CN101927211B - 一种电除尘器的高压电源装置 - Google Patents

一种电除尘器的高压电源装置 Download PDF

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Abstract

本发明一种电除尘器的高压电源装置,涉及一种工频供电的高压电源装置。本发明的高压电源装置,采用工频交流电源向升压变压器供电,该升压变压器的二次侧设整流电路,通过整流后产生直流高压供给具有第一除尘室和第二除尘室的除尘器本体进行收尘;所述的整流电路包括正半波高压硅堆整流器和负半波高压硅堆整流器;正半波高压硅堆整流器设置在该升压变压器的二次侧与第一除尘室之间,在正半波向第一除尘室供电;负半波高压硅堆整流器设置在该升压变压器的二次侧与第二除尘室之间,在负半波向第二除尘室供电。解决了工频供电的高压电源配备的变压器设备体积大,成本较高的问题。

Description

一种电除尘器的高压电源装置
技术领域
[0001 ] 本发明涉及一种工频供电的高压电源装置。
背景技术
[0002] 国内电除尘器供电设备基本使用工频供电的高压电源技术,少量使用高频供电的高压电源,无论是工频供电的高压电源还是高频供电的高压电源,均采用变压器升压,变压器二次侧所设的整流电路都是采用全波桥式整流的电路结构,通过全波桥式整流后产生直流高压供给除尘器本体进行收尘。对常规工频供电的高压电源而言,虽然技术成熟、可靠、可实现大容量要求,如2A/72KV,但对同样的除尘器负载要求,其配备的变压器设备体积大,效率较低,成本较高。对高频供电的高压电源而言,其具有体积小(相对工频供电的高压电源而言可减少1/3左右),效率高的优点,但目前技术不够成熟、可靠、对使用环境要求高,如在沿海湿度大的地方可靠性不高,同时国内目前最大容量只能实现0.8A/72KV,而价格是工频供电的高压电源的3倍左右。因此,电除尘业界迫切需要为电除尘器提供一种容量大、体积小、成本低的高压电源装置。
发明内容
[0003] 本发明旨在提供一种电除尘器的高压电源装置,它容量大、体积小、成本低。
[0004] 本发明的技术方案是:一种电除尘器的高压电源装置,采用工频交流电源向升压变压器供电,该升压变压器的二次侧设整流电路,通过整流后产生直流高压供给具有第一除尘室和第二除尘室的除尘器本体进行收尘;所述的整流电路包括正半波高压硅堆整流器和负半波高压硅堆整流器;正半波高压硅堆整流器设置在该升压变压器的二次侧与第一除尘室之间,在正半波向第一除尘室供电;负半波高压硅堆整流器设置在该升压变压器的二次侧与第二除尘室之间,在负半波向第二除尘室供电。本发明的技术方案中,无论何时,即无论在正半波还是在负半波,升压变压器只对两个除尘室中的一个除尘室供电。而传统技术中,使用桥式整流技术的工频供电的升压变压器总是对两个除尘室供电。所以,使本发明的技术方案的升压变压器的容量可比传统技术中全波桥式整流技术的工频供电的升压变压器的容量减少一半,而采用本发明的技术方案的高压电源装置的设备体积、生产成本较传统技术中常规工频供电的高压电源装置减少1/3左右。但与高频供电的高压电源相比,采用本发明技术方案的高压电源装置仍然保持了成本低、容量大和可靠性高的优点。
[0005] 在推荐的实施结构中:所述的整流电路包括四个高压硅堆,第一高压硅堆的正极和第三高压硅堆的负极连接该升压变压器二次侧的一端,第二高压硅堆的正极和第四高压硅堆的负极连接该升压变压器二次侧的另一端,第一高压硅堆的负极和第二高压硅堆的负极接地,第四高压硅堆的正极经第一阻尼电阻连接第一除尘室的极线,第三高压硅堆的正极经第二阻尼电阻连接第二除尘室的极线;第一除尘室的极板和第二除尘室的极板接地;第一高压硅堆和第四高压硅堆构成正半波高压硅堆整流器,第二高压硅堆和第三高压硅堆构成负半波高压硅堆整流器。整流电路采用类似全波桥式整流的正、负半波桥式整流结构,升压变压器的正、负半波分时分区供电,同一时间里其负荷减少一半,也就使升压变压器的体积得以减小,成本得以降低。
