CN101714219A - 一种多界面智能存储卡 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于智能卡领域,提供了一种多界面智能存储卡。所述多界面智能存储卡包括:智能卡模块、以及与所述智能卡模块电气连接的NAND Flash和外部接口。本发明由智能卡模块直接控制NAND Flash,可以减少至少一个控制器及其他相应的元器件,这可以大大降低成本,而且因为元器件的减少,多界面智能存储卡的体积也可以很容易的做得很小;由智能卡模块直接控制NAND Flash,能够有效地管理NAND Flash的存储安全性。
Description
技术领域
本发明属于智能卡领域,尤其涉及一种多界面智能存储卡。
背景技术
现有的智能存储卡都是在存储卡中嵌入智能卡,基于智能卡中承载的卡端应用程序,智能存储卡除提供传统存储卡的存储功能外,还能够提供智能卡的各种应用服务。
现有的智能存储卡实现方式主要有两种,如图1所示的智能存储卡是由存储卡控制器直接实现对智能卡模块和NAND Flash的控制。如图2所示的智能存储卡是由单独的MCU对智能卡模块和存储模块进行控制。这两种智能存储卡的缺陷是,需要至少两个控制器(包括智能卡模块中的控制器和存储模块中的控制器)对智能存储卡进行控制,其成本较高,而且因为所需元器件较多,所述智能存储卡的体积也不易做小。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种多界面智能存储卡,旨在解决现有的智能存储卡成本较高,体积不易做小的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种多界面智能存储卡包括:智能卡模块、以及与所述智能卡模块电气连接的NAND Flash和外部接口。
所述外部接口包括SD接口和USB接口。
所述智能卡模块和NAND Flash封装在所述多界面智能存储卡的卡体内,所述外部接口位于所述多界面智能存储卡的卡体上。
所述多界面智能存储卡还包括:与所述智能卡模块电气连接的射频通信模块。
所述射频通信模块包括:功率放大组件以及射频天线;所述功率放大组件与所述智能卡模块电气连接,所述射频天线与所述功率放大组件电气连接。
所述射频通信模块封装在所述多界面智能存储卡的卡体内。
所述射频天线工作在13.56MHz频段。
所述多界面智能存储卡为具有智能卡功能的TF卡。
在本发明实施例中,由智能卡模块直接控制NAND Flash,并在多界面智能存储卡中嵌入射频天线,同时为多界面智能存储卡提供多种外部接口,具有以下有益效果:
(1)由智能卡模块直接控制NAND Flash,可以减少至少一个控制器及其他相应的元器件,这可以大大降低成本,而且因为元器件的减少,多界面智能存储卡的体积也可以很容易的做得很小;
(2)由智能卡模块直接控制NAND Flash,能够有效地管理NAND Flash的存储安全性;
(3)在多界面智能存储卡中嵌入射频天线,用户不需配合专用的设备或对现有设备进行改造,即可直接使用多界面智能存储卡的非接触式应用功能,方便了用户,节约了用户的成本;
(4)在多界面智能存储卡上同时设置SD接口和USB接口,扩大了智能存储卡的适用性。
附图说明
图1及图2是现有技术提供的智能存储卡的结构示意图。
图3是本发明第一实施例提供的多界面智能存储卡的结构示意图。
图4是本发明第二实施例提供的多界面智能存储卡的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参阅图3,为本发明第一实施例提供的多界面智能存储卡的结构示意图。为了便于说明,仅示出了与本发明相关的部分。所述多界面智能存储卡包括:智能卡模块10、NAND Flash20以及外部接口30。所述外部接口30包括SD接口和USB接口。所述NAND Flash20以及外部接口30分别与所述智能卡模块10电气连接。
所述智能卡模块10和NAND Flash20封装在所述多界面智能存储卡的卡体内,所述外部接口30位于所述多界面智能存储卡的卡体上。
所述外部接口30用于建立所述多界面智能存储卡与具有相应接口的主机端的连接;以文件系统的形式向主机端提供访问接口。
由于所述外部接口30包括SD接口和USB接口,因此所述多界面智能存储卡可以通过SD接口或者USB接口与具有相应接口的主机端进行数据交互,扩大了多界面智能存储卡的兼容性,方便了用户的使用。
所述智能卡模块10用于接收并处理来自主机端的命令,并能够提供各种应用服务。
所述NAND Flash20用于提供存储空间,受所述智能卡模块10的控制。
请参阅图4,为本发明第二实施例提供的多界面智能存储卡的结构示意图。为了便于说明,仅示出了与本发明相关的部分。所述多界面智能存储卡包括:智能卡模块10、NAND Flash20、外部接口30以及射频通信模块40。所述NANDFlash20、外部接口30以及射频通信模块40分别与所述智能卡模块10电气连接。
