CN101710666A - 半导体激光泵浦单纵模和频激光器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器，进一步拓展扭摆腔的选频方式，把这种选频方式的谐振腔作为两个子谐振腔，使得两个单纵模分别在各自的谐振腔中振荡，通过谐振腔使得两个单纵模基频波相遇，在两个子谐振腔的重叠区域插入非线性晶体，获得了不同于单频倍频激光的单纵模和频激光光源。可以通过选择不同的增益介质，获得更多波长的单纵模输出光。
Description
技术领域
本发明属于半导体激光泵浦固体激光技术领域，涉及一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器。
背景技术
半导体激光泵浦全固态单频激光谐振腔可采用多种选频方式：如短腔法选频方式(周炳琨.激光原理[M].北京：国防工业出版社2000，212.)，短程吸收法选频方式(郑权、檀慧明、赵岭，LD泵浦全固体单频YVO4/KTP绿光激光器研究.[J].激光与红外，2001，31(4)：208-209.)、复合腔法选频方式(周城、叶子青、郑权等，LD泵浦单频Nd:YVO4绿光激光器[J].半导体光电，2002，23(4)：250-252.)、行波腔选频方式(Thomas J.Kane and Robert L.ByerMonolithic，unidirectional single-mode Nd:YAG ringlaser.[J].Opt.Lett.，1985，10(2)：65-67)、扭摆腔选频方式(D WAnthon，D L Sipes，T J Pier，et al.Intracavity doubling of CWdiode-pumped Nd:YAG lasers with KTP[J].IEEEJ.QuantumElectron.，1992，28(4)：1148-1157.)等。短腔法选频方式由于腔长的缩短限制了激光晶体和非线性晶体的厚度，影响了泵浦耦合效率和谐波转换效率，不利于实现高功率的运转；短程吸收法与短腔法相比，放宽了对晶体长度的限制，可用于腔内倍频激光器。但是，短程吸收法增益介质仍然很短，难以实现大功率输出，而且只能部分消除空间烧孔效应，一般还需要其它的选模措施；在复合腔选频方式中，复合腔镜的一个表面需要镀制对应激光波长的部分反射膜，且对复合腔镜和端面腔镜的安装精度要求高，否则容易产生不稳定输出；行波腔选频方式结构复杂，光路调整的难度较大，不易实现。与本发明最为接近的现有技术是在腔内插入四分之一波片和布氏片组成的扭摆腔选频方式，如图1所示，该装置由泵浦源1、耦合系统2、输入镜3、四分之一波片(4、6)、增益介质5、布氏片7和输出耦合镜9组成。与短腔选频方式相比这种选频方式没有对腔长的限制，且易于实现中高功率的运转；与行波腔选频方式相比这种选频方式易于实现。而现有的这种扭摆腔选频方式提供的是单频倍频激光。
发明内容
为了进一步拓展扭摆腔的选频方式，把这种选频方式的谐振腔作为本发明的两个子谐振腔，使得两个单纵模分别在各自的谐振腔中运转，通过谐振腔使得两个单纵模的基频光相遇，在两个子谐振腔重叠区域内插入非线性晶体，获得单纵模和频激光。本发明提供了一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器。
本发明提供的一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器，如图2所示，该激光器由半导体激光器(9、19)、光学耦合系统(10、20)、输入腔镜(11、21)、四分之一波片(12、14、22、24)、增益介质(13、23)、布氏片(15、25)、和束镜16、和频晶体17以及输出耦合镜18组成；半导体激光器(9、19)作为激光器的泵浦源；光学耦合系统(10、20)作为把半导体激光器(9、19)发出的泵浦光分别耦合到增益介质(13、23)，增益介质(13、23)分别选择不同的激光跃迁谱线，相应的振荡波长为λ1和λ2(λ1≠λ2)；输入耦合镜11和输出耦合镜18组成第一个子谐振腔；输入耦合镜21和输出耦合镜18以及和束镜16组成第二个子谐振腔，输入耦合镜(11、21)是平面镜，靠近四分之一波片(12、22)的端面膜系要分别对λ1和λ2两个波长具有大于99.5％的反射率，同时要求输入耦合镜(11、21)的另一个端面对半导体(9、19)发出的泵浦波长均具有大于97％的透过率；四分之一波片(12、14)在第一个子谐振腔内，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