CN101702618A - 射频线性功率放大器的增益控制 - Google Patents
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Abstract
本发明关于射频线性功率放大器的增益控制。本发明提供一种偏压控制电路。该偏压控制电路包含一个用来接收一信号的输入端口，此信号代表提供到一个多级功率放大器电路的供应电压的振幅大小；该偏压控制电路并包含一个电性连接于该输入端口的电子电路系统，该电子电路系统根据该代表供应电压的信号产生一偏压控制信号，提供给该多级功率放大器电路的第一级功率放大器。该偏压控制信号使得多级功率放大器电路因为供应电压变化产生的增益变化获得实质补偿。
Description
技术领域
本发明是关于功率放大器电路的领域，尤其是关于射频线性功率放大器的固定增益控制。
背景技术
无线区域网络(WLAN)技术目前已广泛运用在居家、办公室及行动应用领域。在WLAN系统中，调制技术应用的范例可如WLAN 802.11g系统中利用64正交振幅调制(QAM)及正交频分复用(OFDM)进行数据传输。为了确保调制技术可靠地发挥作用，传输器内功率放大器(PA)的增益和相位实质上必须为线性。线性的代用指标是以百分率型态表示的误差矢量幅度(EVM)。通常，误差矢量幅度小于3％且达到特定功率输出电平的WLAN功率放大器具有足以实现在低包错误率下进行全速率64QAM传输的线性。当然，功率放大器的输出电平愈高，接收WLAN基地台的范围就愈大。因此，实务中会使用EVM保持在3％以下且达成最大功率电平的线性功率传输，当做WLAN功率放大器的质量因数。
在WLAN系统中，是经由脉冲串进行数据的传输。每一个脉冲串是以一个校正序列为起始，在这个脉冲串持续期间，上述校正序列判定所接收无线射频(RF)信号的振幅大小。功率放大器射频输出信号的振幅大小与功率放大器增益的稳定性密切相关。然而，由于供应电压的升高会造成在功率放大器中构成放大级的下层半导体电晶体展现高频效能的提升，因此线性功率放大器的增益会随着供应电压的升高而增加，无法保持稳定。在WLAN系统的多数固定式应用中，供给功率放大器的供应电压在脉冲串之间堪称稳定，所以增益变化并不明显。然而，对于像是全球行动通讯系统(GSM)行动电话之类的电池驱动式移动设备设备而言，其中的WLAN功率放大器就可能呈现明显的增益变化。在移动设备中，功率放大器的供应电压直接由电池提供。由于例如锂电池等电池的输出阻抗相对较高，功率放大器的供应电压在单一数据脉冲串之间会产生大约400mV的降压，而在该数据脉冲串结束后再回复相同的电压值。
目前对这个问题最先进的解决方法是在电池和输入功率放大器的供应电压之间加设一个调节器。然而，增设的调节器不但增加了系统复杂性和成本，尤其在手持式的移动设备中也占用了宝贵的空间，同时也降低了设备的整体效能。
因此需提出一种方法克服前案技术的缺失。
发明内容
根据本发明的一种观点，本发明提供一种偏压控制电路，此偏压控制电路包含：
一个输入端口，用以接收一个代表一供应电压振幅大小的信号，所述供应电压是为提供至一个多级功率放大器电路；
一个电子电路系统，电性连接于该输入端口，所述电子电路系统根据代表一供应电压的该信号产生一偏压控制信号，该偏压控制信号提供至该多级功率放大器电路的第一级功率放大器，该偏压控制信号使得该多级功率放大器电路因为供应电压变化产生的增益变化得到实质补偿；以及
一输出端口，电性连接于该电子电路系统，该输出端口电性连接于该第一级功率放大器的一偏压端口，且该输出端口用以将该偏压控制信号提供至该偏压端口。
根据本发明的一种观点，本发明提供一种方法，该方法包含：
接收一个代表一供应电压振幅大小的信号，该供应电压用以提供至一多级功率放大器电路；
根据该代表一供应电压的该信号产生一偏压控制信号，该偏压控制信号用以提供至该多级功率放大器电路的一第一级功率放大器，该偏压控制信号使得该多级功率放大器电路因为供应电压变化产生的增益变化得到实质补偿；以及
提供该偏压控制信号至该第一级功率放大器。
根据本发明的一种观点，本发明提供一种多级功率放大器电路，该多级功率放大器电路包含：
一输入端口，用以接收一无线射频信号；
复数功率放大器，依次放大该无线射频信号，其中一第一功率放大器连接于该输入端口，用以接收该无线射频信号，且一末端功率放大器连接于一输出端口，用以提供一放大后无线射频信号；
一供应电路系统，连接于各该功率放大器，用以提供一供应电压；
一传感器，用以感测该供应电压且提供一代表该供应电压振幅大小的信号；以及
一电子控制电路系统，连接于该传感器，且连接于该第一功率放大器的一偏压端口，该电子控制电路系统根据该代表一供应电压的该信号产生一偏压控制信号，该偏压控制信号用以提供至该第一功率放大器，该偏压控制信号使得该多级功率放大器电路因为供应电压变化产生的增益变化得到实质补偿。