[0006] 为保证供给除尘室符合要求的直流电压:所述正半波高压硅堆整流器的直流输出回路设有第一电压检测器,向微处理器提供正半波直流输出电压信号;所述负半波高压硅堆整流器的直流输出回路设有第二电压检测器,向微处理器提供负半波直流输出电压信号;所述升压变压器的一次侧与工频交流电源之间串接有一对反向并联的可控硅;微处理器接收交流电源的过零信号;微处理器依据正半波直流输出电压信号、负半波直流输出电压信号和过零信号,由第一组输出端控制上述那对反向并联的可控硅的导通角。微处理器采集正半波高压硅堆整流器输出回路的正半波直流输出电压信号和过零信号,微处理器第一组输出端控制上述那对反向并联的可控硅中正向可控硅的导通角,调节升压变压器的一次侧正半波的电压,从而控制升压变压器的二次侧正半波高压硅堆整流器输出的直流电压,保证第一除尘室能稳定地正常工作。微处理器采集负半波高压硅堆整流器输出回路的负半波直流输出电压信号和过零信号,微处理器第一组输出端控制上述那对反向并联的可控硅中反向可控硅的导通角,调节升压变压器的一次侧负半波的电压,从而控制升压变压器的二次侧负半波高压硅堆整流器输出的直流电压,保证第二除尘室能稳定地正常工作。在升压变压器的一次侧采用一对反向并联的可控硅,去调整升压变压器的二次侧输出的直流电压,这种高压电控设备寿命长,可靠性高,维护成本低。
[0007] 进而:所述整流电路的地线设有直流输出电流检测器,向微处理器提供直流输出电流信号;微处理器依据正半波直流输出电压信号、负正半波直流输出电压信号、直流输出电流信号和过零信号由第一组输出端控制上述那对反向并联的可控硅的导通角。微处理器采集正半波时正半波直流输出电压信号、直流输出电流信号和过零信号,微处理器第一组输出端控制上述那对反向并联的可控硅中正向可控硅的导通角,调节升压变压器的一次侧正半波的电压和电流,从而控制升压变压器的二次侧正半波高压硅堆整流器输出的直流电压和电流,保证第一除尘室能稳定地正常工作。微处理器采集负半波时负半波直流输出电压信号、直流输出电流信号和过零信号,微处理器第一组输出端控制上述那对反向并联的可控硅中反向可控硅的导通角,调节升压变压器的一次侧负半波的电压和电流,从而控制升压变压器的二次侧负半波高压硅堆整流器输出的直流电压和电流,保证第二除尘室能稳定地正常工作。
[0008] 特别是:所述微处理器的第一组输出端经光控可控硅触发电路,以光电隔离的方式控制上述那对反向并联的可控硅的导通角;该光控可控硅触发电路包含一个与非门缓冲驱动器和两个光电耦合器;该与非门缓冲驱动器对微处理器第一组输出端输出的信号进行放大,并驱动两个光电耦合器中的发光二极管;两个光电耦合器中的感光三极管分别对应地驱动上述那对反向并联的可控硅中相应可控硅。该光控可控硅触发电路除具有光电隔离的功能,将微处理器的弱电与可控娃的强电分离,保护微处理器之外;该光控可控娃触发电路由于用一个与非门缓冲驱动器驱动两个光电耦合器中的发光二极管,只需要微处理器通过该运算放大器和两个光电耦合器为两个反向并联的可控硅提供统一的控制信号,而对每一个可控硅而言,只有在本可控硅的工作半周内的控制信号才是有效的控制信号。所以,该光控可控硅触发电路可以避免两个反向并联的可控硅出现单边工作即升压变压器偏励磁的错误状态。[0009] 该高压电源装置具有超压保护的功能:所述升压变压器的二次侧设电压检测器向微处理器提供与升压变压器二次侧电压对应的二次电压信号,微处理器按照该二次电压信号由第二组输出端经光电耦合器控制接通或切断工频交流电源的断路器。当升压变压器二次侧电压超过规定的数值时,由第二组输出端经光电耦合器控制该断路器切断工频交流电源的供电,强制电除尘器停止工作。
