CN101903789A - 具有辅助解耦元件的多通道tem线圈 - Google Patents

具有辅助解耦元件的多通道tem线圈 Download PDF

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Abstract

射频线圈(30)包括射频屏(34)、多个可操作TEM元件(35)以及多个辅助细长传导元件(40，50，60，70，80a，80b)，所述多个可操作TEM元件由与射频屏耦合的平行细长传导元件(36)限定并且被配置为与多通道射频驱动器(32)可操作连接。每个辅助细长传导元件被布置为平行于两个相邻的可操作TEM元件并在这两个相邻的可操作TEM元件之间，并且被调谐以充分解耦这两个相邻的可操作TEM元件，在每两个相邻的可操作TEM元件之间设置有辅助细长传导元件。

Description

具有辅助解耦元件的多通道TEM线圈
技术领域
本发明涉及磁共振领域。本发明说明性地应用于磁共振成像和谱分析，并特别参考其进行描述。但是，本发明也可以应用于其他磁共振和射频应用。
背景技术
磁共振频率和自由空间波长依赖于静(B0)磁场(也被称为主磁场)，特别地，自由空间波长随着磁场增强而减小。在高磁场(例如大约3Tesla或更高)下，相对短的自由空间波长可以在射频激励中引入很大的空间非均匀性，该射频激励可以由诸如鸟笼或TEM线圈的常规正交驱动体积线圈提供。
因此，随着磁共振产业已经转移到较高磁场，例如在7Tesla下工作的磁共振扫描器，感兴趣的是包括被分别驱动的多个导体的多通道线圈。在多通道线圈中，不同的驱动射频信号可以被调整以提供更好的空间均匀性。
但是，名义上分离的线圈元件之间的感应耦合可能是个问题。在鸟笼线圈的情况下，这些元件是由端环连接的横档，这加剧了有问题的耦合。因此，多通道线圈倾向于是横电磁(TEM)构型，其中每个TEM元件包括用射频屏蔽或屏在末端连接的细长导体，该射频屏蔽或屏提供返回电流路径。因为TEM元件仅由为电接地平面的射频屏蔽或屏互连，所以充分降低了元件之间的耦合。
但是，相邻的TEM元件之间的感应耦合对与一些构型和在一些扫描器中仍然是有问题的。进一步降低TEM元件之间的感应耦合的方案在本领域中是已知的。
在一种方案中，靠近每个TEM元件添加小的耦合线圈或环，且通过传输线连接用于任何两个相邻的TEM元件的一对这样的线圈或环。通过适当的布局和调整，可以利用这种方案充分消除TEM元件的互感。但是，该调整通常必需使用可变电抗。这些电抗和解耦线圈或环是增加TEM线圈的复杂性的部件，且不容易合并到基本TEM线圈布局中。此外，线圈或环的连接引入相互依赖性，这使得线圈调谐过程变得复杂，并可能引入其他问题。
另一种方案是在相邻的TEM元件之间插入串行连接的补偿变压器。但是，这种方案不期望地增加了TEM元件的电感。
另一种方案是在TEM元件的反应终端之间插入电容性网络。通过适当选择电容性耦合，可以充分消除TEM元件之间的感应耦合。同样地，电容性网络向TEM线圈中引入了不期望的复杂性并且难以调整以实现解耦。
因此，现有技术中仍存在对改进的多通道TEM线圈和对用于解耦TEM元件的改进的方法的未满足的需求。
发明内容
根据本文中作为示例示出和描述的某些说明性实施例，公开了一种射频线圈，其包括：射频屏；多个可操作横电磁(TEM)元件，其由与射频屏耦合的平行细长传导元件限定，并被配置为可操作连接多通道射频驱动器；以及多个辅助细长传导元件，其每一个对准(即平行于)两个相邻的可操作TEM元件并设置在这两个相邻的可操作TEM元件之间，并且被调谐以充分解耦这两个相邻的可操作TEM元件。
根据本文中作为示例示出和描述的某些说明性实施例，公开了一种射频激励系统，其包括：横电磁(TEM)线圈，该TEM线圈包括射频屏、由与射频屏耦合的平行细长传导元件限定的多个可操作TEM元件，和多个辅助细长传导元件，每个辅助细长传导元件平行于两个相邻的可操作TEM元并设置在这两个相邻的可操作TEM元件之间，并且被调谐以充分解耦这两个相邻的可操作TEM元件；以及多通道发射器，其与TEM线圈耦合以独立于其他可操作TEM元件来驱动每个可操作TEM元件，或者独立于其他组的可操作TEM元件来驱动多个不同组的可操作TEM元件中的每一组。