根据本发明的一种观点，本发明提供一种储存媒介，该储存媒介储存有用以在一处理器上执行的可执行指令，该可执行指令于执行时产生一电子电路，该电子电路包含：
一个输入端口，用以接收一个代表一供应电压振幅大小的信号，所述供应电压是为提供至一个多级功率放大器电路；
一个电子电路系统，连结于该输入端口，所述电子电路系统根据代表一供应电压的该信号产生一偏压控制信号，该偏压控制信号提供至该多级功率放大器电路的第一级功率放大器，该偏压控制信号使得该多级功率放大器电路因为供应电压变化产生的增益变化得到实质补偿；以及
一输出端口，连结于该电子电路系统，该输出端口用以连结于该第一级功率放大器的一偏压端口。
附图说明
图1a说明在不同电平偏压提供至一功率放大器驱动级下的误差矢量幅度(EVM)相对于信号功率关系变化。
图1b说明在2.45GHz频率波段的射频小信号级中增益变化相对于偏压电流关系变化。
图2是一个多级功率放大器的简式电路图，该多级功率放大器具有偏压控制电路，且该偏压控制电路包含一个用以感测供应电压的传感器。
图3是一个偏压控制电路的简式方块图，该偏压控制电路具有一偏压电流，该偏压电流根据一与该供应电压成比例的电流信号而产生。
图4是一个多级功率放大器的简式电路图，该多级功率放大器中具有偏压电流补偿。
图5-7是根据本发明的多级功率放大器的变化。
图8是一个实施例的简式流程图。
图9是一个实施例的简式流程图，该实施例利用与该供应电压成比例的电流信号的倒数决定或调整该偏压电流。
具体实施方式
以下叙述是利用特定应用和条件进行说明，以便熟悉此专业一般技艺的人士了解和应用本发明。在不脱离本发明精神的范围内，本发明实施例的各种修改以及本发明一般性概念在其他实施例中的应用都应属于本发明的范围。因此，本发明并不受此处提供实施例的限制。
对于多级功率放大器而言，内部每一放大级所接收的偏压电流会对于此多级功率放大器的增益造成影响。然而，当线性功率放大器用于大信号的放大作业，如用于放大具有高调制指数的信号或切入B级操作时，偏压电流的提供会受到限制。例如，在三级功率放大器中，最后两级通常用于大信号的放大作业。而输出级则在输出电平从小信号渐增至饱和的过程中，展现单递减增益或极小增益峰值。其中，静态电流设定于低点，以确保当功率放大器在低输出功率下运作时，可以进行功率转换。例如，此电流可设定为正比于绝对温度(PTAT)，藉以对输出级提供实质上不受温度影响的增益效果。
可以对于位在输出级之前的驱动级加偏压，使驱动级的增益特性表现为以较小峰值对应输出级增益的下降，藉此平坦化整体增益特性，达到扩大多级功率放大器线性功率处理的效果。然而，若驱动级峰值过高，将影响多级功率放大器的整体增益平坦性，而在中度信号强度时呈现较严重的信号失真或非线性。在图1a中，EVM相对于信号功率的关系在中度功率电平区域逐渐达成饱和而非单递增，因此失真的增加呈现为大范围高原形状。若驱动级增益峰值持续增加，中度功率电平失真也会随之增加，而EVM高原区变化为隆起状，很可能超过保持多级功率放大器线性运作的3％EVM门槛。换句话说，必须在多级功率放大器的信号处理与多级功率放大器在中度信号强度的非线性之间利用偏压取得折衷。因此，若要进行驱动暨输出级的偏压电流调整，且同时避免放大后信号实质失真，则可调整范围非常有限，因而难以藉由调整多级功率放大器驱动暨输出级的偏压电流达成供应电压改变的校正。
在一个多级功率放大器中，是以第一级放大较小的信号，因此在大范围的偏压电流强度中相对呈现线性。多级功率放大器驱动暨输出级在供应电压降低时会遭遇增益减弱的问题，增益减弱以每伏特分贝(dB/V)表示，且实质上并非取决于供应电压的绝对电平。在根据本发明实施例的一个偏压电流控制电路中，偏压电流产生后送往第一级功率放大器，偏压电流随着供应电压的减弱而增强，因此使第一级放大器的输出信号增强至足以具体补偿驱动暨输出级因为供应电压降低而产生的增益衰减。然而，射频放大级中偏压电流和增益(以dB表示)之间的关系并非线性，如图1b所示，图中描绘驱动暨输出级在2.45GHz频段的增益变化。
例如，一个利用SiGe技术的无补偿多级功率放大器可能产生1dB/V到1.2dB/V的增益变化。然而，在如GSM行动电话等携带式WLAN设备的运作中，多级功率放大器的可接受增益变化限制在0.7dB/V，减少近二分之一。通常，在移动应用领域中，供应电压大约介于2.3V至4.8V之间。因此，最大可接受增益变化为1.75dB。为求简明，本发明实施例就此一范例加以叙述，但对熟悉此专业一般技艺的人士而言，本发明的实施例并不限于此范例，而亦可根据各种应用的设计规格运用于其他各种频段范围、可接受增益变化、供应电压强度及变化。