[0010] 该高压电源装置具有过电流保护的功能:所述升压变压器的二次侧设电流检测器向微处理器提供与升压变压器二次侧电流对应的二次电流信号,微处理器按照该二次电流信号由第二组输出端经光电耦合器控制接通或切断工频交流电源的断路器。当升压变压器二次侧电流超过规定的数值时,由第二组输出端经光电耦合器控制该断路器切断工频交流电源的供电,强制电除尘器停止工作。
[0011] 本发明电除尘器的高压电源装置,采用工频交流电源向升压变压器供电,该升压变压器的二次侧的整流电路中:正半波高压硅堆整流器在正半波向第一除尘室供电;负半波高压硅堆整流器在负半波向第二除尘室供电。整流后产生的直流高压供给具有第一除尘室和第二除尘室的除尘器本体进行收尘。无论在正半波还是在负半波,升压变压器只对两个除尘室中的一个除尘室供电。所以,使本发明的技术方案的升压变压器的容量可比传统技术中全波桥式整流技术的工频供电的升压变压器的容量减少一半,而采用本发明的技术方案的高压电源装置的设备体积、生产成本较传统技术中常规工频供电的高压电源装置减少1/3左右。但与高频供电的高压电源相比,采用本发明技术方案的高压电源装置仍然保持了成本低、容量大和可靠性高的优点。由于对第一除尘室和第二除尘室分时供电,其节能效率可达50%左右,节能降耗对用户带来很大的经济效益和环保效益。本发明电除尘器的高压电源装置的工作方式与电除尘器除尘机理非常切合,第一除尘室和第二除尘室在断电的半个波时间里,极板、极线上的粉尘大大减少了外施电场力,自动实现了断电振打,这大大提高了清灰效果,因此可使除尘器保持良好的放电能力,同时又可减小振打力,延长了除尘器振打设备的使用寿命。由于使用工频电源,器件、材料、技术成熟、可靠,可实现大容量要求,一般升压变压器使用寿命可长达20年。
附图说明
[0012] 图1为本发明电除尘器的高压电源装置一个实施例的电路结构示意图。
[0013] 图2为图1实施例中的正半波高压硅堆整流器在正半波向第一除尘室供电的示意图。
[0014] 图3为图1实施例中的负半波高压硅堆整流器在负半波向第二除尘室供电的示意图。
[0015] 图4为图1实施例中光控可控硅触发电路的电路图。
[0016] 图5为图1实施例的控制流程示意图。
[0017] 图6为图1实施例的电压与电流波形图。
具体实施方式
[0018] 本发明电除尘器的高压电源装置一个实施例的电路结构,如图1所示。该电除尘器的高压电源装置,在电源输入端子101、102采用工频(50Hz)的380伏交流电源供电。电源输入端子101经断路器QFl的第一常闭触点QFl.1连接节点103。一对反向并联的可控硅V1、V2串接在节点103与升压变压器Tl 一次侧的第一端之间。正向可控硅Vl的正极Al连接节点103,负极Kl连接升压变压器Tl 一次侧的第一端,即是节点105。反向可控硅V2的负极K2连接节点103,正极A2连接节点105。电源输入端子102经断路器QFl的第二常闭触点QFl.2连接节点104,即是升压变压器Tl 一次侧的第二端。
