CN101681174B - 温度补偿的i/p转换器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种I/P转换器。该I/P转换器包括联接到磁路的喷嘴(7)。温度补偿环(3)联接到磁路的顶侧。挠曲件(1)联接到温度补偿环。温度补偿环被配置成相对于喷嘴的第一端定位该挠曲件并且该温度补偿环被配置成在一定温度范围维持喷嘴与挠曲件之间的相对位置。
Description
技术领域
本发明涉及电-压力转换器，在本领域中更通常地被称作“I/P转换器”，其为压力控制仪器，用于向通常为压缩空气的流体提供压力输出，该压力输出为线性的或者另外与电输入信号成正比。
背景技术
I/P转换器通常在各种应用中的用途与过程控制有关，例如在运用电信号来对膜片致动的气动阀、汽缸或定位器进行控制的情况下。为了实现在运用膜片致动器的气动阀、汽缸或定位器的控制过程中的一致性，对于一致的输入电信号，I/P转换器必须提供一致的输出压力，与外部环境的变化(例如温度变化)无关。由外部环境的变化所造成的I/P转换器的输出压力的预期值的任何改变将会在控制过程中造成误差且因此导致低效率。
通常见于市场上的典型I/P转换器并不具有任何机构来防止由于温度改变造成转换器输出压力发生不希望的改变。专利EP0591925描述了一种使用与闭环电子装置相组合的微处理器来对I/P转换器进行温度补偿的方法。该方案成本较高并且较为复杂。
发明内容
方面
本发明的一方面包括一种I/P转换器，其包括：
挠曲件(flexure)；
磁路；
喷嘴，其具有第一端，其中喷嘴在第一部位处联接到磁路；以及，
温度补偿环，其联接到磁路和挠曲件。
优选地，磁路包括：
磁体；
外芯；
以及，内芯。
优选地，温度补偿环具有比内芯更高的热膨胀系数。
优选地，温度补偿环具有比磁体更高的热膨胀系数。
优选地，磁体内芯和磁体外芯由钢制成，磁体由钕制成并且温度补偿环由铝制成。
本发明的另一方面包括：
相对于挠曲件定位喷嘴；
使用温度补偿环在温度改变时维持喷嘴与挠曲件之间的相对位置。
优选地，该方法还包括温度补偿环，该温度补偿环的热膨胀系数与喷嘴的热膨胀系数不同。
本发明的另一方面包括：
将喷嘴联接到磁路；
将温度补偿环附连到磁路的顶侧上；
将挠曲件联接到温度补偿环，其中温度补偿环被配置成相对于喷嘴的第一端定位挠曲件并且其中温度补偿环被配置成在一定温度范围维持喷嘴与挠曲件之间的相对位置。
优选地，该方法还包括由铝制成的温度补偿环。
优选地，该方法还包括磁路，磁路还包括：
磁体内芯，其中喷嘴联接到磁体内芯；
磁体，其具有顶侧和底侧，其中底侧附连到磁体内芯的顶侧；
磁体外芯，其具有顶侧和底侧，并且其中底侧附连到磁体顶侧且磁体外芯的顶侧是磁路的顶侧。
附图说明
图1是本发明的示例实施例中的I/P转换器100的分解图。
图2是在本发明的示例实施例中I/P转换器100的截面图。
具体实施方式
图1至图2和下文的描述描绘了用以教导本领域技术人员如何来做出和使用本发明最佳方式的具体实例。出于教导本发明原理的目的，已简化或省略了某些常规方面。本领域技术人员将会了解属于本发明范畴内的这些实例的变型。本领域技术人员将会了解到下文所述 的特点可以各种方式组合起来以形成本发明的多个变型。因此，本发明并不限于下文所述的具体实例，而是仅受权利要求书和其等价物限制。
图1是在本发明的示例实施例中I/P转换器100的分解图。I/P转换器100包括挠曲件1、线圈2、温度补偿环3、磁体外芯4、磁体5、磁体内芯6和喷嘴7。喷嘴7优选地具有管状构造。
图2是在本发明的示例实施例中I/P转换器100的截面图。喷嘴7的一端与挠曲件1形成交界。喷嘴7的另一端连接到一腔室，该腔室包含着压力将要受到控制的流体(未图示)。喷嘴7的外表面带有螺纹从而能相对于挠曲件1调整喷嘴7的位置。喷嘴7被磁体内芯6内的螺纹界面8相对于挠曲件1而保持在适当位置。磁体内芯6由钢或者另一导磁材料构成。磁体5被固结到磁体内芯6上。磁体5由钕或另一永久磁化材料构成。磁体外芯4附连到磁体5上。磁体外芯4由钢或另一导磁材料构成。磁体内芯6、磁体5和磁体外芯4形成磁路。这个磁路通过介于磁体内芯6与磁体外芯4之间的间隙来传递磁通量。线圈2被定位在介于磁体内芯6与磁体外芯4之间的间隙中。