参照图2，根据本发明的实施例，一个多级功率放大器具有三个放大级180A、180B和180C，该多级功率放大器包含一个偏压控制电路100。一个射频输入信号从输入端口172进入之后被第一级放大器180A放大，并受到接下来的驱动级放大器180B和输出级放大器180C进一步放大，而后经由输出端口174输出接受后续处理。上述三个放大级180A、180B及180C连接至供应电压源170。该偏压电流控制电路100连接至一个传感器176，此传感器176感测供应电压并提供一个代表该供应电压的信号。接收到代表该供应电压的信号后，该偏压控制电路100利用代表该供应电压的信号产生一个偏压信号，并将该偏压信号之送至第一级放大器180A的一个偏压端口182A。该偏压信号对于该多级功率放大器电路因为供应电压变化产生的增益变化提供实质补偿。例如，该偏压信号是一个利用多项电流产生器根据预设增益变化曲线产生的电流信号，而所述增益变化曲线可能参考放大器规格中偏压电流相对于第一级增益曲线和多级放大器因为供应电压变化产生的增益变化而决定，或是透过经验确定法决定。虽然图2中是以一个三级放大器为范例，但熟悉此专业一般技艺的人士应可了解偏压控制电路100的使用并不限于三级放大器，而亦可应用于二级放大器和包含三级以上的多级放大器。
参照图3，其中描绘偏压控制电路100的一种实施例100A。传感器176发出一个代表供应电压的信号至输入端口102。该信号可能是一个与该供应电压成正比的电流信号。此外，该偏压控制电路100A经由接口110连接至一个电流源112-例如，一个PTAT电流源-用以接收一个电流信号。之后藉由将从该电流源112收到的电流信号除以从该传感器176发出与该供应电压成正比的电流信号，而产生该偏压控制信号，并将该偏压控制信号以一偏压电流信号的型态经由输出端口108传送到该第一放大器180A的该偏压端口182A。偏压电流信号的产生可利用如模拟乘法器将从该电流源112取得的电流信号乘以与该传感器176所送出与供应电压成正比的电流信号的倒数。偏压控制电路100A在此实施例的简易实现可将多级功率放大器因为供应电压改变产生的整体增益变化降低至大约0.3dB/V，远低于适用GSM行动电话应用的0.7dB/V标准。利用PTAT电流源产生的偏压电流信号可保持第一级放大器180A的跨导不受温度影响。或者，可利用数码信号处理方法产生该偏压控制信号。
由于提供至该驱动级180B的固定偏压信号，该多级功率放大器180的整体增益仍受温度影响。因此亦可视需要将PTAT电流信号改为一具有较陡峭温度特性的电流源信号。
图4提供该偏压控制电路100的一个实施例100B，在本图中与图2及图3所述的相同元件以相同数字标示。在此，从电流源206-例如，一个PTAT电流源-在节点208加入一个非取决于供应电压的电流信号以减低校正。利用例如数模转换器(DAC)202及204分别调整该偏压信号之中「取决于供应电压部份」与「非取决于供应电压部份」的相对大小，达成更精确的补偿。此外，透过该偏压控制电路100B可调整该多级功率放大器的绝对增益。该数模转换器经过编程，例如藉由芯片致能使数据从一微控制器连续装载至该数模转换器中或利用在电子测试过程中选择性编程的芯片电子保险丝。
图5、6及7分别显示实施例100C、100D及100E，为前述实施例100A及100B的变化，且图中元件与图2至图4中所述相同元件以相同数字标示。具体而言，实施例100C藉由从电流源206添加一个非取决于供应电压的电流信号降低校正，而不需调整相对大小；实施例100D仅对于该偏压信号之中「取决于供应电压部份」的相对大小受到调整；实施例100E仅对于该偏压信号之中「非取决于供应电压部份」的相对大小受到调整。
参考图8和图9的简式流程图。根据本发明实施例，一种用于上述实施例中偏压控制电路100的偏压信号产生方法。在步骤10，一个代表一供应电压的信号传送至一个多级功率放大器电路，并由该多级功率放大器电路接收。而后在步骤30，根据该代表一供应电压的信号产生一个偏压控制信号，用以提供至该多级功率放大器电路的第一级功率放大器180A。该偏压控制信号对于该多级功率放大器电路因为供应电压变化产生的增益变化提供实质补偿。在步骤50，该偏压控制信号提供至该第一级功率放大器180A的一个偏压端口。上述步骤30可包括：30.1接收一第二电流信号；30.2.将二电流信号乘以与该供应电压成正比的电流信号的倒数，以产生该偏压控制信号，并将该偏压控制信号用为一偏压电流信号；30.3调整该偏压电流信号的大小；30.4调整一非取决于供应电压的电流的大小；以及30.5将该非取决于供应电压的电流加入该偏压电流信号。
掌握如射频信号的频率范围、多级功率放大器的规格、供应电压的变化，以及可接受的多级功率放大器整体增益变化等系统需求，利用处理器配合上述储存于储存媒介中的执行命令，可达成本发明偏压控制电路的各种实施例设计变化。
在不脱离本发明的精神及范围下，熟悉此专业一般技艺的人士可从上述实施利进行各种改变实施本发明，这些改变亦属于本发明的技术思想范围。
Claims (28)
1.一种偏压控制电路，其特征在于：
一输入端口，用以接收一个代表一供应电压振幅大小的信号，该供应电压用以提供至一个多级功率放大器电路；
一个电子电路系统，电性连接于该输入端口，该电子电路系统用以根据该代表供应电压的信号产生一个偏压控制信号，该偏压控制信号用以提供至该多级功率放大器电路的一个第一级功率放大器，该偏压控制信号使得该多级功率放大器电路因为供应电压变化产生的增益变化得到实质补偿；以及
一输出端口，电性连接于该电子电路系统，该输出端口用以电性连接于该第一级功率放大器的一个偏压端口，并用以将该偏压控制信号提供至该偏压端口。
2.如权利要求1所述的偏压控制电路，其特征在于：
一第二输入端口，电性连接于该电子电路系统，用以接收一电流信号。
3.如权利要求2所述的偏压控制电路，其特征在于：
一正比于绝对温度(PTAT)电流源，电性连接于该第二输入端口。
4.如权利要求2或3所述的偏压控制电路，其特征在于，该电子电路系统包含一乘法器，该乘法器用以根据该代表供应电压的信号以及该电流信号产生该偏压控制信号。
5.如权利要求1至4任一项所述的偏压控制电路，其特征在于：
一电流源；以及
一输出电子电路系统，设于该电子电路系统与该输出端口之间，用以电性连接于该电流源，该输出电子电路系统用以从该电流源接收一个非取决于供应电压的电流，并用以将该非取决于供应电压的电流加入该偏压控制信号。
6.如权利要求5所述的偏压控制电路，其特征在于：
一数模转换器，电性连接于该输出电子电路系统，且用以电性连接于该电流源，该数模转换器用以根据一数码控制信号调整该非取决于供应电压的电流的大小。
7.如权利要求5或6所述的偏压控制电路，其特征在于，该电流源是一个正比于绝对温度(PTAT)电流源，用以提供该非取决于供应电压的电流。
8.如权利要求书1至4中任一项所述的偏压控制电路，其特征在于：
一数模转换器，设于该电子电路系统与该输出端口之间，该数模转换器用以根据一数码控制信号调整该偏压控制信号的大小。
9.如权利要求8所述的偏压控制电路，其特征在于：
一电流源；以及
一输出电子电路系统，设于该数模转换器与该输出端口之间，且用以电性连接于该电流源，该输出电子电路系统用以从该电流源接收一非取决于供应电压的电流，并将该非取决于供应电压的电流加入该偏压控制信号。
10.如权利要求9所述的偏压控制电路，其特征在于：
一第二数模转换器，电性连接于该输出电子电路系统，且用以电性连接于该电流源，该第二数模转换器用以根据一第二数码控制信号调整该非取决于供应电压的电流的大小。
11.如权利要求9或10所述的偏压控制电路，其特征在于，该电流源是一个正比于绝对温度(PTAT)电流源，用以提供该非取决于供应电压的电流。
12.一种方法，其特征在于：
接收一个代表一供应电压振幅大小的信号，该供应电压用以提供至一个多级功率放大器电路；
根据该代表供应电压的信号产生一偏压控制信号，该偏压控制信号用以提供至该多级功率放大器电路的一第一级功率放大器，该偏压控制信号使得该多级功率放大器电路因为供应电压变化产生的增益变化得到实质补偿；以及
提供该偏压控制信号至该第一级功率放大器。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，该偏压控制信号与该供应电压的变化成反比。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，该偏压控制信号是基于一数学函数而决定。
15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，该代表供应电压的信号是一个与该供应电压振幅大小成正比的电流信号。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于：
接收一第二电流信号；以及
将该第二电流信号乘以上述与该供应电压成正比的电流信号的倒数，用以使该偏压控制信号产生为一偏压电流信号。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，该第二电流信号是一个正比于绝对温度电流信号。
18.如权利要求16或17所述的方法，其特征在于：
将一非取决于供应电压的电流加入该偏压电流。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于：
调整该非取决于供应电压的电流的大小。
20.如权利要求18或19所述的方法，其特征在于，该非取决于供应电压的电流是一个正比于绝对温度电流信号。
21.如权利要求16或17所述的方法，其特征在于：
调整该偏压电流信号的大小。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于：
将一非取决于供应电压的电流加入该偏压电流信号。
23.如权利要求22所述的方法，其特征在于：
调整该非取决于供应电压的电流的大小。
24.如权利要求22或23所述的方法，其特征在于，该非取决于供应电压的电流是一个正比于绝对温度电流信号。
25.一种多级功率放大器电路，其特征在于：
一输入端口，用以接收一无线射频信号；
复数功率放大器，用以依次放大该无线射频信号，其中一第一功率放大器连接于该输入端口，用以接收该无线射频信号，且其中一末端功率放大器连接于一输出端口，用以提供一放大后无线射频信号；
一供应电路系统，连接于各该功率放大器，用以提供一供应电压；
一传感器，用以感测该供应电压，并提供一个代表该供应电压振幅大小的信号；以及
一电子控制电路系统，连接于该传感器，且连接于该第一功率放大器的一偏压端口，该电子控制电路系统用以根据该代表一供应电压的信号产生一偏压控制信号，用以提供至该第一功率放大器，该偏压控制信号使得该复数功率放大器因为供应电压变化产生的增益变化得到实质补偿。
26.如权利要求25所述的多级功率放大器电路，其特征在于：
一正比于绝对温度(PTAT)电流源，连接于该电子电路系统，且其中该电子电路系统包含一乘法器，用以根据该代表供应电压的信号以及一从该正比于绝对温度电流源接收到的电流信号产生该偏压控制信号。
27.如权利要求26所述的多级功率放大器电路，其特征在于：
一第一数模转换器，设于该电子电路系统与该偏压端口之间，该数模转换器用以根据一第一数码控制信号调整该偏压控制信号的大小；以及
一第二数模转换器，电性连接于一个位于该第一数模转换器与该偏压端口之间的节点，且电性连接于该正比于绝对温度电流源或一第二其他正比于绝对温度电流源，该第二数模转换器用以接收一非取决于供应电压的电流，并根据一第二数码控制信号调整该非取决于供应电压的电流的大小。
28.一种储存媒介，该储存媒介中储存有用以在一处理器上执行的可执行命令，该可执行命令于执行时产生一电子电路，其特征在于：
一输入端口，用以接收一个代表一供应电压振幅大小的信号，该供应电压用以提供至一个多级功率放大器电路；
一电子电路系统，连结于该输入端口，该电子电路系统用以根据该代表供应电压的信号产生一偏压控制信号，用以提供至该多级功率放大器电路的一第一级功率放大器，该偏压控制信号使得该多级功率放大器电路因为供应电压变化产生的增益变化得到实质补偿；以及
一输出端口，连结于该电子电路系统，该输出端口用以连结至该第一级功率放大器的一偏压端口。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| US8548398B2 (en) | 2010-02-01 | 2013-10-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Envelope power supply calibration of a multi-mode radio frequency power amplifier |
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| US8699973B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-04-15 | Rf Micro Devices, Inc. | PA bias power supply efficiency optimization |
| US8913971B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-12-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Selecting PA bias levels of RF PA circuitry during a multislot burst |
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| US8912851B2 (en) | 2010-12-30 | 2014-12-16 | Intel Mobile Communications GmbH | Apparatus and method for providing amplifier linearity information |
| US9065505B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-06-23 | Rf Micro Devices, Inc. | Optimal switching frequency for envelope tracking power supply |
