CN101876770B - 挠性电极阵列基板与挠性显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明是有关一种挠性电极阵列基板与挠性显示器。该挠性电极阵列基板,包括一挠性基底以及多个像素电极。这些像素电极配置于该挠性基底上且排列成一阵列。这些像素电极的其中之一的大小不同于这些像素电极的其中另一的大小。此外,另一种挠性电极阵列基板亦被提出,其包括一挠性基底以及多个条状电极。这些条状电极配置于该挠性基底上且排列成一阵列。这些条状电极的其中之一的大小不同于这些条状电极的其中另一的大小。该挠性显示器包括上述的挠性电极阵列基板。
Description
技术领域
本发明是有关于一种挠性电极阵列基板(flexible electrode arraysubstrate)与挠性显示器(flexible display device),且特别是有关于一种被弯曲时,影像品质较佳的挠性电极阵列基板与挠性显示器(flexibledisplay device)。
背景技术
随着资讯及消费性电子产业蓬勃的发展,液晶显示器、移动电话、笔记本电脑、个人数字助理、以及数字相机等电子产品已成为生活中不可或缺的一部份。这些电子产品都具有显示面板,其作为显示影像的媒介。
具有显示面板的显示器可被设计为具有挠性(或称为可挠性)。然而,挠性显示器在被弯曲时,挠性显示器上的不同部位会有不同程度的拉伸或压缩应力。例如,挠性显示器中间部分通常会承受较大应力而产生较大的变形,而挠性显示器边缘部分通常会承受较小的应力而产生较小的变形。如果挠性显示器是长时间在被弯曲的状态下使用时,挠性显示器弯曲时显示出来的影像将会扭曲而失真。因此,现有习知的挠性显示器弯曲时所显示的影像品质较差。如何解决上述问题将是值得努力的方向。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种挠性电极阵列基板,其应用于一挠性显示器,使得挠性显示器被弯曲时,其影像品质较佳。
本发明的另一目的在于,提供一种挠性显示器,其被弯曲时所显示的影像品质较佳。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种挠性电极阵列基板,包括一挠性基底(flexible base)以及多个像素电极(pixel electrode,或称为画素电极)。挠性基底于被弯曲的状态下使用时形成大小不同应力的区域。这些像素电极配置于挠性基底上且排列成一阵列(array),其中当该挠性基底未被弯曲时,配置于较大应力区域的这些像素电极的尺寸小于配置于较小应力区域的这些像素电极的尺寸。
在本发明的一实施例中,这些像素电极构成多行(row)的第一像素电极组(pixel electrode set)。各个第一像素电极组的这些像素电极沿着一第一轴向(axis)排列,各个像素电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸(dimension)。第二轴向垂直于第一轴向。这些第一尺寸沿着第二轴向由挠性基底的一中心区域(central region)向挠性基底的相对两第一边缘(edge)而逐渐增加。
在本发明的一实施例中,这些像素电极构成多列(column)的第二像素电极组。各个第二像素电极组的这些像素电极沿着第二轴向排列,各个像素电极沿着第一轴向具有一第二尺寸。这些第二尺寸沿着第一轴向由挠性基底的中心区域向挠性基底的相对两第二边缘而逐渐增加。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种挠性显示器,包括一挠性电极阵列基板、一显示层以及一共用电极。挠性电极阵列基板包括一挠性基底以及多个像素电极。挠性基底于被弯曲的状态下使用时形成大小不同应力的区域。这些像素电极配置于挠性基底上且排列成一阵列,其中当该挠性基底未被弯曲时,配置于较大应力区域的这些像素电极的尺寸小于配置于较小应力区域的这些像素电极的尺寸。显示层配置于挠性电极阵列基板上。共用电极配置于显示层上。
在本发明的一实施例中,这些像素电极构成多行的第一像素电极组。各个第一像素电极组的这些像素电极沿着一第一轴向排列,各个像素电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸。第二轴向垂直于第一轴向。这些第一尺寸沿着第二轴向由挠性基底的一中心区域向挠性基底的相对两第一边缘而逐渐增加。