温度补偿环3附连到磁体外芯4上。温度补偿环3由铝或任何其它热膨胀系数不同于磁体外芯4的材料构成。挠曲件1附连到温度补偿环3上。线圈2包括一匝或更多匝铜或其它导电材料。线圈2附连到挠曲件1上并且电连接到驱动电路。挠曲件1的构造允许线圈2沿着喷嘴7的轴线移动，还抑制着线圈2对磁体内芯6或磁体外芯4造成的干涉。
在由磁路所产生的穿过线圈2的磁场与源自驱动电路的流经线圈2的电流之间的相互作用用于形成电磁电动力，其继而经过线圈2被传送到挠曲件1。由于线圈2的匝数和几何形状基本上是固定的，并且由磁体内芯6、磁体5和磁体外芯4所产生的磁场基本上是恒定的，则通过线圈2传送到挠曲件1的力基本上与流经线圈2的电流成比例、且因此与电驱动成比例。
挠曲件1的构造为使得它与喷嘴形成气动界面。要控制的流体压力通过喷嘴7被转移到挠曲件1。由于喷嘴7和挠曲件1的几何形状基本上是恒定的，则施加到挠曲件1的力基本上与喷嘴7内的压力成比例、并且继而与受控流体的压力成比例。
在正常操作期间，在源自电磁的力与源自气动的力之间维持力平衡，且因此与电驱动信号成比例地控制受控流体的压力，挠曲件1的任何构造将具有有限的弹性，且因此类似于弹簧般起作用来施加力使挠曲件1回复到其零位(neutral position)。因此，对决定了介于连接着挠曲件1的温度补偿环3的顶部与喷嘴7顶部之间距离的几何形状的任何干扰将造成对挠曲件1的弹性回复力的干扰并且因此造成对受控流体压力的干扰。
对几何形状造成这种干扰的一个已知的原因是温度。介于连接着挠曲件1的温度补偿环3的顶部与喷嘴7顶部之间的距离由喷嘴7、磁体内芯6、磁体5、磁体外芯4和温度补偿环3决定的，并且继而其中的每一个总是具有相异的热膨胀系数。由于相异的热膨胀系数，每个部件将以不同的速率膨胀且介于温度补偿环3顶部与喷嘴7顶部之间的距离将随着温度改变而改变。
在优选实施例内，设计的尺寸以及材料的累加并不造成介于温度补偿环3顶部与喷嘴7顶部之间距离的任何变化并且因此温度并不对受控的流体的压力造成任何干扰。实现这个结果是因为磁体5的膨胀系数被温度补偿环3的膨胀系数抵消，磁体5的膨胀系数低于磁体内芯6中的钢的膨胀系数，温度补偿环3的膨胀系数高于磁体内芯6中的钢的膨胀系数。热膨胀系数的这两个相异彼此抵消。
在设计的其它变型内，可选择几何形状与材料的任何组合以得到温度对受控流体压力的任何所希望的积极或消极干扰。举例而言，由I/P控制器所输送的压力可加以调整从而使得压力随着温度降低而增加。
Claims (7)
1.一种I/P转换器，其包括：
挠曲件(1)；
磁路，磁路包括：
磁体(5)，
磁体外芯(4)，以及
磁体内芯(6)；
喷嘴(7)，其具有第一端，其中所述喷嘴在第一部位处联接到磁路；以及，
温度补偿环(3)，其联接到所述磁体外芯(4)和所述挠曲件，其中磁体(5)的膨胀系数被温度补偿环(3)的膨胀系数抵消，从而不造成介于温度补偿环(3)顶部与喷嘴(7)顶部之间距离的任何变化。
2.根据权利要求1所述的I/P转换器，其中温度补偿环(3)具有比磁体内芯(6)更高的热膨胀系数。
3.根据权利要求1所述的I/P转换器，其中温度补偿环(3)具有比磁体(5)更高的热膨胀系数。
4.根据权利要求1所述的I/P转换器，其中磁体内芯和磁体外芯由钢制成，磁体由钕制成且温度补偿环由铝制成。
5.一种制造I/P转换器的方法，其包括：
将喷嘴联接到磁路，磁路包括磁体、磁体外芯以及磁体内芯；
将温度补偿环附连到磁路的磁体外芯上；
将挠曲件联接到温度补偿环，其中温度补偿环被配置成相对于喷嘴的第一端而定位所述挠曲件并且其中温度补偿环被配置成在一定温度范围上维持喷嘴与挠曲件之间的相对位置，
其中磁体(5)的膨胀系数被温度补偿环(3)的膨胀系数抵消，从而不造成介于温度补偿环(3)顶部与喷嘴(7)顶部之间距离的任何变化。
6.根据权利要求5所述的制造I/P转换器的方法，其中温度补偿环由铝制成。
7.根据权利要求5所述的制造I/P转换器的方法，其中：
喷嘴联接到磁体内芯；
磁体具有顶侧和底侧，其中所述磁体的底侧附连到磁体内芯的顶侧上；
磁体外芯具有顶侧和底侧且其中所述磁体外芯的底侧附连到磁体的顶侧并且磁体外芯的顶侧是磁路的顶侧。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120711 Termination date: 20160316 |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |