CN101354951A - 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器 - Google Patents
磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101354951A CN101354951A CNA2008100163978A CN200810016397A CN101354951A CN 101354951 A CN101354951 A CN 101354951A CN A2008100163978 A CNA2008100163978 A CN A2008100163978A CN 200810016397 A CN200810016397 A CN 200810016397A CN 101354951 A CN101354951 A CN 101354951A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- iron core
- saturation
- zone
- parallel connection
- magnetic path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 128
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 4
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000009347 mechanical transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
本发明提供一种磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，该电抗器是在铁芯上设置由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，通过调节可控硅触发导通角来控制附加直流励磁电流，利用附加直流电流励磁磁化铁芯调整不饱和区域和饱和区域的面积或磁阻，以改变并联磁路中不饱和区域的磁化程度和饱和区域的磁饱和程度实现电抗值的连续、快速可调。该电抗器可用于高低压电网的动态无功补偿和滤波、限制工频过电压、抑制电压波动等领域。使用本发明的电抗器可使铁芯的损耗、噪声、谐波含量大幅度降低，具有高可靠性、成本低和易于加工的优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种可控电抗器，具体是磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，属于电网和输变电设备节能控制领域。
背景技术
随着超高压大电网的形成和城市电网中电缆线路剧增，电网中的无功功率变化和电压波动等问题日益突出，实施无功功率动态平衡和电压波动的动态抑制、加强电网谐波治理、抑制超高压输电长线路末端电压升高和减少线路单相接地时的潜供电流、消除发电机自励磁等措施，对电网的安全经济运行、促进电网节能，具有重要意义。随着电网中冲击性负荷(如电弧炉、电解铝、轧钢、电气化铁路、城市地铁、煤矿提升设备等)逐渐增多，电力电子技术和装置在电网中的广泛应用，动态无功补偿和滤波装置对可控电抗器的安全可靠性等技术经济指标，提出了更高的要求。
目前，可控电抗器主要有以下几种类型：调匝式、调气隙式、晶闸管控制电抗器式(TCR)、高短路阻抗变压器式(TCT)和磁饱和式等，它们各有自己的优缺点。
调匝式可控电抗器是通过断路器或接触器投切抽头，改变匝数实现电抗可调，这种调节简单易行但达不到连续可调。调气隙式可控电抗器是通过精密机械传动方式，连续改变磁路中气隙的长度，实现电抗的连续可调，存在着响应速度慢、噪声大、易发生机械失灵等问题。晶闸管控制电抗器式可控电抗器是通过控制晶闸管的导通角和导通时间，以控制流过电抗器电流的大小和相位，实现了对电抗器容量的连续快速可调，在冶金行业应用广泛；由于单只晶闸管耐压水平较低，该类型可控电抗器应用到6kV以上电网中，需要用很多只晶闸管串联，在多只晶闸管同步触发和均压、控制维护等方面难度大，可靠性有待提高；该装置占地面积大，晶闸管发热量大需要辅助冷却设备，自身产生的谐波量大需要配备专用滤波设备，成本高价格昂贵。高短路阻抗变压器式可控电抗器是将变压器和电抗器设计为一体，将变压器的短路阻抗设计为100％，再在变压器的低压侧接入晶闸管进行调节，实现对感性无功功率的连续或有级控制；该类型可控电抗器可满足高电压、大容量、连续可调的要求，存在着变压器漏磁面积非常大造成效率低、结构和制造工艺复杂、成本高等不足，应用较少。磁饱和式可控电抗器是采用直流助磁原理，通过调节控制绕组中的励磁电流来控制铁芯的饱和程度以实现电抗的连续可调，结构型式有磁阀式和裂芯式；与TCR对比，磁饱和式可控电抗器具有晶闸管控制电压低、可靠性高、占地面积小、免维护、谐波小、制造和维护成本低、抑制过电压能力强等优点；也存在着铁芯的硅钢片长期工作在过饱和区域，铁芯损耗大、温升高、噪声大、铁芯截面利用率低、结构和加工工艺十分复杂等问题，致使磁饱和式可控电抗器这项先进可靠的技术，长期以来未能在电网中广泛的推广应用。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种结构可靠、损耗小、噪声低、铁芯截面充分利用、制造成本低、能够可靠地应用于超/特高压电网的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器。
本发明的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，是按以下方式实现的：在铁芯上设置由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，在并联磁路中按比例设定不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯面积或者设定不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯各自磁阻，通过调节可控硅触发导通角来控制附加直流励磁电流对铁芯的励磁磁化，使饱和区域的漏磁通由主磁通方向前后相邻或左右相邻的不饱和区域铁芯吸收而形成自屏蔽，通过对铁芯的励磁磁化改变并联磁路中不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯的磁饱和程度实现电抗值的连续、快速可调。
