CN101853833B - 埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构及其先刻后镀方法 - Google Patents
埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构及其先刻后镀方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101853833B CN101853833B CN2010101636497A CN201010163649A CN101853833B CN 101853833 B CN101853833 B CN 101853833B CN 2010101636497 A CN2010101636497 A CN 2010101636497A CN 201010163649 A CN201010163649 A CN 201010163649A CN 101853833 B CN101853833 B CN 101853833B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pin
- dao
- metal substrate
- back side
- basic island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 113
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 75
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 41
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 4
- -1 Step 4 Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及一种埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构及其先刻后镀方法，包括基岛(1)和引脚(2)，所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，第二基岛(1.2)正面设置成多凸点状结构，在第一基岛(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，在第二基岛(1.2)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第一基岛(1.1)背面、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)之间的区域、第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，且使第二基岛(1.2)和引脚(2)背面尺寸小于第二基岛(1.2)和引脚(2)正面尺寸。本发明的有益效果是：塑封体与金属脚的束缚能力大。
Description
(一)技术领域
本发明涉及一种埋入与多凸点型基岛引线框结构及其先刻后镀方法。属于半导体封装技术领域。
(二)背景技术
传统的引线框结构，详细如下说明：
采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后，即完成引线框的制作(如图14所示)。而引线框的背面则在封装过程中再进行背面蚀刻。
而上述的引线框在封装过程中存在了以下的不足点：
此种的引线框架结构在金属基板正面进行了半蚀刻工艺，因为只在金属基板正面进行了半蚀刻工作，而在塑封过程中塑封料只有包覆住半只脚的高度，所以塑封体与金属脚的束缚能力就变小了，如果塑封体贴片到PCB板上不是很好时，再进行返工重贴，就容易产生掉脚的问题(如图15所示)。
尤其塑封料的种类是采用有填料时候，因为材料在生产过程的环境与后续表面贴装的应力变化关系，会造成金属与塑封料产生垂直型的裂缝，其特性是填料比例越高则越硬越脆越容易产生裂缝。
(三)发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种塑封体与金属脚的束缚能力大的埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构及其先刻后镀方法。
本发明的目的是这样实现的：一种埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构，包括基岛和引脚，所述基岛有二组，一组为第一基岛，另一组为第二基岛，所述第二基岛正面设置成多凸点状结构，在所述第一基岛、第二基岛和引脚的正面设置有第一金属层，在所述第二基岛和引脚的背面设置有第二金属层，在引脚外围的区域、引脚与第一基岛之间的区域、第一基岛背面、第一基岛与第二基岛之间的区域、第二基岛与引脚之间的区域以及引脚与引脚之间的区域嵌置有无填料的塑封料，所述无填料的塑封料将引脚下部外围、引脚与第一基岛背面、第一基岛背面与第二基岛下部、第二基岛与引脚下部以及引脚与引脚下部连接成一体，且使所述第二基岛和引脚背面尺寸小于第二基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的第二基岛和引脚结构。
本发明埋入型基岛及多凸点基岛引线框先刻后镀生产方法，所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取金属基板
步骤二、贴膜作业
利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，
步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜
利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域，
步骤四、金属基板正面半蚀刻
对步骤三中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻，在金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域，同时相对形成基岛和引脚，所述基岛有二组，一组为第一基岛，另一组为第二基岛，
步骤五、金属基板正背面揭膜作业
将金属基板正面余下的光刻胶膜和背面的光刻胶膜揭除。
步骤六、金属基板正面半蚀刻区域填涂无填料的软性填缝剂
在步骤四金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域，填涂上无填料的软性填缝剂，并同时进行烘烤，促使无填料的软性填缝剂固化成无填料的无填料的塑封料，
步骤七、金属基板正背面贴膜作业
利用贴膜设备在已完成填涂无填料的软性填缝剂作业的金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，
步骤八、去除部分光刻胶膜
在金属基板的正面及背面去除部分光刻胶膜，用意是露出第二基岛和引脚的背面以及第一基岛正面、第二基岛正面局部区域和引脚的正面，
步骤九、镀金属层
在步骤八露出的第二基岛和引脚的背面镀上第二金属层，在第一基岛正面、第二基岛正面局部区域和引脚正面镀上第一金属层，
步骤十、去除金属基板背面部分光刻胶膜
去除金属基板背面部分光刻胶膜，以露出金属基板背面引脚外围的区域、第一基岛与引脚之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的区域、第二基岛正面未镀上第一金属层的区域、第二基岛与引脚之间的区域以及引脚与引脚之间的区域，
步骤十一、金属基板背面半蚀刻
在金属基板的背面对不被光刻胶膜覆盖的区域即步骤四余下部分的金属同时蚀刻出所述的第一基岛、第二基岛和引脚的正面，且使所述第二基岛和引脚背面尺寸小于第二基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的结构。
步骤十二、金属基板正背面揭膜作业
将金属基板正面和背面余下的光刻胶膜揭除。
本发明的有益效果是：
1)由于在所述金属脚与金属脚间的区域嵌置有无填料的软性填缝剂，该无填料的软性填缝剂与在塑封过程中的常规有填料塑封料一起包覆住整个金属脚的高度，所以塑封体与金属脚的束缚能力就变大了，不会再有产生掉脚的问题。
2)由于采用了正面与背面分开蚀刻作业的方法，所以在蚀刻作业中可形成背面基岛的尺寸稍小而正面基岛尺寸稍大的结构，而同个基岛的上下大小不同尺寸在被无填料的塑封料所包覆的更紧更不容易产生滑动而掉脚。
3)多凸点的金属基岛可以将金属基岛的热态膨胀热应力以及冷态收缩应力分散到每一个凸点上，直接降低了整块的金属基岛与芯片之间不同的膨胀系数与收缩率不同所产生的应力变形，进而造成封装后的可靠性伤害问题。
(四)附图说明
图1～12为本发明埋入型基岛及多凸点基岛引线框先刻后镀生产方法各工序示意图。
图13为本发明埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构示意图。
图14为以往形成绝缘脚示意图。
图15为以往形成的掉脚图。
图中附图标记：
基岛1、第一基岛1.1、第二基岛1.2、引脚2、无填料的塑封料3、第一金属层4、第二金属层5、金属基板6、光刻胶膜7和8、半蚀刻区域9、光刻胶膜10和11。
(五)具体实施方式
本发明埋入型基岛及多凸点基岛引线框先刻后镀方法如下：
步骤一、取金属基板
参见图1，取一片厚度合适的金属基板6。金属基板6的材质可以依据芯片的功能与特性进行变换，例如：铜、铝、铁、铜合金或镍铁合金等。
步骤二、贴膜作业
参见图2，利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜7和8，以保护后续的蚀刻工艺作业。
步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜
参见图3，利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域。
步骤四、金属基板正面半蚀刻
参见图4，对步骤三中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻，在金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域9，同时相对形成基岛1和引脚2，其用意主要是避免在后续作业中出现溢胶。所述基岛1有二组，一组为第一基岛1.1，另一组为第二基岛1.2。
步骤五、金属基板正背面揭膜作业
参见图5，将金属基板正面余下的光刻胶膜和背面的光刻胶膜揭除。
步骤六、金属基板正面半蚀刻区域填涂无填料的软性填缝剂参见图6，在步骤四金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域9，填涂上无填料的软性填缝剂，并同时进行烘烤，促使无填料的软性填缝剂固化成无填料的无填料的塑封料3。
步骤七、金属基板正背面贴膜作业
参见图7，利用贴膜设备在已完成填涂无填料的软性填缝剂作业的金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜10和11，以保护后续的镀金属层工艺作业。
步骤八、去除部分光刻胶膜
参见图8，在金属基板的正面及背面去除部分光刻胶膜，用意是露出第二基岛和引脚的背面以及第一基岛正面、第二基岛正面局部区域和引脚的正面。
步骤九、镀金属层
参见图9，在步骤八露出的第二基岛和引脚的背面镀上第二金属层5，在第一基岛正面、第二基岛正面局部区域和引脚正面镀上第一金属层4，以利后续焊线时金属线与芯片区和打线内脚区之间能更加紧密、牢固的接合，同时增加在包封工艺中促使有填料的塑封料间的结合度。而金属层的成分会因不同的芯片材质可以是采用金镍金、金镍铜镍金、镍钯金、金镍钯金、镍金、银或锡等。
步骤十、去除金属基板背面部分光刻胶膜
参见图10，去除金属基板背面部分光刻胶膜，以露出金属基板背面引脚外围的区域、第一基岛与引脚之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的区域、第二基岛正面未镀上第一金属层的区域、第二基岛与引脚之间的区域以及引脚与引脚之间的区域。
步骤十一、金属基板背面半蚀刻
参见图11，在金属基板的背面对不被光刻胶膜覆盖的区域即步骤四余下部分的金属同时蚀刻出所述的第一基岛1.1、第二基岛1.2和引脚2的正面，且使所述第二基岛1.2和引脚2背面尺寸小于第二基岛1.2和引脚2正面尺寸，形成上大下小的结构。
步骤十二、金属基板正背面揭膜作业
参见图12，将金属基板正面和背面余下的光刻胶膜揭除。
最后成品参见图13：图13中，基岛1、引脚2、无填料的无填料的塑封料3、第一金属层4和第二金属层5，由图13可以看出，本发明埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构，包括基岛1和引脚2，所述基岛1有二组，一组为第一基岛1.1，另一组为第二基岛1.2，所述第二基岛1.2正面设置成多凸点状结构，在所述第一基岛1.1、第二基岛1.2和引脚2的正面设置有第一金属层4，在所述第二基岛1.2和引脚2的背面设置有第二金属层5，在所述引脚2外围、引脚2与第一基岛1.1之间的区域、第一基岛1.1背面、第一基岛1.1与第二基岛1.2之间的区域、第二基岛1.2与引脚2之间的区域以及引脚2与引脚2之间的区域嵌置有无填料的塑封料3，所述无填料的塑封料3将引脚2下部外围、引脚2与第一基岛1.1背面、第一基岛1.1背面与第二基岛1.2下部、第二基岛1.2与引脚2下部以及引脚2与引脚2下部连接成一体。且使所述第二基岛1.2和引脚2背面尺寸小于第二基岛1.2和引脚2正面尺寸，形成上大下小的第二基岛和引脚结构。
Claims (2)