在本发明的一实施例中,这些像素电极构成多列的第二像素电极组。各个第二像素电极组的这些像素电极沿着第二轴向排列。各个像素电极沿着第一轴向具有一第二尺寸。这些第二尺寸沿着第一轴向由挠性基底的中心区域向挠性基底的相对两第二边缘而逐渐增加。
本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种挠性电极阵列基板,包括一挠性基底以及多个条状电极(bar electrode)。挠性基底于被弯曲的状态下使用时形成大小不同应力的区域。这些条状电极配置于挠性基底上且排列成一阵列,其中当该挠性基底未被弯曲时,配置于较大应力区域的这些条状电极的尺寸小于配置于较小应力区域的这些条状电极的尺寸。
在本发明的一实施例中,各个条状电极沿着一第一轴向延伸,各个条状电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸。第二轴向垂直于第一轴向。这些第一尺寸沿着第二轴向由挠性基底的一中心区域向挠性基底的相对两第一边缘而逐渐增加。
本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种挠性显示器,包括一第一挠性电极阵列基板、一显示层以及一第二挠性电极阵列基板。第一挠性电极阵列基板包括一第一挠性基底以及多个第一条状电极。第一挠性基底于被弯曲的状态下使用时形成大小不同应力的区域。这些第一条状电极配置于第一挠性基底上且排列成一阵列,其中当该挠性基底未被弯曲时,配置于较大应力区域的这些第一条状电极的尺寸小于配置于较小应力区域的这些第一条状电极的尺寸。显示层配置于第一挠性电极阵列基板上。第二挠性电极阵列基板配置于显示层上。第二挠性电极阵列基板包括一第二挠性基底以及多个第二条状电极。这些第二条状电极配置于第二挠性基底上且排列成一阵列。这些第二条状电极排列的方向不同于这些第一条状电极排列的方向。
在本发明的一实施例中,各个第一条状电极沿着一第一轴向延伸,各个第一条状电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸。第二轴向垂直于第一轴向。这些第一尺寸沿着第二轴向由第一挠性基底的一第一中心区域向第一挠性基底的相对两第一边缘而逐渐增加。
在本发明的一实施例中,各个第二条状电极沿着第二轴向延伸,各个第二条状电极沿着第一轴向具有一第二尺寸。第二轴向垂直于第一轴向。这些第二尺寸沿着第一轴向由第二挠性基底的一第二中心区域向第二挠性基底的相对两第二边缘而逐渐增加。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本发明挠性电极阵列基板与挠性显示器至少具有下列优点及有益效果:由于本发明的实施例的挠性电极阵列基板上的多个像素电极(或条状电极)的其中之一的大小不同于这些像素电极(或条状电极)的其中另一的大小,所以当应用上述挠性电极阵列基板的挠性显示器被弯曲使得这些像素电极(或这些条状电极重叠的区域)的大小几乎相同时,挠性显示器弯曲时显示出来的影像将不易扭曲而失真。因此,与现有习知技术相较,本发明的实施例的挠性显示器弯曲时所显示的影像品质较佳。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1是本发明第一实施例的一种挠性显示器的立体示意图。
图2是图1的挠性电极阵列基板的俯视示意图。
图3是图1的挠性显示器弯曲时的侧视示意图。
图4是本发明第二实施例的一种挠性电极阵列基板的俯视示意图。
图5是本发明第二实施例的一种具有图4的挠性电极阵列基板的挠性显示器弯曲时的立体示意图。
图6是本发明第三实施例的一种挠性显示器的立体示意图。
图7是图6的第一挠性电极阵列基板的俯视示意图。
图8是图6的第二挠性电极阵列基板的俯视示意图。
图9是图6的挠性显示器弯曲时的立体示意图。
200、300、400: 挠性显示器
210、310、410、430: 挠性电极阵列基板
220、320、420:显示层 230:共用电极
211、311、411、431: 挠性基底
211a、311a、311b、411a、431a:挠性基底的边缘
212、312:像素电极 213:驱动电晶体
213a:栅极 213b:源极
213c:漏极 214:扫描线
215:资料线 412、432:条状电极
A1:像素单元区域 D1、D2:轴向
C1、C2、C3、C4:挠性基底的中心区域
N1、N3、N4、N5、N6:尺寸 R1、R2、L2:像素电极组
S1、S2、S3:表面
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的挠性电极阵列基板与挠性显示器其具体实施方式、结构、特征及其功效进行详细说明。
