CN101436701A - 微波低波段超微型平衡放大器 - Google Patents
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Abstract
微波低波段超微型平衡放大器的组成包括一个IC放大器件、两个3dB正交电桥,IC放大器件的两个输入端分别连接一个3dB正交电桥的耦合端、直通端,IC放大器件的两个输出端分别连接另一个3dB正交电桥的耦合端、直通端,两个3dB正交电桥以及IC放大器件的外围电路制作在陶瓷基片上,IC放大器件楔焊固定在该陶瓷基片上。为无线通信领域中应用的射频放大器设计了一种平衡放大电路,并将其采用超微细工艺制作到陶瓷基片上,经测试证明本放大器具有集成度高,体积小、低噪声、高增益、高线性的特点,同时具有良好的输入输出匹配。
Description
技术领域:
本发明涉及一种无线通信领域中应用的射频放大器,特别是一种微波低波段超微型平衡放大器。
背景技术:
随着通讯工业的飞速发展,人们对各种无线通讯工具的要求也越来越高,功率辐射小、作用距离远、覆盖范围大已成为各运营商乃至通讯设备制造商的普遍要求,这就对系统的接收灵敏度提出了更高的要求,而有效提高灵敏度的关键因素就是降低接收机的噪声系数,而决定接收机噪声系数的关键部件就是处于接收机最前端的低噪声放大器。对于一个低噪声放大器,通常不可能同时获得最小噪声和最大增益,必须进行某种程度的兼顾,在保证噪声系数小的同时,还必须要有足够大的增益。为了降低噪声系数,放大器必须进行噪声匹配,这样输入匹配就会变差,驻波也就变的很差,而且引入匹配电路会增大放大器的体积;为了实现大的增益,有时必须采用多级放大的形式,势必又增大放大器的体积,增加制作成本。
发明内容:
本发明所要解决的技术问题是,克服上述放大器的缺点,提供一种低噪声、高增益、高线性的微波低波段超微型平衡放大器。
本发明解决其技术问题的技术方案是:一种微波低波段超微型平衡放大器,其特征是组成包括一个IC放大器件、两个3dB正交电桥,IC放大器件的两个输入端分别连接第一个3dB正交电桥的耦合端、直通端,IC放大器件的两个输出端分别连接第二个3dB正交电桥的耦合端、直通端,射频输入连接第一个3dB正交电桥的输入端,第二个3dB正交电桥输出端的输出即为平衡放大的射频输出,两个3dB正交电桥的隔离端分别连接一个电阻后接地,两个3dB正交电桥以及IC放大器件的外围电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上,IC放大器件楔焊固定在该陶瓷基片上。
本发明的有益效果如下:为射频放大器设计了一种平衡放大电路,并将其采用超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上,IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上,IC器件的噪声低,但是在所需频段里输入输出匹配很差,(回波损耗差于—8dB),通过3dB正交电桥,提供了良好的输入输出匹配(回波损耗优于—20dB),经测试(测试结果见表1)证明本放大器具有集成度高,体积小、低噪声、高增益、高线性的特点,同时具有良好的输入输出匹配,适合批量化生产,生产成本大大减小,适用于雷达、电子对抗、通信等各类微波系统。
附图说明:
图1为本发明电路原理图。
图2为本发明电路版图。
具体实施方式:
下面参照附图并结合实施例对本发明进行详细描述。但本发明不限于所给出的实施例。
如图1所示,本发明微波低波段超微型平衡放大器的组成包括一个IC放大器件PA、两个3dB正交电桥B1、B2,IC放大器件PA的两个输入端S1、S2分别连接3dB正交电桥B1的耦合端OH、直通端ZT,IC放大器件PA的两个输出端C1、C2分别连接3dB正交电桥B2的耦合端OH、直通端ZT,射频输入RFin连接3dB正交电桥B1的输入端in,3dB正交电桥B2的输出端out的输出即为平衡放大的射频输出RFout,3dB正交电桥B1、B2的隔离端ISO分别连接50欧姆电阻R1、R2后接地。
如图1和图2所示,3dB正交电桥B1、B2以及IC放大器件PA的外围电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片TJ上,IC放大器件PA楔焊固定在陶瓷基片TJ上。
实施例中,陶瓷基片TJ为介电常数9.6、厚度0.5mm的三氧化二铝陶瓷基片;IC放大器件型号为alm-1222。
用agilent公司生产的信号源N5182A,频谱仪E4404B,网络分析仪E5071B以及HP公司生产的噪声源N8970B对本发明微型射频平衡放大器进行测试,测试结果见表1:
表1
Claims (2)
1、微波低波段超微型平衡放大器,其特征是组成包括一个IC放大器件、两个3dB正交电桥,IC放大器件的两个输入端分别连接第一个3dB正交电桥的耦合端、直通端,IC放大器件的两个输出端分别连接第二个3dB正交电桥的耦合端、直通端,射频输入连接第一个3dB正交电桥的输入端,第二个3dB正交电桥输出端的输出即为平衡放大的射频输出,两个3dB正交电桥的隔离端分别连接一个电阻后接地,两个3dB正交电桥以及IC放大器件的外围电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上,IC放大器件楔焊固定在该陶瓷基片上。
2、根据权利要求1所述的微波低波段超微型平衡放大器,其特征是所述的陶瓷基片为介电常数9.6、厚度0.5mm的三氧化二铝陶瓷基片。
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CN102938486A (zh) * | 2012-11-19 | 2013-02-20 | 南京国博电子有限公司 | 一种集成耦合电桥的ltcc管壳 |
CN104702330A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-06-10 | 庄昆杰 | 一种应急通信移频转发器 |
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2007
- 2007-11-14 CN CNA2007101352116A patent/CN101436701A/zh active Pending
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20090520 |