷化铟衬底; 
步骤2:在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层,形成材料结构; 
步骤3:在材料结构的一侧制作无源波导区,另一侧为有源波导区; 
步骤4:在多量子阱有源区上部的上波导层和光栅层上远离无源波导区的一侧制作光栅,该有光栅的部分为DFB区,该DFB区分为DFB1区和DFB2区,另一部分为SOA区,该SOA区分为SOA1区和SOA2区; 
步骤5:在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层; 
步骤6:在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导,刻蚀深度至光栅层的表面; 
步骤7:在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层; 
步骤8:将有源波导区上的Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉; 
步骤9:在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟,在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟; 
步骤10:在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极; 
步骤11:将N型磷化铟衬底减薄; 
步骤12:在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极,完成器件的制作。 
附图说明
为了进一步说明本发明的内容,以下结合附图和具体实施例对本发明做进一步的描述,其中: 
图1是基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的俯视图; 
图2是基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的立体图; 
图3是基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的DFB端的侧视图; 
图4是基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的无源波导部分的截面图。 
具体实施方式
请参照图1、图2、图3和图4所示,本发明提供一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,包括如下步骤: 
步骤1:选择一N型磷化铟衬底10; 
步骤2:在N型磷化铟衬底10上依次外延制作InP缓冲层11、下波导层12、多量子阱有源区13、上波导层14和光栅层15,形成材料结构;其中InP缓冲层11厚度为1μm-2μm,多量子阱有源区13为铟镓砷磷材料或铟镓铝砷材料,总厚度为70-200纳米,多量子阱有源区13的量子阱个数为4-10(如图3所示); 
步骤3:在材料结构的一侧制作无源波导区3,另一侧为有源波导区2;其中所述的制作无源波导区3,是采用对接生长或量子阱混杂技术实现的,无源波导区3相对于有源波导区2的带隙波长蓝移100nm-200nm;其中所述的制作无源波导区3的结构包括:依次生长的下限制层31、波导芯层32和上限制层33(如图4所示); 
步骤4:在多量子阱有源区13上部的上波导层14和光栅层15上远离无源波导区3的一侧制作光栅,该有光栅的部分为DFB区,该DFB区分为DFB1区和DFB2区,另一部分为SOA区,该SOA区分为SOA1区和SOA2区(如图1及图2所示);该DFB区的长度为200μm-500m;SOA区的为长度300μm-1000μm;其中DFB1区和DFB2区上制作的光栅的布拉格波长相同或是有一个1-10纳米波长的偏调,波长的偏调通过改变DFB1区和DFB2区的光栅周期或是改变其脊波导的宽度来实现; 
步骤5:在有源波导区2和无源波导区3上依次外延制作光栅盖层16、光限制层17和电接触层18;其中电接触层18为高掺杂的InGaAs,厚度为100-200nm(如图3所示); 
步骤6:在电接触层18上向下刻蚀出Y型脊波导,刻蚀深度至光栅层15的表面;其中该Y型脊波导的无源波导区3区部分可以做成弯曲波导或倾斜波导来减少无源波导3端面的反射。 
步骤7:在光栅层15的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层19(如图3所示); 
步骤8:将有源波导区2上的Y型脊波导层上面的二氧化硅绝缘层19腐蚀掉(如图3所示); 
步骤9:在有源波导区2上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟21,在有源波导区2上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟22;其中第一电隔离沟21和第二电隔离沟22的宽度为10μm-50μm,其制作可以通过高能He离子注入来实现(如图2所示); 