| US9166545B2 (en) | 2013-03-11 | 2015-10-20 | Mediatek Singapore Ptd. Ltd. | Circuit for providing a flat gain response over a selected frequency range and method of use |
| WO2017062427A1 (en) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplification system with adaptive bias control |
| JP2018195954A (ja) | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
| US11574176B2 (en) * | 2019-04-09 | 2023-02-07 | Cirrus Logic, Inc. | Artificial neural networks |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5670912A (en) * | 1996-01-31 | 1997-09-23 | Motorola, Inc. | Variable supply biasing method and apparatus for an amplifier |
| US6822511B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-11-23 | Sige Semiconductor Inc. | Integrated power amplifier circuit |
| US6882220B2 (en) * | 2003-06-27 | 2005-04-19 | Sige Semiconductor Inc. | Integrated power amplifier circuit |
| US6917243B2 (en) * | 2003-06-27 | 2005-07-12 | Sige Semiconductor Inc. | Integrated power amplifier circuit |
| US7102442B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-09-05 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Wireless terminals, methods and computer program products with transmit power amplifier input power regulation |
| US7420421B1 (en) * | 2006-03-16 | 2008-09-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Open-loop RF transmitter output power control for increased power efficiency |
| US8224270B2 (en) * | 2006-12-06 | 2012-07-17 | Broadcom Corporation | Method and system for optimizing transmit power of a power amplifier using a battery voltage (Vbat) monitor |
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2009
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105610415A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-05-25 | 四川九洲电器集团有限责任公司 | 一种信息处理方法及电子设备 |
| CN105610415B (zh) * | 2015-12-17 | 2018-09-18 | 四川九洲电器集团有限责任公司 | 一种信息处理方法及电子设备 |
| CN107093988A (zh) * | 2017-04-17 | 2017-08-25 | 武汉大学 | 一种7模式增益和输出功率可控的k波段功率放大器 |
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