CN101436487A - 一种真空灭弧室 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及高压真空开关领域，公开了一种真空灭弧室。它包括：绝缘外壳结构，以及设置在绝缘外壳结构内的静触头、静导电杆、动触头、动导电杆，其特征在于，所述绝缘外壳结构包含外露屏蔽罩，外露屏蔽罩两端分别连接有第一陶瓷外壳和第二陶瓷外壳；所述静触头位于外露屏蔽罩内，与静导电杆的一端固定，静导电杆的另一端与设置在第一陶瓷外壳外端部的端盖固定连接；所述动触头位于外露屏蔽罩内，与动导电杆的一端固定，动导电杆的另一端滑动贯穿设置在第二陶瓷外壳外端部的端盖；所述第一和第二陶瓷外壳的内壁上设置有多个均衡屏蔽罩。
Description
技术领域
本发明涉及高压真空开关领域，特别涉及一种真空灭弧室。
背景技术
在高电压等级，国内都是SF6的电力设备，SF6气体虽然具有很好的高压特性，但SF6气体本身就是温室气体，加之开断后的分解物对人身有害，并且设备内充有一定的压力而具有压力容器的危害性，特别在寒冷地区，SF6气体出现液化现象影响开关设备的实际性能，危及电力电网的正常运行。因此全球范围都在寻找可以减少其排放的可能性以及替换的可能性。
真空技术在中压等级(3.6kV～40.5kV)日益成熟，鉴于真空开关具有的诸多优势：如优良的防爆性能，安全可靠性高；优良的环保性能；检修周期长；操作功小，环境噪音小；低环境气温下不会出现液化现象而影响开断和绝缘性能。因此，探索高电压真空应用技术，尤其是真空灭弧室，具有重要意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种真空灭弧室，它能够提高高压开关或断路器的耐压水平和开断能力。
为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：一种真空灭弧室，包括：绝缘外壳结构，以及设置在绝缘外壳结构内的静触头、静导电杆、动触头、动导电杆，其特征在于，所述绝缘外壳结构包含外露屏蔽罩，外露屏蔽罩两端分别连接有第一陶瓷外壳和第二陶瓷外壳；所述静触头位于外露屏蔽罩内，与静导电杆的一端固定，静导电杆的另一端与设置在第一陶瓷外壳外端部的端盖固定连接；所述动触头位于外露屏蔽罩内，与动导电杆的一端固定，动导电杆的另一端滑动贯穿设置在第二陶瓷外壳外端部的端盖；所述第一和第二陶瓷外壳的内壁上设置有多个均衡屏蔽罩。
本发明的进一步改进和特点在于：
所述均衡屏蔽罩设置在第一和第二陶瓷外壳的内壁中间，其结构为径向相对的两个半圆筒，半圆筒的两个轴向自由端向内卷边。
所述均衡屏蔽罩设置在第一和第二陶瓷外壳靠近外端部的内壁上，其结构为径向相对的两个半圆筒，半圆筒远离所述外端部的轴向自由端向内卷边。
所述第二陶瓷外壳内设置有波纹管，所述动导电杆贯穿波纹管，波纹管的一端固定在所述第二陶瓷外壳外端部的端盖内侧，另一端固定在所述动导电杆上。
所述动、静触头的电极结构为沿直径方向通过加强筋连接的圆环，与所述强筋垂直且在圆环的径向设置有两个凸耳，所述加强筋与两个凸耳之间均有一缝隙。
所述第一、第二陶瓷外壳与外露屏蔽罩分别通过过渡环焊接成一体。
所述均衡屏蔽罩与第一或第二陶瓷外壳通过过渡环焊接在一起。
所述均衡屏蔽罩由无氧铜制成。
所述外露屏蔽罩由不锈钢材料制成。
由于本发明的在第一和第二陶瓷外壳的内壁上设置有多个均衡屏蔽罩，能够均衡真空灭弧室内部触头间的电场分布，保证绝缘外壳能够承受更高的电压，在保证开断性能的前提下大大缩小了真空灭弧室的直径，而且还具有承接喷溅的电弧生成物的作用；均衡屏蔽罩的轴向自由端向内卷边，还能够起到分割电弧的作用。
附图说明
图1为采用本发明的126kV真空灭弧室结构示意图；
图2为图1的绝缘外壳结构的连接示意图；
图3为图1中均衡屏蔽罩的安装示意图；
图4为动、静触头的电极结构图；
图中，1为端盖，2为静导电杆，3为第一陶瓷外壳，4为第二陶瓷外壳，5为静触头，6为外露屏蔽罩，7为动触头，8为动导电杆，9为波纹管，10为均衡屏蔽罩，11为过渡环，12为圆环，13为加强筋，14为凸耳。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明作进一步的详细说明。
参照图1，一种126kV真空灭弧室，包括：绝缘外壳结构，以及设置在绝缘外壳结构内的静触头5、静导电杆2、动触头7、动导电杆8。绝缘外壳结构包含外露屏蔽罩6，外露屏蔽罩6两端分别通过焊接连接有第一陶瓷外壳3和第二陶瓷外壳4。采用外露屏蔽罩6，可以获得稳定的开断环境。
静触头5位于外露屏蔽罩6内，与静导电杆2的一端焊接固定，静导电杆2的另一端与设置在第一陶瓷外壳3外端部的端盖1固定连接。动触头7位于外露屏蔽罩6内，与动导电杆8的一端焊接固定，动导电杆8的另一端滑动贯穿设置在第二陶瓷4外壳外端部的端盖1。