步骤10:在第一电隔离沟21的两侧及第二电隔离沟22的两侧制作P面电极23;该金属电极层23为Ti/Au或Ti/Pt/Au,厚度为300nm-500nm(如图3所示); 
步骤11:将N型磷化铟衬底10减薄(如图3所示); 
步骤12:在减薄后的N型磷化铟衬底10的下面制作N面电极24,完成器件的制作(如图3所示),该器件采用InP系材料,该器件的自脉动拍频频率的开始范围由DFB1区和DFB2区的激射波长差决定。 
其中在制作完成的器件的有源波导区2的端面蒸镀高反射膜,在无源波导区3的端面蒸镀抗反射膜。 
实施例 
请再参照图1、图2、图3和图4本发明提供的一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,包括如下制作步骤: 
步骤1:选择一N型磷化铟衬底10; 
步骤2:在N型磷化铟衬底10上依次外延制作1.5μm的InP缓冲层11、100nm的下波导层12、多量子阱有源区13、100nm的上波导层14和光栅层15,形成材料结构;其中多量子阱有源区13为铟镓砷磷材料,材料的带隙波长为1.55μm,量子阱个数为6,总厚度为90纳米; 
步骤3:在材料结构的一侧制作无源波导区3,另一侧为有源波导区2; 其中所述的制作无源波导区3时,先光刻腐蚀掉无源波导3区的光栅层15、上波导层14、多量子阱有源区13和下波导层12,通过对接生长生长依次外延上下限制层31、波导芯层32和上限制层33(如图4所示),外延的无源波导3区的波导芯层32带隙波长相对于有源波导2区的带隙波长蓝移130nm。 
步骤4:在多量子阱有源区13上部的上波导层14和光栅层15上远离无源波导区3的一侧采用全息曝光法制作光栅,其周期根据器件的发射波长由下式确定: 
λL=2neffΛ/m 
其中,λL为激射波长,Λ为制作的光栅周期,neff为波导有效折射率,对于一级光栅,m=1;该有光栅的部分为DFB区,该DFB区分为DFB1区和DFB2区,另一部分为SOA区,该SOA区分为SOA1区和SOA2区(如图1所示);其中DFB1区和DFB2区上制作的光栅的周期相同; 
步骤5:在有源波导区2和无源波导区3上依次外延制作光栅盖层16、光限制层17和电接触层18;其中电接触层18为高掺杂的InGaAs,厚度为150nm; 
步骤6:在电接触层18上用反应离子刻蚀向下刻蚀出Y型脊波导,刻蚀深度至光栅层15的表面;DFB1区和DFB2区的脊波导宽度分别为2μm和3μm(如图3所示),来实现DFB1区和DFB2区激射波长的偏调,这个偏调和DFB1区和DFB2区激射波长的功率及相位共同决定了其自脉动拍频频率,设两个激光器的发光频率分别为ω1和ω2,并且|ω1-ω2|<<ω1,ω2,当自脉动激光器的两个频率的光同时照射在探测器表面时,产生一个频率为|ω1-ω2|的光电流,即自脉动拍频信号,如下式所示: 
其中P1,P2为光功率,φ1、φ2为两种光的相位之差。通过注入锁定,以实现信号的时钟提取; 
步骤7:在光栅层15的上面及Y型脊波导的表面生长400nm的二氧化硅绝缘层19(如图3所示); 
步骤8:将有源波导区2上的Y型脊波导层上面的二氧化硅绝缘层19腐蚀掉(如图3所示); 
步骤9:在有源波导区2上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟21,在有源波导区2上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟22(如图1所示);其中第一电隔离沟21和第二电隔离沟22的宽度均为20μm,其制作是通过高能He离子注入来实现100千欧的隔离电阻; 
步骤10:在第一电隔离沟21的两侧及第二电隔离沟22的两侧制作P面电极23;该金属电极层23为Ti/Au,厚度为450nm(如图3所示); 
步骤11:将N型磷化铟衬底10减薄到130μm(如图3所示); 
步骤12:在减薄后的N型磷化铟衬底10的下面制作N面电极24,完成器件的制作(如图3所示)。 
步骤13:在制作完成的器件的有源波导区2的端面蒸镀高反射膜,另一端蒸镀抗反射膜;抗反射薄膜用于减小该镀膜端面对光向器件内部的反射,提高器件性能; 
其中所述的DFB区的长度为300μm;SOA区的为长度300μm。普通的多段式自脉动激光器在通过直接调制DFB激光器的注入电流得到大范围可调谐的自脉动拍频频率的同时,无法兼顾信号调制深度,使得可用的信号调谐范围大大降低。相对于其他多段式自脉动DFB器件,本发明所公开的集成器件通过调节两DFB激光器的注入电流,能够在得到大范围的可调谐自脉动拍频的同时通过调节两SOA的注入电流使得当两DFB的出射光强在各个拍频频率都保持相同,从而使得其通过注入锁定进行始终提取时,提取的时钟的信噪比和调制深度不会随两DFB本身的出射光强差的加大而降低。 
以上所述,仅为本发明中的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内,可轻易想到的变换或替换,都应涵盖在本发明的包含范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。 