所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其饱和区域铁芯的漏磁通由主磁通方向前后相邻或左右相邻的不饱和区域铁芯吸收而形成自屏蔽，使铁芯的损耗、噪声、谐波含量大幅度降低。不需要采用单独的磁屏蔽装置或者在金属结构件上附设磁屏蔽结构，工艺简单，减少屏蔽硅钢片的使用。
所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其设定不饱和区域与饱和区域各自磁阻的大小，是按照不饱和区域与饱和区域采用：(1)相同材料不同结构；(2)不同材料相同结构；(3)不同材料不同结构的方式来实现的。
所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其设定不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯面积的比例，是按照：(1)不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯采用相同材料不同结构时设定为0.6～0,8；(2)不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯采用不同材料相同结构时设定为0.7～1.0；(3)、不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯采用不同材料不同结构时设定为0.8～1.2。
所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其利用附加直流电流励磁磁化铁芯的直流电流来自于按照不同响应速度的要求而采用：(1)同一个绕组自身抽头的自耦式；(2)不同绕组配合形成的互感式；(3)外供电源式。三种型式均经过两个反向连接的可控硅整流形成直流电流。
所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其利用附加直流电流励磁磁化铁芯的直流电流来自于按照不同响应速度的要求而使不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯具体设定在：(1)磁化曲线的线性区；(2)磁化曲线的饱和区；(3)磁化曲线的过饱和区。
所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，在单相电使用的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器的铁芯结构型式是单框双柱式和单框双柱带旁铁轭式，在三相电使用的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器的铁芯结构型式是三框六柱式和三框六柱带旁铁轭式。
所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其铁芯芯柱叠片与上下铁轭以及旁铁轭叠片的连接，可以是全斜接缝或者是半直半斜接缝或者是全直接缝。
所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，采用不同绕组配合形成的互感式和外供电源式，可以由多个绕组组成，一个或多个绕组负责提供铁芯附加直流励磁电流，其它绕组分别具有抑制谐波、阻尼消除谐振、平衡三相负载电流的功能。
所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，在器身绝缘结构和总装配结构的设计中，采用成熟可靠的电力变压器相应的结构和工艺，能够实现超高压电网需要的大容量可控电抗器的设计、生产和安全可靠运行。
本发明的有益效果是：结构简单、性能稳定可靠，损耗小噪声低，易于加工制造，成本低。
附图说明
图1是不同磁阻铁芯芯柱的磁路并联结构示意图；
图2是不同面积铁芯芯柱的磁路并联结构示意图；
图3是漏磁自屏蔽铁芯的结构示意图；
图4是单框双柱式铁芯结构示意图；
图5是图4的A-A向断面结构示意图；
图6是单框双柱带旁轭式铁芯结构示意图；
图7是图6的B-B向断面结构式意图；
图8是三框六柱式铁芯结构示意图；
图9是图8的C-C向断面结构示意图；
图10是三框六柱带旁轭式铁芯结构示意图；
图11是图10的D-D向断面结构示意图；
图12是图1的电路原理图。
图13是图2的电路原理图。
附图标记说明：不饱和区域铁芯1；饱和区域铁芯2；绕组3；可控硅4、5；二极管6；保护回路7；铁轭8；主磁通9；漏磁通10。
具体实施方式：
参照说明书附图对本发明的可控电抗器作以下详细地说明。
图1所示为磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器的铁芯，由处于不饱和区域铁芯1和处于饱和区域铁芯2交错排列组成；铁芯外侧套装绕组3，在绕组3的一部分匝数回路中或者是在另外独立绕组的回路中串联两个反向的可控硅4、5形成整流电路；根据需要在两组绕组中部设置一个二极管6续流，根据需要在其它独立绕组的回路中连接滤波保护回路7；铁芯芯柱的主磁通9经过上下铁轭8闭合形成磁的回路。
图2所示，绕组还可以是由3个独立的绕组L1-L3组成，其中L2的两端并接可控硅组成整流电路，两只可控硅的阴极阳极相互并接，L3的两端接一滤波保护回路，铁芯芯柱的主磁通经过上下铁轭闭合形成磁回路。
图3所示为处于不饱和区域铁芯1和处于饱和区域铁芯2沿主磁通方向左右相邻交错排列。处于饱和区域铁芯2由较小的截面积或导磁率低的导磁材料或气隙构成，在主磁通9通过处于饱和区域铁芯2时由于磁通饱和造成磁通发散形成漏磁通10；漏磁通10直接进入主磁通方向左右相邻的处于不饱和区域铁芯1中，从另一个方向看是漏磁通10直接进入主磁通方向前后相邻不饱和区域铁芯1中，避免了漏磁通10经过非导磁介质再进入金属结构件而产生大量的杂散损耗，同时也避免了金属结构件的局部过热质量问题。
图4、5为在单相电使用的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器采用的单框双柱式铁芯结构，芯柱主磁通9方向相反，经过上下铁轭闭合形成磁的回路；芯柱截面由处于不饱和区域铁芯1和处于饱和区域铁芯2交错排列而组成。
图6、7为单相电使用的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器采用的单框双柱带旁铁轭式铁芯结构，芯柱截面由处于不饱和区域铁芯1和处于饱和区域铁芯2交错排列而组成，芯柱主磁通9方向相同，各自经过旁铁轭闭合形成磁的回路。
图8、9为三相电使用的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器采用的三框六柱式铁芯结构，芯柱截面由处于不饱和区域铁芯1和处于饱和区域铁芯2交错排列而组成，芯柱主磁通9方向相同，三相电磁通矢量合成到上下铁轭形成磁的回路。
图10、11为三相使用的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器采用的三框六柱带旁铁轭式铁芯结构，芯柱截面由处于不饱和区域铁芯1和处于饱和区域铁芯2交错排列而组成，芯柱主磁通9方向相同，三相电磁通矢量合成到上下铁轭及旁铁轭形成磁的回路。
图12为图1的电路原理图，以此图说明可控电抗器的调节。铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯1和饱和区域铁芯2交错排列而组成，铁芯外套装绕组，绕组是由L1-L6组成，其中L1和L5线头并接，L4和L6线尾并接，L1、L2的中间接点接可控硅4的阳极形成整流电路，L3、L4的中间接点接可控硅5的阳极形成整流电路，L2的尾端、L6的首端、L3的首端、L5的尾端并接续流二极管的负极，可控硅的阴极与续流二极管的正极并接。绕组L1、L2和L3、L4是自耦式，L2、L3是绕组L1和L4的一部分，L2、L3的匝数是L1、L4的1～2％；可控硅4、5连接在绕组L1、L2和L3、L4中间抽头两端，其上的电压比较低，仅为系统电压的1～2％，保证了可控硅运行的可靠性。电源电压正半周触发导通可控硅4，在回路中产生励磁电流；电源电压负半周触发导通可控硅5，在回路中产生励磁电流；一个周期内电源电压轮流触发导通可控硅4、5，经过二极管6续流产生连续的励磁电流；励磁电流的大小取决于可控硅控制导通角a，a越小产生的励磁电流越大，使电抗器处于不饱和区域铁芯1的磁化程度加强，同时使处于饱和区域铁芯2磁饱和程度也加强，电抗器电抗值变小而输出电流变大。由此实现了通过改变可控硅4、5控制导通角a，可以平滑调节电抗器的容量；并且可以根据设定铁芯的磁饱和程度以满足电抗器对调节速度的要求。
图13为图2的电路原理图，以此图说明可控电抗器的调节。铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列而组成，铁芯外套装绕组，绕组是由3个独立的绕组L1-L3组成，其中L2的两端并接可控硅4、5组成整流电路，两只可控硅4、5的阴极阳极相互并接绕组L2的首端，两只可控硅的阴极阳极相互并接的另一端与绕组L2的末端接外接电源，L3的两端接一滤波保护回路，铁芯芯柱的主磁通经过上下铁轭闭合形成磁回路。
外接电源分别接绕组L2和阴极阳极并接的可控硅4、5，外接电源电压的正半周触发导通可控硅4，在回路中产生励磁电流；外接电源电压的负半周触发导通可控硅5，在回路中产生励磁电流；一个周期内电源电压轮流触发导通可控硅4、5，在绕组L2中产生连续的励磁电流；励磁电流的大小取决于可控硅4、5控制导通角a，a越小产生的励磁电流越大，使电抗器处于不饱和区域铁芯1的磁化程度加强，同时使处于饱和区域铁芯2磁饱和程度也加强，电抗器电抗值变小而输出电流变大。由此实现了通过改变可控硅4、5控制导通角a，可以平滑调节电抗器的容量；根据设定铁芯的磁饱和程度，确定外接电源容量参数，以满足电抗器对调节速度的要求；绕组L3回路与滤波保护回路连接，以满足电抗器对滤波保护的要求。
Claims (10)
1、一种磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于在铁芯上设置由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，在并联磁路中按比例设定不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯面积或者设定不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯各自磁阻，通过调节可控硅触发导通角来控制附加直流励磁电流对铁芯的励磁磁化，使饱和区域铁心的漏磁通由主磁通方向前后相邻或左右相邻的不饱和区域铁芯吸收而形成自屏蔽，通过对铁芯的励磁磁化改变并联磁路中不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯的磁饱和程度实现电抗值的连续、快速可调。
2、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：设定不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯磁阻的大小，是按照不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯采用：(1)相同材料不同结构；(2)不同材料相同结构；(3)不同材料不同结构的方式实现。
3、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：设定不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯面积的比例，是按照：(1)不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯采用相同材料不同结构时设定为0.6～0,8；(2)不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯采用不同材料相同结构时设定为0.7～1.0；(3)、不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯采用不同材料不同结构时设定为0.8～1.2。