片15的入射面成45度夹角放置；四分之一波片(22、24)在第二个子谐振腔内，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片25的入射面成45度夹角放置；布氏片15在第一个子谐振腔内，布氏片25在第二个子谐振腔内，均与光轴成布氏角放置；和束镜16也是一种平面镜，它的一个面制备对波长λ1的增透膜，另一个面制备对波长λ1增透，对波长λ2高反射率的多层介质膜；和频晶体17按与波长λ1和λ2相位匹配的方向切割，使得波长λ1和波长λ2在和频晶体中共线传播时满足相位匹配关系n3/λ3＝n2/λ2+n1/λ1，所述的波长λ1、λ2和λ3满足和频关系1/λ3＝1/λ2+1/λ1，其中n3、n2和n1分别是波长λ3、λ2和λ1在和频晶体17中传播的折射率，和频晶体17放置在两个子谐振腔的重叠区域内；输出耦合镜18为平凹镜，该平凹镜的膜系为平凹镜的凹面对波长λ1和λ2的反射率都大于99.5％，对波长λ3的透过率大于80％的多层介质膜；输出耦合镜18的平面制备对波长λ3的透过率大于99％的增透膜，产生的和频光由输出耦合镜18输出到腔外。
本发明之谐振腔的工作过程是，由半导体激光器(9、19)发出的泵浦光通过光学耦合系统(10、20)和输入腔镜(11、21)耦合到增益介质(13、23)中，激发出的荧光分别在第一和第二谐振腔内振荡，每个谐振腔内可产生多个纵模激光，除了中心模之外的多余纵模成分在分别通过四分之一波片(12、14)和布氏片15以及通过四分之一波片(22、24)和布氏片25后被抑制，从而在这两个谐振腔中均只有一个单纵模在运转，两个单纵模相遇，通过和频晶体17后可以产生单纵模和频激光。
有益效果：半导体激光泵浦单纵模和频激光器，在两个子谐振内，由于四分之一波片和布氏片的共同作用起到了选频的作用，在两种增益介质内分别获得两个单频基频光，通过非线性晶体和频，获得了不同于单频倍频激光的激光光源，使得在激光应用领域增加了新的单频波长选择。并且，可以通过选择不同的增益介质，得到更多波长的激光输出。
附图说明：
图1是已有技术的扭摆腔选频激光器结构示意图。
图2是本发明的半导体激光泵浦单纵模和频激光器的结构示意图。
图3是本发明的实施例3的半导体激光泵浦单纵模和频激光器的结构示意图。
图4是本发明的实施例4半导体激光泵浦单纵模和频激光器的结构示意图。
具体实施方式
实施例1：如图2所示，半导体激光器(9、19)作为激光器的泵浦源；半导体激光器(9、19)均采用输出波长为808nm的半导体激光器，光学耦合系统(10、20)均采用自聚焦透镜；输入耦合镜11的靠近四分之一波片12的表面制备对波长1064nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于97％的多层介质膜，其另一面制备对波长808nm的透过率大于99％的增透膜；四分之一波片(12、14)均为对1064nm波长的四分之一波片，二者的两个通光面制备对1064nm的双波长增透膜，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片15的入射面成45度夹角放置；增益介质13采用c切割的Nd:GdVO4激光晶体，Nd:GdVO4激光增益介质的两个通光面制备对1064nm的增透膜，透过率大于99％；输入耦合镜21的靠近四分之一波片22的表面制备对波长946nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于97％的多层介质膜，其另一面制备对波长808nm的透过率大于99％的增透膜；四分之一波片(22、24)均为对946nm波长的四分之一波片，二者的两个通光面制备对946nm的增透膜，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片25的入射面成45度夹角放置；增益介质23采用Nd:YAG激光晶体，Nd:YAG激光增益介质的两个通光面制备对946nm的增透膜，透过率大于99％；布氏片(15、25)均由K19玻璃制成，与光轴呈布氏角放置；和束镜16的一个面制备对波长1064nm的增透膜，另一个面制备对波长1064nm增透，对波长946nm高反射率的多层介质膜；和频晶体17为LBO、BiBO或其它非线性晶体，其中LBO和BiBO按波长1064nm与波长946nm的和频I类相位匹方向切割，该晶体的两个通光面都制备对1064nm、946nm和500.8nm的三波长增透膜，透过率大于99％；输出耦合镜18的凹面制备对波长1064nm和946nm的反射率都大于99.5％，对波长500.8nm的透过率大于80％的多层介质膜；输出耦合镜18的平面制备对波长500.8nm的透过率大于99％的增透膜。
