CN101764400A

CN101764400A - 一种浪涌吸收装置

Info

Publication number: CN101764400A
Application number: CN200910260826A
Authority: CN
Inventors: 龚建良
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2009-12-11
Filing date: 2009-12-11
Publication date: 2010-06-30

Abstract

本发明涉及过电压保护技术领域，一种浪涌吸收装置，包括一固体放电芯片、至少一对反并联的二极管，所述的固体放电芯片与反并联的二极管是串联的，其特征在于所述装置中还串联有电阻；所述电阻的阻值小于任一二极管的正向电阻值；所述装置为一体化封装结构或分立元件构成的，对外仅有两个接线端。由于该装置中串联有电阻且其有较小的阻值，故瞬间的过电压形成的大电流被适当地降低，同时产生的热量可以有效地被该电阻吸收，有效地保护了二极管及固体放电芯片中PN结，使装置的使用寿命更长且可多次起作用。另外，电阻在高频下有微电感特性，与PN结形成的电容抵消，使整个装置呈现纯电阻特性，故其高频特性方面更佳。

Description

一种浪涌吸收装置

技术领域

本发明涉及过电压保护技术领域，尤其是一种本身使用寿命长的过电压浪涌吸收装置。

背景技术

在日常的生产、生活中，常常会有过电压的现象发生。比如雷阵雨天气，雷电常常会击中电力线路、建筑物、树木等；因此，其感应的过电压常常会瞬时反映在附近的线路上，进而破坏用电设备，如果电器设备刚好在运行的话，那么，会使其过压损坏，最直接的是电源部分，如果时间长一点的话，会波及其它部分。这种过电压往往会达到数千伏特、甚至是数万伏特；因此，常有电视机、洗衣机、电话、程控交换机等等被过压损坏的现象发生。即使是发生雷击时电器未打开，只要是相关的插头连接在线路上，由于电器开关的间隙的不同，这种过电压仍可能损坏电器。

为了解决上述问题，国内外对抗浪涌器件进行了大量的研发，申请日为2003年9月24日、授权公告日为2004年10月6日、授权公告号为CN2646926Y、名称为：一种改进的抗浪涌保护器件，它是使用半导体固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管来实现抗浪涌的。由于半导体固体放电芯片具有在其两端超过一定电压值时电流快速增加的固有特性，因此，有效地保护了程控交换机。

经本申请人在多个使用场合以高压发生器来进行验证，表明，使用在其它电器设备的前端或电源供给的前端，都可以达到有效的保护性能。

然而，这种抗浪涌保护器件中由于只有二极管及半导体固体放电芯片，无论是二极管还是半导体固体放电芯片，其都存在PN结，由于PN结是相当薄的一层，故经过过电压冲击后，由于其短时的大电流，很容易使PN结烧毁，形成开路，因此，尽管经过过电压后其起到了保护作用，但其不能在下一次过压中起保护作用。

发明内容

为克服上述已有技术的不足，本发明提供一种本身使用寿命长的过电压浪涌吸收装置。它是通过以下技术方案来实现的：

一种浪涌吸收装置，包括一固体放电芯片、至少一对反并联的二极管，所述的固体放电芯片与反并联的二极管是串联的，其特征在于所述装置中还串联有电阻。

上述所述的浪涌吸收装置，其特征在于所述电阻的阻值小于任一二极管的正向电阻值。

上述所述的浪涌吸收装置，其特征在于所述装置为一体化封装结构，对外仅有两个接线端。

上述所述的浪涌吸收装置，其特征在于所述装置为分立元件构成的。

进一步地，上述所述的浪涌吸收装置，其特征在于所述反并联的二极管为封装在一起的或者是未封装的。

由于该装置中串联有电阻，且该电阻有较小的阻值，因此，瞬间的过电压形成的大电流被适当地降低，同时产生的热量可以有效地被该电阻吸收，有效地保护了二极管及固体放电芯片中PN结，使该装置的使用寿命更长，可以多次起作用。

另外，由于电阻的存在，电阻在高频下有微电感特性，与PN结形成的电容可以适当的抵消，使整个装置呈现近似的纯电阻特性，故其高频特性方面更佳，更适合于程控交换机等高频设备的保护中。

附图说明

图1为发明实施例1的原理图；

图2为发明实施例2的原理图；

图3为发明实施例3的原理图。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作详细描述。

实施例1

请见图1，一种浪涌吸收装置，包括一固体放电芯片LT、有一对反并联的二极管(D1、D2)，固体放电芯片的一端与反并联的二极管的一端相连接，其特征在于所述装置中还串联有电阻R1，电阻一端连接固体放电芯片的另一端；电阻的阻值小于任一二极管的正向电阻值；所述装置为一体化封装结构，对外仅有两个接线端。

实施例2

请见图2，一种浪涌吸收装置，包括一固体放电芯片LT、有一对反并联的二极管(D1、D2)，其特征在于所述装置中还串联有电阻R1，电阻一端连接固体放电芯片的一端；电阻另一端连接反并联的二极管的一端；电阻的阻值小于任一二极管的正向电阻值；所述装置全为分立元件构成的，对外仅有两个接线端。

实施例3

请见图3，一种浪涌吸收装置，包括一固体放电芯片LT、有二对反并联的二极管(D1、D2及D3、D4)，固体放电芯片的一端与一对反并联的二极管(D1、D2)的一端相连接，其特征在于所述装置中还串联有电阻R1，电阻一端连接固体放电芯片的另一端；电阻的另一端连接另一对反并联的二极管(D3、D4)的一端；电阻的阻值小于任一二极管的正向电阻值；所述装置部分为分立元件构成的，对外仅有两个接线端；所述一对反并联的二极管(D1、D2)为封装在一起的，另一对反并联的二极管(D3、D4)是未封装的。

当然，上述任一实施例中，所述反并联的二极管至少为一对。

当然，上述任一实施例中，所述电阻是串联在装置中的，为一公共的支路。

当然，上述任一实施例中，所述电阻的阻值小于任一二极管的正向电阻值。

当然，上述任一实施例中，所述装置为一体化封装结构，对外仅有两个接线端。

当然，上述任一实施例中，所述装置为一体化封装构成的。

当然，上述任一实施例中，所述装置为全分立元件构成的或部分为分立元件。

当然，上述任一实施例中，所述反并联的二极管中，每一支路中还可以有多个二极管单一方向相串联形成。

本文具体说明了本发明示例性实施实例和目前的优选实施方式，应当理解，本发明构思可以按其他种种形式实施运用，它们同样落在本发明的保护范围内。

Claims

1.一种浪涌吸收装置，包括一固体放电芯片、至少一对反并联的二极管，所述的固体放电芯片与反并联的二极管是串联的，其特征在于所述装置中还串联有电阻。

2.根据权利要求1所述的浪涌吸收装置，其特征在于所述电阻的阻值小于任一二极管的正向电阻值。

3.根据权利要求1所述的浪涌吸收装置，其特征在于所述装置为一体化封装结构，对外仅有两个接线端。

4.根据权利要求1所述的浪涌吸收装置，其特征在于所述装置中全为分立元件构成的或部分为分立元件构成的。

5.根据权利要求4所述的浪涌吸收装置，其特征在于所述反并联的二极管为封装在一起的或者是未封装的。