CN101471472A - 滤波器耦合结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种滤波器耦合结构，它包括支撑件、M3调螺，或还包括两法兰盘。支撑件下部设有贯通两相对侧面的螺孔，M3调螺穿过支撑件的螺孔连接在支撑件的下部。两法兰盘分别连接在M3调螺的两端形成哑铃形结构。与现有技术相比，本发明确保了产品的一致性、稳定性与可靠性。

Description

滤波器耦合结构

技术领域

本发明涉及无线通讯领域中的滤波器，特别涉及一种用于同轴腔体滤波器的容性交叉耦合结构。

背景技术

随着无线通讯系统的迅速发展，同时对系统质量的要求也不断提高，为了防止所需频段内有其它信号的干扰，提高频段的利用率。系统运营商对滤波器的性能要求越来越高。

由1/4波长同轴腔体滤波器作为分布参数元件，用集总参数的电容耦合，构成带通滤波器，根据所涉及的滤波器技术指标，确定滤波器的类型、级数、结构；对具有陡峭带外特性的交叉耦合是以四腔交叉和三腔交叉耦合形式作为单元电路，发现了相连时各节电路的带外传输零点各自独立，这一特点使得这种结构的滤波器容易调节。

在传统的同轴腔体滤波器中，容性交叉耦合的实现形式是以铜丝或铜皮的形式来实现的，虽然这种形式制作方便能够节约一定的成本，但是忽略了产品的一致性和稳定性，给大批量生产带来了问题。

发明内容

本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种滤波器耦合结构。

本发明的目的技术方案是：一种滤波器耦合结构，包括：

支撑件，为矩形柱状结构件，其下部设有贯通两相对侧面的螺孔；

M3调螺，其穿过支撑件的螺孔连接在支撑件的下部。

还包括两法兰盘，两法兰盘分别连接在M3调螺的两端形成哑铃形结构，可形成更强的交叉耦合。

所述的支撑件采用PTFE材料制作，所述的M3调螺和法兰盘均采用黄铜镀银材料制作。

所述的支撑件的底面设有安装用的凹槽。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

(1)确保了产品的一致性：

铜丝式容性交叉耦合与铜皮式容性交叉耦合的制作过程都是手工制作的，虽然可以用游标卡尺来测量尺寸，但是卡尺的公差加上手工弯折的公差。第一次与第二次制作的尺寸就有所偏差，很难保证一致性。

本发明的哑铃式容性交叉耦合是靠夹具来制作完成的，只要将相应的组件放在相应的位置上组装完成，这样就可以确保不同的人装配的一致性。

(2)确保了产品的稳定性：

在对装入铜丝式容性交叉耦合或铜皮式容性交叉耦合的同轴腔体滤波器进行调试时，不同的调试人员会有不同的调试方法；铜丝与铜皮是很容易被改变形状的，如果重复弯折或勾动会出现断裂的现象，这样会影响产品的稳定性。

在对装入本发明的容性交叉耦合的同轴腔体滤波器进行调试时，虽然不同的调试人员会有不同的调试方法，但调试过程中不需要调试人员对交叉耦合进行再调节，结构的稳定性是显而易见的。

(3)确保了产品的可靠性：

在调试装有铜丝式容性交叉耦合与铜皮式容性交叉耦合的产品时，调试员对电容的强弱进行调整后(即勾动铜丝或铜皮)，产品在高低温或震动及运输时颠簸的情况下，产品的性能很可能会发生变化；如果在有功率要求的产品中出现勾动过的铜丝式容性交叉耦合或铜皮式容性交叉耦合，还可能会出现功率打火的现象。

在调试装有本发明的容性交叉耦合的产品时，调试员若要对电容的强弱进行调整，是要通过更换不同长度的调螺或重新焊接来调整的，再次装配时还是要通过夹具保证的。同时法兰盘与M3调螺也是通过螺纹旋接的；这样的双重保护使产品在高低温或震动及运输时颠簸的情况下也不会受到影响；在对有功率要求的产品中发生打火现象的几率也会大大降低。

附图说明

图1为本发明第一实施例的结构示意图；

图2为本发明第二实施例的结构示意图；

图3为本发明中的支撑件的结构示意图；

图4为本发明第一实施例的使用状态示意图；

图5为本发明第二实施例的使用状态示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步说明。

参见图1、图2，本发明滤波器耦合结构，包括支撑件1、M3调螺2，或还包括两法兰盘3。

参见图3，本发明中的支撑件1采用PTFE材料制作，为矩形柱状结构件，其下部设有贯通两相对侧面的螺孔11，另两个无螺孔的侧面和底面设有安装用的凹槽12。

M3调螺2采用黄铜镀银材料制作，其穿过支撑件的螺孔11连接在支撑件的下部。

两法兰盘3采用黄铜镀银材料制作，其分别连接在M3调螺的两端形成哑铃形结构。

图4为本发明第一实施例的使用状态示意图；这是一种弱电容交叉耦合结构。适于交叉耦合量较小时，直接用M3调螺来实现。

图中所示，1为支撑件，2为M3调螺，4为谐振柱，5为调螺；6为螺母，7为固定螺钉，8为腔体盖板，9为腔体。

制作方法是：将M3调螺2旋入支撑件1中制成容性交叉耦合，将制作完成的容性交叉耦合装入腔体9对应的槽中，再将谐振柱4装入腔体，用装有调螺5、螺母6、固定螺钉7的腔体盖板8与腔体9装配。

图5为本发明第二实施例的使用状态示意图。这是一种强电容交叉耦合结构，适于交叉耦合量较强时，在M3调螺2的两端再加上法兰盘3来实现。

图中所示，1为支撑件，2为M3调螺，3为法兰盘，4为谐振柱，5为调螺；6为螺母，7为固定螺钉，8为腔体盖板，9为腔体。

制作方法是：将M3调螺2旋入支撑件1中，再将法兰盘3旋在M3调螺2的两端制成容性交叉耦合，将制作完成的容性交叉耦合装入腔体9，再将谐振柱4装入腔体，用装有调螺5、螺母6、固定螺钉7的腔体盖板8与腔体9装配。

Claims (4)

1.一种滤波器耦合结构，其特征在于包括：

支撑件，为矩形柱状结构件，其下部设有贯通两相对侧面的螺孔；

M3调螺，其穿过支撑件的螺孔连接在支撑件的下部。

2.根据权利要求1所述的滤波器耦合结构，其特征在于：还包括两法兰盘，两法兰盘分别连接在M3调螺的两端形成哑铃形结构，可形成更强的交叉耦合。

3.根据权利要求1或2所述的一种滤波器耦合结构，其特征在于：所述的支撑件采用PTFE材料制作，所述的M3调螺和法兰盘均采用黄铜镀银材料制作。

4.根据权利要求1或2所述的一种滤波器耦合结构，其特征在于：所述的支撑件的底面设有安装用的凹槽。

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