[第一实施例]
图1是本发明第一实施例的一种挠性显示器的立体示意图。图2是图1的挠性电极阵列基板的俯视示意图。在此必须说明的是,图1的挠性电极阵列基板210的部分构件省略绘示。请参考图1与图2,本实施例的挠性显示器200包括一挠性电极阵列基板210、一显示层220与一共用电极230。显示层220配置于挠性电极阵列基板210上。本实施例的显示层220例如为一电泳层(electrophoretic display),其具有多个微胶囊(microcapsule)(未绘示)与填充于各个微胶囊内的电泳流体(electrophoretic fluid)(未绘示)。各个微胶囊内的电泳流体包括一介电液体(dielectric liquid)与多个散布于介电液体内的电泳粒子(electrophoretic particle)。此外,本实施例的这些微胶囊的结构可以多个微杯(microcup)的结构而加以替代,本发明于此不做任何限定。
共用电极230配置于显示层220上。共用电极230为一透光导电薄膜,其材料例如为铟锡氧化物(Indium-Tin-Oxide,ITO)。
挠性电极阵列基板210包括一挠性基底211、多个像素电极212、多个驱动电晶体(driving transistor)213、多个彼此平行的扫描线(scan line)214与多个彼此平行的资料线(data line)215。这些像素电极212、这些驱动电晶体213、这些扫描线214与这些资料线215配置于挠性基底211的一表面S1上。这些扫描线214垂直于这些资料线215以区分出多个像素单元区域(pixel unit area)A1。这些像素电极212分别位于这些像素单元区域A1且排列成一阵列,并且这些像素电极212的其中之一的大小不同于这些像素电极212的其中另一的大小。
这些驱动电晶体213位于这些像素单元区域A1。各个驱动电晶体213可为一薄膜电晶体(thin film transistor,TFT)。各个驱动电晶体213的栅极(gate)(或称为闸极)213a电性连接至这些扫瞄线214的其中之一,各个驱动电晶体213的源极(source)213b电性连接至这些资料线215的其中之一,且各个驱动电晶体213的漏极(drain)(或称为汲极)213c电性连接至对应的像素电极212。此外,上述显示层220位于挠性基底211的表面S1上,且挠性基底211的材质例如为塑胶。
进言之,这些像素电极212构成多行的第一像素电极组R1。各个第一像素电极组R1的这些像素电极212沿着一第一轴向D1排列,各个像素电极212沿着一第二轴向D2具有一第一尺寸N1。在本实施例中,第二轴向D2垂直于第一轴向D1。这些第一尺寸N1沿着第二轴向D2由挠性基底211的一中心区域C1向挠性基底211的相对两第一边缘211a而逐渐增加。
图3是图1的挠性显示器弯曲时的侧视示意图。请参考图1、图2与图3,当挠性显示器200被使用者弯曲而处于图3所示的的弯曲状态时,挠性电极阵列基板210所承受的应力大小是由挠性基底211的中心区域C1向挠性基底211的相对的这些第一边缘211a而逐渐减少。
详言之,邻近于挠性基底211的第一边缘211a的第一像素电极组R1承受相对较小的应力而产生相对较小的变形,使其之各个像素电极212的第一尺寸N1有相对较小幅度的增加。位于挠性基底211的中心区域C1的第一像素电极组R1承受相对较大的应力而产生相对较大的变形,使其之各个像素电极212的第一尺寸N1有相对较大幅度的增加。
因此,当挠性显示器200弯曲而处于图3所示的设计者所要求的弯曲状态时,各个像素电极212的大小几乎相同。如果挠性显示器200是长时间在图3所示的弯曲状态下使用时,挠性显示器200弯曲时显示出来的影像将不易扭曲而失真。因此,与习知技术相较,本实施例的挠性显示器200弯曲时所显示的影像品质较佳。
[第二实施例]
图4是本发明第二实施例的一种挠性电极阵列基板的俯视示意图。请参考图4,本实施例的挠性电极阵列基板310与第一实施例的挠性电极阵列基板210有所不同。
本实施例中,这些像素电极312构成多行的第一像素电极组R2。各个第一像素电极组R2的这些像素电极312沿着第一轴向D1排列,各个像素电极312沿着第二轴向D2具有第一尺寸N3。这些第一尺寸N3沿着第二轴向D2由挠性基底311的中心区域C2向挠性基底311的相对两第一边缘311a而逐渐增加。
此外,这些像素电极312构成多列的第二像素电极组L2。各个第二像素电极组L2的这些像素电极312沿着第二轴向D2排列,各个像素电极312沿着第一轴向D1具有一第二尺寸N4,且这些第二尺寸N4沿着第一轴向D1由挠性基底311的中心区域C2向挠性基底311的相对两第二边缘311b而逐渐增加。
图5是本发明第二实施例的一种具有图4的挠性电极阵列基板的挠性显示器弯曲时的立体示意图。请参考图4与图5,当挠性显示器300被使用者弯曲而处于图5所示的的弯曲状态时,挠性电极阵列基板310所承受的应力大小是由挠性基底311的中心区域C2向挠性基底311的相对的这些第一边缘311a而逐渐减少。此外,挠性电极阵列基板310所承受的应力大小亦是由挠性基底311的中心区域C2向挠性基底311的另外相对的这些第二边缘311b而逐渐减少。
因此,当挠性显示器300弯曲而处于图5所示的设计者所要求的弯曲状态时,各个像素电极312的大小几乎相同。如果挠性显示器300是长时间在图5所示的弯曲状态下使用时,挠性显示器300弯曲时显示出来的影像将不易扭曲而失真。因此,与习知技术相较,本实施例的挠性显示器300弯曲时所显示的影像品质较佳。
[第三实施例]
图6是本发明第三实施例的一种挠性显示器的立体示意图。图7是图6的第一挠性电极阵列基板的俯视示意图。图8是图6的第二挠性电极阵列基板的俯视示意图。在此必须说明的是,图6的第一挠性电极阵列基板410的部分构件省略绘示,且图6的第二挠性电极阵列基板430的部分构件省略绘示。请参考图6、图7与图8,本实施例的挠性显示器400包括一第一挠性电极阵列基板410、一显示层420以及一第二挠性电极阵列基板430。
第一挠性电极阵列基板410包括一第一挠性基底411以及多个第一条状电极412。第一挠性基底411的材质例如为塑胶。这些第一条状电极412配置于第一挠性基底411的一表面S2上且排列成一阵列,并且这些第一条状电极412的其中之一的大小不同于这些第一条状电极412的其中另一的大小。
进言之,各个第一条状电极412沿着第一轴向D1延伸,各个第一条状电极412沿着第二轴向D2具有一第一尺寸N5。第二轴向D2垂直于第一轴向D1,且这些第一尺寸N5沿着第二轴向D2由第一挠性基底411的一第一中心区域C3向第一挠性基底411的相对两第一边缘411a而逐渐增加。
第二挠性电极阵列基板430配置于显示层420上,第二挠性电极阵列基板430包括一第二挠性基底431以及多个第二条状电极432。第二挠性基底431的材质例如为塑胶。这些第二条状电极432配置于第二挠性基底431之一表面S3上且排列成一阵列,并且这些第二条状电极432的其中之一的大小不同于这些第二条状电极432的其中另一的大小。这些第二条状电极432排列的方向(亦即,第一轴向D1)不同于这些第一条状电极412排列的方向(亦即,第二轴向D2)。在本实施例中,这些第二条状电极432排列的方向垂直于这些第一条状电极412排列的方向。
进言之,各个第二条状电极432沿着第二轴向D2延伸,且各个第二条状电极432沿着第一轴向D1具有一第二尺寸N6。这些第二尺寸N6沿着第一轴向D1由第二挠性基底431的一第二中心区域C4向第二挠性基底431的相对两第二边缘431a而逐渐增加。
此外,显示层420配置于第一挠性电极阵列基板410之第一挠性基底411的表面S2与第二挠性电极阵列基板430之第二挠性基底431的表面S3之间。在此必须说明的是,本实施例的挠性显示器400中,第一挠性基底411的表面S2面向第二挠性电极阵列基板430的第二挠性基底431的表面S3,且这些第一条状电极412与这些第二条状电极432重叠的区域形成多个像素单元区域。
图9是图6的挠性显示器弯曲时的立体示意图。请参考图6、图7、图8与图9,当挠性显示器300弯曲而处于图9所示的设计者所要求的弯曲状态时,这些第一条状电极412与这些第二条状电极432重叠的区域的大小几乎相同。如果挠性显示器400是长时间在图9所示的弯曲状态下使用时,挠性显示器400弯曲时显示出来的影像将不易扭曲而失真。因此,与习知技术相较,本实施例的挠性显示器400弯曲时所显示的影像品质较佳。
综上所述,本发明的实施例的挠性电极阵列基板与应用其的挠性显示器至少具有以下或其他的优点。由于本发明的实施例的挠性电极阵列基板的这些像素电极(或条状电极)的其中之一的大小不同于这些像素电极(或条状电极)的其中另一的大小,所以当应用上述挠性电极阵列基板的挠性显示器被弯曲使得这些像素电极(或这些条状电极重叠的区域)的大小几乎相同时,挠性显示器弯曲时显示出来的影像将不易扭曲而失真。因此,与习知技术相较,本发明的实施例的挠性显示器弯曲时所显示的影像品质较佳。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种挠性电极阵列基板,其特征在于其包括:
一挠性基底,其中该挠性基底于被弯曲的状态下使用时形成大小不同应力的区域;以及
多个像素电极,配置于该挠性基底上且排列成一阵列,其中当该挠性基底未被弯曲时,配置于较大应力区域的该些像素电极的尺寸小于配置于较小应力区域的该些像素电极的尺寸。
2.根据权利要求1所述的挠性电极阵列基板,其特征在于其中所述的多个像素电极构成多行的第一像素电极组,每一该第一像素电极组的该些像素电极沿着一第一轴向排列,每一该像素电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸,该第二轴向垂直于该第一轴向,且该些第一尺寸沿着该第二轴向由该挠性基底的一中心区域向该挠性基底的相对两第一边缘而逐渐增加。
3.根据权利要求2所述的挠性电极阵列基板,其特征在于其中所述的多个像素电极构成多列的第二像素电极组,每一该第二像素电极组的该些像素电极沿着该第二轴向排列,每一该像素电极沿着该第一轴向具有一第二尺寸,且该些第二尺寸沿着该第一轴向由该挠性基底的该中心区域向该挠性基底的相对两第二边缘而逐渐增加。
4.一种挠性显示器,其特征在于其包括:
一挠性电极阵列基板,包括:
一挠性基底,其中该挠性基底于被弯曲的状态下使用时形成大小不同应力的区域;以及
多个像素电极,配置于该挠性基底上且排列成一阵列,其中当该挠性基底未被弯曲时,配置于较大应力区域的该些像素电极的尺寸小于配置于较小应力区域的该些像素电极的尺寸;
一显示层,配置于该挠性电极阵列基板上;以及
一共用电极,配置于该显示层上。
5.根据权利要求4所述的挠性显示器,其特征在于其中所述的多个像素电极构成多行的第一像素电极组,每一该第一像素电极组的该些像素电极沿着一第一轴向排列,每一该像素电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸,该第二轴向垂直于该第一轴向,且该些第一尺寸沿着该第二轴向由该挠性基底的一中心区域向该挠性基底的相对两第一边缘而逐渐增加。
6.根据权利要求5所述的挠性显示器,其特征在于其中所述的多个像素电极构成多列的第二像素电极组,每一该第二像素电极组的该些像素电极沿着该第二轴向排列,每一该像素电极沿着该第一轴向具有一第二尺寸,且该些第二尺寸沿着该第一轴向由该挠性基底的该中心区域向该挠性基底的相对两第二边缘而逐渐增加。
7.一种挠性电极阵列基板,其特征在于其包括:
一挠性基底,其中该挠性基底于被弯曲的状态下使用时形成大小不同应力的区域;以及
多个条状电极,配置于该挠性基底上且排列成一阵列,其中当该挠性基底未被弯曲时,配置于较大应力区域的该些条状电极的尺寸小于配置于较小应力区域的该些条状电极的尺寸。
8.根据权利要求7所述的挠性电极阵列基板,其特征在于其中所述的每一该条状电极沿着一第一轴向延伸,每一该条状电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸,该第二轴向垂直于该第一轴向,且该些第一尺寸沿着该第二轴向由该挠性基底的一中心区域向该挠性基底的相对两第一边缘而逐渐增加。
9.一种挠性显示器,其特征在于其包括:
一第一挠性电极阵列基板,包括:
一第一挠性基底,其中该第一挠性基底于被弯曲的状态下使用时形成大小不同应力的区域;以及
多个第一条状电极,配置于该第一挠性基底上且排列成一阵列,其中当该挠性基底未被弯曲时,配置于较大应力区域的该些第一条状电极的尺寸小于配置于较小应力区域的该些第一条状电极的尺寸;
一显示层,配置于该第一挠性电极阵列基板上;以及
一第二挠性电极阵列基板,配置于该显示层上,包括:
一第二挠性基底;以及
多个第二条状电极,配置于该第二挠性基底上且排列成一阵列,其中该些第二条状电极排列的方向不同于该些第一条状电极排列的方向。
10.根据权利要求9所述的挠性显示器,其特征在于其中所述的每一该第一条状电极沿着一第一轴向延伸,每一该第一条状电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸,该第二轴向垂直于该第一轴向,且该些第一尺寸沿着该第二轴向由该第一挠性基底的一第一中心区域向该第一挠性基底的相对两第一边缘而逐渐增加,每一该第二条状电极沿着该第二轴向延伸,每一该第二条状电极沿着该第一轴向具有一第二尺寸,且该些第二尺寸沿着该第一轴向由该第二挠性基底的一第二中心区域向该第二挠性基底的相对两第二边缘而逐渐增加。
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