CN101586914A - 多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及多晶硅的生产设备,具体是一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。该多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚、位于坩埚外侧的护板、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板、位于石墨底板下方的塞条组合、位于塞条组合下方的底板组合、位于底板组合下方的隔热板及位于隔热板下方的检测丝,所述石墨底板、塞条组合及底板组合的边缘设置有上、下贯通的溢流孔。本发明在传统设备的结构基础上,在石墨底板,塞条组合和底板组合上增加了溢流孔。如果发生漏硅可以在第一时间溢流到隔热板及检测丝上而被检测到,使工作人员能第一时间采取措施,避免更大的损失。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅的生产设备,具体是一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。
背景技术
多晶铸锭设备的中用来加热熔融硅原料的设备通常如附图1所示,包括有:坩埚1、位于坩埚外侧的护板2、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板3、位于石墨底板下方的塞条组合4、位于塞条组合下方的底板组合5、位于底板组合下方的隔热板6及位于隔热板下方的检测丝7。其工作过程中,如果发生漏硅,坩埚1中的硅液经过护板2和石墨底板3的间隙流出,沿塞条组合4和底板组合5的边缘往下淌,后经过隔热板6的溢流孔,最后掉落到漏硅检测丝7上,检测丝探测到漏硅后,由PLC发出报警信号,报警器报警提示操作工处理。从上面可以看出,如果发生漏硅,硅液首先会在坩埚护板2和坩埚1的间隙间积聚,即使有少量硅液从石墨底板3和护板2间的间隙溢出,也会被塞条组合4和底板组合5吸收,不能被检测系统第一时间检测到,因而会延误处理,造成设备较大的损失。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种能够及时检测到设备漏硅、减少设备损失的多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。
本发明的多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚、位于坩埚外侧的护板、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板、位于石墨底板下方的塞条组合、位于塞条组合下方的底板组合、位于底板组合下方的隔热板及位于隔热板下方的检测丝,其特征是:所述石墨底板、塞条组合及底板组合的边缘设置有上下贯通的溢流孔。
本发明在传统设备的结构基础上,在石墨底板,塞条组合和底板组合上增加了溢流孔。如果发生漏硅可以在第一时间溢流到隔热板及检测丝上而被检测到,使工作人员能第一时间采取措施,避免更大的损失。
附图说明
图1是本发明结构所应用的多晶硅铸锭设备的部件结构示意图;
图2是本发明结构中的石墨底板的结构示意图;
图3是本发明结构中的塞条组合的结构示意图;
图4是本发明结构中的底板组合的结构示意图。
具体实施方式
如图所示,该多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚1、位于坩埚外侧的护板2、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板3、位于石墨底板下方的塞条组合4、位于塞条组合下方的底板组合5、位于底板组合下方的隔热板6及位于隔热板下方的检测丝7,石墨底板3、塞条组合4及底板组合5的边缘设置有上下贯通的溢流孔8,该结构在工作过程中,当坩埚内的硅液发生泄漏时,硅液可以从溢流孔8迅速滴出而被检测丝检测到,以便采取相应措施,防止更大损失。
Claims (1)
1、一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构,其特征是:它包括有坩埚(1)、位于坩埚外侧的护板(2)、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板(3)、位于石墨底板下方的塞条组合(4)、位于塞条组合下方的底板组合(5)、位于底板组合下方的隔热板(6)及位于隔热板下方的检测丝(7),其特征是:所述石墨底板(3)、塞条组合(4)及底板组合(5)的边缘设置有上、下贯通的溢流孔(8)。
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CN106958040A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-07-18 | 连云港清友新能源科技有限公司 | 一种用于超大尺寸硅锭的漏硅判定方法 |
CN113403677A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-09-17 | 连城凯克斯科技有限公司 | 长晶炉 |
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2009
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20091125 |