CN101510173B - 一种减少储存次数的资料储存方法及其装置 - Google Patents
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- 238000013500 data storage Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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Abstract
一种减少储存次数的资料储存方法及其装置，解决了记忆单元在清除和储存资料花费时间长的问题，采用的技术方案是，通过对在规定时间内读入资料的容量进行判断，记忆体控制单元根据读入资料的容量对它的存储位置进行分配，将满一分页的部分存储在存储器中，对不满一分页的部分暂时存放在暂存器中。再根据下一笔资料的读入时间进行判断，若超过规定时间，则将上一笔资料暂存器中的部分转存在存储器中；若没有超过规定时间，则对暂存器中的资料和下一笔资料的容量进行判断，记忆体控制单元再针对这些资料依据同样的方法进行存储分配。本发明的优点是，减少了记忆体分页清除资料或储存资料的次数，大幅减少了资料储存花费的时间。
Description
所属技术领域
本发明涉及一种资料储存方法及其装置，特别涉及一种减少储存次数的资料储存方法及其装置。
背景技术
现有技术中的记忆体架构中，参照附图1，存储器中具有记忆单元100，其中记忆单元100具有1024个记忆区块Block0～Block1023，每个记忆区块具有64分页，每分页有4行。记忆区块Block M具有64分页Page0～Page63，分页Page N具有4行Sector0～Sector3，其中M是0到1023的正整数，N是0到63的正整数。每一行具有512字节的储存空间，资料会以页为单位来做储存。
现有技术中记忆单元在储存两笔同一分页的资料时，例如记忆单元先接收到第一笔资料储存至记忆区块M的分页0时，若分页0是空的则记忆单元首先会先储存第一笔资料在分页0上，之后记忆单元再接收第二笔资料要储存至分页0时，必须先将区块M的其他分页(例如分页1至分页63)先备份至存储器或其他的记忆区块，接着将整个区块M清空，最后再将第二笔资料写入区块M的分页0以及将未变动的资料从暂存器或其他记忆区块写回区块M，由于记忆单元在清除资料所花费的时间长，储存资料所花费的时间长，因此减少记忆体分页清除资料或储存资料的次数是现有技术急待解决的问题。
发明内容
本发明提供了一种减少储存次数的资料储存方法及其装置，有效的减少了记忆体分页清除资料或储存资料的次数，大幅度减少资料储存花费的时间。
本发明为实现目的采用的技术方案是，一种减少储存次数的资料储存方法，所述的资料存储方法是在主机CPU、配套的存储器、暂存器、和记忆体控制单元的支持下实现的，其特征在于记忆体控制单元接到来自主机CPU资料写入指令以后按以下步骤进行执行：
(A)判断读入资料的容量是否大于一分页中的存储量；
(B)若以上读入资料的容量大于一分页中的存储量，将满一分页的资料储存至存储器中的选定的存储区域中，并将剩下不满一分页的资料储存至暂存器中；
(C)若所读入资料的容量小于一分页中的存储量，将该资料直接送至暂存器中；
(D)若在规定时间内接收不到下一笔资料，将暂存器中的资料转存入存储器，程序中止；
(E)规定时间内收到下一笔资料则判断与前一笔资料是否可以写入同一分页，可以写入同一分页，返回到步骤(A)处理；
(F)规定时间内收到下一笔资料与前一笔资料不可以写入同一分页时，将已存在暂存器中的资料转入存储器后再返回步骤(A)。
所述方法中，若等待资料时间超过一特定时间，直接将暂存器中的资料储存至存储器中，其中存储器为一快闪记忆体，暂存器为一快 取记忆体；存储器包括至少一单层储存记忆单元、至少一多层储存记忆单元或其组合，并且上述存储器在储存资料时须一次写入一分页。
一种与减少储存次数的资料储存方法配套设置的存储装置，其特征在于：所述的存储装置包括：
(A)存储器，包括至少一单层储存记忆单元或者一多层储存记忆单元或其组合，
(B)暂存器，具有不小于一分页存储量的基本存记忆单元的容量；
(C)记忆体控制单元连接至存储器与暂存器，判断读入资料的容量是否大于一分页中的存储量，若读入资料的容量大于一分页中的存储量，将满一分页的资料储存至存储器中的选定的存储区域中，并将剩下不满一分页的资料储存至暂存器中，若所读入资料的容量小于一分页中的存储量，将该资料直接送至暂存器中。