所述外部接口30包括SD接口和USB接口。
所述射频通信模块40包括:功率放大组件41以及射频天线42;所述功率放大组件41与所述智能卡模块10电气连接,所述射频天线42与所述功率放大组件41电气连接。
所述智能卡模块10、NAND Flash20、以及射频通信模块40均封装在所述多界面智能存储卡的卡体内;所述外部接口30位于所述多界面智能存储卡的卡体上。
所述SD接口用于建立所述多界面智能存储卡与具有相应SD接口的主机端的连接,以文件系统的形式向主机端提供访问接口;
所述USB接口用于建立所述多界面智能存储卡与具有相应USB接口的主机端的连接,以文件系统的形式向主机端提供访问接口。
所述智能卡模块10用于接收并处理来自主机端的命令,并能够提供各种应用服务。
所述NAND Flash20用于提供存储空间,受所述智能卡模块10的控制。
所述功率放大组件41用于放大无线信号;所述射频天线42用于接收和发射无线信号。
由于射频天线42封装在卡体内,信号比较微弱,为了射频天线42能够良好的接收和发射无线信号,需要在射频天线42与智能卡模块10之间电气连接一用于放大天线信号的功率放大组件41,以保证多界面智能存储卡能够正常的工作在非接触式状态下。
在本发明实施例中,所述射频天线42工作在13.56MHz频段。所述多界面智能存储卡为具有智能卡功能的TF卡。
由于所述多界面智能存储卡中内置射频通信模块,因此所述多界面智能存储卡能够作为非接触式智能卡使用,实现各种非接触式应用。
综上所述,本发明实施例由智能卡模块直接控制NAND Flash,并在多界面智能存储卡中嵌入射频天线,同时为多界面智能存储卡提供多种外部接口,具有以下有益效果:
(1)由智能卡模块直接控制NAND Flash,可以减少至少一个控制器及其他相应的元器件,这可以大大降低成本,而且因为元器件的减少,多界面智能存储卡的体积也可以很容易的做得很小;
(2)由智能卡模块直接控制NAND Flash,能够有效地管理NAND Flash的存储安全性;
(3)在多界面智能存储卡中嵌入射频天线,用户不需配合专用的设备或对现有设备进行改造,即可直接使用多界面智能存储卡的非接触式应用功能,方便了用户,节约了用户的成本;
(4)在多界面智能存储卡上同时设置SD接口和USB接口,扩大了智能存储卡的适用性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种多界面智能存储卡,其特征在于,所述多界面智能存储卡包括:智能卡模块、以及与所述智能卡模块电气连接的NAND Flash和外部接口。
2.如权利要求1所述的多界面智能存储卡,其特征在于,所述外部接口包括SD接口和USB接口。
3.如权利要求1所述的多界面智能存储卡,其特征在于,所述智能卡模块和NAND Flash封装在所述多界面智能存储卡的卡体内,所述外部接口位于所述多界面智能存储卡的卡体上。
4.如权利要求1所述的多界面智能存储卡,其特征在于,所述多界面智能存储卡还包括:与所述智能卡模块电气连接的射频通信模块。
5.如权利要求4所述的多界面智能存储卡,其特征在于,所述射频通信模块包括:功率放大组件以及射频天线;所述功率放大组件与所述智能卡模块电气连接,所述射频天线与所述功率放大组件电气连接。
6.如权利要求4所述的多界面智能存储卡,其特征在于,所述射频通信模块封装在所述多界面智能存储卡的卡体内。
7.如权利要求5所述的多界面智能存储卡,其特征在于,所述射频天线工作在13.56MHz频段。
8.如权利要求1所述的多界面智能存储卡,其特征在于,所述多界面智能存储卡为具有智能卡功能的TF卡。
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CN107092949A (zh) * | 2011-03-01 | 2017-08-25 | 泰丰股份有限公司 | 智能卡性能增强电路及系统 |
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2009
- 2009-09-27 CN CN200910190632A patent/CN101714219A/zh active Pending
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US10607129B2 (en) | 2008-08-08 | 2020-03-31 | Tyfone, Inc. | Sideband generating NFC apparatus to mimic load modulation |
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