CN101661185A - 液晶光衰减装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶光衰减装置，包括：相对设置的第一基板和第二基板；封闭在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述液晶层具有受电场作用由各向同性折射率转换为各向异性折射率的特性；第一反射层，位于所述第一基板朝向液晶层的一面；第二反射层，位于所述第二基板朝向液晶层的一面；第一公共电极和第一控制电极，位于所述第一反射层朝向液晶层的一面，并且，所述第一公共电极与第一控制电极交替间隔排列；第二公共电极和第二控制电极，位于所述第二反射层朝向液晶层的一面，并且，所述第二公共电极与第二控制电极交替间隔排列；其中，所述第二控制电极与第一控制电极相对，所述第二公共电极与第一公共电极相对。该液晶光衰减装置可以提高响应速度。

Description

液晶光衰减装置

技术领域

本发明涉及液晶技术领域，特别涉及一种液晶光衰减装置。

背景技术

近年来，液晶技术的飞速发展，推动了其在平板显示、光衰减装置和波长可变滤光器等领域的更广泛应用。目前，最常使用的液晶光衰减装置采用扭曲向列(Twisted Nematic，TN)型液晶，但由于TN型液晶的响应速度非常慢，通常为几十个毫秒，因而限制了液晶光衰减装置的应用。

现有技术中采用以下两种解决方案来提高液晶光衰减装置响应速度：

(1)减小TN型液晶光衰减装置液晶盒的厚度，可以使光衰减装置的响应速度达到1毫秒；

(2)采用响应速度为微秒量级的铁电液晶代替TN型液晶。

但是上述解决方案也同时存在各自的技术问题。一方面，由于TN型液晶盒的响应时间与盒厚的平方成正比，虽然减小液晶盒盒厚可以加快液晶光衰减装置响应速度，但是通常情况下，TN型液晶盒适用于可见光波段的调制，如果调制波长在中远红外波段，响应时间将会增加几十倍，同时液晶盒的厚度也不可能无限制地减小，这种解决方案对响应速度的提高有限，而且厚度的减小会带来诸多衍生的技术难题；另一方面，铁电液晶光衰减装置目前存在以下几个方面的问题：(1)铁电液晶的排列取向需要在制作有电极图形的玻璃基板表面涂敷取向层材料，通过摩擦取向控制铁电液晶分子的排列取向，并且由于铁电液晶本身的分子特性，达到均匀的取向非常困难；(2)表面稳定铁电液晶的液晶盒的厚度非常小(通常为2um)，难以适合长波长光衰减装置的应用；(3)铁电液晶受到外力冲击，容易产生排列缺陷，并且这种缺陷是不可恢复的；(4)铁电液晶施加电压转向另一角度时，由于锚定能的作用，贴近取向层表面的过渡层液晶不易改变方向，影响光衰减装置的对比度。

基于以上问题，在液晶光衰减装置的应用方面，有必要提出一种不同于上述两种解决方案的新型液晶光衰减装置，也可以明显提高液晶光衰减装置的响应速度。

发明内容

本发明的目的是提供一种与现有技术构思不同的液晶光衰减装置，也可以提高液晶光衰减装置的响应速度。

为此，本发明提供一种液晶光衰减装置，包括：

相对设置的第一基板和第二基板；

封闭在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述液晶层具有受电场作用由各向同性折射率转换为各向异性折射率的特性；

第一反射层，位于所述第一基板朝向液晶层的一面；

第二反射层，位于所述第二基板朝向液晶层的一面；

第一公共电极和第一控制电极，位于所述第一反射层朝向液晶层的一面，并且，所述第一公共电极与第一控制电极交替间隔排列；

第二公共电极和第二控制电极，位于所述第二反射层朝向液晶层的一面，并且，所述第二公共电极与第二控制电极交替间隔排列；其中，所述第二控制电极与第一控制电极相对，所述第二公共电极与第一公共电极相对。

所述第一反射层和/或第二反射层由多层光学薄膜叠加而成。

所述多层光学薄膜包括交替叠加的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层。

所述高折射率薄膜层最靠近所述液晶层，所述多层光学薄膜的层数为奇数。

所述第一反射层和第二反射层的膜系结构相同。

所述多层光学薄膜中每一薄膜层的光学厚度为入射光波长的四分之一。

所述第一公共电极和第二公共电极施加第一电压信号，所述第一控制电极和第二控制电极施加第二电压信号，所述第一电压信号和第二电压信号之间存在电压差，以形成平行于第一基板或第二基板方向的电场。

所述第一电压信号为直流电压，所述第二电压信号为交流电压。

所述第一公共电极、第二公共电极、第一控制电极和第二控制电极组成双边面内切换电极。

所述液晶层包括蓝相液晶。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

所述液晶光衰减装置利用液晶的克尔效应，即是场致双折射效应，通过多光束干涉的方式来实现对入射光透射或截止的控制，以蓝相液晶为例，在没有电场的情况下，蓝相液晶折射率为各向同性，宏观上蓝相液晶为各向同性介质。入射光在蓝相液晶两侧的反射层多次反射后，每相邻两束出射光束之间的光程差为入射波长的整数倍，光束之间产生相互加强的干涉效应，于是形成光强与入射光基本相等的透射光。而在水平电场的作用下，蓝相液晶处于水平电场方向的折射率按电场强度的平方成比例增加，而垂直于电场方向的折射率不发生改变，则在电场的作用下，蓝相液晶分子为具有双折射效应的各向异性液晶，每相邻两束出射光束之间的光程差偏离了波长的整数倍，光束由相互加强转变为相互抵消，入射光就被截止。由于蓝相液晶的折射率取决于施加到蓝相液晶的电场大小，所以通过对液晶盒内双边IPS电极施加适当的电压即可控制对蓝相液晶作用的水平电场。

相对于传统的TN型液晶光衰减装置，所述液晶光衰减装置不必通过液晶分子的扭转来控制光路，而直接通过液晶材料折射率随电场变化来控制光路。对于蓝相液晶来说，折射率的改变是通过克尔效应，通过电场诱导电场方向上的液晶分子织构发生改变，响应速度为几百个微秒量级，因此液晶光衰减装置的响应速度非常快。蓝相液晶分子的取向不需要涂敷取向层材料，也不需要摩擦取向的工序，不存在铁电液晶取向不均匀等液晶材料自身缺陷带来器件缺陷问题，并且还可以应用于特定波长(例如激光)光衰减控制。

该蓝相液晶光衰减装置，是针对于单一波长的相干光，并且是偏振光进行调制的器件，具有偏振依赖性。该单一波长的相干光源一般是激光器，该蓝相液晶光衰减装置特别适合于长波长的激光器的通断控制，激光器光衰减装置一般置于激光器谐振腔的外部，光衰减装置可以通过精密计算机程序控制，因此激光光束在工业生产中可以实现激光打标，激光焊接，激光切割等应用。而且如果采用的激光器的光学谐振腔内部有偏光转换装置，或者使光束以布儒斯特角出射，即以线偏振的激光出射，则不需要在蓝相液晶光衰减装置的光束入射面设置偏光片，但这样需要精确的控制入射偏振光束的偏振方向，从而直接对入射光束进行调制。

附图说明

通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1为实施例一中处于开态的液晶光衰减装置的结构示意图；

图2为实施例一中处于关态的液晶光衰减装置的结构示意图；

图3为实施例二中液晶光衰减装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示装置结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

以下结合附图详细说明本发明提供的液晶光衰减装置的优选实施例。其中，术语“第一”、“第二”等用来限定各种部件、器件、区和层等部分，但这样的属于仅用于将部件、器件、区和层区别于其他的部件、器件、区和层，因此，下文提到的第一基板、第一公共电极、第一控制电极也可以采用第二基板、第二公共电极、第二控制电极来描述，并无本质技术差别。

表述空间位置关系的术语，例如“上”、“上面”、“上方”、“下”、“下面”、“下方”等，仅表示特定实施例及附图中各个部件的位置关系，但并不限制于此，当图中装置的取向改变时，例如，如果附图中装置被颠倒，则“上方”、变为“下方”，而实际的空间位置关系并未发生改变。

实施例一

图1和图2为本实施例中液晶光衰减装置的结构示意图。其中，图1表示液晶光衰减装置处于开态，图2表示液晶光衰减装置处于关态。为突出本发明的特点，附图中没有给出与本发明的发明点必然直接相关的部分，例如，框胶、间隔物等。