[0019] 升压变压器Tl的二次侧设整流电路,通过整流后产生直流高压供给具有第一除尘室10和第二除尘室20的除尘器本体进行收尘。整流电路包括四个高压硅堆V3、V4、V5、V6。第一高压硅堆V3的正极和第三高压硅堆V5的负极连接升压变压器Tl 二次侧的第一端,第二高压硅堆V4的正极和第四高压硅堆V6的负极连接升压变压器Tl 二次侧的第二端。第一高压硅堆V3的负极和第二高压硅堆V4的负极连接节点200,节点200通过电流检测电阻R31连接节点205接地。第四高压硅堆V6的正极,即是节点201经第一阻尼电阻Rll连接第一除尘室10的极线,第三高压硅堆V5的正极,即是节点203经第二阻尼R21电阻连接第二除尘室20的极线。第一除尘室10的极板和第二除尘室20的极板接地。
[0020] 请参看图2,第一高压硅堆V3和第四高压硅堆V6构成正半波高压硅堆整流器,该正半波高压硅堆整流器设置在升压变压器Tl的二次侧与第一除尘室10之间,在正半波向第一除尘室10供电。
[0021] 请参看图3,第二高压硅堆V4和第三高压硅堆V5构成负半波高压硅堆整流器。该负半波高压硅堆整流器设置在升压变压器Tl的二次侧与第二除尘室20之间,在负半波向第二除尘室20供电。
[0022] 正半波时,电源通过图2回路进行整流,产生的脉动直流对除尘器的第一除尘室10进行供电,此时除尘器的第二除尘室20处于断电状态。负半波时,电源通过图3回路进行整流,产生的脉动直流对除尘器的第二除尘室20进行供电,此时除尘器的第一除尘室10处于断电状态。如此循环往复,总是一个除尘室处于供电状态,而另一个除尘室处于断电状态,每个除尘室间歇的断电状态客观上产生了断电振打效果和节能作用。
[0023] 回到图1。
[0024] 正半波高压硅堆整流器的直流输出回路中,在第四高压硅堆V6的正极,即是节点201与接地的节点205之间设有第一电压检测器,该第一电压检测器由串接的电阻Rl2和电阻Rl3组成。电阻R12与电阻R13的连接点,即是节点202,节点202作为正半波直流输出电压的分压点连接信号放大电路30的第一输入端301,经信号放大电路30向微处理器50提供正半波直流输出电压信号。
[0025] 负半波高压硅堆整流器的直流输出回路中,在第三高压硅堆V5的正极,即是节点203与接地的节点205之间设有第二电压检测器,该第二电压检测器由串接的电阻R22和电阻R23组成。电阻R22与电阻R23的连接点,即是节点204,节点204作为负半波直流输出电压的分压点连接信号放大电路30的第二输入端302,经信号放大电路30向微处理器50提供负半波直流输出电压信号。
[0026] 升压变压器Tl 二次侧整流电路的节点203与接地的节点205之间的电流检测电阻R31是设在地线上的直流输出电流检测器,该电阻R31的两端即节点203和节点205分别连接信号放大电路30的第三输入端303和第四输入端304,经信号放大电路30向微处理器50提供直流输出电流信号。[0027] 电源电路60将工频(50Hz)的220伏交流市电转换为低压直流电供给本高压电源装置的信号放大电路30、微处理器50、输入/输出(I/O)接口 51、键盘52、显示器53、过零信号检测电路61、光控可控娃触发电路70和光电稱合器80。电源电路60通使向过零信号检测电路61提供低压的工频(50Hz)交流电,供过零信号检测电路61提取过零信号。
[0028] 微处理器50的第一个输入/输出(I/O)端口 501经输入/输出(I/O)接口 51连接键盘52和显示器53,以实现人机交流。过零信号检测电路61向微处理器50的第一个输入端502提供工频(50Hz)交流电的过零信号。微处理器50的第一组输入端口 503接收信号放大电路30的输出端口 308传递的各种米样信号。微处理器50的第一个输出端504连接光控可控硅触发电路70的信号输入端701,发送控制可控硅V1、V2导通角的触发信号。微处理器50的第二个输出端505连接光电耦合器80,以控制断路器QF1,保持或切断工频交流电源的供电。