当半导体激光器(9、19)同时工作时，随着泵浦功率的增加，在四分之一波片(12、14、22、24)及布氏片(15、25)的作用下，分别在Nd:GdVO4和Nd:YAG内产生1064nm和946nm的两个波长的单纵模基频光，并分别在两个子谐振腔内振荡，通过公共重叠区域的和频晶体LBO、BiBO或其它和频晶体时，产生500.8nm的单纵模激光，由输出耦合镜18输出。
实施例2：如图2所示：半导体激光器(9、19)均采用输出波长为808nm的半导体激光器，光学耦合系统(10、20)均采用自聚焦透镜；输入耦合镜11的靠近四分之一波片12的表面制备对波长1312nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于97％的多层介质膜，另一面制备对波长808nm的透过率大于99％的增透膜；四分之一波片(12、14)均为对1312nm波长的四分之一波片，二者的两个通光面制备对1312nm的增透膜，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片15的入射面成45度夹角放置；增益介质13采用c切割的Nd:YLF激光晶体，NdYLF激光增益介质的两个通光面制备对1312nm的增透膜，透过率大于99％；输入耦合镜21的靠近四分之一波片22的表面制备对波长946nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于97％的多层介质膜，另一面制备对波长808nm的透过率大于99％的增透膜；四分之一波片22和24均为对946nm波长的四分之一波片，二者的两个通光面制备对946nm的双波长增透膜，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片25的入射面成45度夹角放置；增益介质23采用Nd:YAG激光晶体，Nd:YAG激光增益介质的两个通光面制备对946nm的增透膜，透过率大于99％；布氏片15和25均由K19玻璃制成，与光轴呈布氏角放置；和束镜16的一个面制备对波长1312nm的增透膜，另一个面制备对波长1312nm增透，对波长946nm高反射率的多层介质膜；和频晶体17为LBO、BiBO或其它非线性晶体，其中LBO和BiBO按波长1312nm与波长946nm的和频I类相位匹配方向切割，该晶体的两个通光面都制备对1312nm、946nm和550nm的三波长增透膜，透过率大于99％；输出耦合镜18的凹面制备对波长1312nm和946nm的反射率都大于99.5％，对波长550nm的透过率大于80％的多层介质膜；输出耦合镜18的平面制备对波长550nm的透过率大于99％的增透膜。
当半导体激光器(9、19)同时工作时，随着泵浦功率的增加，在四分之一波片(12、14、22、24)及布氏片(15、25)的共同作用下，分别在Nd:YLF和Nd:YAG内产生1312nm和946nm的两个波长的单纵模基频光，并分别在两个子谐振腔内振荡，通过公共重叠区域的和频晶体LBO、BiBO或其它和频晶体时，产生550nm的单频激光，由输出耦合镜18输出。
实施例3：如图3所示，本实施例给出的技术方案，是把图2所示的实施例1的输入耦合镜(11，21)分别去掉，把输入耦合镜(11、21)靠近四分之一波片(12、22)的表面制备的膜系分别直接制备在四分之一波片(12、22)上，该膜系是对1064nm或946nm高反射并对波长808nm的泵浦光增透的膜；
所述的四分之一波片12泵浦光入射表面的高反射膜对波长1064nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于99％；四分之一波片22上泵浦光入射面的高反射膜对波长946nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于99％；其他的同实施例1。
或者，如图3所示，本实施例给出的另一种技术方案，是把图2所示的实施例2的输入耦合镜(11，21)分别去掉，把输入耦合镜(11、21)靠近四分之一波片(12、22)的表面制备的膜系分别直接制备在四分之一波片(12、22)上；