所述装置中，若记忆体控制单元等待资料时间超过一特定时间，记忆体控制单元直接将暂存器中的资料储存至存储器中；若读入资料不满一分页，记忆体控制单元将不满一分页的资料写入至暂存器中；对于下一笔录入的资料，记忆体控制单元将判断下一笔资料与上一笔资料是否在同一分页中，若下一笔资料与上一笔资料不在同一个分页中，记忆体控制单元将上一笔资料储存至存储器中。然后并断下一笔资料的容量是否超过一分页以决定是否储存至上述存储器中，若下一笔资料与上一笔资料在同一分页中，记忆体控制单元将判断所有资料分页存储量的的容量是否超过一分页以决定是否将下一笔资料储存至存储器中。
本发明提供了一种减少储存次数的资料储存方法及其装置，通过对在规定时间内读入资料的容量是否超过一分页进行判断，记忆体控制单元根据读入资料的容量对它的存储位置进行分配，将满一分页的部分存储在存储器中，对不满一分页的部分暂时存放在暂存器中。再根据下一笔资料的读入时间进行判断，若超过规定时间，则将上一笔资料暂存器中的部分转存在存储器中；若没有超过规定时间，则对暂存器中的资料和下一笔资料的容量进行判断，记忆体控制单元再针对这些资料依据同样的方法进行存储分配。本发明有效减少了记忆体分页清除资料或储存资料的次数，大幅度减少了资料储存花费的时间。
附图说明
图1传统记忆体架构示意图。
图2为根据本发明实施例之储存装置结构示意图。
图3为根据本发明实施例之储存方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明为实现目的采用的技术方案是，一种减少储存次数的资料储存方法，所述的资料存储方法是在主机CPU、配套的存储器、暂存器、和记忆体控制单元的支持下实现的，其特征在于记忆体控制单元接到来自主机CPU资料写入指令以后按以下步骤进行执行：
(A)判断读入资料的容量是否大于一分页中的存储量；
(B)若以上读入资料的容量大于一分页中的存储量，将满一分页的资料储存至存储器中的选定的存储区域中，并将剩下不满一分页的资料储存至暂存器中；
(C)若所读入资料的容量小于一分页中的存储量，将该资料直接送至暂存器中；
(D)若在规定时间内接收不到下一笔资料，将暂存器中的资料转存入存储器，程序中止；
(E)规定时间内收到下一笔资料则判断与前一笔资料是否可以写入同一分页，可以写入同一分页，返回到步骤(A)处理；
(F)规定时间内收到下一笔资料与前一笔资料不可以写入同一分页时，将已存在暂存器中的资料转入存储器后再返回步骤(A)。
所述方法中，若等待资料时间超过一特定时间，直接将暂存器中的资料储存至存储器中，其中存储器为一快闪记忆体，暂存器为一快取记忆体；存储器包括至少一单层储存记忆单元、至少一多层储存记忆单元或其组合，并且上述存储器在储存资料时须一次写入一分页。
一种与减少储存次数的资料储存方法配套设置的存储装置，其特征在于：所述的存储装置包括：
(A)存储器，包括至少单层储存记忆单元或者多层储存记忆单元或其组合，
(B)暂存器，具有不小于一分页存储量的基本存记忆单元的容量，
(C)记忆体控制单元连接至存储器与暂存器，判断读入资料的容量是否大于一分页中的存储量，若读入资料的容量大于一分页中的存储量，将满一分页的资料储存至存储器中的选定的存储区域中，并将剩下不满一分页的资料储存至暂存器中，若所读入资料的容量小于一 分页中的存储量，将该资料直接送至暂存器中。
所述装置中，若记忆体控制单元等待资料时间超过一特定时间，记忆体控制单元直接将暂存器中的资料储存至存储器中；若读入资料不满一分页，记忆体控制单元将不满一分页的资料写入至暂存器中；对于下一笔录入的资料，记忆体控制单元将判断下一笔资料与上一笔资料是否在同一分页中，若下一笔资料与上一笔资料不在同一个分页中，记忆体控制单元将上一笔资料储存至存储器中。然后并断下一笔资料的容量是否超过一分页以决定是否储存至上述存储器中，若下一笔资料与上一笔资料在同一分页中，记忆体控制单元将判断所有资料的容量是否超过一分页以决定是否将下一笔资料储存至存储器中。
参看附图2，资料储存装置200包括记忆体控制单元210和记忆体单元220，其中记忆体单元220包括存储器230和暂存器240，暂存器240是一快取记忆体，存储器230是NAND型快闪记忆体。根据上述资料储存方法可知，存储器230包括至少单层储存记忆单元或多层储存记忆单元或及其组合。资料储存装置200可以是一固态硬碟或记忆卡装置。根据记忆体规格，若储存限制值等于1，记忆体的分页须一次写入一分页的资料，储存限制值也可以等于4，也就是分页在清除后可分四次写入一分页，即四行分四次写入。由于存储器的分页在清除资料所花费的时间最长，储存资料所花费的时间次的，因此本发明的目标是如何减少非挥发记忆体分页清除资料或储存资料的次数。
资料储存装置在工作时，记忆体控制单元210接收来自主机的资 料和逻辑位址，并根据逻辑位址和资料长度决定储存资料至暂存器240或存储器230中，若读入资料超过一分页，记忆体控制单元210将资料储存至存储器230中，也就是说储存至少一分页资料至存储器230中，并将剩下不满一分页的资料储存至暂存器240中。若读入资料不满一分页，记忆体控制单元210会将不满一分页的资料先写入至暂存器240中，并且记忆体控制单元210会判断下一笔资料与储存至暂存器240的资料是否在同一分页中。若下一笔资料与储存至暂存器240的资料不在同一个分页中，记忆体控制单元210会将储存至暂存器240的资料转而储存至存储器230中，并判断下一笔资料是否超过一分页以决定是否储存至存储器230中。若下一笔资料与储存至暂存器240的资料在同一分页中，记忆体控制单元210将判断所有资料是否超过一分页以决定是否储存至存储器230中。另外，若记忆体控制单元210等待资料时间超过规定时间，记忆体控制单元210直接将暂存器240的资料储存至存储器230中，有关更详细记忆体的资料储存方法在以下实施例中说明的。
参照附图3，记忆体控制单元210只要等待资料时间超过规定时间(步骤S310)，记忆体控制单元210会结束储存资料程序，若记忆体控制单元210在规定时间内接收到资料，记忆体控制单元210会判断读入资料是否超过一分页(步骤S320)。若读入资料超过一分页，将N个分页资料储存至存储器230中(步骤S330)，并将剩余不满一分页的资料储存至暂存器240(步骤S340)。若读入资料不满一分页，记忆体控制单元210将不满一分页的资料储存至暂存器240中(步骤 S340)。记忆体控制单元210会等待下一笔资料，若等待时间超过规定时间(步骤S350)，记忆体控制单元210会将储存在暂存器240的资料储存至存储器230中(步骤S360)。若记忆体控制单元210在规定时间内接收到下一笔资料，记忆体控制单元210会再判断下一笔资料与储存在暂存器240的资料是否在同一分页中(步骤S370)。若下一笔资料与暂存器240的资料在同一分页中，跳回到步骤320以判断下一笔资料与暂存器240的资料是否超过一分页，若下一个资料与暂存器240的资料不在同一分页中，记忆体控制单元210会将暂存器240的资料储存至存储器230中(步骤S380)，并回到步骤320以判断下一笔资料是否超过一分页。
本发明是先暂时将小于一分页的资料储存至暂存器240中，等所有资料大于一分页后，再储存至存储器230中，减少了存储器230储存和清除资料的次数。因此记忆单元100有效减少了记忆体分页清除资料或储存资料的次数，大幅减少了资料储存所花费的时间。
Claims (10)
1.一种减少储存次数的资料储存方法，所述的资料存储方法是在主机CPU、配套的存储器、暂存器、和记忆体控制单元的支持下实现的，其特征在于记忆体控制单元接到来自主机CPU资料写入指令以后按以下步骤进行执行：
(A)判断读入资料的容量是否大于一分页中的存储量；
(B)若以上读入资料的容量大于一分页中的存储量，将满一分页的资料储存至存储器中的选定的存储区域中，并将剩下不满一分页的资料储存至暂存器中；
(C)若所读入资料的容量小于一分页中的存储量，将该资料直接送至暂存器中；
(D)若在规定时间内接收不到下一笔资料，将暂存器中的资料转存入存储器，程序中止；
(E)规定时间内收到下一笔资料则判断与前一笔资料是否可以写入同一分页，可以写入同一分页，返回到步骤(A)处理；
(F)规定时间内收到下一笔资料与前一笔资料不可以写入同一分页时，将已存在暂存器中的资料转入存储器后再返回步骤(A)。
2.根据权利要求1所述的一种减少储存次数的资料储存方法，其特征在于：若等待资料时间超过一特定时间，直接将暂存器中的资料储存至存储器中。
3.根据权利要求1所述的一种减少储存次数的资料储存方法， 其特征在于：存储器为一快闪记忆体，暂存器为一快取记忆体。