[0029] 微处理器50以电网的电压过零信号为同步信号,负责每IOms间隔输出一个触发脉冲,触发脉冲通过光控可控硅触发电路70将正、负半波触发信号G1、K1、G2、K2送至可控硅V1、V2进行调压控制。微处理器50通过调整脉冲宽度来调整可控硅V1、V2输出电压的大小,即是升压变压器Tl 一次侧电压大小,调压后的交流电由升压变压器Tl升压并送到整流器进行整流,升压整流后的直流电压通过图2回路和图3回路分别对除尘器第一除尘室
10、第二除尘室20进行分时供电。
[0030] 请参看图4:光控可控硅触发电路70包含一个与非门缓冲驱动器702和两个光电耦合器703、704。与非门缓冲驱动器702的负输入端接地。与非门缓冲驱动器702的输出端与地线之间串接两个光电耦合器703、704中的发光二极管。光电耦合器703中的感光三极管的发射极连接正向可控硅Vl的Kl端,该感光三极管的集电极连接正向可控硅Vl的Gl触发端。光电稱合器704中的感光三极管的发射极连接翻向可控娃V2的K2端,该感光三极管的集电极连接翻向可控硅V2的G2触发端。
[0031] 与非门缓冲驱动器702的正输入端701接受微处理器50第一组输出端504输出的触发信号。与非门缓冲驱动器702对该触发信号进行放大,并驱动两个光电耦合器703、704中的发光二极管;两个光电耦合器703、704中的感光三极管分别对应地驱动相应可控硅V1、V2。微处理器50通过与非门缓冲驱动器702和两个光电耦合器703、704为两个反向并联的可控硅V1、V2提供统一的触发控制信号,而对每一个可控硅而言,只有在本可控硅的工作半周内的触发控制信号才是有效的触发控制信号。所以,该光控可控硅触发电路70可以避免两个反向并联的可控硅V1、V2出现单边工作即升压变压器Tl偏励磁的错误状态。
[0032] 为保证供给两个除尘室10、20符合要求的0-7.2万伏直流电压和稳定的直流电流,微处理器50接收过零信号检测电路61提供的交流电源的过零信号及信号放大电路30提供的升压变压器Tl 二次侧整流电路的正半波直流输出电压信号、负半波直流输出电压信号和直流输出电流信号。微处理器50依据上述正半波直流输出电压信号、负半波直流输出电压信号、直流输出电流信号和过零信号,由第一组输出端504经光控可控硅触发电路70,以光电隔离的方式控制上述那对反向并联的可控硅V1、V2的导通角。
[0033] 具体而言,微处理器50执行图5所示的控制操作。
[0034] 步骤901,正半波时微处理器50采集升压变压器Tl 二次侧整流电路的正半波直流输出电压信号、直流输出电流信号和过零信号,并判断正半波直流输出电压、直流输出电流是否与规定值有偏差;是则执行步骤902,否则执行步骤905。
[0035] 步骤902,微处理器50判断该偏差是否超过规定的范围,是则执行步骤904,否则执行步骤903。
[0036] 步骤903,微处理器50按偏差值调整正半波时的导通角触发参数,按该导通角触发参数由第一组输出端504经光控可控娃触发电路70的Gl输出端、Kl输出端分别向正向可控硅Vl对应的Gl触发端、Kl端发送导通控制信号,控制正向可控硅Vl按新的导通角调节升压变压器Tl的一次侧正半波的电压和电流,从而控制升压变压器Tl的二次侧正半波高压硅堆整流器输出的直流电压和电流趋于正常,保证第一除尘室10能稳定地正常工作。执行步骤903。
[0037] 步骤904,偏差过大,查过可调节的范围,微处理器50实施保护处理,微处理器50由第二组输出端505经光电耦合器80控制断路器QFl切断工频交流电源的供电,强制电除