所述的四分之一波片12上泵浦光入射面上的膜是对1312nm高反射并对波长808nm的泵浦光增透的膜，对波长1312nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于99％；四分之一波片22泵浦光入射面上的高反射膜是对对波长946nm高反射并对波长808nm的泵浦光增透的膜，对波长946nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于99％；其他的同实施例2。
实施例4：如图4所示，本实施例给出的技术方案，是把图2所示的实施例1的输出镜18去掉，把输出耦合腔镜18凹面的对波长λ1和λ2的基频光具有的高反射率，对和频光的波长λ3具有高透过率的膜直接制备在非线性晶体17上；所述的线性晶体17的靠近原输出耦合镜18的表面制备对波长1064nm和946nm的高反膜反射率都大于99.5％，对波长500.8nm的透过率大于80％的多层介质膜；其他的同实施例1。
或者，如图4所示，本实施例给出的另一种技术方案，是把图2所示的实施例2的输出镜18去掉，把输出耦合腔镜18凹面的对波长λ1和λ2的基频光具有的高反射率，对和频光的波长λ3具有高透过率的膜直接制备在非线性晶体17上；
所述的和频晶体17的靠近原输出耦合镜18的表面的高透过率的是对波长1312nm和946nm的反射率都大于99.5％，对波长550nm的透过率大于80％的多层介质膜；其他的同实施例2。
Claims (7)
1.一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器，其特征在于，该激光器由半导体激光器(9、19)、光学耦合系统(10、20)、输入腔镜(11、21)、四分之一波片(12、14、22、24)、增益介质(13、23)、布氏片(15、25)、和束镜(16)、和频晶体(17)以及输出耦合镜(18)组成；
半导体激光器(9、19)作为激光器的泵浦源；光学耦合系统(10、20)作为把半导体激光器(9、19)发出的泵浦光分别耦合到增益介质(13、23)，增益介质(13、23)分别选择不同的激光跃迁谱线，相应的振荡波长为λ1和λ2，λ1≠λ2；输入耦合镜(11)和输出耦合镜(18)组成第一个子谐振腔；输入耦合镜(21)和输出耦合镜(18)以及和束镜(16)组成第二个子谐振腔，输入耦合镜(11、21)是平面镜，靠近四分之一波片(12、22)的端面膜系要分别对λ1和λ2两个波长具有大于99.5％的反射率，同时要求输入耦合镜(11、21)的另一个端面对半导体(9、19)发出的泵浦波长均具有大于97％透过率；四分之一波片(12、14)在第一个子谐振腔内，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片(15)的入射面成45度夹角放置；四分之一波片(22、24)在第二个子谐振腔内，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片(25)的入射面成45度夹角放置；布氏片(15)在第一个子谐振腔内，布氏片(25)在第二个子谐振腔内，均与光轴成布氏角放置；和束镜(16)也是一种平面镜，它的一个面制备对波长λ1的增透膜，另一个面制备对波长λ1增透，对波长λ2高反射率的多层介质膜；和频晶体(17)按与波长λ1和λ2相位匹配的方向切割，使得波长λ1和波长λ2在和频晶体中共线传播时满足相位匹配关系n3/λ3＝n2/λ2+n1/λ1，所述的波长λ1、λ2和λ3满足和频关系1/λ3＝1/λ2+1/λ1，其中n3、n2和n1分别是波长λ3、λ2和λ1在和频晶体(17)中传播的折射率，和频晶体(17)放置在两个子谐振腔的重叠区域内；输出耦合镜(18)为平凹镜，该平凹镜的膜系为平凹镜的凹面对波长λ1和λ2的反射率都大于99.5％，对波长λ3的透过率大于80％的多层介质膜；输出耦合镜(18)的平面制备对波长λ3的透过率大于99％的增透膜，产生的和频光由输出耦合镜(18)输出到腔外。
2.如权利要求1所述的一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器，其特征在于，所述的半导体激光器(9、19)均采用输出波长为808nm的半导体激光器，光学耦合系统(10、20)均采用自聚焦透镜；输入耦合镜(11)的靠近四分之一波片(12)的表面制备对波长1064nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于97％的多层介质膜，其另一面制备对波长808nm的透过率大于99％的增透膜；四分之一波片(12、14)均为对1064nm波长的四分之一波片，二者的两个通光面制备对1064nm的双波