Claims (8)

1.一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,包括如下步骤:
步骤1:选择一N型磷化铟衬底;
步骤2:在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层,形成材料结构;
步骤3:在材料结构的一侧制作无源波导区,另一侧为有源波导区;
步骤4:在多量子阱有源区上部的上波导层和光栅层上远离无源波导区的一侧制作光栅,该有光栅的部分为DFB区,该DFB区分为DFB1区和DFB2区,另一部分为SOA区,该SOA区分为SOA1区和SOA2区;
步骤5:在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层;
步骤6:在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导,刻蚀深度至光栅层的表面;
步骤7:在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层;
步骤8:将有源波导区上的Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉;
步骤9:在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟,在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟;
步骤10:在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极;
步骤11:将N型磷化铟衬底减薄;
步骤12:在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极,完成器件的制作。
2.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,其中多量子阱有源区为铟镓砷磷或铟镓铝砷材料,材料的带隙波长为1.55μm,总厚度为70-200纳米。
3.根据权利要求1或2所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,其中所述的多量子阱有源区的量子阱个数为4-10。
4.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,其中所述的制作无源波导区,是采用对接生长或量子阱混杂技术实现的。
5.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,其中所述的制作无源波导区的结构包括:依次生长的下限制层、波导芯层和上限制层。
6.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,其中DFB1区和DFB2区的光栅周期对应的激射波长相同或是有一个1-10纳米波长的偏调。
7.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,其中在制作完成的器件的有源波导区的端面蒸镀高反射膜。
8.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,其中在制作完成的器件的无源波导区的端面蒸镀抗反射膜。
CN2010102311755A 2010-07-14 2010-07-14 基于y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 Expired - Fee Related CN101938083B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010102311755A CN101938083B (zh) 2010-07-14 2010-07-14 基于y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010102311755A CN101938083B (zh) 2010-07-14 2010-07-14 基于y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101938083A true CN101938083A (zh) 2011-01-05
CN101938083B CN101938083B (zh) 2011-08-31

Family

ID=43391280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102311755A Expired - Fee Related CN101938083B (zh) 2010-07-14 2010-07-14 基于y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101938083B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103545715A (zh) * 2013-10-23 2014-01-29 中国科学院半导体研究所 激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法
WO2014101877A1 (en) * 2012-12-31 2014-07-03 Huawei Technologies Co., Ltd. Silicon-on-insulator platform for integration of tunable laser arrays
CN105048282A (zh) * 2015-07-30 2015-11-11 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 单片集成电泵浦布拉格反射波导太赫兹激光器
CN105372757A (zh) * 2014-08-13 2016-03-02 华为技术有限公司 用于制造集成光路的方法
CN108832483A (zh) * 2018-06-27 2018-11-16 潍坊华光光电子有限公司 一种脊形半导体激光二极管的制备方法
CN114284865A (zh) * 2021-12-24 2022-04-05 中国科学院半导体研究所 有源反馈分布式反馈激光器及其制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6213103B2 (ja) * 2013-09-27 2017-10-18 三菱電機株式会社 半導体光素子および光モジュール

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10290052A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Nec Corp 半導体レーザ装置
CN1464603A (zh) * 2002-06-21 2003-12-31 中国科学院半导体研究所 多量子阱波导对接耦合方法
US6728279B1 (en) * 1999-05-17 2004-04-27 Interuniversitair Microelektronica Centrum Widely wavelength tunable integrated semiconductor device and method for widely tuning semiconductor devices
CN101005196A (zh) * 2006-01-20 2007-07-25 中国科学院半导体研究所 波长可选分布反馈激光器二维阵列集成组件
JP2007194340A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Fujitsu Ltd 光半導体素子及びその製造方法
CN101458369B (zh) * 2007-12-12 2010-08-11 中国科学院半导体研究所 单片集成y波导连接的两激光器光电子器件