4、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：所述利用附加直流电流励磁磁化铁芯的直流电流来自于按照不同响应速度的要求而采用：(1)同一个绕组自身抽头的自耦式；(2)不同绕组配合形成的互感式；(3)外供电源式，三种型式均经过两个反向连接的可控硅整流形成直流电流。
5、根据权利要求4所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：采用不同绕组配合形成的互感式和外供电源式可以由多个绕组组成，一个或多个绕组负责提供铁芯附加直流励磁电流，其它绕组分别具有抑制谐波、阻尼消除谐振、平衡三相负载电流的功能。
6、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：所述利用附加直流电流励磁磁化铁芯的直流电流来自于按照不同响应速度的要求而使铁芯的不饱和区域铁芯与饱和区域铁芯具体设定在：(1)磁化曲线的线性区；(2)磁化曲线的饱和区；(3)磁化曲线的过饱和区。
7、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：(1)在单相电使用中，磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器的铁芯结构型式是单框双柱式和单框双柱带旁轭式；(2)在三相电使用中，磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器的铁芯结构型式是三框六柱式和三框六柱带旁轭式。
8、根据权利要求7所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于：铁芯芯柱叠片与上下铁轭以及旁铁轭叠片的连接，是全斜接缝或者是半直半斜接缝或者是全直接缝。
9、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列而组成，铁芯外套装绕组，绕组是由L1-L6组成，其中L1和L5线头并接，L4和L6线尾并接，L1、L2的中间接点接可控硅的阳极形成整流电路，L3、L4的中间接点接可控硅的阳极形成整流电路，L2的尾端、L6的首端、L3的首端、L5的尾端并接续流二极管的负极，可控硅的阴极与续流二极管的正极并接。
10、根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于绕组是由3个独立的绕组L1-L3组成，其中绕组L2的两端并接可控硅组成整流电路，两只可控硅的阴极阳极相互并接绕组L2的首端，两只可控硅的阴极阳极相互并接的另一端与绕组L2的末端接外接电源，L3的两端接一滤波保护回路，铁芯芯柱的主磁通经过上下铁轭闭合形成磁回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100163978A CN101354951B (zh) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008100163978A CN101354951B (zh) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101354951A true CN101354951A (zh) | 2009-01-28 |
| CN101354951B CN101354951B (zh) | 2011-08-24 |
Family
ID=40307709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008100163978A Active CN101354951B (zh) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101354951B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102035454A (zh) * | 2011-01-05 | 2011-04-27 | 山东大学 | 一种可控饱和电抗器及其控制方法 |
| CN104377014A (zh) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 青岛菲特电器科技有限公司 | 一种可控电抗器 |
| CN114496536A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-05-13 | 天津经纬正能电气设备有限公司 | 大型干式空心tcr电抗器漏磁引起周边附件发热的治理方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2263411Y (zh) * | 1995-09-19 | 1997-09-24 | 武汉水利电力大学 | 磁阀式可控电抗器 |
| SE506893C2 (sv) * | 1996-05-23 | 1998-02-23 | Asea Brown Boveri | Styrbar induktor |
| TW317361U (en) * | 1996-09-06 | 1997-10-01 | Yuan Ke Jung | Adjustable asymmetric saturable transformer |
| CN2738367Y (zh) * | 2004-03-01 | 2005-11-02 | 刘有斌 | 带磁屏蔽的磁控式可控电抗器 |
-
2008
- 2008-05-28 CN CN2008100163978A patent/CN101354951B/zh active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102035454A (zh) * | 2011-01-05 | 2011-04-27 | 山东大学 | 一种可控饱和电抗器及其控制方法 |