4.根据权利要求1所述的一种减少储存次数的资料储存方法，其特征在于：存储器包括至少一单层储存记忆单元、至少一多层储存记忆单元或其组合。
5.根据权利要求1所述的一种减少储存次数的资料储存方法，其特征在于：上述存储器在储存资料时须一次写入一分页。
6.一种与减少储存次数的资料储存方法配套设置的存储装置，其特征在于：所述的存储装置包括：
(A)存储器，包括至少一单层储存记忆单元或者一多层储存记忆单元或其组合，
(B)暂存器，具有不小于一分页存储量的基本存记忆单元的容量；
(C)记忆体控制单元连接至存储器与暂存器，判断读入资料的容量是否大于一分页中的存储量，若读入资料的容量大于一分页中的存储量，将满一分页的资料储存至存储器中的选定的存储区域中，并将剩下不满一分页的资料储存至暂存器中，若所读入资料的容量小于一分页中的存储量，将该资料直接送至暂存器中。
7.根据权利要求6所述的一种与减少储存次数的资料储存方法配套设置的存储装置，其特征在于：若记忆体控制单元等待资料时间超过一特定时间，记忆体控制单元直接将暂存器中的资料储存至存储器中。
8.根据权利要求7所述的一种与减少储存次数的资料储存方法配套设置的存储装置，其特征在于：记忆体控制单元将判断下一笔资 料与上一笔资料是否在同一分页中。
9.根据权利要求8所述的一种与减少储存次数的资料储存方法配套设置的存储装置，其特征在于：若下一笔资料与上一笔资料不在同一个分页中，记忆体控制单元将上一笔资料储存至存储器中，并判断下一笔资料的容量是否超过一分页以决定是否储存至上述存储器中。
10.根据权利要求8所述的一种与减少储存次数的资料储存方法配套设置的存储装置，其特征在于：若下一笔资料与上一笔资料在同一分页中，记忆体控制单元将判断所有资料的容量是否超过一分页以决定是否将下一笔资料储存至存储器中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810216816.2A CN101510173B (zh) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | 一种减少储存次数的资料储存方法及其装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810216816.2A CN101510173B (zh) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | 一种减少储存次数的资料储存方法及其装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101510173A CN101510173A (zh) | 2009-08-19 |
| CN101510173B true CN101510173B (zh) | 2010-12-29 |
Family
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| CN200810216816.2A Active CN101510173B (zh) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | 一种减少储存次数的资料储存方法及其装置 |
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN101510173B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102381036B (zh) * | 2011-08-01 | 2014-04-16 | 珠海天威技术开发有限公司 | 耗材芯片、耗材容器及耗材芯片的数据写入方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| CN101101790A (zh) * | 2006-07-07 | 2008-01-09 | 乐金电子（昆山）电脑有限公司 | 与非闪存的读取方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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