CN101585113A - 一种激光精密加工单晶硅的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种激光精密加工单晶硅的方法,采用参数:激光器输出功率70W;激光频率1000Hz;脉冲宽度0.5ms;辅助气体氧压0.6MPa.扫描速度为20m/s切割的单晶硅片曲线平滑、切面没有毛刺、不挂渣等优点,而且切割速度快,完全符合应用要求。存在最佳的切割速度,也存在最佳的激光脉冲宽度和重复频率。本发明对单晶硅片的加工曲线平滑、切面没有毛刺、不挂渣等优点,而且切割速度快,完全符合精密加工的要求。
Description
技术领域
本发明涉及一种激光精密加工单晶硅的方法,单晶硅作为太阳能电池的主要原料,激光加工作为先进制造技术已广泛应用于汽车、电子、电器、航空、冶金、机械制造、军事等行业。通过优化输出功率、脉冲频率、脉冲宽度和辅助气压等参数,切割的单晶硅具有线条平滑、均匀、不挂渣等特点
背景技术
光纤激光具有光束质量好、转换效率高、运行成本低及体积小等优点,近年在激光打标、焊接、切割和微加工等方面得到广泛的应用。激光加工具有非接触、无工具磨损、速度快、精度高、自动化、无环境污染、加工范围广等优点。激光切割以切割范围广、速度高、切缝窄、质量好、热影响区小和加工柔性大等优点得到了极为广泛的应用,其成为激光加工中最为成熟的技术之一。利用激光切割单晶硅,具有高效率、高精度的特点,容易生产各种款式。获得最佳切割工艺参数。切割的单晶硅曲线平滑、无毛刺、不挂渣而且切割速度快,完全符合精密加工的要求。
发明内容
本发明的目的是一种激光精密加工单晶硅片板的方法,填补国内外空白。
采用光纤激光精密切割系统,在25mm厚的单晶硅片上进行了的切割。实验发现,切缝宽度随加工速度的增大而减小;随脉冲宽度和重复频率的增大而增大。在脉冲宽度和重复频率一定时,改变加工速度,意味着改变激光的能量密度。加工速度越快,辐射面的激光能量密度越小,反之,激光能量密度越大。当加工速度增大到一定值的时候,辐射面的激光能量密度不足以使材料完全熔化或者气化,所以不能完全切割材料;而当速度减小到某一范围时,激光能量密度足够大,可以使被照射材料完全熔化或气化,在辅助气体的作用下去除材料,形成光滑均匀的切缝;当速度继续下降时,激光能量密度太大,使得切缝周围的材料也被熔化或气化,导致熔渣多,切缝粗糙,切割质量下降。因此,在脉冲宽度和重复频率一定时,存在最佳的切割速度。同理,也存在最佳的脉冲宽度和重复频率。通过多次实验,采用参数:激光器输出功率70W;激光频率1000Hz;脉冲宽度0.5ms;辅助气体氧压0.6MPa.扫描速度为20m/s切割的单晶硅片曲线平滑、切面没有毛刺、不挂渣等优点,而且切割速度快,完全符合应用要求。
Claims (2)
1.一种激光精密加工单晶硅的方法,采用参数:激光器输出功率70W;激光频率1000Hz;脉冲宽度0.5ms;辅助气体氧压0.6MPa.扫描速度为20m/s切割的单晶硅片曲线平滑、切面没有毛刺、不挂渣等优点,而且切割速度快,完全符合精密加工的要求。
2.根据权利要求1所述的激光精密加工单晶硅的方法,在脉冲宽度和重复频率一定时,存在最佳的切割速度,也存在最佳的脉冲宽度和重复频率。
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Cited By (2)
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CN102725096A (zh) * | 2010-01-27 | 2012-10-10 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
CN114714528A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-07-08 | 深圳技术大学 | 难加工材料的复合加工方法 |
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2008
- 2008-12-15 CN CN 200810220041 patent/CN101585113A/zh active Pending
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20091125 |