| CN104377014A (zh) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 青岛菲特电器科技有限公司 | 一种可控电抗器 |
| CN114496536A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-05-13 | 天津经纬正能电气设备有限公司 | 大型干式空心tcr电抗器漏磁引起周边附件发热的治理方法 |
| CN114496536B (zh) * | 2021-10-19 | 2024-02-06 | 天津经纬正能电气设备有限公司 | 大型干式空心tcr电抗器漏磁引起周边附件发热的治理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101354951B (zh) | 2011-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2139088B1 (en) | Core-saturated superconductive fault current limiter and control method of the fault current limiter | |
| CN2911906Y (zh) | 一种可控三相组合式电抗器 | |
| CN201328101Y (zh) | 安全可靠的外励磁式磁控电抗器装置 | |
| CN103532151A (zh) | 一种变电站多侧电压无功协调优化控制系统 | |
| CN102982985A (zh) | 一种多抽头复合励磁型可控电抗器 | |
| CN206497818U (zh) | 新型磁控电抗器 | |
| CN101354951B (zh) | 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器 | |
| CN114512971B (zh) | 混合励磁的多功能饱和铁芯交流故障限流器及限流方法 | |
| CN103475293A (zh) | 具有潮流控制和短路限流功能的铁芯电抗调节器及其控制方法 | |
| CN202332551U (zh) | 新型正交磁化直流助磁可调电抗器 | |
| CN101093748B (zh) | 可控组合式电抗器 | |
| CN2672820Y (zh) | 横向磁通可控电抗器 | |
| CN204497043U (zh) | 磁分路型全漏磁回收同轴双绕组可控阻抗电抗器 | |
| CN201213091Y (zh) | 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器 | |
| CN107689631B (zh) | 一种变压器式可控电抗器新型磁集成装置 | |
| CN202333823U (zh) | 铁芯两相磁特性转换的控制器 | |
| CN105529911A (zh) | 直流冶炼专用特种电源装置 | |
| CN201113889Y (zh) | 不饱和对称磁路可调电抗器 | |
| CN201608028U (zh) | 自感式可控电抗器双绕组结构 | |
| CN104505237A (zh) | 一种基于正交磁化原理的可调电抗器 | |
| CN112563002A (zh) | 一种裂心式磁控智能变压器及控制方法 | |
| CN112018781A (zh) | 智能型变压器式可控电抗器 | |
| CN207425511U (zh) | 电感值连续可调铁芯电抗器 | |
| CN102290200A (zh) | 一种可控饱和电抗器 | |
| CN206559050U (zh) | 一种分布式能源接入的电能质量控制装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20160603 Granted publication date: 20110824 |
|
| RINS | Preservation of patent right or utility model and its discharge | ||
| PD01 | Discharge of preservation of patent |
Date of cancellation: 20161203 Granted publication date: 20110824 |
|
| PD01 | Discharge of preservation of patent | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20161213 Granted publication date: 20110824 |
|
| PP01 | Preservation of patent right | ||
| PD01 | Discharge of preservation of patent |
Date of cancellation: 20170613 Granted publication date: 20110824 |
|
| PD01 | Discharge of preservation of patent | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221202 Address after: No. 120, Jinshan Road, Fushan District, Yantai, Shandong 265500 Patentee after: SHANDONG JIMYA ELECTRIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 250014 No. 2, building 1, building No. 45, Wenhua East Road, Lixia District, Shandong, Ji'nan, 201 Patentee before: Wang Xuecai |
|
| TR01 | Transfer of patent right |