尘器停止工作。
[0038] 步骤905,微处理器50按正常的导通角触发参数由第一组输出端504经光控可控硅触发电路70的Gl输出端、Kl输出端分别向正向可控硅Vl对应的Gl触发端、Kl端发送导通控制信号,控制正向可控硅Vl按正常的导通角保持升压变压器Tl的一次侧正半波的电压和电流,从而控制升压变压器Tl的二次侧正半波高压硅堆整流器输出正常的直流电压和电流,保证第一除尘室10能稳定地正常工作。执行步骤906。
[0039] 步骤906,负半波时微处理器50采集升压变压器Tl 二次侧整流电路的负半波直流输出电压信号、直流输出电流信号和过零信号,并判断负半波直流输出电压、直流输出电流是否与规定值有偏差;是则执行步骤907,否则执行步骤909。
[0040] 步骤907,微处理器50判断该偏差是否超过规定的范围,是则执行步骤904,否则执行步骤908。
[0041] 步骤908,微处理器50按偏差值调整负半波时的导通角触发参数,按该导通角触发参数由第一组输出端504经光控可控娃触发电路70的G2输出端、K2输出端分别向反向可控硅V2对应的G2触发端、K2端发送导通控制信号,控制反向可控硅V2按新的导通角调节升压变压器Tl的一次侧负半波的电压和电流,从而控制升压变压器Tl的二次侧负半波高压硅堆整流器输出的直流电压和电流趋于正常,保证第二除尘室20能稳定地正常工作。执行步骤901。
[0042] 步骤909,微处理器50按正常的导通角触发参数由第一组输出端504经光控可控硅触发电路70的G2输出端、K2输出端分别向反向可控硅V2对应的G2触发端、K2端发送导通控制信号,控制反向可控硅V2按正常的导通角保持升压变压器Tl的一次侧负半波的电压和电流,从而控制升压变压器Tl的二次侧负半波高压硅堆整流器输出正常的直流电压和电流,保证第二除尘室20能稳定地正常工作。执行步骤901。
[0043] 在某些场合,若忽略对升压变压器Tl 二次侧整流电路的直流输出电流的调整,微处理器50的控制过程可以简化为:
[0044] 微处理器50采集正半波高压硅堆整流器输出回路的正半波直流输出电压信号和过零信号,微处理器50第一组输出端504控制正向可控硅Vl的导通角,调节升压变压器Tl的一次侧正半波的电压,从而控制升压变压器Tl的二次侧正半波高压硅堆整流器输出的直流电压,保证第一除尘室10能稳定地正常工作。
[0045] 微处理器50采集负半波高压硅堆整流器输出回路的负半波直流输出电压信号和过零信号,微处理器50第一组输出端504控制反向可控硅V2的导通角,调节升压变压器Tl的一次侧负半波的电压,从而控制升压变压器Tl的二次侧负半波高压硅堆整流器输出的直流电压,保证第二除尘室20能稳定地正常工作。
[0046] 本高压电源装置具有超压保护的功能。升压变压器Tl的二次侧所设的电压检测器-降压电阻R23、R13经信号放大电路30向微处理器50提供与升压变压器Tl 二次侧电压对应的左、右室二次电压信号,微处理器50按照该二次电压信号由第二组输出端505经光电耦合器80控制接通或切断工频交流电源的断路器QF1。当升压变压器Tl 二次侧电压超过规定的数值时,微处理器50由第二组输出端505经光电耦合器80控制该断路器QFl切断工频交流电源的供电,强制电除尘器停止工作。
[0047] 本高压电源装置具有过电流保护的功能。升压变压器Tl的二次侧所设的电流检测器-电阻R31通过信号放大电路30向微处理器50提供与升压变压器Tl 二次侧电流对应的二次电流信号。微处理器50按照该二次电流信号由第二组输出端505经光电I禹合器80控制接通或切断工频交流电源的断路器QF1。当升压变压器Tl 二次侧电流超过规定的数值时,微处理器50由第二组输出端505经光电耦合器80控制该断路器QFl切断工频交流电源的供电,强制电除尘器停止工作。