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10290052A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Nec Corp 半導体レーザ装置
US6728279B1 (en) * 1999-05-17 2004-04-27 Interuniversitair Microelektronica Centrum Widely wavelength tunable integrated semiconductor device and method for widely tuning semiconductor devices
CN1464603A (zh) * 2002-06-21 2003-12-31 中国科学院半导体研究所 多量子阱波导对接耦合方法
JP2007194340A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Fujitsu Ltd 光半導体素子及びその製造方法
CN101005196A (zh) * 2006-01-20 2007-07-25 中国科学院半导体研究所 波长可选分布反馈激光器二维阵列集成组件
CN101458369B (zh) * 2007-12-12 2010-08-11 中国科学院半导体研究所 单片集成y波导连接的两激光器光电子器件

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014101877A1 (en) * 2012-12-31 2014-07-03 Huawei Technologies Co., Ltd. Silicon-on-insulator platform for integration of tunable laser arrays
CN103545715A (zh) * 2013-10-23 2014-01-29 中国科学院半导体研究所 激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法
CN105372757A (zh) * 2014-08-13 2016-03-02 华为技术有限公司 用于制造集成光路的方法
CN105048282A (zh) * 2015-07-30 2015-11-11 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 单片集成电泵浦布拉格反射波导太赫兹激光器
CN105048282B (zh) * 2015-07-30 2018-06-22 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 单片集成电泵浦布拉格反射波导太赫兹激光器
CN108832483A (zh) * 2018-06-27 2018-11-16 潍坊华光光电子有限公司 一种脊形半导体激光二极管的制备方法
CN114284865A (zh) * 2021-12-24 2022-04-05 中国科学院半导体研究所 有源反馈分布式反馈激光器及其制作方法
CN114284865B (zh) * 2021-12-24 2023-07-21 中国科学院半导体研究所 有源反馈分布式反馈激光器及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101938083B (zh) 2011-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101938083B (zh) 基于y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法
US20160027940A1 (en) Quantum well waveguide solar cells and methods of constructing the same
CN108767656A (zh) 相干光源部件
CN101566777B (zh) 基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件
CN109167250B (zh) 一种集成混沌激光器芯片及激光器
JP2016171173A (ja) 半導体光素子
CN107611776B (zh) 一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法
CN100391069C (zh) 单模f-p腔量子级联激光器的器件结构
CN104917052B (zh) 变周期倾斜光栅激光器及制备方法
CN105428983A (zh) 基于黑磷光饱和吸收体的被动锁模激光器
CN103346475A (zh) 单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器
CN103779785B (zh) 可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法
CN101867148A (zh) 带有光子晶体反射面和垂直出射面的fp腔激光器
CN105576502B (zh) 高速垂直发射单片集成型直接调制dfb激光器及制作方法
CN103022297A (zh) 大功率、耐伽玛辐照超辐射发光二极管
CN108054634A (zh) 一种窄线宽半导体激光器
Wang et al. 1.55-μm AlGaInAs-InP laterally coupled distributed feedback laser
Li et al. InAs/GaAs quantum dot dual-mode distributed feedback laser towards large tuning range continuous-wave terahertz application
CN103715607A (zh) 一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件
CN100367586C (zh) 铝镓铟砷多量子阱超辐射发光二极管
CN114725772A (zh) 一种具有抗反射功能的eml芯片结构及制备方法
CN108400523B (zh) 一种高速集成dfb半导体激光器芯片及制备方法
CN105406355A (zh) 共腔双波长分布反馈激光器的制作方法
US10859860B2 (en) Electro-optic modulator device, optical device and method of making an optical device
CN108988124B (zh) 一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110831

Termination date: 20180714

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee