CN101655776B

CN101655776B - 闪存卡管理系统及方法

Info

Publication number: CN101655776B
Application number: CN2008101458882A
Authority: CN
Inventors: 陈明航; 陈西发
Original assignee: Netac Technology Co Ltd
Current assignee: Netac Technology Co Ltd
Priority date: 2008-08-18
Filing date: 2008-08-18
Publication date: 2012-11-28
Anticipated expiration: 2028-08-18
Also published as: HK1141605A1; CN101655776A

Abstract

本发明公开了一种闪存卡管理系统，包括配置参数存储单元，存储闪存卡的读写配置参数；信息处理单元分别与配置参数存储单元、闪存卡连接，提取配置参数存储单元所存储的闪存卡的读写配置参数，对闪存卡进行读写类型配置，依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写。本发明还公开了一种闪存卡管理方法包括步骤：步骤S1、根据闪存卡的读写配置参数对闪存卡进行读写类型配置；步骤S2、对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写。本发明大大提高了闪存卡的读写速度或安全性。

Description

闪存卡管理系统及方法

技术领域

本发明属于半导体存储领域，特别涉及一种闪存卡管理系统及方法。

背景技术

随着电子技术的不断发展，手持或者便携设备(如笔记本电脑、个人数字助理、数码相机)对数据存储设备的速度要求也越来越快，对数据的可靠性要求也有所提高。而现有的手持或者便携设备通常使用单个闪存卡作为数据存储设备，但是单个的闪存卡的读写速度或安全性能往往无法满足高端手持或者便携设备的要求。

独立磁盘冗余阵列(Redundant Array of Independent Disks，RAID)技术经过不断的发展，现在已拥有了从RAID0到RAID6七种基本的RAID级别。另外，还有一些基本RAID级别的组合形式，如RAID0与RAID1的组合，RAID3与RAID5的组合等。RAID技术已经被广泛应用在硬盘上，大大提高了硬盘的读写速度或安全性。现有技术中，将RAID技术应用到闪存卡尚没有成熟的技术。如果能将RAID技术应用在闪存卡上，将解决闪存卡的读写速度或安全性的问题。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种提高闪存卡读写速度或安全性的闪存卡管理系统及方法。

本发明提供了一种闪存卡管理系统，包括至少一闪存卡、配置参数存储单元及存储闪存卡的读写配置参数；信息处理单元分别与配置参数存储单元、闪存卡连接，提取配置参数存储单元所存储的闪存卡的读写配置参数，对闪存卡进行读写类型配置，依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写。

所述闪存卡管理系统还包括闪存卡控制单元，分别与闪存卡、信息处理单元连接，根据信息处理单元的指令对闪存卡进行读写。

缓存单元，与信息处理单元连接，对闪存卡读写的数据。

所述配置参数存储单元存储的闪存卡的读写配置参数包括闪存卡的读写类型、个数及容量。

所述闪存卡的读写类型包括独立冗余磁盘阵列级别0、独立冗余磁盘阵列级别1、独立冗余磁盘阵列级别2、独立冗余磁盘阵列级别3、独立冗余磁盘阵列级别4、独立冗余磁盘阵列级别5、独立冗余磁盘阵列级别6、独立冗余磁盘阵列级别0和独立冗余磁盘阵列级别1的组合或独立冗余磁盘阵列级别3和独立冗余磁盘阵列级别5的组合。

本发明还提供一种闪存卡管理方法，包括步骤：

步骤S1、根据闪存卡的读写配置参数对闪存卡进行读写类型配置；

步骤S2、对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写。

所述步骤S1之前还包括：

对闪存卡的读写配置参数进行存储。

所述步骤S1包括：

步骤S11、提取所存储的闪存卡的读写配置参数；

步骤S12、将闪存卡的读写配置参数写入到闪存卡，完成对闪存卡的读写类型配置。

所述步骤S2包括：

步骤S21、识别闪存卡的读写类型；

步骤S22、依据读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写。

所述闪存卡的读写配置参数包括闪存卡的读写类型、个数及容量。

本发明通过闪存卡管理系统及方法对闪存卡进行读写类型配置，依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写，大大提高了闪存卡的读写速度。另外，经过读写类型配置的闪存卡可具备数据冗余的功能，使的用户数据一旦发生损坏后，利用冗余信息可以使损坏数据得以恢复，从而保障了用户数据的安全性。

附图说明

图1是本发明的一个实施例中闪存卡管理系统的结构框图；

图2是本发明的又一实施例中闪存卡管理系统的结构框图；

图3是本发明的一个实施例中闪存卡管理方法的流程示意图；

图4是本发明的一个实施例中对闪存卡进行读写类型配置的流程示意图；

图5是本发明的一个实施例中对已进行读写类型配置的闪存进行读写的流程示意图。

本发明目的、功能及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

本发明实施例提供的闪存卡管理系统及方法对闪存卡进行读写类型配置，依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写，大大提高了闪存卡的读写速度。另外，经过读写类型配置的闪存卡具备数据冗余的功能，使的用户数据一旦发生损坏后，利用冗余信息可以使损坏数据得以恢复，从而保障了用户数据的安全性。

图1示出了本发明一实施例的闪存卡管理系统，包括配置参数存储单元10、信息处理单元20及至少一闪存卡30；所述配置参数存储单元10，存储闪存卡30的读写配置参数；所述信息处理单元20分别与配置参数存储单元10、闪存卡30连接，提取配置参数存储单元10所存储的闪存卡30的读写配置参数，对闪存卡30进行读写类型配置，依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡30进行读写。

图2示出了本发明又一实施例的闪存卡管理系统，包括配置参数存储单元10、信息处理单元20、至少一闪存卡30、闪存卡控制单元40、闪存卡接口50及缓存单元60。

所述配置参数存储单元10，存储闪存卡30的闪存卡的读写配置参数，其中，闪存卡的读写配置参数是用户根据需要，事先通过上位机(例如，单片机和计算机)通过私有SCSI(Small Computer System Interface，小型计算机系统接口)命令写入到配置参数存储单元10。在一实施例中，所述闪存卡的读写配置参数包括闪存卡的读写类型、闪存卡的个数及闪存卡的容量。其中，所述闪存卡的读写类型包括独立冗余磁盘阵列级别0(RAID0)、独立冗余磁盘阵列级别1(RAID1)、独立冗余磁盘阵列级别2(RAID2)、独立冗余磁盘阵列级别3(RAID3)、独立冗余磁盘阵列级别4(RAID4)、独立冗余磁盘阵列级别5(RAID5)、独立冗余磁盘阵列级别6(RAID6)、独立冗余磁盘阵列级别0(RAID0)和独立冗余磁盘阵列级别1(RAID1)的组合或独立冗余磁盘阵列级别3(RAID3)和独立冗余磁盘阵列级别5(RAID5)的组合。

所述信息处理单元20分别与配置参数存储单元10、闪存卡控制单元40连接，提取配置参数存储单元10所存储的闪存卡30的读写配置参数，将所述闪存卡30的读写配置参数通过闪存卡控制单元40写入到闪存卡30中，完成对闪存卡30的读写配置。在一实施例中，闪存卡控制单元40通过闪存卡接口50将闪存卡30的读写配置参数写入到闪存卡30中。所述信息处理单元20还与主芯片70连接，接收主芯片70的读写命令，依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡30进行读写。其中，读写类型在前面已经做了说明，此处不在赘述。其中，主芯片70包括计算机的南桥芯片、嵌入式系统的主芯片等。

所述缓存单元60与信息处理单元20连接，在主芯片70通过信息处理单元20向闪存卡30写数据时，若闪存卡30写数据比较忙，则可将数据先存储在缓存单元60上面，待闪存卡30空闲的时候再写入；另外，在主芯片70通过信息处理单元20读取闪存卡30的数据时，信息处理单元20首先将数据从闪存卡30取出，然后将数据放到缓存单元60中以供主芯片70读取。

如图3所示，为本发明一实施例的闪存卡管理方法的流程，包括以下步骤：

步骤S1、根据闪存卡30的读写配置参数对闪存卡30进行读写类型配置；

步骤S2、对已进行读写类型配置的闪存卡30进行读写。

其中，所述步骤S1之前还包括对闪存卡30的读写配置参数进行存储。

为了更好对图3所示实施例进行说明，图4示出了本发明一实施例对闪存卡30进行读写类型配置的流程，包括步骤：

步骤S11、提取闪存卡30的读写配置参数；

步骤S12、将闪存卡30的读写配置参数写入到闪存卡30，完成对闪存卡30的读写类型配置。

以上步骤可由图1或图2所示的配置参数存储单元10配合信息处理单元20实现。信息处理单元20提取配置参数存储单元10存储的闪存卡30的读写配置参数。信息处理单元20将提取的闪存卡30的读写配置参数写入到闪存卡30，完成对闪存卡30的读写类型配置。

在一实施例中，所述闪存卡30的读写配置参数包括闪存卡30的读写类型和闪存卡30的属性。所述闪存卡的读写类型包括独立冗余磁盘阵列级别0(RAID0)、独立冗余磁盘阵列级别1(RAID1)、独立冗余磁盘阵列级别2(RAID2)、独立冗余磁盘阵列级别3(RAID3)、独立冗余磁盘阵列级别4(RAID4)、独立冗余磁盘阵列级别5(RAID5)、独立冗余磁盘阵列级别6(RAID6)、独立冗余磁盘阵列级别0(RAID0)和独立冗余磁盘阵列级别1(RAID1)的组合或独立冗余磁盘阵列级别3(RAID3)和独立冗余磁盘阵列级别5(RAID5)的组合。

为了更好对图3所示实施例进行说明，图5示出了本发明一实施例对已进行读写类型配置的闪存卡30进行读写的流程，包括步骤：

步骤S21、识别闪存卡30的读写类型；

步骤S22、依据读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡30进行读写。

以上步骤可由图1或图2所示的信息处理单元20实现。信息处理单元20读取闪存卡30的读写类型，识别闪存卡30的读写类型；信息处理单元20依据读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡30进行读写。其中，读写类型在前面已经做了说明，此处不在赘述。

在一实施例中，为很好的提高闪存卡30的数据读写速度，可以对两个闪存卡30进行RAID0配置。上位机将含RAID0的闪存卡的读写配置参数写到配置参数存储单元10保存，信息处理单元20将含RAID0类型的闪存卡的读写配置参数通过闪存卡控制单元40写到闪存卡30上，完成对闪存卡30的RAID0配置。

信息处理单元20对闪存卡30以RAID0写的过程是：信息处理单元20把主芯片70要写入闪存卡30的数据拆分后，通过闪存卡控制单元40分别写到两个闪存卡30上，而不是只写到一个闪存卡30上。信息处理单元20通常根据RAID0将主芯片70要写入闪存卡30的数据进行拆分，以“段”(Segment)为单位分别写入两个闪存卡30上，例如，数据段1写入一闪存卡30上，数据段2写入另一闪存卡30上。若闪存卡30比较忙，则可将数据段先存储在缓存单元60上，待闪存卡30空闲的时候再将缓存单元60所存储的数据段写入闪存卡30。

信息处理单元20对闪存卡30以RAID0读的过程是：信息处理单元20将同时从两个闪存卡30读出的数据段然后放在缓存单元中，再对数据段进行合并处理，从而读出完整的数据。

在一实施例中，为很好的保证闪存卡30的数据安全性，可以对三个或三个以上的闪存卡30进行RAID5配置。上位机将含RAID5的闪存卡的读写配置参数写到配置参数存储单元10保存，信息处理单元20将含RAID5类型的闪存卡的读写配置参数通过闪存卡控制单元40写到闪存卡30上，完成对闪存卡30的RAID5配置。

信息处理单元20把数据段和校验信息段分别写入三个或三个以上闪存卡30中，将数据段的校验信息段交互存放于各个闪存卡30。信息处理单元20可以同时对两个闪存卡30进行读操作或者写操作。采用已进行RAID5配置的闪存卡30，在其中任意一个闪存卡30出错时候，通过剩余的闪存卡30上的数据和校验信息段可以恢复出错闪存卡30上的数据，从而有效的保证了数据的安全性。

上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种闪存卡管理系统，包括至少两个闪存卡，其特征在于，还包括：

配置参数存储单元，存储闪存卡的读写配置参数；

信息处理单元分别与配置参数存储单元、闪存卡连接，提取配置参数存储单元所存储的闪存卡的读写配置参数，对闪存卡进行读写类型配置，依读写类型对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写；

其中，所述读写类型包括独立冗余磁盘阵列级别0、独立冗余磁盘阵列级别1、独立冗余磁盘阵列级别2、独立冗余磁盘阵列级别3、独立冗余磁盘阵列级别4、独立冗余磁盘阵列级别5、独立冗余磁盘阵列级别6、独立冗余磁盘阵列级别0和独立冗余磁盘阵列级别1的组合或独立冗余磁盘阵列级别3和独立冗余磁盘阵列级别5的组合。

2.根据权利要求1所述的闪存卡管理系统，其特征在于，还包括：

闪存卡控制单元，分别与闪存卡、信息处理单元连接，根据信息处理单元的指令对闪存卡进行读写。

3.根据权利要求1所述的闪存卡管理系统，其特征在于，还包括：

缓存单元，与信息处理单元连接，对闪存卡进行数据读写。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的闪存卡管理系统，其特征在于：

所述配置参数存储单元存储的闪存卡的读写配置参数还包括闪存卡的个数及容量。

5.一种闪存卡管理方法，其特征在于，包括步骤：

步骤S2、对已进行读写类型配置的闪存卡进行读写；

6.根据权利要求5所述闪存卡管理方法，其特征在于，所述步骤S1之前还包括：

对闪存卡的读写配置参数进行存储。

7.根据权利要求6所述的闪存卡管理方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11、提取所存储的闪存卡的读写配置参数；

8.根据权利要求5所述的闪存卡管理方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21、识别闪存卡的读写类型；

9.根据权利要求5至8中任一项所述的闪存卡管理方法，其特征在于：

所述闪存卡的读写配置参数还包括闪存卡的个数及容量。