第一和第二陶瓷外壳3、4的内壁上焊接有多个均衡屏蔽罩10。焊接在第一和第二陶瓷外壳3、4的内壁中间的均衡屏蔽罩10，其结构为径向相对的两个半圆筒，半圆筒的两个轴向自由端向内卷边。焊接在第一和第二陶瓷外壳3、4靠近外端部的内壁上的均衡屏蔽罩10，其结构为径向相对的两个半圆筒，半圆筒远离陶瓷外壳外端部的轴向自由端向内卷边。采用多个均衡屏蔽罩10，可以获得可靠的绝缘水平。
第二陶瓷外壳4内设置有波纹管9，动导电杆8贯穿波纹管9，波纹管9的一端固定在第二陶瓷外壳4外端部的端盖1内侧，另一端固定在所述动导电杆8上。这样，既保证了气密性又保证了运动的可靠性。
参照图2，第一、第二陶瓷外壳3、4与外露屏蔽罩10通过过渡环11焊接成一体，外露屏蔽罩10采用不锈钢，不仅承接喷溅的电弧生成物而且均衡真空灭弧室内部触头间的电场分布，保证开断性能的前提下大大缩小了真空灭弧室的直径。
参照图3，均衡屏蔽罩10采用无氧铜制成，通过过渡环11焊接在第一、第二陶瓷外壳3、4内壁，均衡了内部的电场结构，使整个真空灭弧室的电场得到了优化分布，保证绝缘外壳能够承受更高的电压。
参照图4，动、静触头的电极结构为沿直径方向通过加强筋13连接的圆环12，与加强筋13垂直且在圆环12的径向设置有两个凸耳14，加强筋13与两个凸耳14之间均有一缝隙。这样的电极结构相当于四个电极并联，如图中电流I的流向，合理安排了电极的电流流向，实现了数个电极并联的目的，可以获得高的开断能力。
Claims (9)
1、一种真空灭弧室，包括：绝缘外壳结构，以及设置在绝缘外壳结构内的静触头、静导电杆、动触头、动导电杆，其特征在于，所述绝缘外壳结构包含外露屏蔽罩，外露屏蔽罩两端分别连接有第一陶瓷外壳和第二陶瓷外壳；所述静触头位于外露屏蔽罩内，与静导电杆的一端固定，静导电杆的另一端与设置在第一陶瓷外壳外端部的端盖固定连接；所述动触头位于外露屏蔽罩内，与动导电杆的一端固定，动导电杆的另一端滑动贯穿设置在第二陶瓷外壳外端部的端盖；所述第一和第二陶瓷外壳的内壁上设置有多个均衡屏蔽罩。
2、根据权利要求1所述的一种真空灭弧室，其特征在于，所述均衡屏蔽罩设置在第一和第二陶瓷外壳的内壁中间，其结构为径向相对的两个半圆筒，半圆筒的两个轴向自由端向内卷边。
3、根据权利要求1所述的一种真空灭弧室，其特征在于，所述均衡屏蔽罩设置在第一和第二陶瓷外壳靠近外端部的内壁上，其结构为径向相对的两个半圆筒，半圆筒远离所述外端部的轴向自由端向内卷边。
4、根据权利要求1所述的一种真空灭弧室，其特征在于，所述第二陶瓷外壳内设置有波纹管，所述动导电杆贯穿波纹管，波纹管的一端固定在所述第二陶瓷外壳外端部的端盖内侧，另一端固定在所述动导电杆上。
5、根据权利要求1所述的一种真空灭弧室，其特征在于，所述动、静触头的电极结构为沿直径方向通过加强筋连接的圆环，与所述强筋垂直且在圆环的径向设置有两个凸耳，所述加强筋与两个凸耳之间均有一缝隙。
6、根据权利要求1所述的一种真空灭弧室，其特征在于，所述第一、第二陶瓷外壳与外露屏蔽罩分别通过过渡环焊接成一体。
7、根据权利要求1所述的一种真空灭弧室，其特征在于，所述均衡屏蔽罩与第一或第二陶瓷外壳通过过渡环焊接在一起。
8、根据权利要求1所述的一种真空灭弧室，其特征在于，所述均衡屏蔽罩由无氧铜制成。
9、根据权利要求1所述的一种真空灭弧室，其特征在于，所述外露屏蔽罩由不锈钢材料制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2008102324226A CN101436487A (zh) | 2008-11-25 | 2008-11-25 | 一种真空灭弧室 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101436487A true CN101436487A (zh) | 2009-05-20 |
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ID=40710869
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013127084A1 (zh) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | 西安交通大学 | 一种带有固定断口的真空灭弧室 |
| CN112038166A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-12-04 | 安徽普众机电有限公司 | 一种高压绝缘陶瓷真空开关管 |
-
2008
- 2008-11-25 CN CNA2008102324226A patent/CN101436487A/zh active Pending
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|---|---|---|---|---|
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