[0048] 本高压电源装置中电源电压、可控硅Vl的触发信号、可控硅V2的触发信号、升压变压器Tl 一次侧的一次电压、升压变压器Tl 一次侧的一次电流、升压变压器Tl 二次侧的二次电压、升压变压器Tl 二次侧的二次电流、第一除尘室10的电流、第二除尘室20的电流的时序波形如图6所示。从图6中可知,第一除尘室10、第二除尘室20电场处于交替的充电、断电状态,实现了节能和断电振打功能。
[0049] 以上所述,仅为本发明较佳实施例,不以此限定本发明实施的范围,依本发明的技术方案及说明书内容所作的等效变化与修饰,皆应属于本发明涵盖的范围。

Claims (1)

1.一种电除尘器的高压电源装置,采用工频交流电源向升压变压器供电,升压变压器的二次侧设整流电路,通过整流后产生直流高压供给具有第一除尘室和第二除尘室的除尘器本体进行收尘;其特征在于所述的整流电路包括正半波高压硅堆整流器和负半波高压硅堆整流器;正半波高压硅堆整流器设置在升压变压器的二次侧与第一除尘室之间,在正半波向第一除尘室供电;负半波高压硅堆整流器设置在升压变压器的二次侧与第二除尘室之间,在负半波向第二除尘室供电; 所述的整流电路包括四个高压硅堆,第一高压硅堆的正极和第二高压硅堆的负极连接升压变压器二次侧的一端,第一高压硅堆的正极和第四高压硅堆的负极连接升压变压器一次侧的另一端,第一高压硅堆的负极和第二高压硅堆的负极接地,第四高压硅堆的正极经第一阻尼电阻连接第一除尘室的极线,第三高压硅堆的正极经第二阻尼电阻连接第二除尘室的极线;第一除尘室的极板和第二除尘室的极板接地;第一高压硅堆和第四高压硅堆构成正半波高压硅堆整流器,第二高压硅堆和第二高压硅堆构成负半波高压硅堆整流器; 所述正半波高压硅堆整流器的直流输出回路设有第一电压检测器,向微处理器提供正半波直流输出电压信号;所述负半波高压硅堆整流器的直流输出回路设有第二电压检测器,向微处理器提供负半波直流输出电压信号,所述升压变压器的一次侧与工频交流电源之间串接有一对反向并联的可控硅;微处理器接收交流电源的过零信号;微处理器依据正半波直流输出电压信号、负半波直流输出电压信号和过零信号,由第一组输出端控制上述那对反向并联的可控硅的导通角; 所述整流电路的地线设有直流输出电流检测器,向微处理器提供电流信号:微处理器依据正半波电流输出电压信号、负正半波电流输出电压信号、电流信号和过零信号由第一组输出端控制上述那对反向并联的可控硅的导通角; 所述微处理器的第一组输出端经光控可控硅触发电路,以光电隔离的方式控制上述那对反向并联的可控硅的导通角;光控可控硅触发电路包含一个与非门缓冲驱动器和两个光电耦合器;与非门缓冲驱动器对微处理器第一组输出端输出的信号进行放大,并驱动两个光电耦合器中的发光二极管;两个光电耦合器中的感光三极管分别对应地驱动上述那对反向并联的可控硅中相应可控硅; 所述升压变压器的二次侧设电压检测器向微处理船提供与升压变压器二次侧电压对应的二次电压信号,微处理器按照该一次电压信号由第一组输出端经光电耦合器控制接通或切断工频交流电源的断路器; 所述升压变压器的二次侧设电流检测器向微处理器提供升压变压器二次侧电流对应的二次电流信号、微处理器按照该二次电流信号由第二组输出端经光电耦合器控制接通或切断工频交流电源的断路器。
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