CN101865749A - 开环硅基压力传感器厚膜电路 - Google Patents
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Abstract
一种开环硅基压力传感器厚膜电路,属于压力传感器技术领域,其特征是,包括陶瓷基片,陶瓷基片上阵列设置多个补偿板,补偿板之间连接,每个补偿板上设有一个装配孔,装配孔周围设有探测针孔,在补偿板上印刷或激光刻蚀有电路。本发明采用陶瓷基片替代PCB板网格,不仅可以使传感器的校准精度高、补偿温区拓宽,而且可以使传感器的可靠性、抗震动性、耐高低温冲击性以及传感器的外观品质得以全面提升,更重要的是为规模化制造压力传感器提供了工艺保障。
Description
技术领域
本发明属于压力传感器技术领域,具体涉及一种开环硅基压力传感器厚膜电路。
背景技术
传统生产压力传传感器过程中,往往采用PCB板网络和分离电阻实现温度补偿和校准。硅基压力传感器的性能指标的离散性较高,在温度补偿和校准的工艺环节中,人工筛选电阻和焊接电阻等装配工序非常繁杂,造成生产效率和可靠性低下;电阻阻值的不连续,也会导致了传感器精度损失。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅基压力传感器的温度补偿和校准的厚膜电阻补偿板。
本发明采用的具体技术方案是:
一种开环硅基压力传感器厚膜电路,其特征是,包括陶瓷基片,陶瓷基片上阵列设置多个补偿板,补偿板之间连接,每个补偿板上设有一个装配孔,装配孔周围设有探测针孔,在补偿板上印刷或激光刻蚀有电路。
本发明优选补偿板按照6×6排列。
其补偿板为正八边形,相邻补偿板之间采用数字定位激光切通。
为了与外界绝缘及隔离,在补偿板上还涂覆有玻璃涂层。
本发明的厚膜电路先修调成唯一的电阻网络和阻值,然后将补偿电路与压力传感器一一对应组装,形成标准产品。这一工艺方案确保了性能离散的压力传感器调整为性能标准且可互换的产品。
本发明的优点是:硅基压力传感器的温度补偿和校准过程中,采用激光修调技术和厚膜电路后,不仅可以使传感器的校准精度高、补偿温区拓宽,而且可以使传感器的可靠性、抗震动性、耐高低温冲击性以及传感器的外观品质得以全面提升,更重要的是为规模化制造压力传感器提供了工艺保障。另外,采用玻璃做涂敷层,保证了修调前后蚀刻刀口的绝缘电阻和绝缘强度。
附图说明
图1为厚膜电路陶瓷基片结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,温度补偿和校准的厚膜电路采用4×4-0.025英寸陶瓷基片1为衬底,为了适宜批量生产,陶瓷基片1采用激光预划片技术,将每一个基片按照6×6的阵列,切割为三十六个补偿板2。每个补偿板2按照封装形式要求设计装配孔3,补偿板2外形设计为正八边形,八边形的外径适宜封装。补偿板上的装配孔3和不相临的四个边采用数字定位激光切通。装配孔3周围设有探测针孔4,在补偿板2上印刷或激光刻蚀有电路。为了与外界绝缘及隔离,在补偿板2上还涂覆有玻璃涂层。
硅基压力传感器的温度补偿和校准以及依据不同输出特性(表1),建立了多路复用的电阻网络。通过的激光修调工艺过程:网络调整、电阻修正2项工艺过程,保证厚膜电路的唯一特性,依照编码顺序与被测量传感器一一对应,再通过简单的装配和焊接,完成了压力传感器的温度补偿和校准,实现了从离散性较大的向性能统一、可相互替代的装换。
表1
电源激励 | 满度特性 | 零点特性 | 温漂方向 | 漂移量 |
恒压源 | 标准化 | 闭环 | 正漂移 | 较大 |
恒流源 | 归一化 | 开环 | 负漂移 | 非线性 |
使用厚膜电路和激光调阻技术后,将自动化测试装置采集到的传感器数据,转化为激光选择电阻网络和修调电阻值,厚膜电路转化为与传感器一一对应的补偿和校准电路。简化了补偿和校准的工艺线路、缩短了工作时间,极大的提高了精确性、可靠性和生产效率。
Claims (4)
1.一种开环硅基压力传感器厚膜电路,其特征是,包括陶瓷基片,陶瓷基片上阵列设置多个补偿板,相邻补偿板之间连接,每个补偿板上设有一个装配孔,装配孔周围设有探测针孔,在补偿板上印刷或激光刻蚀有电路。
2.根据权利要求1所述的开环硅基压力传感器厚膜电路,其特征是,补偿板在陶瓷基片上按照6×6排列。
3.根据权利要求1所述的开环硅基压力传感器厚膜电路,其特征是,所述补偿板为正八边形。
4.根据权利要求1所述的开环硅基压力传感器厚膜电路,其特征是,在补偿板上还涂覆有玻璃涂层。
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CN102435358A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-05-02 | 郑州炜盛电子科技有限公司 | 厚膜压力传感器及其制作方法 |
CN102573309A (zh) * | 2012-01-13 | 2012-07-11 | 东莞生益电子有限公司 | 采用动态蚀刻补偿法提高减成法pcb图形精度的方法 |
CN108007639A (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-08 | 上海广茂达光艺科技股份有限公司 | 压力数据处理方法及系统 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20101020 |