长增透膜，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片(15)的入射面成45度夹角放置；增益介质(13)采用c切割的Nd:GdVO4激光晶体，Nd:GdVO4激光增益介质的两个通光面制备对1064nm的增透膜，透过率大于99％；输入耦合镜(21)的靠近四分之一波片(22)的表面制备对波长946nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于97％的多层介质膜，其另一面制备对波长808nm的透过率大于99％的增透膜；四分之一波片(22、24)均为对946nm波长的四分之一波片，二者的两个通光面制备对946nm的增透膜，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片(25)的入射面成45度夹角放置；增益介质(23)采用Nd:YAG激光晶体，Nd:YAG激光增益介质的两个通光面制备对946nm的增透膜，透过率大于99％；布氏片(15、25)均由K19玻璃制成，与光轴呈布氏角放置；和束镜(16)的一个面制备对波长1064nm的增透膜，另一个面制备对波长1064nm增透，对波长946nm高反射率的多层介质膜；和频晶体(17)为LBO、BiBO或其它非线性晶体，其中LBO和BiBO按波长1064nm与波长946nm的和频I类相位匹方向切割，该晶体的两个通光面都制备对1064nm、946nm和500.8nm的三波长增透膜，透过率大于99％；输出耦合镜(18)的凹面制备对波长1064nm和946nm的反射率都大于99.5％，对波长500.8nm的透过率大于80％的多层介质膜；输出耦合镜(18)的平面制备对波长500.8nm的透过率大于99％的增透膜；
当半导体激光器(9、19)同时工作时，随着泵浦功率的增加，在四分之一波片(12、14、22、24)及布氏片(15、25)的作用下，分别在Nd:GdVO4和Nd:YAG内产生1064nm和946nm的两个波长的单纵模基频光，并分别在两个子谐振腔内振荡，通过公共重叠区域的和频晶体LBO、BiBO或其它和频晶体时，产生500.8nm的单纵模激光，由输出耦合镜(18)输出。
3.如权利要求1所述的一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器，其特征在于，所述的半导体激光器(9、19)均采用输出波长为808nm的半导体激光器，光学耦合系统(10、20)均采用自聚焦透镜；输入耦合镜(11)的靠近四分之一波片(12)的表面制备对波长1312nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于97％的多层介质膜，另一面制备对波长808nm的透过率大于99％的增透膜；四分之一波片(12、14)均为对1312nm波长的四分之一波片，二者的两个通光面制备对1312nm的增透膜，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片(15)的入射面成45度夹角放置；增益介质(13)采用c切割的Nd:YLF激光晶体，NdYLF激光增益介质的两个通光面制备对1312nm的增透膜，透过率大于99％；输入耦合镜21的靠近四分之一波片22的表面制备对波长946nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于97％的多层介质膜，另一面制备对波长808nm的透过率大于99％的增透膜；四分之一波片(22)和(24)均为对946nm波长的四分之一波片，二者的两个通光面制备对946nm的双波长增透膜，并且二者呈快轴正交，同时都与布氏片(25)的入射面成45度夹角放置；增益介质(23)采用Nd:YAG激光晶体，Nd:YAG激光增益介质的两个通光面制备对946nm的增透膜，透过率大于99％；布氏片(15)和(25)均由K19玻璃制成，与光轴呈布氏角放置；和束镜(16)的一个面制备对波长1312nm的增透膜，另一个面制备对波长1312nm增透，对波长946nm高反射率的多层介质膜；和频晶体(17)为LBO、BiBO或其它非线性晶体，其中LBO和BiBO按波长1312nm与波长946nm的和频I类相位匹方向切割，该晶体的两个通光面都制备对1312nm、946nm和550nm的三波长增透膜，透过率大于99％；输出耦合镜18的凹面制备对波长1312nm和946nm的反射率都大于99.5％，对波长550nm的透过率大于80％的多层介质膜；输出耦合镜(18)的平面制备对波长550nm的透过率大于99％的增透膜；