1.一种埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在于：所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，所述第二基岛(1.2)正面设置成多凸点状结构，在所述第一基岛(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，在所述第二基岛(1.2)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第一基岛(1.1)背面、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)之间的区域、第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，所述无填料的塑封料(3)将引脚(2)下部外围、引脚(2)与第一基岛(1.1)背面、第一基岛(1.1)背面与第二基岛(1.2)下部、第二基岛(1.2)与引脚(2)下部以及引脚(2)与引脚(2)下部连接成一体，且使所述第二基岛(1.2)和引脚(2)背面尺寸小于第二基岛(1.2)和引脚(2)正面尺寸，形成上大下小的第二基岛(1.2)和引脚结构。
2.一种制备如权利要求1所述的埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构的先刻后镀的方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取金属基板
步骤二、贴膜作业
利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，
步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜
利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域，
步骤四、金属基板正面半蚀刻
对步骤三中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻，在金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域，同时相对形成基岛和引脚，所述基岛有二组，一组为第一基岛，另一组为第二基岛，
步骤五、金属基板正背面揭膜作业
将金属基板正面余下的光刻胶膜和背面的光刻胶膜揭除，
步骤六、金属基板正面半蚀刻区域填涂无填料的软性填缝剂
在步骤四金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域，填涂上无填料的软性填缝剂，并同时进行烘烤，促使无填料的软性填缝剂固化成无填料的塑封料，
步骤七、金属基板正背面贴膜作业
利用贴膜设备在已完成填涂无填料的软性填缝剂作业的金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，
步骤八、去除部分光刻胶膜
在金属基板的正面及背面去除部分光刻胶膜，用意是露出第二基岛和引脚的背面以及第一基岛正面、第二基岛正面局部区域和引脚的正面，
步骤九、镀金属层
在步骤八露出的第二基岛和引脚的背面镀上第二金属层，在第一基岛正面、第二基岛正面局部区域和引脚正面镀上第一金属层，
步骤十、去除金属基板背面部分光刻胶膜
去除金属基板背面部分光刻胶膜，以露出金属基板背面引脚外围的区域、第一基岛与引脚之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的区域、第二基岛正面未镀上第一金属层的区域、第二基岛与引脚之间的区域以及引脚与引脚之间的区域，
步骤十一、金属基板背面半蚀刻
在金属基板的背面对不被光刻胶膜覆盖的区域即步骤四余下部分的金属同时蚀刻出所述的第一基岛、第二基岛和引脚的正面，且使所述第二基岛和引脚背面尺寸小于第二基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的结构，
步骤十二、金属基板正背面揭膜作业
将金属基板正面和背面余下的光刻胶膜揭除。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101636497A CN101853833B (zh) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | 埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构及其先刻后镀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101636497A CN101853833B (zh) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | 埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构及其先刻后镀方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101853833A CN101853833A (zh) | 2010-10-06 |
| CN101853833B true CN101853833B (zh) | 2011-10-05 |
Family
ID=42805210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010101636497A Active CN101853833B (zh) | 2010-04-28 | 2010-04-28 | 埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构及其先刻后镀方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101853833B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681583B (zh) * | 2013-12-05 | 2016-04-27 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一次先蚀后镀金属框减法埋芯片正装平脚结构及工艺方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101236947A (zh) * | 2008-01-25 | 2008-08-06 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 一种新型封装结构的半导体器件 |
-
2010
- 2010-04-28 CN CN2010101636497A patent/CN101853833B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101236947A (zh) * | 2008-01-25 | 2008-08-06 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 一种新型封装结构的半导体器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101853833A (zh) | 2010-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101814446B (zh) | 基岛露出及多凸点基岛露出引线框结构及其先刻后镀方法 | |