参照图1-2所示，液晶光衰减装置包括：

相对设置的第一基板10和第二基板20；

封闭在所述第一基板10和第二基板20之间的液晶层30，所述液晶层30具有受电场作用将各向同性折射率转换为各向异性折射率的特性；

第一反射层11，位于所述第一基板10朝向液晶层30的一面；

第二反射层21，位于所述第二基板20朝向液晶层30的一面；

第一控制电极12和第一公共电极13，位于所述第一反射层11朝向液晶层30的一面，并且，所述第一公共电极13与第一控制电极12在所述第一反射层11的表面交替间隔排列；

第二控制电极22和第二公共电极23，位于所述第二反射层21朝向液晶层30的一面，并且，所述第二公共电极23与第二控制电极22在所述第二反射层21表面交替间隔排列，

其中，所述第二控制电极22与第一控制电极12相对，所述第二公共电极23与第一公共电极13相对。

具体的，本实施例中所述第一基板10和/或第二基板20为透明材料，例如为石英玻璃。

所述液晶层30为蓝相液晶。在电场作用下蓝相液晶的各向同性折射率转换为各向异性折射率，其各向异性折射率与施加到其上的电场的平方成比例变化。

所述第一反射层11和第二反射层21由多层光学薄膜叠加而成，所述多层光学薄膜的层数为奇数。在本实施例中，参照图1所示，所述第一反射层11包括三层依次交替叠加的高折射率薄膜层11H和低折射率薄膜层11L，第二反射层21包括三层依次交替叠加的高折射率薄膜层21H和低折射率薄膜层21L。优选的，所述第一反射层11和第二反射层21的膜系结构相同，最靠近液晶层30的是高折射率薄膜层。所述多层光学薄膜中每一薄膜层的光学厚度均为入射光波长的四分之一。

以H代表高折射率薄膜层，L代表低折射率薄膜层，每一层薄膜的光学厚度为四分之一入射光波长。本实施例第一反射层11和第二反射层21的膜系排列顺序为：HLH。其中，高折射率薄膜层H的材料例如是TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂、ZrO₂等，低折射率薄膜层的材料例如是SiO₂或MgF₂等。多层光学薄膜的膜系制备可以采用例如电子束蒸发法或化学气相沉积法等方法制备。本文所说的“高”、“低”折射率是相对而言的，并没有限定绝对值。

第一基板10靠近液晶层30的一面的第一控制电极12和第一公共电极13，以及，第二基板20靠近液晶层30的一面的第二控制电极22和第二公共电极23组成了所谓的双边面内切换(In-Plane Switching，IPS)电极。

本实施例中，第一控制电极12与所述第一公共电极13为相互平行的条状电极；第二控制电极22和第二公共电极23也为相互平行的条状电极，并且，所述第二控制电极22与第一控制电极12位置相对应，形状和尺寸也相近；所述第二公共电极23与第一公共电极13位置相对应，形状和尺寸也相近。

所述第一公共电极13和第二公共电极23施加第一电压，所述第一控制电极12和第二控制电极22施加第二电压，所述第一电压和第二电压之间存在电压差，以在液晶层内形成平行于第一基板10或第二基板20方向的电场。本实施例中，所述第一电压为直流电压，所述第二电压为交流电压。

于是，在所述电压差的作用下，第一控制电极12与所述第一公共电极13产生了电场强度可调节的平行于第一基板10方向的水平电场E1，第二控制电极22和第二公共电极23之间也产生了电场强度可调节的平行于第二基板20的水平电场E2。

采用这种双边IPS电极，可以使得作用于液晶层30的水平电场E1、E2更加均匀，并且第一控制电极12和第二控制电极22的光衰减控制电位始终相同，则它们之间的垂直电场可以相互抵消；所述第一公共电极13和第二公共电极23的直流电压信号相同，则它们之间的垂直电场也可以相互抵消，从而使得作用于液晶层30的是均匀的水平电场E1、E2。

可选的，当入射光为非偏振光时，位于第一基板10背离液晶层30的一面还具有偏光片15，使得进入液晶光衰减装置的非偏振光转换为线偏振光，并且偏光片的吸收轴平行于条形电极的方向，即和电极间形成的水平电场垂直。入射光从第一基板的外侧入射。若入射光即为线偏振光时，则无需设置此偏光片，但入射光的偏振方向应和设置偏光片时的偏振方向相同。

本实施例的液晶光衰减装置的工作原理如下：

当液晶光衰减装置处于开态时，即允许光的透过时，参照图1所示，液晶光衰减装置的第一公共电极13、第二公共电极23、第一控制电极12和第二控制电极22均不施加任何电压信号，此时的液晶层30处在没有任何电场的环境下，其中的蓝相液晶为各向同性状态，偏光片15的吸收轴沿着条形电极的方向，垂直入射的入射光λ经过偏光片15之后，其偏振方向与条形电极方向垂直，即是与液晶盒内部水平电场E1、E2的方向平行的线偏振光。

所述线偏振光在第一反射层11和第二反射层12的表面形成多次反射，当相邻两束透射光的光程差Δ满足Δ＝2nd＝mλ(m＝1，2，3...)时，其中，n为蓝相液晶在不加电场情况下的折射率，d为液晶盒的厚度，λ为入射单色光源的波长，此时相邻两束透射波相位差δ＝2πΔ/λ＝2πm(m＝1，2，3...)，其中，m为整数，换言之，当相位差为2π的整数倍时，穿过液晶盒的透射光束形成多光束干涉的加强的干涉效应，如果忽略所有介质的吸收，此时透射光强与入射光强相等，即入射光λ全部透过所述液晶光衰减装置而出射，此时为光衰减装置的开态。

当液晶光衰减装置处于关态时，即不允许光的透过或部分允许光的透过时，参照图2所示，液晶光衰减装置的第一控制电极12和第二控制电极22施加相同的电压，而第一公共电极13和第二公共电极23的处于较低的等电位，于是，第一控制电极12与第一公共电极13之间、第二控制电极22与第二公共电极23之间均在液晶层30内形成比较均匀的水平电场E1、E2，蓝相液晶沿着水平电场方向的折射率n_E会因受电场作用而发生变化，而在垂直于电场方向的折射率得到保持。

当蓝相液晶在水平方向的折射率n_E发生变化之后，相邻两束透射光束之间的光程差Δ＝2n_Ed＝2(n+Δn)d≠mλ(m＝1，2，3...)，其中n_E＝n+Δn，n_E为蓝相液晶在水平电场方向的折射率，可见，相邻两束光束的相位差不再是2π，偏离的程度决定于所施加的水平电场E1、E2的电场强度的大小，干涉不再是干涉加强的效果，而是相互抵消，这样入射光λ就不会透过光衰减装置或部分透过光衰减装置，此时为光衰减装置的关态。

蓝相液晶折射率的变化Δn与水平方向电场E的关系为：Δn(λ)＝λkE²

其中，k为蓝相液晶材料的克尔系数，用来表示液晶材料受电场作用将各向同性折射率转换为各向异性折射率的特性，E为所施加的水平电场的电场强度。由此可以看出，由于电场的影响引起蓝相液晶折射率的变化的光学效应被称为Kerr效应(克尔效应)，针对不同的蓝相液晶材料，其克尔系数越大，相同电场强度引起的折射率的变化就越大。

本实施例中，可以采用例如CO₂激光器作为光源，则入射光的波长为10.6um，根据此特定波长，第一反射层和第二反射层的三层光学薄膜的厚度分别按照公式nd＝λ/4来确定，即每层膜的光学厚度为四分之一入射光波长，于是，可以根据光源的波长及各膜层材料的折射率从而确定其厚度。

如上所述，本实施例中的液晶光衰减装置利用液晶的克尔效应，即是场致双折射效应，通过多光束干涉的方式来实现对入射光透射或截止的控制。对于蓝相液晶而言，在没有电场的情况下，蓝相液晶折射率为各向同性，宏观上蓝相液晶为各向同性介质。入射光在蓝相液晶两侧的反射层多次反射后，每相邻两束出射光束之间的光程差为入射波长的整数倍，光束之间产生相互加强的干涉效应，于是形成光强与入射光基本相等的透射光。而在水平电场的作用下，蓝相液晶处于水平电场方向的折射率按电场强度的平方成比例增加，而垂直于电场方向的折射率不发生改变，则在电场的作用下，蓝相液晶分子为具有双折射效应的各向异性液晶，每相邻两束出射光束之间的光程差偏离了波长的整数倍，光束由相互加强转变为相互抵消，入射光就被截止。由于蓝相液晶的折射率取决于施加到蓝相液晶的电场大小，所以通过对液晶盒内双边IPS电极施加适当的电压即可控制对蓝相液晶作用的水平电场，从而控制液晶光衰减装置的开关状态。

相对于传统的TN型液晶光衰减装置，所述液晶光衰减装置不必通过液晶分子的扭转来控制光路，而直接通过液晶材料折射率随电场变化来控制光路。对于蓝相液晶来说，折射率的改变是通过克尔效应，通过电场诱导电场方向上的液晶分子织构发生改变，响应速度为几百个微秒量级，采用蓝相液晶的液晶光衰减装置的响应速度非常快。另外，蓝相液晶分子的取向不需要涂敷取向层材料，也不需要摩擦取向的工序，不存在铁电液晶取向不均匀等液晶材料自身缺陷带来器件缺陷问题，并且还可以应用于特定波长(例如激光)光衰减控制。

本实施例中，第一反射层和第二反射层均为由高折射率材料层和低折射率材料层交替沉积而形成的多层光学薄膜，其最外层都是由高折射率材料构成的薄膜层且都为奇数层，所述多层光学薄膜的膜系反射率的计算公式为：

$R={\left(\frac{n_E-\frac{{\mathrm{\η}}_S\×{\mathrm{\η}}_L^{N-1}}{{{\mathrm{\η}}_H}^{N+1}}}{n_E+\frac{{\mathrm{\η}}_S\×{\mathrm{\η}}_L^{N-1}}{{{\mathrm{\η}}_H}^{N+1}}}\right)}^2$

其中，R代表膜系反射率，n_E代表蓝相液晶在垂直于条形电极方向(即平行于水平电场E1、E2方向)的折射率，η_S代表第一或第二基板的折射率，η_L代表低折射率材料的折射率，η_H代表高折射率材料的折射率，N代表膜系的层数，并且N为大于1的奇数，本实施例中反射层的层数N＝3。

由上述膜系反射率的计算公式可知，若要提高反射率R，可以设计更多层的膜系结构，膜系的层数N越大，其整体的反射率R越大。

所述液晶光衰减装置的消光比C计算公式为：

$C=I_0/\frac{I_0}{1+\frac{4R{\sin }^2\mathrm{\π}(n_E/n)}{{(1-R)}^2}}=1+\frac{4R{\sin }^2\mathrm{\π}(n_E/n)}{{(1-R)}^2}$

其中，C为液晶光衰减装置的消光比，或称对比度。I₀为液晶光衰减装置工作在开态时候的透射光的光强(在忽略介质吸收的情况下，I₀也为入射光的光强)，为液晶光衰减装置工作在关态时候的透射光光强，其中R为由多层膜系构成的反射层的反射率，n_E为蓝相液晶在水平电场方向的折射率，n为蓝相液晶在没有任何电场的情况下的折射率。

以上可知，提高膜系反射率R就可以提高液晶光衰减装置的消光比C，消光比越大C也即对比度越大，则液晶光衰减装置具有更好的关态。

若本实施例中第一和第二基板均采用石英玻璃，即η_S为1.5，第一和第二反射层的高折射率薄膜层采用TiO₂，即η_H为2.385，低折射率薄膜层采用SiO₂，即η_L为1.46，例如蓝相液晶的折射率n为1.5，施加电场后n_E为1.8，多层膜系的层数N为3，把这些参数代入所述膜系反射率公式，可得此三层膜系的反射率为：

$R={\left(\frac{\mathrm{\η}-\frac{{\mathrm{\η}}_S\×{\mathrm{\η}}_L^2}{{{\mathrm{\η}}_H}^4}}{\mathrm{\η}+\frac{{\mathrm{\η}}_S\×{\mathrm{\η}}_L^2}{{{\mathrm{\η}}_H}^4}}\right)}^2=80\%$

再把R为80％，蓝相液晶的折射率n为1.5，施加电场后n_E为1.8代入消光比公式，得到消光比C为：

$C=I_0/\frac{I_0}{1+\frac{4R{\sin }^2\mathrm{\π}(n_E/n)}{{(1-R)}^2}}=1+\frac{4R{\sin }^2\mathrm{\π}(n_E/n)}{{(1-R)}^2}=29$

即本实施例中液晶光衰减装置的消光比为29∶1。

因为膜系的层数N越多，其反射率R越大，因此，要提高光的反射率R，从而提高液晶光衰减装置的消光比C，可以采用类似结构的更多层的膜系，均采用高折射率材料和低折射率材料的交替沉积结构。例如采用五层膜系或更多层的膜系，采用五层膜系的结构如下实施例二所示。

实施例二

图3为本实施例中液晶光衰减装置的结构示意图。图中示出开态和关态的转换过程。

如图3所示，本实施例与实施例一的不同之处在于，第一反射层11’和第二反射层21’包括结构相同的的五层光学薄膜组成的膜系，该五层膜系由高折射率薄膜层和低折射率薄膜层交替相间叠加排列，以H代表高折射率薄膜层，L代表低折射率薄膜层，本实施例的膜系的排列顺序为：HLHLH。第一基板10’上的五层薄膜HLHLH和第二基板20’上的五层膜HLHLH共同构成本实施例的反射膜。其中，高折射率材料层H的材料可以是TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂、ZrO₂等，低折射率材料层L的材料可以是SiO₂或MgF₂等。本实施例与实施例一的相同之处不再赘述，

若本实施例中第一基板10’和第二基板20’同样采用石英玻璃，即η_S为1.5，第一反射层11’和第二反射层21’的高折射率薄膜层同样采用TiO₂，即η_H为2.385，低折射率薄膜层同样采用SiO₂，即η_L为1.46，例如蓝相液晶的折射率n为1.5，施加电场后n_E为1.8，多层膜系的层数N为5，把这些参数分别代入反射率和消光比公式，具体计算过程参照实施例一，结果为：反射率R为95.9717％，消光比C为825∶1。可见，采用本实施例的五层膜系，相比于实施例一的三层膜系，其可进一步提高光的反射率及对比度。

以上可知，要提高光的反射率从而提高光衰减装置的消光比，可以采用类似结构的更多层的膜系，均采用高折射率材料和低折射率材料的交替沉积结构，在此不再一一列举。

当然本发明不限于采用多层膜系的反射层，在其他实施例中，所述第一和/或第二反射层也可以为单层、双层或采用普通材料而形成，但相比之下，采用与高低折射率材料交替沉积而形成的多层膜系结构的反射层具有更高的反射率。所述液晶层也不限于蓝相液晶，其他具有克尔效应，受电场作用将各向同性折射率转换为各向异性折射率的特性的液晶材料均适用于本发明。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1、一种液晶光衰减装置，其特征在于，包括：

相对设置的第一基板和第二基板；

封闭在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述液晶层具有受电场作用由各向同性折射率转换为各向异性折射率的特性；

第一反射层，位于所述第一基板朝向液晶层的一面；

第二反射层，位于所述第二基板朝向液晶层的一面；

第一公共电极和第一控制电极，位于所述第一反射层朝向液晶层的一面，并且，所述第一公共电极与第一控制电极交替间隔排列；

第二公共电极和第二控制电极，位于所述第二反射层朝向液晶层的一面，并且，所述第二公共电极与第二控制电极交替间隔排列；其中，所述第二控制电极与第一控制电极相对，所述第二公共电极与第一公共电极相对。

2、根据权利要求1所述的液晶光衰减装置，其特征在于，所述第一反射层和/或第二反射层由多层光学薄膜叠加而成。

3、根据权利要求2所述的液晶光衰减装置，其特征在于，所述多层光学薄膜包括交替叠加的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层。

4、根据权利要求3所述的液晶光衰减装置，其特征在于，所述高折射率薄膜层最靠近所述液晶层，所述多层光学薄膜的层数为奇数。

5、根据权利要求2所述的液晶光衰减装置，其特征在于，所述第一反射层和第二反射层的膜系结构相同。

6、根据权利要求2所述的液晶光衰减装置，其特征在于，所述多层光学薄膜中每一薄膜层的光学厚度为入射光波长的四分之一。

7、根据权利要求1所述的液晶光衰减装置，其特征在于，所述第一公共电极和第二公共电极施加第一电压信号，所述第一控制电极和第二控制电极施加第二电压信号，所述第一电压信号和第二电压信号之间存在电压差，以形成平行于第一基板或第二基板方向的电场。

8、根据权利要求7所述的液晶光衰减装置，其特征在于，所述第一电压信号为直流电压，所述第二电压信号为交流电压。

9、根据权利要求1至8任一项所述的液晶光衰减装置，其特征在于，所述第一公共电极、第二公共电极、第一控制电极和第二控制电极组成双边面内切换电极。

10、根据权利要求1至8任一项所述的液晶光衰减装置，其特征在于，所述液晶层包括蓝相液晶。

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