根据本文中作为示例示出和描述的某些说明性实施例，公开了一种磁共振扫描器，其包括：产生静(B0)磁场的磁体；被配置为将磁场梯度叠加到静磁场上的磁场梯度系统；以及如前一段中所述的射频激励系统。
根据本文中作为示例示出和描述的某些说明性实施例，公开了一种磁共振激励方法，其包括：独立地激励多个平行可操作横电磁(TEM)元件以在磁共振扫描器的检查区域中产生射频场；以及利用辅助细长传导元件来解耦所述多个平行可操作TEM元件中的相邻的可操作TEM元件，每个辅助细长传导元件与两个相邻的平行可操作TEM元件对准(即平行)并被设置在这两个相邻的平行可操作TEM元件之间。
根据本文中作为示例示出和描述的某些说明性实施例，公开了一种解耦多通道TEM线圈的可操作横电磁(TEM)元件的方法，该方法包括：在多通道TEM线圈的相邻的可操作TEM元件之间设置辅助传导元件以便感应地耦合相邻的可操作TEM元件；以及调谐辅助传导元件以解耦多通道TEM线圈的可操作TEM元件。
一种优势在于提供了具有TEM元件之间的改进的解耦的多通道TEM线圈。
另一优势在于提供了用于解耦TEM元件的改进的方法。
另一优势在于提供了简化的多通道TEM线圈。
本领域普通技术人员在阅读和理解以下详细描述后将认识到本发明的更多优势。
附图说明
下文中将以示例的方式基于下面的实施例并参考附图来详细描述这些和其他方面，其中：
图1图解示出磁共振扫描器系统；
图2图解示出具有适用于图1中的扫描器系统的介入式解耦TEM元件的多通道TEM线圈的透视图；
图3图解示出图2中的多通道TEM线圈的一部分的透视图，该多通道TEM线圈包括两个相邻的可操作TEM元件和具有细长条导体的介入式解耦TEM元件，图2的柱状线圈在图3中示出的这一部分为了图示说明方便而被示出为是基本展开或变平的；
图4图解示出可替代的TEM线圈的一部分的透视图，该透视图示出两个相邻的可操作TEM元件和包括细长杆导体的介入式解耦TEM元件；
图5图解示出可替代的TEM线圈的一部分的透视图，该透视图示出两个相邻的可操作TEM元件和包括细长双杆导体的介入式解耦TEM元件；
图6图解示出可替代的TEM线圈的一部分的透视图，该透视图示出两个相邻的可操作TEM元件和包括细长传导环的介入式解耦元件；
图7图解示出可替代的TEM线圈的一部分的透视图，该透视图示出两个相邻的可操作TEM元件和包括细长传导环与细长传导杆的组合的介入式解耦TEM元件；以及
图8图解示出可替代的TEM线圈的一部分的透视图，该透视图示出两个相邻的可操作TEM元件和包括两个细长条的介入式解耦元件，每个细长条可操作地在其末端与可操作TEM元件之一耦合。
在不同图中使用的对应参考数字表示图中的对应元件。
具体实施方式
参考图1，磁共振扫描器10包括在检查区域14中产生静(B0)磁场的主磁体12，在该检查区域中设置对象16(在图1中以体模示出)。所图示的磁共振扫描器10是水平腔型扫描器，其以剖面示出以暴露所选择的部件；但是，也可以使用其他类型的磁共振扫描器。磁共振扫描器10任选地是强场扫描器，其中主磁体12在检查区域14中产生静(B0)磁场，其磁场强度大于或大约为3Tesla，且在一些实施例中大于或大约为5Tesla。在一些实施例中，主磁体12在检查区域14中产生磁场强度为7Tesla的静(B0)磁场。也可预期更高或更低的磁场强度。
磁共振扫描器10还包括磁场梯度系统18，该磁场梯度系统将所选择的磁场梯度叠加到静(B0)磁场上以执行各种任务，诸如空间限制磁共振激励、空间编码磁共振频率和/或相位、损坏磁共振等。在一些实施例中，磁场梯度系统18包括多个线圈，这些线圈被配置和布置成在例如x、y、和z方向的三个正交方向上产生所选择的磁场梯度。任选地，磁共振扫描器可以包括图1未示出的其他元件，诸如腔衬垫、有源线圈或无源铁磁垫片等。通过将对象16放置在可移动的对象支架20上来适当准备该对象，且然后将该支架与所支撑的对象16一起推进到图示位置以进行磁共振数据采集。例如，对象支架20可以是托架或台，其最初设置在邻近磁共振扫描器10的躺椅22上，将对象16放置在支架20上且然后滑动地从躺椅22转移到磁共振扫描器10的腔中。
继续参考图1并进一步参考图2，多通道横电磁(TEM)线圈30由多通道发射器32激励以在对象16的所选择的区域中激励磁共振。任选地，TEM线圈30还被用于利用接收器(未示出)来接收磁共振信号，该接收器能够可切换地耦合到TEM线圈30，或者可替代地可以以表面线圈或其他局部线圈的形式提供分离的接收线圈(未示出)。所图示的多通道TEM线圈30是整体线圈，其具有大致柱状形状并与磁共振扫描器10的腔基本共轴地定位。在其他实施例中，与多通道发射器32连接的多通道TEM线圈可以是局部线圈，诸如头部线圈、肢体线圈等。
所图示的多通道TEM线圈30包括射频屏蔽或屏34和由平行细长传导元件36限定的多个可操作TEM元件35，这些细长传导元件36与射频屏34在细长传导元件36的末端处或末端附近耦合。细长传导元件36被配置为与多通道射频发射器或驱动器32可操作连接。在一些实施例中，由细长传导元件36之一限定的每个TEM元件35被多通道射频发射器或驱动器32的专用通道独立驱动。在其他实施例中，TEM元件35可以在电学上被布置成两个、三个、四个或更多个组，每组包括两个或更多个细长传导元件36，其中每组被多通道射频发射器或驱动器32的通道适当地独立驱动。通过适当地独立激励多个平行TEM元件35，可以在磁共振扫描器10的检查区域14中产生基本空间均匀的射频场，即使在高磁场强度下以及在对象负载的情况下。所图示的TEM线圈30的射频屏34具有柱状形状和圆形横截面。但是，也可预期具有椭圆、非径向对称或其他横截面的柱状射频屏。此外，可预期射频屏不限定封闭环。
继续参考图1和图2并进一步参考图3，针对有效的多通道操作，期望由与射频屏34耦合的平行细长传导元件36限定的可操作TEM元件彼此解耦。为实现这一目的，多个辅助细长传导元件40被布置为每个都平行于两个相邻的可操作TEM元件35并设置在这两个相邻的可操作TEM元件35之间的中央处。辅助细长传导元件40中的每一个与射频屏34耦合以限定辅助TEM元件，该辅助TEM元件被调谐以充分解耦两个相邻的可操作TEM元件35。该辅助元件应该被调谐以承载足够有效的电流来阻挡相互耦合的电流在相邻的可操作TEM元件35中流动。
所图示的辅助细长传导元件40在长度和与射频屏34的分离方面类似于可操作TEM元件35；但是，也可预期与可操作TEM元件35相比充分更长、更短或与屏34不同地间隔开的辅助细长传导元件。所图示的辅助细长传导元件40比可操作TEM元件35的平行细长传导元件36窄，但是同样也可预期其他几何结构，包括具体化为比可操作TEM元件的条更宽的条的辅助细长传导元件。通过将由辅助细长传导元件40限定的辅助解耦TEM元件调谐到低于多通道TEM线圈30的预期工作频率(即感兴趣的磁共振频率)的适当共振频率，可以充分抑制相邻的TEM元件35之间的耦合。
虽然未示出，多通道TEM线圈30可以包括本领域已知的其他部件，诸如用于可操作TEM元件35的平行细长传导元件36的调谐电容、失谐电路、阻抗匹配电路等。
参考图2和图3，在一种适当的方案中，每个辅助细长传导元件40包括可调整的调谐电容42。由辅助细长传导元件40限定的辅助TEM元件一般是电感性的，且可调整的调谐电容42使能这一电感的可调整调谐的局部消除以调谐辅助TEM元件的电抗从而充分解耦两个相邻的可操作TEM元件35。在一个说明性调谐方案中，使用网络分析器44来监测多通道TEM线圈30的相邻的可操作TEM元件35的共振，该网络分析器在适当用户界面46上输出显示(该用户界面在图2中示出为分离的部件，但是任选地与网络分析器44集成在一起)，而且辅助细长传导元件40的可调整的调谐电容42被调整以消除相邻的TEM元件的耦合导致的(所监测的共振的)共振劈裂。还任选地检查辅助TEM元件的经调谐的共振频率以确保该频率不是有可能干扰工作在射频下的扫描器电子装置或其他部件的共振频率。如所图示的示例，在使用与图3所示的类似的辅助条导体40实际构建的一种7Tesla多通道TEM线圈中，其中多通道TEM线圈被调谐到298MHz(即被调谐到7Tesla下的1H磁共振频率)，发现将由辅助条导体限定的辅助TEM元件调谐到大约230MHz的共振频率将提供7Tesla多通道TEM线圈的可操作TEM元件的有效解耦。
采用网络分析器44的所述解耦程序不是通过将辅助TEM元件调谐到预定频率来完成的，而是通过考虑可操作TEM元件35与网络分析器44的传递函数并且改变辅助细长传导元件40中的可变的或可调整的电容42的值直到初始观察到的共振劈裂消失。在一种适当的方案中，可操作TEM元件35被分别调谐到MR系统的频率。然后使得两个相邻的可操作TEM元件35和作为解耦元件的介入式解耦辅助细长传导元件40可操作，并且使得所有其他可操作TEM元件和辅助元件无效(即电学上断路)。然后通过调整辅助元件中的电容42而解耦第一对TEM元件，直到在TEM元件之一中观察到的共振劈裂消失。然后使得所监测的元件的其他相邻的可操作TEM元件和对应的辅助元件可操作，并且该辅助元件中的电容器被调整以最小化或去除共振劈裂。第一辅助条的电容器的调整可能使得必需小的校正。然后通过使能下一个相邻的可操作TEM和辅助元件并监测之前被使能的那一个来重复这一程序，直到所有的对都已经被使能。当线圈链形成诸如图2所示的柱状线圈30的封闭环时，第一辅助元件的电容器接收最终重新调整。进行TEM元件共振和解耦器电容器设置的精细调整的最终“往返行程”可以提供进一步改进。但是，单程有时足以提供解耦，在这种情况下任选地省略该程序的这种进一步迭代。
相反，已知的是，在解耦部件之间具有有线电连接或其他紧密连接的电容性解耦网络等易于表现出高度的相互耦合，从而使得调谐解耦网络以实现被充分解耦的多通道TEM线圈是冗长的、反复的、耗时的过程。虽然所述的调谐过程采用网络分析器44且并不直接参考辅助细长传导元件的共振频率，但是也可预期采用其他解耦过程，例如在解耦过程中监测辅助细长传导元件的共振频率。
在一些实施例中，诸如图2所示的具有圆形横截面的说明性柱状多通道TEM线圈30，射频屏34限定封闭环，多个TEM元件35包括N个TEM元件，且因为多通道TEM线圈是封闭环，因此多个TEM元件35包括N对相邻的TEM元件，多个辅助细长传导元件40包括N个辅助细长传导元件，在每对相邻的TEM元件之间设置一个辅助细长传导元件。一般来说，如本文所用的，N是大于或等于4的整数，其对应于多通道TEM线圈的TEM元件的数目。
在一些可预期的实施例中，多通道TEM线圈不是封闭环，而是开放环。在这种实施例中，可操作TEM元件不形成封闭环，且因此N个TEM元件限定(N-1)对相邻的TEM元件。相应地，在这种实施例中，适当地采用(N-1)个辅助细长传导元件来解耦多通道TEM线圈的可操作TEM元件。
参考图4-8，辅助细长传导元件可以以不同方式被具体化，其中每个辅助细长传导元件被布置为平行于两个相邻的可操作TEM元件并设置在这两个相邻的可操作TEM元件之间的中央处，并且被调谐以充分解耦这两个相邻的可操作TEM元件。图4-8示出更多的说明性实施例。图4示出被具体化为细长杆50的辅助细长传导元件，该细长杆在末端或靠近末端处连接到射频屏34以限定辅助TEM元件，并具有可利用可调整的调谐电容42进行调整的共振。图5示出被具体化为细长双杆60的辅助细长传导元件，该细长双杆在末端或靠近末端处连接到射频屏34以限定辅助TEM元件。在图5所示的实施例中，每个部件杆具有相关联的可调整的调谐电容42a、42b以便调谐。使用具有单独的可调整的调谐电容42a、42b的双杆60允许更精确地调谐相邻的可操作TEM元件35的解耦。
图6示出被具体化为细长传导环70的辅助细长传导元件，该细长传导环是电漂浮的。具体化为细长传导环70的辅助细长传导元件不与射频屏34连接以限定辅助TEM元件。每个细长传导环70限定平行于包含两个相邻的可操作TEM元件35的平面的环平面。指定图6中环70的取向的另一种方式是说该环平面平行于射频屏34的靠近部分。在图6所示的实施例中，通过利用插入到传导环70中的一个或多个可调整的调谐电容42c、42d将细长传导环70调谐到共振频率来实现有效解耦，该共振频率高于多通道TEM线圈被调谐到的磁共振频率。可以利用图2中的网络分析器44和显示器46基于经验确定用于进行解耦的精确调谐。在图6所示的实施例中，细长传导环70的长度类似于可操作TEM元件35的长度。
图7示出一实施例，其中辅助细长传导元件被具体化为图4的细长杆50与图6的细长传导环70的组合。细长杆50限定辅助TEM元件，而细长传导环70是电漂浮的。相应地，图7中所示的复合辅助细长传导元件50、70是TEM元件和漂浮的细长传导环的组合，这二者通过对称性而彼此解耦。虽然未示出，一个或多个可调整的调谐电容的各种布置可以被包括在细长杆50、细长传导环70或这二者中。
图8示出一实施例，其中辅助细长传导元件被具体化为设置在相邻的TEM元件35之间的第一和第二平行细长传导元件80a、80b。第一细长传导元件80a与相邻的可操作TEM元件35中靠近的一个间隔开并与其平行，并且在靠近其末端处与其耦合。第二细长传导元件80b与相邻的可操作TEM元件35中不同的靠近的一个间隔开并与其平行，并且在靠近其末端处与其耦合。虽然未示出，可调整的调谐电容可以合并到细长传导元件80a、80b中以使能调谐复合辅助细长传导元件80a、80b来解耦相邻的可操作TEM元件35。
应该认识到，在一些实施例中，一个、一些或所有的可调整的调谐电容42、42a、42b、42c、42d可以用固定的或不可调整的调谐电容替换，这些固定的或不可调整的调谐电容具有适于实现期望共振频率以便实现解耦的固定值。辅助细长传导元件具有很多优势，例如包括有优势的对称性、沿着TEM元件的长度的解耦分布、辅助细长传导元件在多通道TEM线圈的TEM元件之间存在的细长间隙中的良好几何结构适配等。
已经参考优选实施例描述了本发明。本领域技术人员在阅读和理解前面的详细描述后容易想到各种修改和变化。意在将本发明解读为包括所有这些修改和变化，只要它们处于随附权利要求或其等价物的范围内。在权利要求中，置于括号内的任何参考数字都不应被解读为限制该权利要求。词语“包括”并不排除不同于权利要求列出内容的元件或步骤的存在。元件前面的词语“一”或“一个”并不排除多个这种元件的存在。所公开的方法可以通过包含若干不同元件的硬件以及通过适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的系统权利要求中，这些装置中的若干个可以具体化为同一项计算机可读软件或硬件。在相互不同的从属权利要求中记载某些措施的事实并不表示不能使用这些措施的组合来取得优势。

Claims (15)

1.一种射频线圈，其包括：
射频屏(34)；
多个可操作横电磁(TEM)元件(35)，其由与所述射频屏耦合的平行细长传导元件(36)限定，并被配置为与多通道射频驱动器(32)可操作连接；以及
多个辅助细长传导元件(40，50，60，70，80a，80b)，其每一个平行于两个相邻的可操作TEM元件并设置在这两个相邻的可操作TEM元件之间，并且被调谐以充分解耦所述两个相邻的可操作TEM元件。
2.如权利要求1所述的射频线圈，其中，所述射频屏(34)限定封闭环，所述多个可操作TEM元件(35)包括N个可操作TEM元件和N对相邻的可操作TEM元件，并且所述多个辅助细长传导元件(40，50，60，70，80a，80b)包括N个辅助细长传导元件，在每对相邻的TEM元件之间设置平行于这对相邻的TEM元件的一个辅助细长传导元件。
3.如权利要求1所述的射频线圈，其中，所述多个辅助细长传导元件(40，50，60，70，80a，80b)包括：
细长传导元件(40，50，60)，其被设置在两个相邻的可操作TEM元件(35)之间并且与所述射频屏(34)耦合以限定辅助TEM元件，该辅助TEM元件被调谐以充分解耦所述两个相邻的可操作TEM元件。
4.如权利要求3所述的射频线圈，其中，所述细长传导元件(40，50，60)具有与所述可操作TEM元件(35)的长度大约相等的长度。
5.如权利要求1所述的射频线圈，其中，所述多个辅助细长传导元件(40，50，60，70，80a，80b)包括：
细长传导环(70)，其被设置在两个相邻的可操作TEM元件(35)之间并被调谐以充分解耦所述两个相邻的可操作TEM元件。
6.如权利要求5所述的射频线圈，其中，所述细长传导环(70)在伸长方向上的长度大约等于所述相邻的TEM元件(35)的长度。
7.如权利要求1所述的射频线圈，其中，所述多个辅助细长传导元件(40，50，60，70，80a，80b)包括：
细长传导环(70)，其被设置在两个相邻的可操作TEM元件(35)之间并且被调谐以充分解耦所述两个相邻的可操作TEM元件，所述细长传导环限定与包含所述两个相邻的可操作TEM元件的平面平行的环平面。
8.如权利要求1所述的射频线圈，其中，所述多个辅助细长传导元件(40，50，60，70，80a，80b)包括：
第一和第二平行细长传导元件(80a，80b)，其被设置在第一和第二相邻的TEM元件(35)之间并被调谐以充分解耦所述两个相邻的可操作TEM元件；
所述第一细长传导元件(80a)与所述第一相邻的可操作TEM元件间隔开并与其平行，并且在靠近所述第一相邻的可操作TEM元件的末端处与其耦合；并且
所述第二细长传导元件(80b)与所述第二相邻的可操作TEM元件间隔开并与其平行，并且在靠近所述第二相邻的可操作TEM元件的末端处与其耦合。
9.如权利要求8所述的射频线圈，其中，所述射频线圈是柱状的，并且每个可操作TEM元件(35)具有在一侧上靠近其末端处与其耦合的所述第一细长传导元件(80a)中的一个，并具有在相对侧上靠近其末端处与其耦合的所述第二细长传导元件(80b)中的一个。
10.一种磁共振系统，其包括：
用于产生主磁场(B0)的主磁体(12)；以及
如权利要求1所述的射频线圈。
11.一种射频激励系统，其包括：
如权利要求1所述的射频线圈；以及
多通道发射器(32)，其与所述TEM线圈耦合以独立于其他可操作TEM元件来驱动所述可操作TEM元件中的每一个，或者独立于其他组的可操作TEM元件来驱动多个不同组的可操作TEM元件中的每一组。
12.一种磁共振激励方法，其包括：
独立地激励多个平行可操作横电磁(TEM)元件(35)以在磁共振扫描器(10)的检查区域(14)中产生射频场；以及
利用辅助传导元件(40，50，60，70，80a，80b)来解耦所述多个平行可操作TEM元件中的相邻的可操作TEM元件，每个辅助传导元件与两个相邻的平行可操作TEM元件平行并被设置在这两个相邻的平行可操作TEM元件之间。
13.如权利要求12所述的磁共振激励方法，其还包括：
在所述激励之前，调谐所述辅助传导元件(40，50，60，70，80a，80b)以解耦所述相邻的平行可操作TEM元件(35)。
14.如权利要求13所述的磁共振激励方法，其中，所述调谐包括：
利用网络分析器(44)来监测相邻的平行可操作TEM元件(35)的共振；以及
调谐所述辅助传导元件(40，50，60，70，80a，80b)以消除由相邻的平行可操作TEM元件的耦合引起的所监测的共振的共振劈裂。
15.如权利要求13所述的磁共振激励方法，其中，所述辅助传导元件平行于所述可操作TEM元件(35)伸长，并且所述调谐包括：
调整所伸长的辅助传导元件(40，50，60，70，80a，80b)的电容(42，42a，42b，42c，42d)以解耦所述相邻的平行可操作TEM元件(35)。
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