当半导体激光器(9、19)同时工作时，随着泵浦功率的增加，在四分之一波片(12、14、22、24)及布氏片(15、25)的共同作用下，分别在Nd:YLF和Nd:YAG内产生1312nm和946nm的两个波长的单纵模基频光，并分别在两个子谐振腔内振荡，通过公共重叠区域的和频晶体LBO、BiBO或其它和频晶体时，产生550nm的单频激光，由输出耦合镜(18)输出。
4.如权利要求2所述的一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器，其特征在于，把所述的输入耦合镜(11，21)分别去掉，把输入耦合镜(11、21)靠近四分之一波片(12、22)的表面制备的膜系分别直接制备在四分之一波片(12、22)上，该膜系是对1064nm或946nm高反射并对波长808nm的泵浦光增透的膜；
所述的四分之一波片(12)上泵浦光入射表面的高反射膜对波长1064nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于99％；四分之一波片(22)上泵浦光入射面的高反射膜对波长946nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于99％；其他的同权利要求2。
5.如权利要求3所述的一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器，其特征在于，把权利要求1所述的输入耦合镜(11，21)分别去掉，把输入耦合镜(11、21)靠近四分之一波片(12、22)的表面制备的膜系分别直接制备在四分之一波片(12、22)上；所述的四分之一波片(12)上泵浦光入射面上的膜系是对1312nm高反射并对波长808nm的泵浦光增透的膜，对波长1312nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于99％；四分之一波片(22)泵浦光入射面上的高反射膜是对波长946nm高反射并对波长808nm的泵浦光增透的膜，对波长946nm的反射率大于99.5％，对波长808nm的透过率大于99％；其他的同权利要求3。
6.如权利要求2所述的一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器，其特征在于，把所述的输出镜(18)去掉，把输出耦合腔镜(18)凹面的对波长λ1和λ2的基频光具有的高反射率，对和频光的波长λ3具有高透过率的膜直接制备在非线性晶体(17)上；所述的和频晶体(17)的靠近原输出耦合镜(18)的表面制备对波长1064nm和946nm的高反膜反射率都大于99.5％，对波长500.8nm的透过率大于80％的多层介质膜；其他的同权利要求2。
7.如权利要求3所述的一种半导体激光泵浦单纵模和频激光器，其特征在于，把所述的输出镜(18)去掉，把输出耦合腔镜(18)凹面的对波长λ1和λ2的基频光具有的高反射率，对和频光的波长λ3具有高透过率的膜直接制备在和频晶体(17)上；所述的和频晶体(17)的靠近原输出耦合镜(18)的表面制备对波长1312nm和946nm的高反膜反射率都大于99.5％，对波长550nm的透过率大于80％的多层介质膜；其他的同权利要求3。
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|---|---|---|---|---|
| CN102522684A (zh) * | 2011-11-26 | 2012-06-27 | 连天虹 | 一种高功率单频激光谐振腔结构及其波长的控制方法 |
| CN110165532A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-23 | 长春理工大学 | 通过增益补偿提高双波长激光效率的激光器及方法 |
| CN111355120A (zh) * | 2020-04-01 | 2020-06-30 | 青岛海泰新光科技股份有限公司 | 一种和频黄绿光激光器 |
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2009
- 2009-12-17 CN CN200910218028A patent/CN101710666A/zh active Pending
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