CN101580896A - 涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置及方法，其热处理装置包括带炉管的热处理炉、密封安装在炉管入口上的三通管、相配合使用的放带轮和收带轮、安装在放带轮轮轴上的张力调节器、驱动收带轮转动的电机和安装在炉管出口上的堵头；其热处理方法包括以下步骤：一、清洗NiW合金基带；二、将NiW合金基带缠绕在放带轮上且将其从三通管和炉管内穿出后缠在收带轮上；三、从三通管进气口通入保护气体；四、将热处理炉炉温升至再结晶热处理温度；五、动态连续再结晶热处理。本热处理装置结构简单、设计合理且所用热处理方法简单易行、重复性好，能在气氛保护下对NiW合金基带进行连续动态热处理并适宜于批量化生产。
Description
技术领域
本发明属于热处理技术领域，尤其是涉及一种涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置及方法。
背景技术
第二代高温超导带材即涂层导体，以其77K下优越的高场性能引起了材料科学界广泛的兴趣。涂层导体是由NiW合金基带/缓冲层/超导层/保护层组成的多层结构，而NiW合金基带是涂层导体的载体，在超导带材中起主要作用的是外延生长过渡层和超导层，因此，制备具有锐利立方织构的金属NiW合金基带是获得高性能超导带材的关键技术之一。
目前，主要采用轧制辅助双轴织构技术(RABITS)，即通过轧制和再结晶退火后获得强的立方织构。NiW合金基带的再结晶热处理需要气氛保护以避免氧化，对于短样品通常采用惰性气体保护静态热处理的方法。涂层导体的工程应用需要单根导体达到百米量级，因此，需要制备百米级的NiW合金基带，然而，受炉腔体积的限制，对百米级的NiW合金基带无法进行静态热处理，必须采用动态连续再结晶热处理方法。由于动态连续再结晶热处理是在开放系统中进行的，使NiW合金基带的气氛保护变得困难，因此，在气氛保护下进行连续再结晶热处理是制备百米级NiW合金基带的关键技术之一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种结构简单紧凑、设计合理、成本低且使用操作简便、使用效果好的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置，其特征在于：包括中部装有水平炉管的热处理炉、密封安装在炉管入口上的三通管、相配合使用且将待处理NiW合金基带绷紧后从炉管内部连续拉过的放带轮和收带轮、安装在放带轮轮轴上的张力调节器、驱动收带轮转动的电机和安装在炉管出口上的堵头；所述放带轮和收带轮分别位于炉管的入口和出口外侧且二者位置相对；所述三通管的三个接口分别为安装在炉管入口上的安装口、与安装口正对且其上装有密封塞的进带口和用于通入保护气体的进气口，进气口与安装口不在同一直线上；所述密封塞上开有供待处理NiW合金基带穿过的通孔；所述堵头的外壁与炉管的出口内壁之间存在间隙。
所述所述密封塞为氟橡胶密封塞。
所述电机为步进电机。
所述三通管为直角式三通接头，所述直角式三通接头的两个相对的接口分别为安装口和进带口。
本发明还提供了一种简单易行、可重复性好且具有良好工程实用价值的利用涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置进行热处理的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
步骤一、对待处理NiW合金基带表面油污进行清洗；
步骤二、将清洗后的待处理NiW合金基带连续缠绕在放带轮上后，再将待处理NiW合金基带的外端头从进带口穿入且经三通管和炉管内部后，从炉管出口拉出并缠绕在收带轮上；
步骤三、从进气口通入Ar/H2混合保护气体，且Ar/H2混合保护气体的流速为2～4L/min；所述Ar/H2混合保护气体中H2的体积百分比为4～8％且Ar的体积百分比相应为96～92％；
步骤四、将热处理炉的炉温升至再结晶热处理温度，所述再结晶热处理温度为1200～1300℃；
步骤五、对待处理NiW合金基带进行动态连续再结晶热处理，其再结晶热处理过程如下：
501、按公式V＝L/t计算待处理NiW合金基带在炉管内部的运行速度V，式中，t为热处理炉的再结晶热处理时间t且t＝50～150h，L为待处理N iW合金基带经动态连续再结晶热处理后的有效使用长度；需注意的是：待处理NiW合金基带的运行速度V需控制在50～100cm/h之间；
502、启动电机且对电机的转速进行调整，使得由电机进行驱动的收带轮的转速与待处理NiW合金基带的运行速度V相同；
503、电机启动后，带动收带轮转动且将待处理NiW合金基带绷紧后相应带动放带轮转动；之后，在收带轮和放带轮的配合作用下，带动待处理NiW合金基带以运行速度V从炉管内部连续拉过，以对待处理NiW合金基带进行动态连续再结晶热处理，且经时间t后动态连续再结晶热处理结束；
504、关闭电机且将热处理炉的炉温降至室温后，关闭所述Ar/H2混合保护气体。
上述步骤四中所述的将热处理炉的炉温升至再结晶热处理温度时，以10～20℃/min的升温速率进行升温；相应地，504中所述的将热处理炉的炉温降至室温时，以10～20℃/min的降温速率进行降温。
上述步骤一中所述待处理NiW合金基带的长度为10～100m，宽度为8～20mm且厚度为0.05～0.10mm。
上述步骤一中所述的对待处理NiW合金基带表面油污进行清洗时，先用丙酮进行清洗后，再用酒精冲洗。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、本发明所采用的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置结构简单紧凑、设计合理、安装方便且使用操作简便、使用效果好，使用过程中通过在待处理NiW合金基带的入口处即进带口安装三通管，使保护气体从待处理NiW合金基带的进带口流入并相应从待处理NiW合金基带出口即热处理炉炉管的出口流出，从而使被处理NiW合金基带在高温区受到气氛保护，避免氧化。
2、通过在待处理NiW合金基带的入口处即三通管的进带口处设置氟橡胶密封装置进行密封，达到既能通过三通管使待处理NiW合金基带通过进入热处理炉内部，又可防止从三通管的进气口流入的保护气体大量流失。
3、本发明所采用的辊到辊热处理方法简单易行且可操作性强，使用时，只需先将缠绕安装在放带轮上的待处理NiW合金基带穿过热处理炉的炉管，且从炉管穿出后安装在收带轮上；之后，在热处理炉的炉体中通入保护性气氛；接着，升温至再结晶热处理温度，开启步进电机驱动收带轮转动，在收带轮和放带轮的配合作用下，带动待处理NiW合金基带以一定的速度从热处理炉的炉管内部穿过，从而达到对百米待处理NiW合金基带进行连续动态再结晶热处理的目的，同时在连续动态热处理条件下能够对被处理的NiW合金基带进行气氛保护。
4、采用本发明对待处理NiW合金基带进行连续动态再结晶热处理过程中，通过调整步进电机的转速，则能达到调整待处理NiW合金基带在热处理炉内运动的速度的目的，从而达到控制待处理NiW合金基带再结晶时间的目的，即通过对待处理NiW合金基带的走带速度的调整，实现对待处理NiW合金基带再结晶时间进行相应调整的目的。
5、本发明所处理出的NiW合金基带质量好，表面无氧化且立方织构含量大于97％。
综上所述，本发明所采用的辊到辊热处理装置结构简单紧凑、设计合理、成本低且使用操作简便、使用效果好，其辊到辊热处理方法单易行、可重复性好且具有良好工程实用价值，能够在气氛保护下对NiW合金基带进行连续动态热处理，并适宜于批量化生产。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明辊到辊热处理装置的结构示意图。
图2为本发明辊到辊热处理方法的流程图。
附图标记说明：
1-炉管； 2-热处理炉； 3-三通管；
3-1-安装口； 3-2-进带口； 3-3-进气口；
4-放带轮； 5-收带轮； 6-电机；
7-待处理NiW合金基带； 8-堵头； 9-氟橡胶密封塞。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，本发明所述的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置，包括中部装有水平炉管1的热处理炉2、密封安装在炉管1入口上的三通管3、相配合使用且将待处理NiW合金基带7绷紧后从炉管1内部连续拉过的放带轮4和收带轮5、安装在放带轮4轮轴上的张力调节器、驱动收带轮5转动的电机6和安装在炉管1出口上的堵头8。所述放带轮4和收带轮5分别位于炉管1的入口和出口外侧且二者位置相对。所述三通管3的三个接口分别为安装在炉管1入口上的安装口3-1、与安装口3-1正对且其上装有密封塞的进带口3-2和用于通入保护气体的进气口3-3，进气口3-3与安装口3-1不在同一直线上。所述密封塞上开有供待处理NiW合金基带7穿过的通孔。所述堵头8的外壁与炉管1的出口内壁之间存在间隙。
本实施例中，所述所述密封塞为氟橡胶密封塞9，所述电机6为步进电机。所述三通管3为直角式三通接头，所述直角式三通接头的两个相对的接口分别为安装口3-1和进带口3-2。
如图2所示，本发明所述利用涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置进行热处理的方法，包括以下步骤：
步骤一、对待处理NiW合金基带7表面油污进行清洗。所述待处理NiW合金基带7的长度为10～100m，宽度为8～20mm且厚度为0.05～0.10mm。本实施例中，所述待处理NiW合金基带7的长度为50m。对待处理N iW合金基带7表面油污进行清洗时，先用丙酮进行清洗后，再用酒精冲洗。
步骤二、将清洗后的待处理NiW合金基带7连续缠绕在放带轮4上后，再将待处理NiW合金基带7的外端头从进带口3-2穿入且经三通管3和炉管1内部后，从炉管1出口拉出并缠绕在收带轮5上。
步骤三、从进气口3-3通入Ar/H2混合保护气体，且Ar/H2混合保护气体的流速为2～4L/min；所述Ar/H2混合保护气体中H2的体积百分比为4～8％且Ar的体积百分比相应为96～92％。
本实施例中，Ar/H2混合保护气体的流速为4L/min。
步骤四、将热处理炉2的炉温升至再结晶热处理温度，所述再结晶热处理温度为1200～1300℃。
本实施例中，所述再结晶热处理温度为1300℃，将热处理炉2的炉温升至再结晶热处理温度时，以10℃/min的升温速率进行升温且升至1300℃后停止。
步骤五、对待处理NiW合金基带7进行动态连续再结晶热处理，其再结晶热处理过程如下：
501、按公式V＝L/t计算待处理NiW合金基带7在炉管1内部的运行速度V，式中，t为热处理炉2的再结晶热处理时间t且t＝50～150h，L为待处理NiW合金基带7经动态连续再结晶热处理后的有效使用长度。需注意的是：待处理NiW合金基带7的运行速度V需控制在50～100cm/h之间。本实施例中，确定所述运行速度V为80cm/h，待处理NiW合金基带7经动态连续再结晶热处理后的有效使用长度L＝40m。
502、启动电机6且对电机6的转速进行调整，使得由电机6进行驱动的收带轮5的转速与待处理NiW合金基带7的运行速度V相同。
本实施例中，打开所述步进电机并调节转速，使待处理NiW合金基带7以80cm/h的速度运动。
503、电机6启动后，带动收带轮5转动且将待处理NiW合金基带7绷紧后相应带动放带轮4转动；之后，在收带轮5和放带轮4的配合作用下，带动待处理NiW合金基带7以运行速度V从炉管1内部连续拉过，以对待处理NiW合金基带7进行动态连续再结晶热处理，且经时间t后动态连续再结晶热处理结束。
本实施例中，经过50h后动态连续再结晶热处理结束。
504、关闭电机6且将热处理炉2的炉温降至室温后，关闭所述Ar/H2混合保护气体。
本实施例中，关闭所述步进电机且以10℃/min的降温速率将热处理炉2的炉温降至室温后，关闭所述Ar/H2混合保护气体，即完成整个再结晶热处理过程，得到有效使用长度为40m的NiW合金基带。通过极图分析，再结晶热处理后的NiW合金基带的立方织构含量大于98％并且表面无氧化现象。
实施例2
本实施例中，本发明所述的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置与实施例1相同。
本实施例中，利用所述辊到辊热处理装置进行热处理的热处理方法，与实施例1不同的是：步骤一中所述待处理NiW合金基带7的长度为40m；步骤三中所述Ar/H2混合保护气体的流速为2L/min。步骤四中所述再结晶热处理温度为1200℃，将热处理炉2的炉温升至再结晶热处理温度时，以20℃/min的升温速率进行升温且升至1200℃后停止。步骤五中对待处理NiW合金基带7进行动态连续再结晶热处理时，打开所述步进电机并调节转速，使待处理NiW合金基带7以60cm/h的速度运动，经过50h后动态连续再结晶热处理结束；关闭所述步进电机且以20℃/min的降温速率将热处理炉2的炉温降至室温后，关闭所述Ar/H2混合保护气体，即完成整个再结晶热处理过程，得到有效使用长度为30m的NiW合金基带。通过极图分析，再结晶热处理后的NiW合金基带的立方织构含量大于97％并且表面无氧化现象。本实施例中，其余热处理步骤和参数均与实施例1相同。
实施例3
本实施例中，本发明所述的涂层导体用N iW合金基带的辊到辊热处理装置与实施例1相同。
本实施例中，利用所述辊到辊热处理装置进行热处理的热处理方法，与实施例1不同的是：步骤一中所述待处理NiW合金基带7的长度为130m；步骤三中所述Ar/H2混合保护气体的流速为3L/min。步骤四中所述再结晶热处理温度为1250℃，将热处理炉2的炉温升至再结晶热处理温度时，以20℃/min的升温速率进行升温且升至1250℃后停止。步骤五中对待处理NiW合金基带7进行动态连续再结晶热处理时，打开所述步进电机并调节转速，使待处理NiW合金基带7以80cm/h的速度运动，经过150h后动态连续再结晶热处理结束；关闭所述步进电机且以20℃/min的降温速率将热处理炉2的炉温降至室温后，关闭所述Ar/H2混合保护气体，即完成整个再结晶热处理过程，得到有效使用长度为120m的NiW合金基带。通过极图分析，再结晶热处理后的NiW合金基带的立方织构含量大于98％并且表面无氧化现象。本实施例中，其余热处理步骤和参数均与实施例1相同。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。
Claims (8)
1.一种涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置，其特征在于：包括中部装有水平炉管(1)的热处理炉(2)、密封安装在炉管(1)入口上的三通管(3)、相配合使用且将待处理NiW合金基带(7)绷紧后从炉管(1)内部连续拉过的放带轮(4)和收带轮(5)、安装在放带轮(4)轮轴上的张力调节器、驱动收带轮(5)转动的电机(6)和安装在炉管(1)出口上的堵头(8)；所述放带轮(4)和收带轮(5)分别位于炉管(1)的入口和出口外侧且二者位置相对；所述三通管(3)的三个接口分别为安装在炉管(1)入口上的安装口(3-1)、与安装口(3-1)正对且其上装有密封塞的进带口(3-2)和用于通入保护气体的进气口(3-3)，进气口(3-3)与安装口(3-1)不在同一直线上；所述密封塞上开有供待处理NiW合金基带(7)穿过的通孔；所述堵头(8)的外壁与炉管(1)的出口内壁之间存在间隙。
2.按照权利要求1所述的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置，其特征在于：所述所述密封塞为氟橡胶密封塞(9)。
3.按照权利要求1或2所述的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置，其特征在于：所述电机(6)为步进电机。
4.按照权利要求1或2所述的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置，其特征在于：所述三通管(3)为直角式三通接头，所述直角式三通接头的两个相对的接口分别为安装口(3-1)和进带口(3-2)。
5.利用权利要求1所述的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理装置进行热处理的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
步骤一、对待处理NiW合金基带(7)表面油污进行清洗；
步骤二、将清洗后的待处理NiW合金基带(7)连续缠绕在放带轮(4)上后，再将待处NiW合金基带(7)的外端头从进带口(3-2)穿入且经三通管(3)和炉管(1)内部后，从炉管(1)出口拉出并缠绕在收带轮(5)上；
步骤三、从进气口(3-3)通入Ar/H2混合保护气体，且Ar/H2混合保护气体的流速为2～4L/min；所述Ar/H2混合保护气体中H2的体积百分比为4～8％且Ar的体积百分比相应为96～92％；
步骤四、将热处理炉(2)的炉温升至再结晶热处理温度，所述再结晶热处理温度为1200～1300℃；
步骤五、对待处理NiW合金基带(7)进行动态连续再结晶热处理，其再结晶热处理过程如下：
501、按公式V＝L/t计算待处理NiW合金基带(7)在炉管(1)内部的运行速度V，式中，t为热处理炉(2)的再结晶热处理时间t且t＝50～150h，L为待处理NiW合金基带(7)经动态连续再结晶热处理后的有效使用长度；需注意的是：待处理NiW合金基带(7)的运行速度V需控制在50～100cm/h之间；
502、启动电机(6)且对电机(6)的转速进行调整，使得由电机(6)进行驱动的收带轮(5)的转速与待处理NiW合金基带(7)的运行速度V相同；
503、电机(6)启动后，带动收带轮(5)转动且将待处理NiW合金基带(7)绷紧后相应带动放带轮(4)转动；之后，在收带轮(5)和放带轮(4)的配合作用下，带动待处理NiW合金基带(7)以运行速度V从炉管(1)内部连续拉过，以对待处理NiW合金基带(7)进行动态连续再结晶热处理，且经时间t后动态连续再结晶热处理结束；
504、关闭电机(6)且将热处理炉(2)的炉温降至室温后，关闭所述Ar/H2混合保护气体。
6.按照权利要求5所述的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理方法，其特征在于：步骤四中所述的将热处理炉(2)的炉温升至再结晶热处理温度时，以10～20℃/min的升温速率进行升温；相应地，504中所述的将热处理炉(2)的炉温降至室温时，以10～20℃/min的降温速率进行降温。
7.按照权利要求5或6所述的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理方法，其特征在于：步骤一中所述待处理NiW合金基带(7)的长度为10～100m，宽度为8～20mm且厚度为0.05～0.10mm。
8.按照权利要求5或6所述的涂层导体用NiW合金基带的辊到辊热处理方法，其特征在于：步骤一中所述的对待处理NiW合金基带(7)表面油污进行清洗时，先用丙酮进行清洗后，再用酒精冲洗。
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Granted publication date: 20101229 Termination date: 20210626 |
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