CN101598747A - 电流侦测电路 - Google Patents

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CN101598747A CNA2008101276742A CN200810127674A CN101598747A CN 101598747 A CN101598747 A CN 101598747A CN A2008101276742 A CNA2008101276742 A CN A2008101276742A CN 200810127674 A CN200810127674 A CN 200810127674A CN 101598747 A CN101598747 A CN 101598747A
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杨能贞
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GUANGPENG TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

一种电流侦测电路，耦接于一电流放大器，其包含有：一功率电晶体(Power MOS)，一开关以及一投切电阻(switching resistor)。上述投切电阻之阻值大约数K欧姆到数十K欧姆。上述功率电晶体可输出一大电流。上述开关可决定侦测期间(sensing period)。上述功率电晶体具有一低导通电阻(low on－resistance)特性，而可不需要一侦测电阻(sensing resistor)。上述开关导通时，上述投切电阻可侦测一电压降。上述电流放大器可放大器上述测得之电压。上述投切电阻之阻值精确度可相对地较低。

Description

电流侦测电路
技术领域
本发明系相关于一种电流侦测技术，尤指一种容易在一积体电路制作之电流侦测电路。
背景技术
目前侦测功率电晶体(Power MOS)电流的方法是侦测电晶体串联一侦测电阻。请参考第1图，第1图为先前技术一传统电流侦测电路之示意图。两个电晶体以并联方式耦接。电晶体12为功率电晶体，电晶体14为侦测电晶体。功率电晶体12以及侦测电晶体14以相同制程制作于相同基板，特性应该相同。功率电晶体12的电流I1与远大于侦测电晶体14的电流I2有一比例，功率电晶体12的电流I1远大于侦测电晶体14的电流I2。侦测电阻Rs将电流转成电压。侦测电阻Rs之压降侦测功率电晶体12的电流I1。
侦测电阻Rs之压降侦测功率电晶体12的电流I1。然而，在积体电路制作侦测电阻Rs，很难不使用大面积，而正确无误地控制数十欧姆到数百欧姆之低阻值。
发明内容
本发明之主要目的之一在于揭露一种电流侦测电路，可以解决先前技术中不易在积体电路制作侦测电阻Rs的问题。
本发明系提供一种电流侦测电路，耦接于一电流放大器，其包含有：
一功率电晶体(Power MOS)，用于输出一大电流；
一开关，用于决定一侦测期间(sensing period)；以及
一投切电阻(switching resistor)，阻值大约数K欧姆到数十K欧姆；
其中上述功率电晶体具有一低导通电阻(Iow on-resistance)特性，而可不需要一侦测电阻(sensing resistor)；上述开关导通时，上述投切电阻测得一电压降。
于一实施例中，上述测得之电压由上述电流放大器放大。上述投切电阻之阻值精确度可相对地较低。
附图说明
第1图为先前技术一传统电流侦测电路之示意图。
第2图为根据本发明之一第一实施例中一电流侦测电路之示意图。
主要元件符号说明
Vdd端    供应端
Rs       侦测电阻
10       电流放大器
12       功率电晶体
14       侦测电晶体
20       电流放大器
22       功率电晶体
24       开关
26       投切电阻
具体实施方式
请参考第2图，第2图为根据本发明之一第一实施例中一电流侦测电路之示意图。上述电流侦测电路，耦接于一电流放大器，其包含有：一功率电晶体22，一开关24；以及一投切电阻26。
上述功率电晶体22具有一低导通汲极至源极电阻，此特性可用来代替一侦测电阻。上述功率电晶体22可输出一大电流。上述投切电阻26可为一大电阻，阻值大约数K欧姆到数十K欧姆。上述开关24用于决定一侦测期间。上述开关24导通时，上述投切电阻26测得VDD端及SW端间之电压降。上述测得之电压由上述电流放大器20放大。
上述投切电阻26可用阻值精确度较低之电阻，因而第2图之电流侦测电路容易在一积体电路制作。
本发明可容易地制作电流侦测电路，因此，先前技术中很难正确无误地控制低阻值的问题造成的缺失，能彻底解决。
以上所述仅为本发明之较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做之均等变化与修饰，皆应属本发明之涵盖范围。

Claims (3)

1.一种电流侦测电路，耦接于一电流放大器，其包含有：
一功率电晶体(Power MOS)，用于输出一大电流；
一开关，用于决定一侦测期间(sensing period)；以及
一投切电阻(switching resistor)，阻值大约数K欧姆到数十K欧姆；
其中上述功率电晶体具有一低导通电阻(low on-resistance)特性，而可不需要一侦测电阻(sensing resistor)；上述开关导通时，上述投切电阻测得一电压降。
2.如权利要求1所述之电流侦测电路，其中上述测得之电压由上述电流放大器放大。
3.如权利要求1所述之电流侦测电路，其中上述投切电阻之阻值精确度可相对地较低。
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Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20091209