| CN102005432B (zh) | 四面无引脚封装结构及其封装方法 | |
| CN101814482B (zh) | 有基岛引线框结构及其生产方法 | |
| CN101840901B (zh) | 无基岛静电释放圈引线框结构及其生产方法 | |
| TW498443B (en) | Singulation method for manufacturing multiple lead-free semiconductor packages | |
| US6812552B2 (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| TWI286375B (en) | Leadless semiconductor package with electroplated layer embedded in encapsulant and the method for fabricating the same | |
| CN101814481B (zh) | 无基岛引线框结构及其生产方法 | |
| US20030207498A1 (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| TW200834859A (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| CN102324413B (zh) | 有基岛预填塑封料先刻后镀引线框结构及其生产方法 | |
| CN102324415B (zh) | 无基岛预填塑封料先刻后镀引线框结构及其生产方法 | |
| CN102324414B (zh) | 有基岛预填塑封料先镀后刻引线框结构及其生产方法 | |
| US9171740B2 (en) | Quad flat non-leaded semiconductor package and fabrication method thereof | |
| CN101853832B (zh) | 基岛露出型及埋入型基岛引线框结构及其先刻后镀方法 | |
| CN101853833B (zh) | 埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构及其先刻后镀方法 | |
| CN201838582U (zh) | 集成电路或分立器件金属脚上大下小引线框结构 | |
| CN201838581U (zh) | 四面无引脚封装结构 | |
| CN101826503B (zh) | 下沉基岛及多凸点基岛引线框结构及其先刻后镀方法 | |
| CN101853834B (zh) | 下沉基岛及埋入型基岛引线框结构及其先刻后镀方法 | |
| CN101826502B (zh) | 基岛露出及下沉基岛露出型引线框结构及其先刻后镀方法 | |
| CN206893609U (zh) | 芯片封装 | |
| CN101840902B (zh) | 芯片直接置放引线框结构及其生产方法 | |
| CN201681884U (zh) | 埋入型基岛及多凸点基岛引线框结构 | |
| CN201681885U (zh) | 埋入型基岛及多凸点基岛露出型多圈引脚引线框结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170111 Address after: Tianjin free trade zone (Dongjiang Bonded Port) No. 6865 North Road, 1-1-1802-7 financial and trade center of Asia Patentee after: Xin Xin finance leasing (Tianjin) Co., Ltd. Address before: 214434 Binjiang Middle Road, Jiangyin Development Zone, Jiangsu, China, 275 Patentee before: Jiangsu Changdian Sci. & Tech. Co., Ltd. |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20101006 Assignee: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd. Assignor: Xin Xin finance leasing (Tianjin) Co., Ltd. Contract record no.: 2017320000152 Denomination of invention: Embedded basic island and multi-convex point basic island lead framework and first-etching last-plating method thereof Granted publication date: 20111005 License type: Exclusive License Record date: 20170614 |
|
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract | ||
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
Assignee: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Assignor: Xin Xin finance leasing (Tianjin) Co., Ltd. Contract record no.: 2017320000152 Date of cancellation: 20200416 |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200423 Address after: 214434, No. 78, mayor road, Chengjiang, Jiangsu, Jiangyin, Wuxi Patentee after: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 1-1-1802-7, North Zone, financial and Trade Center, No. 6865, Asia Road, Tianjin pilot free trade zone (Dongjiang Free Trade Port) Patentee before: Xin Xin finance leasing (Tianjin) Co., Ltd. |